Collaborative Conference on Materials Research


AlGaInN LEDs with a Temperature Gradient Method

BIT's 5th annual world congress of advanced materials-2016


2016 10th Int. Conf. on New Diamond and Nano Carbons


A Temperature Gradient Method Applied to Visible or Near-Ultraviolet InGaN/GaN LEDs

6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)


2015 International Conference on Optoelectronics and Microelectronics


7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors


A Temperature Gradient Method in InGaN/GaN LEDs Manufacturing

International Forum on Advanced Technologies


A Novel Method to Generate Different Wavelength of InGaN-LED in the Same Wafer

10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices


InGaAlN LED and C-related P-type Conductivity in AlGaN

2014 International Symposium on Single Crystal Diamond Electronics (SCDE) and the Fourth Chinese Vacuum Forum (CVF)


C-Related p-Type Conduction in AlGaN and AlN


InGaN on Ta-GaN on sapphire substarte switched to the alternative Si wafer

6th Int. Symp. On Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterals (ISPlasma2014)


Photo-induced Current in AlC/ Sapphire Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces


Fabrication of C-doped p-AlGaInN LED by the insertion of Al4C3

International Workshop on Nitride Semiconductor 2012


Growth of Diamond like Carbon Film with Phosphorus Incorporation Using CVD Technique

The Sixteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy


Characteristics of Si and P-doped Al4C3 by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy


Optimum temperature to grow nano-AlC on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

4th Int. Symp. on Advanced Plasma Science and its Application for Nitride and Nanomaterls


MOCVD-GaN growth on separated GaN from sapphire using Tantalium

Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors


High Temperature Growth of AlxCy by Chemical Vapor Deposition

The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)


TEM Observation of Re-Grown GaN on Nano-Patterned GaN Template

The 37th International Symposium on Compound Semiconductors


Front and Back Side Illumination of a Nano-Structured AlGaInN Photodetector

2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials


Ta-etching of GaN by the Metalorganic Chemical Vapor Deposition-re-growth of GaN


Growth of SiGeC Thin Film on Si Substrate by Metal Organic Chemical Vaoir Deposition

Fifth International Workshop on NEW GROUP IV SEMICONDUCTOR NANOELECTRONICS


GaN-bsed Light Emitting Diodes with Periodic Nano-structues on the Surface Fabricated by Nanoimprint Lithography Technique

The 8th International Conference on Nitride Semiconductors


GaN Surface Nanostructure Photodetector Based on Back Side Incidence


Evaluation and Re-growth of GaN on Nano-patterned GaN on a Sapphire Substrate


Crack Reduction of AlGaN on GaN/sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition


GaN Re-growth Using Ta Mask by Metalorganic Chemical Vapor Deposition


The surface nanostructure photo-voltaic property of GaN-based photodetector

Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)


AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate

Second International Symposium on Growth of III-Nitrides


GaN-LED's on nano-etched sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition

The first International conference on White Light-Emitting Diodes(LEDs) and Solid State Lighting (SSL)


GaN- and AlGaN-based UV-LEDs on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007)


An a-GaN and an a-InGaN on r-Sapphire by Relatively High Temperature Metal organic Chemical Vapor Deposition

The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors


Growth of Thick a-plane GaN on r-plane Sapphire by Direct Synthesis Method

International Workshop on Nitride Semiconductors 2006


Investigation of InGaN films on a-plane GaN grown by metal organic chemical vapor deposition technique


Blue light emitting diode fabricated on a-plane GaN film over r-sapphire substrate and on a-plane bulk GaN substrate


Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition

First International Symposium on Growth of III-Nitrides


Inversion domains in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate

13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy


Visible light emitting diode using a-plane GaN on r-sapphire substrate with an InAlN buffer layer and a high temperature atomic layer epitaxy


Al0.17Ga0.83N film with middle temperature intermediate layer grown on trenched sapphire substrate by MOCVD


Efficient non-polar a-plane light-emitting-diodes grown using AlInNbuffer and intermediate layer

6th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes


High-quality AlGaN film grown on the patterned sapphire substrate using a low-temperature intermediate layer by MOCVD

International COE Workshop on Nano Processes and Devices, and Their Applications


AlGaN Films grown on trenched sapphire substrates using a low-temperature GaNP buffer layer by MOCVD

6th international conference on nitride semiconductors


Impurity induced disordering of p-type AlGaN-GaN Superlat-tice Structures

6th International Conference on Nitride Semiconductors


Diffusion Effect Induced InAsN Films Growth on GaAs(100) Substrates by MOCVD

The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)


Growth and fabrication of AlGaInN-based UV-LEDs using SiN nano-mask

AlInGaN系紫外発光ダイオードの活性層へのSiN添加効果について検討した.カソードルミネッセンス法およびAFMを用いて,発光効率のSiN添加による変化の物理的機構を議論し,成長モデルを提案した.


Cracks and dislocation structures in AlGaN systems

Fifth International Conference on Nitride Semiconductor

We have performed a complex study of the dislocation/crack distribution in the misfit-strained AlGaN/GaN systems. Two different samples were analysed without and with top GaN overlayer. The co-existence of the optically visible dominant cracks with the AlGaN-GaN interface-related subdominant crack system is reported. The structure of the subdominant crack network is analysed; strong correlation between subdominant cracks and the interface-related edge dislocations is revealed.


MOCVD Growth of InGaN with an Artificial Compostional Distribution

5th International Conference on Nitride Semiconductors

InGaN において発光波長を任意に選ぶことができる．すなわち，基板をとり，その底にTiをつければよい．この方法で青から緑の発光色を得ることができた．


Cathodeluminescence and TEM Study of GaN Films Grown with GaNP Buffer Layer by MOCVD

低温成長GaNPのカソードルミネッセンス，TEMの結果を示した．カソードルミネッセンスでは転位からの発光がへり，TEMの結果からは転位密度が1/4になったことが示された．


High Efficiency GaN Light-Emitting Diode with High Resistance P-Pad Region Using Plasma Surface Treatment

p型の一部をプラズマで絶縁化し，p領域全体に電流が回り発光ダイオードの効率改善に有利に働くことを見出した．


InNAs の3元素のXPS測定を行った．その結果，Nはアニオン的であるがAsがカチオン的であることがわかった．


Investigation of Copper Schottky Contact on n-GaN Grown on Sapphire Substrate

Proceeding of First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

Japan Society for the Promotion of Science


Monolithic Blue LED Series Arrays for High-Voltage AC Operation

Abstracts of the International Workshop on Nitride Semiconductors 2002

Forschungszentrum Julich (Research Centre Julich)

AC LEDを初めて発表した．AC LEDは，直並列にLEDを並べることで達成される．AC 70Vで光った．


MOCVD growth of wide-bandgap nitride semiconductors

SPIE Photonic West, Critical Review on GaN and Related Materials

MOCVD で成長したAlInGaN，成長装置，構造，InGaN の不均一などMOCVD で作る発光デバイスについて書いた．


Electronic Structures of GaNP and InNAs Ordered Alloys Calculated by the Pseudopotential Method

Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors


Laser-induced Damage Threshold and Laser Processing of GaN


Phase Separation Mechanism around Dislocation in an InGaN/GaN Quantum Well Structure

Proceedings of the Twenty-Fifth International Symposium on Compound Semiconductors

MOCVD法により成長されたサファイア上InGaN中の光学特性に対する転位の役割についてカソードルミネッセンス法，TEM,AFMを用いて評価した．InGaN中の相分離はInGaNが厚く，成長温度が低い時におこることを示し，相分離と転位の関係を議論した．


Stacking Fault and Its Effect on the GaN Epitaxial Growth

様々な手法を用いて成長されたGaNをTEMにより評価し,積層欠陥の振る舞いについて議論した.


Anomalous Temperature Behaviour and Band Tailing in InGaN/GaN Heterostructures Grown on Sapphire by MOCVD

Technical Digest. Summaries of Papers Presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Conference Edition.

MOCVD成長されたInGaN/GaNヘテロ構造における光学特性の異常な温度特性およびバンドテイリング効果について議論した.


Correlation between Dislocations and Luminescence in GaN

MOCVD成長されたGaNについて,その転位と光学特性の相関を,カソードルミネッセンス法およびTEM観察により調査した.点欠陥が黄色発光の起源であることおよび転位よりも光学特性におおきな影響を与えることを示した.


Studies on acoustic domain and electric domain in CdS

The 6th International Conference on Internal Fruction and Ultrasonic Attenuation in Solids

CdS の高電界ドメインは音波のドメインである音響ドメインと双子の関係にある．両者が空間的にどのような位置関係にあり，その位置関係はどのようなことが原因かを，単一キャパシティブプローブ法とブリルアン光散乱法を用いて明かにした．


第77回 応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集

第77回 応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集


電気関係学会四国支部合同学術講演会

電気関係学会四国支部合同学術講演会


InGaN / GaN multi-wavelength LED using a tunnel junction

トンネル接合を用いたInGaN/GaN 多波長LED

2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会

2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会


陽極酸化によるAlGaInN-LEDの光取り出し効率の向上

陽極酸化によるAlGaInN-LEDの光取り出し効率の向上

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集


AlC拡散によるAlGaN表面の変化

AlC拡散によるAlGaN表面の変化

Journal of Shikoku-Section Joint Convention of the Institutes of Electrical and Related Engineers

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集


基板の裏面を加工及び追加したInGaN系LED

基板の裏面を加工及び追加したInGaN系LED

電気関係学会四国支部連合大会

電気関係学会四国支部連合大会


Mg:AlC における光誘起電流

Mg:AlC における光誘起電流

平成25年度 電気関係学会四国支部連合大会

平成25年度 電気関係学会四国支部連合大会


Ta(タンタル)を用いたGaN(窒化ガリウム)の剥離およびマスクの検討

Ta(タンタル)を用いたGaN(窒化ガリウム)の剥離およびマスクの検討

平成25年度 電気関係学会四国支部連合大会

平成25年度 電気関係学会四国支部連合大会


第74回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集

第74回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集

同志社大学京田辺キャンパス

同志社大学京田辺キャンパス


P-type conduction mechanism in Carbon-doped AlGaN

炭素(C)ドープAlGaN のP 型化のメカニズム

第60 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集

第60 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集


AlCによるAlGaNへのp型ドーピング

AlCによるAlGaNへのp型ドーピング

第73回応用物理学会学術講演会

第73回応用物理学会学術講演会


第73回応用物理学会学術講演会

第73回応用物理学会学術講演会


Growth of AlC on sapphire, Silicon and SiC substrates

第31回電子材料シンポジウム

第31回電子材料シンポジウム


Study of phosphorus incorporated DLC films grown by CVD technique

第59回応用物理学関係連合講演会

第59回応用物理学関係連合講演会


第59回応用物理学会関係連合講演会

第59回応用物理学会関係連合講演会


電子情報通信学会技術研究報告 電子デバイス

電子情報通信学会技術研究報告 電子デバイス


SiO2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究

SiO2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究

電子情報通信学会技術研究報告 電子デバイス

電子情報通信学会技術研究報告 電子デバイス


Heterostructure Formation on AlC/Sapphire Substrate


昇華法によるバルクAlNの成長

昇華法によるバルクAlNの成長

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集


金属マスクを施したサファイア表面周期構造へのGaN成長と評価

金属マスクを施したサファイア表面周期構造へのGaN成長と評価

平成22年度電気関係学会四国支部連合大会

平成22年度電気関係学会四国支部連合大会


ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製

ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製

平成22年度電気関係学会四国支部連合大会

平成22年度電気関係学会四国支部連合大会


平成22年度電気関係学会四国支部連合大会

平成22年度電気関係学会四国支部連合大会


MOCVD法によるSiおよびサファイア上へのGeC薄膜の成長

MOCVD法によるSiおよびサファイア上へのGeC薄膜の成長

平成22年度電気関係学会四国支部連合大会

平成22年度電気関係学会四国支部連合大会


MOCVD法によるAlC薄膜の成長

MOCVD法によるAlC薄膜の成長

第71回応用物理学会学術講演会

第71回応用物理学会学術講演会


Taマスクを用いたMOCVD再成長GaNの表面モフォロジー改善

Taマスクを用いたMOCVD再成長GaNの表面モフォロジー改善

第71回応用物理学会学術講演会

第71回応用物理学会学術講演会


ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察

ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察

第57回応用物理学関係連合講演会

第57回応用物理学関係連合講演会


表面ナノ周期構造を有するInGaN-LEDからの輻射光空間分布特性

表面ナノ周期構造を有するInGaN-LEDからの輻射光空間分布特性

第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長

Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長

第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


裏面入射GaN系表面ナノ構造光検出器

裏面入射GaN系表面ナノ構造光検出器

第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


ナノ加工を施したGaN上への再成長及びその評価

ナノ加工を施したGaN上への再成長及びその評価

第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


ナノインプリント技術により周期的ナノ構造を形成したGaN系光デバイスからのEL特性

第56回応用物理学関係連合講演会

第56回応用物理学関係連合講演会


サファイア上周期的ナノ構造を形成するためのナノインプリント技術開発とGaN系LED

第56回応用物理学関係連合講演会

第56回応用物理学関係連合講演会


GaNナノ加工pnダイオード光検出器

GaNナノ加工pnダイオード光検出器

第56回応用物理学関係連合講演会

第56回応用物理学関係連合講演会


第56回応用物理学関係連合講演会

第56回応用物理学関係連合講演会


ナノ加工を用いたGaNのC-V特性

ナノ加工を用いたGaNのC-V特性

第56回応用物理学関係連合講演会

第56回応用物理学関係連合講演会


表面プラズモンポラリトンによる半導体LED の出力改善に関する検討

表面プラズモンポラリトンによる半導体LED の出力改善に関する検討

平成20年度電気関係学会四国支部連合大会

平成20年度電気関係学会四国支部連合大会


ナノインプリント技術によるサファイア基板上へのナノ構造の形成

ナノインプリント技術によるサファイア基板上へのナノ構造の形成

平成20年度電気関係学会四国支部連合大会

平成20年度電気関係学会四国支部連合大会


直接合成法を用いたa 面GaN 結晶成長のためのNH3 流量の検討

直接合成法を用いたa 面GaN 結晶成長のためのNH3 流量の検討

平成20年度電気関係学会四国支部連合大会

平成20年度電気関係学会四国支部連合大会


SiO2 を斜め蒸着した凹凸GaN テンプレート上へのGaN成長

SiO2 を斜め蒸着した凹凸GaN テンプレート上へのGaN成長

平成20年度電気関係学会四国支部連合大会

平成20年度電気関係学会四国支部連合大会


2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会

2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会


2008年(平成20年)春季第55回応用物理学会連合講演会

2008年(平成20年)春季第55回応用物理学会連合講演会


AlGaN系紫外発光ダイオードの光出力に及ぼす電極形状の影響に関する研究

AlGaN系紫外発光ダイオードの光出力に及ぼす電極形状の影響に関する研究

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集


AlGaN系紫外LEDのエレクトロルミネッセンスの温度特性

AlGaN系紫外LEDのエレクトロルミネッセンスの温度特性

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集


MOCVD成長AlGaNのMgドーピングによる結晶性への影響

MOCVD成長AlGaNのMgドーピングによる結晶性への影響

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集


オフ角r面サファイア基板上にMOCVD法によるa面GaNのX線回折による評価

オフ角r面サファイア基板上にMOCVD法によるa面GaNのX線回折による評価

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集


UV-LED用高Al組成AlGaN結晶の高品質化に関する研究

UV-LED用高Al組成AlGaN結晶の高品質化に関する研究

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集


ナノ・エッチングしたサファイア上へのGaNのMOCVD成長

ナノ・エッチングしたサファイア上へのGaNのMOCVD成長

第68回応用物理学会学術講演会

第68回応用物理学会学術講演会


MOCVDにより直接高温成長した高品質a面GaN・InGaN結晶成長

MOCVDにより直接高温成長した高品質a面GaN・InGaN結晶成長

第54回応用物理学会学術講演会

第54回応用物理学会学術講演会


a面バルクGaNおよびr面サファイア上a面GaNに作製した青色発光ダイオード

a面バルクGaNおよびr面サファイア上a面GaNに作製した青色発光ダイオード

第67回応用物理学会学術講演会

第67回応用物理学会学術講演会


SiNを用いたAlInGaN系紫外LED高出力化の検討

SiNを用いたAlInGaN系紫外LED高出力化の検討

第67回応用物理学会学術講演会

第67回応用物理学会学術講演会


第67回応用物理学会学術講演会

第67回応用物理学会学術講演会


TMA添加直接合成法によるバルクAlGaNの結晶成長

TMA添加直接合成法によるバルクAlGaNの結晶成長

第67回応用物理学会学術講演会

第67回応用物理学会学術講演会


直接合成法によるr面サファイア上へのバルクa-GaN成長

直接合成法によるr面サファイア上へのバルクa-GaN成長

第67回応用物理学会学術講演会

第67回応用物理学会学術講演会


中間温度成長AlGaN層と多重量子井戸(MQW)層によるMOCVD成長AlGaN中の転位低減

応用物理学会中国四国支部，日本物理学会中国支部・四国支部，日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集


低温中間層による凸凹サファイア基板上Al0.17Ga0.83NのMOCVD

低温中間層による凸凹サファイア基板上Al0.17Ga0.83NのMOCVD


低温成長層の導入によるAlGaNの高品質化

低温成長層の導入によるAlGaNの高品質化


高Al組成窒化物系UV-LED用Ni/Au系透明電極の解析

高Al組成窒化物系UV-LED用Ni/Au系透明電極の解析


第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集

第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集


凹凸サファイア基板上に成長させたAlGaN薄膜の反転ドメイン

凹凸サファイア基板上に成長させたAlGaN薄膜の反転ドメイン

第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集

第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集


低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl0.17Ga0.83N MOCVD成長

第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集

第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集


フラックス成長BP結晶上へのGaN成長

フラックス成長BP結晶上へのGaN成長

第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集

第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集


窒化物半導体と紫外発光デバイス

窒化物半導体と紫外発光デバイス

第7回IEEE広島支部学生シンポジウム(HISS)

第7回IEEE広島支部学生シンポジウム(HISS)


AlGaN-MOCVD成長における GaNPバッファ層の効果 --- Effect of GaNP buffer-layer on AlGaN growth by MOCVD

電気関係学会四国支部連合大会

電気関係学会四国支部連合大会


加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価 --- The dislocation measurement of in Al0.07Ga0.93N film on patterned sapphire substrate by TEM

電気関係学会四国支部連合大会

電気関係学会四国支部連合大会


フラックス法によるBP結晶成長 --- Crystal Growth of BP by Flux Method

電気関係学会四国支部連合大会

電気関係学会四国支部連合大会


MOCVD法によるサファイア基板上へのSb添加AlNの成長

MOCVD法によるサファイア基板上へのSb添加AlNの成長

第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集

第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集


低温GaNPバッファー層を用いた加工サファイア基板上のAlGaN MOCVD成長

第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集

第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集


p-AlGaN/GaN 超格子構造における不純物ドーピングによる混晶化 --- Impurity Induced Alloying in p-AlGaN/GaN Superlattice Structures

第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集

第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集


高品質AlGaNへ向けての低温成長AlGaN層の検討 --- Investigation of low temperature growth AlGaN layer for high quality AlGaN

第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集

第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集


Thermal Stability of Copper Schottky Contact on AlGaN/GaN and n-GaN

第50回応用物理学関係連合講演会

第50回応用物理学関係連合講演会


n-GaN上のCu及びNi/Auショットキーコンタクトの比較

n-GaN上のCu及びNi/Auショットキーコンタクトの比較

第50回応用物理学関係連合講演会

第50回応用物理学関係連合講演会


六方晶系 GaNAs 規則合金のバンド構造の解析

六方晶系 GaNAs 規則合金のバンド構造の解析

電子情報通信学会総合大会

電子情報通信学会総合大会

Institute of Electronics, Information and Communication Engineers


AlGaN/GaN HEMT with Thin Buffer Layer on Sapphire Substrate


擬ポテンシャル法による GaNP，InNAs 規則合金の電子構造の解析

擬ポテンシャル法による GaNP，InNAs 規則合金の電子構造の解析

Journal of Shikoku-Section Joint Convention of the Institutes of Electrical and Related Engineers

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集


Residual Stress Measurement of Single Crystal GaN Film

単結晶GaN薄膜の残留応力測定

Proceedings of the 36th Symposium on X-ray Studies on Mechanical Behavior of Materials

第36回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集


ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製と高性能LED作製への応用検討

ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製と高性能LED作製への応用検討


表面・界面に周期構造を有するGaN系LEDの配向特性評価

表面・界面に周期構造を有するGaN系LEDの配向特性評価


GaN nanorod fabrication by reactive ion etching and nanoimprint lithography technique

Proceedings of the fourth symposium on "The Fourth International Symposium:Development of the Global Doble Degree Program(GDPP)"


GaN系表面ナノ構造光検出器

GaN系表面ナノ構造光検出器

電子情報通信学会電子デバイス研究会

電子情報通信学会電子デバイス研究会


Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長

Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長

電子情報通信学会電子デバイス研究会

電子情報通信学会電子デバイス研究会


ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性

電子情報通信学会電子デバイス研究会

電子情報通信学会電子デバイス研究会


ナノ微細加工サファイア基板上へのGaN系発光ダイオードの作製

ナノ微細加工サファイア基板上へのGaN系発光ダイオードの作製

第1回フロンティア研究センターシンポジウム

第1回フロンティア研究センターシンポジウム


オフ角r面サファイア上MOCVD成長a面GaNのX線回折評価

オフ角r面サファイア上MOCVD成長a面GaNのX線回折評価

第1回フロンティア研究センターシンポジウム

第1回フロンティア研究センターシンポジウム


340nm帯ナイトライド系 UV-LEDの自己発熱と電流集中効果による発光特性への影響

第1回フロンティア研究センターシンポジウム

第1回フロンティア研究センターシンポジウム


The segragation and saturation phenomena of Mg concentration in AlGaN

26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)


Chracterization of a-plane MOCVD-grown GaN on off-angle r-plane sapphire substrates


単一キャパシティブプローブによるCdS中の電界分布の新しい測定法

単一キャパシティブプローブによるCdS中の電界分布の新しい測定法

電子通信学会半導体トランジスタ研究会

電子通信学会半導体トランジスタ研究会

CdS中に発生する高電界ドメインの発生理由を探るためにキャパシター型のプローブを開発し，プローブ制御，プローブ信号検出にコンピュータを導入し，正確な項電界ドメイン観測に成功した．