Dynamic wide gamut color generation using highly lossy metal-based metal-dielectric-metal structure


Broadband Ag/SiO2/Fe/TiO2 ultrathin planar absorber with a wide acceptance angle from visible to near-infrared regions


Investigation of V/III ratio dependencies for optimizing AlN growth during reduced parasitic reaction in metalorganic vapor phase epitaxy.


High growth temperature for AlN by jet stream gas flow metalorganic vapor phase epitaxy.


Ultra-thin deep ultraviolet perfect absorber using an Al/TiO2/AlN system


Reduction of parasitic reaction in high temperature AlN growth by jet stream gas flow metal organic vapor phase epitaxy


Numerical finite difference time domain calculation for extreme enhancement of magneto optical effect at ultraviolet wavelength using Ni subwavelength grating on SiO2/Ni structure


Design of AlN-subwavelength grating for deep ultraviolet wavelength reflector operating at 244 nm of wavelength


Highly reflective visible color filter based on a double layer TiO2 subwavelength structure


Inscribing diffraction grating inside silicon substrate using a subnanosecond laser in one photon absorption wavelength


Optical detection for magnetic field using Ni-subwavelength grating on SiO2/thin-film Ag/glass structure

An optical sensor for magnetic field detection using Ni-subwavelength grating (SWG) on SiO/Ag-thin-film/glass substrates was experimentally developed on the basis of the re-radiation condition of surface-plasmon-polaritons (SPPs) at Ag surfaces. The fabricated sample showed two dips in the reflection spectra associated with SPP excitation, and the optical response exhibited good agreement with that simulated by the finite-difference time-domain method. The reflectivity at one of the dip wavelengths varied minimally with the application of the magnetic field, whereas that at the other dip wavelength significantly decreased owing to the large electric field overlap of SPP with the magnetized Ni-SWG. As a result, a magnetic field on the order of a few mT could be detected with a simple normal-incidence optical system.


Magnetically tunable visible reflectivity utilizing the electron accumulation in indium-tin-oxide waveguide layer with subwavelength grating


GaN-Based High-Contrast Grating for Refractive Index Sensor Operating BlueViolet Wavelength Region


Ni subwavelength grating/SiO2/Ag based optical magnetic field sensor with normal incident geometry


Dual-wavelengths filter operating at visible wavelength region using subwavelength grating on waveguide structure


Highly Sensitive Refractive Index Sensor Using Dual Resonance in Subwavelength Grating/Waveguide With Normally Incident Optical Geometry


Optical magnetic field sensor based on guided mode resonance with Ni subwavelength grating/ waveguide structure


Highly sensitive magnetic field sensor with normal-incidence geometry using Ni-based bilayer subwavelength periodic structure operating in visible-wavelength region


Femtosecond laser-assisted thermal annealing of Ni electrode on SiC substrate


High-sensitivity refractive index sensor with normal incident geometry using a subwavelength grating operating near the ultraviolet wavelength


Ultraviolet polarizer with a Ge subwavelength grating


Femtosecond-Laser-Induced Defects on Silicon Carbide Probed by Electrical Conductivity


Theoretical investigation of polarization control in ultraviolet wavelength region using eigenmode within subwavelength grating


Highly polarized emission from a GaN-based ultraviolet light-emitting diode using a Si-subwavelength grating on a SiO2 underlayer


Self-organization of highly ordered honeycomb buckling patterns in crystalline thin films


Influence of low-contrast subwavelength grating shape on polarization characteristics of GaN-based light-emitting diode emissions


Polarized emission characteristics of UV-LED with subwavelength grating


Temperature Dependence of Electric Conductivities in Femtosecond Laser Modified Areas in Silicon Carbide


Fabrication of C-Doped p-AlGaInN Light-Emitting Diodes by the Insertion of Al4C3


Thermally stable TiN Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure


Electroluminescence orientation in InGaN/GaN LED on nano-patterned sapphire by MOCVD

Journal of Wuhan University of Technology. Materials Science Edition


Schottky contacts of refractory metal nitrides on gallium nitride using reactive sputtering


GaN-based light emitting diodes with periodic nano-structures on the surface fabricated by nanoimprint lithography technique

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics


Evaluation and re-growth of p-GaN on nano-patterned GaN on sapphire substrate


GaN surface nanostructure photodetector based on back side incidence


Fabrication and Photovoltaic Measurements of Surface Nanostructure of AlGaInN-Based Photodetector

The photovoltage from a surface nanostructure photodetector was measured at wavelengths of 410 and 388 nm as a function of incident angle. Nanostructure devices were fabricated from the wafer with the light-emitting diode (LED) structure grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). A nanopattern was successfully fabricated on the surface of the wafer by a nanoimprint lithography technique. The nanopattern was designed as regular triangles consisting of columns, whose diameter and period were 150 and 300 nm, respectively. The photovoltage between the p- and n-layers of the surface nanostructure photodetector showed 6 or 12 periods when the incident illumination angle was changed. The photovoltage minimums were obtained at 30° off of the direction $(10ar{1}0)$ of GaN at large incident angle, and this corresponded well to the experimental results obtained from the LED with the same nanopattern.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)


AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate


GaN- and AlGaN-based UV-LEDs on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition


Blue light emitting diode fabricated on a-plane GaN film over r-sapphire substrate and on a-plane bulk GaN substrate


Growth of AlN and GaN by metalorganic chemical vapor deposition on BP synthesized by flux method

BP with the size of 50 μm to 3 mm was synthesized by the Cu flux method. The BP crystals have a zincblend structure, and the lattice constant and the cathodoluminescence peak wavelength were 4.557 Å and 370 nm, respectively. GaN and AlN were grown by metalorganic chemical vapor deposition on BP. It was found that AlN grown at 1150 °C on (100)BP was grown smoothly but that grown on (111)BP had a rough surface. GaN, however, was irregularly grown on both (100) and (111)BP. It was demonstrated that AlN on (100)BP is another candidate as a substrate for a UV-light-emitting diode.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)


Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition


Al0.17Ga0.83N Film Using Middle-Temperature Intermediate Layer Grown on (0001) Sapphire Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

The reduction of the dislocation density in a high-temperature (HT)-Al0.17Ga0.83N epitaxial layer was achieved by a middle-temperature (MT)-intermediate layer technique, in which the HT and the MT were 1050 and 950 °C, respectively. For one set of the MT-intermediate layer, the structure was 4.5-μm-thick HT-Al0.17Ga0.83N/1-μm-thick MT-intermediate layer/100-nm-thick HT-Al0.17Ga0.83N layer/low-temperature (LT)-GaNP buffer/trenched (0001) sapphire. The full-width at half maximum values of (0002) and ($10ar{1}2$) diffraction peaks of the X-ray diffraction for the Al0.17Ga0.83N epitaxial layer using one set of the MT-intermediate layer were improved to 359 and 486 arcsec compared with 401 and 977 arcsec for the film without the MT-intermediate layer technique, respectively. Transmission electron microscopy result showed that the dislocation density in the Al0.17Ga0.83N film using one set of MT-intermediate layer was reduced from $(1--4)imes 10^{10}$ to $1.7imes 10^{9}$ cm-2. The Al0.17Ga0.83N epitaxial film including two sets of MT-intermediate layers improved the most, showing a dislocation density of $9.3imes 10^{8}$ cm-2.


Al0.17Ga0.83N film with Middle Temperature Intermediate Layer Grown on Trenched Sapphire Substrate by MOCVD


Diffusion effect-induced InNAs films growth on GaAs(100) substrates by MOCVD


Effect of GaNP Buffer Layer on AlGaN Epilayers Deposited on (0001) Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers grown on (0001) sapphire substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition with low-temperature (LT)-GaNP buffer have been characterized using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). It is found that the full width at half maximum (FWHM) values of the GaNP-buffer-based AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers decrease are lower than that of the conventional GaN-buffer-based AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers, but the difference becomes smaller as the Al composition increases. These results could be mainly attributed to a longer diffusion length with the GaNP buffer layer than with the GaN buffer layer.


Interdiffusion induced In(Ga)NAs films growth on GaAs substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition


Effects of V/III flux ratio on AlInGaN/AlGaN quantum wells grown by atmospheric pressure MOCVD

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics


Surface smoothing mechanism of AlN film by initially alternating supply of ammonia

A buffer technique that initially alternates supply of ammonia (IASA) is employed for AlN film growth on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Atomic force microscopy (AFM) study reveals that step-flow-like growth morphology is achieved for the AlN film with the root-mean-square (rms) roughness as small as 0.336 nm. In contrast, the surface morphology of thick AlN film grown directly on sapphire substrate shows rough grainy feature with a large rms value of 28.9 nm. The mechanism leading to superior morphology by introducing IASA process is investigated using transmission electron microscopy (TEM), hot wet chemical etching and scanning electron microscopy (SEM) techniques. Evidence is presented that their morphological differences are attributed to strain reduction and polarity inversion. The present work provides insight into the AlN epitaxial growth and indicates that IASA is an effective method to realize atomically smooth AlN film.


Investigations of V-shaped Defects and Photoluminescence of Thin GaN-Rich GaNP Layers Grown on a GaN Epilayer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

GaNでは珍しいGaPNを歪超格子に用いている．GaPNは圧縮歪を受け，V型溝を形成する．


The Influence of a Low Temperature GaNP Buffer on GaN Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

サファイヤ上に，普通は低音成長AlN かGaN を使うところにGaPNを用いた．GaPNは核発生しにくく飛び飛びの核しか形成しない．これで大型のGaN膜が形成できるようになった．


Growth and evaluation of GaN with SiN Interlayer by MOCVD

MOCVD法においてSiN中間層を用いたGaN膜の低転位化手法について検討した,TEM実験により,中間SiN層で転位が終端することを示し,そのメカニズムを議論した.


High-Temperature Stability of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

High-temperature stability of copper (Cu) gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) was investigated. Samples were annealed at various temperatures to monitor the changes on device performances. Current-voltage performance such as drain-source current, transconductance, threshold voltage and gate leakage current has no obvious degradation up to annealing temperature of 500℃ and time of 5 minutes. Also up to this temperature, no copper diffusion was found at the Cu and AlGaN interface by secondary ion mass spectrometry determination. At annealing temperature of 700℃ and time of 5 minutes, device performance was found to have degraded. Gate voltage swing increased and threshold voltage shifted due to Cu diffusion into AlGaN. These results indicate that the Schottky contact and device performance of Cu-gate AlGaN/GaN HEMT is stable up to annealing temperature of 500℃. Cu is a promising candidate as gate metallization for high-performance power AlGaN/GaN HEMTs.


High Efficiency GaN-Based LEDs using Plasma Selective Treatment of p-GaN Surface

GaNベースの発光ダイオードでp型の表面層をどうするかで中身は変わってくる．P型を少し削って透明電極をつけると20%出力が増加する．

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science


Copper Gate AlGaN/GaN HEMT With Low Gate Leakage Current


Thermal Stability Investigation of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors


Dislocation Reduction in GaN Layer by Introducing GaN-rich GaNP Intermediate Layers

低温成長のGaNPにつぃてその詳細を発表した．

低温成長のGaNPにつぃてその詳細を発表した．

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)


Growth of InAs on GaAs(100) by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition Employing in situ Generated Arsine Radicals

イン·シツで発生したアルシンとTMGを用いたGaをベースにInAs を成長した．


GaN growth using a low-temperature GaNP buffer on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

低温成長GaNPのTEMを始めて示した．この結果，転位密度が1/4になっていることがわかった．


Dislocation reduction in GaN epilayers grown on a GaNP buffer on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition

Dislocation defects in a GaN epilayer grown on a low-temperature GaN-rich GaNP (LT-GaNP) buffer on sapphire substrate by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) were investigated by means of transmission electron microscopy and atomic force microscopy. The GaNP-buffer-based high-temperature GaN (HT-GaN) layers have a dislocation density as low as 5×10^8 cm^<-2>, which can be compared to the best results for GaN epilayers grown on sapphire by atmospheric pressure MOCVD using the conventional LT-GaN or -AlN buffer. The dislocation density reduction could be predominately attributed to an enhanced lateral overgrowth for the HT-GaN layer grown on a GaNP buffer, which is confirmed by the observation of a special morphology evolution beginning from the GaNP buffer.

成長したGaNPへの転位の動向についてしらべた．その結果，転位は減ることが確認された．

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)


Influence of pyramidal defects on photoluminescence of Mg-doped AlGaN/GaN superlattice structures

Mg をドープした結晶によく現れるピラミッド型の欠陥に対してAlGaN/GaN のPLへの影響を調べた．


Fabrication of high-output-power AlGaN/GaN-based UV-light-emitting diode using a Ga droplet layer

GaドロップレットをはさみこみLEDの効率が改善した．Gaにより，その回りが歪みがあるようである．その歪みにより効率が改善する．


High-Performance 348nm AlGaN/GaN-based ultraviolet-light-emitting diode with a SiN buffer layer

SiNつきで348 nmで明るく光るLEDを開発した．SiNによりGaN中の転位が減るので明るく光る．


Lateral Overgrowth of Diamond Films on Metal Masked Substrate by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

ストライプパターン形成されたSi基板上にダイヤモンドを横方向選択成長させた.マスク材料およびマスク幅について検討した.

International Journal of Modern Physics B


Growth of Diamond Films on Grooved Si Substrates

溝つきSi基板上へのダイヤモンド成長について検討した.成長された膜を評価した結果,平滑で高品質なダイヤモンド膜が形成され,成長時間を増加させることにより膜品質が向上することを示した.


Chemical composition, morphology, and deep level electronic states of GaN(0001) (1x1) surfaces prepared by indium decapping

GaN表面にごく薄いInを堆積させて,その酸化特性等を光学特性から詳細に調べた.

Journal of Vacuum Science & Technology B


Characterization of GaN Films etched using reactive ion etching technique by secondary ion mass spectrometry

2次イオン質量分析法を用い,反応性イオンエッチング法によりエッチングされたGaN膜を評価した.残留ボロンが電気特性大きな影響を与え,Clによる表面改質がデバイス特性改善に有効であることを示した.

Materials Science in Semiconductor Processing


Growth of InNAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition employing microwave-cracked nitrogen and in situ generated arsine radicals

減圧MOCVD成長によりInNAsをGaAs基板上にした．プラズマにより発生したアルシンラジカルを使用して，初めて成長に成功した．


A New Method of Reducing Dislocation Density in GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by MOVPE

SiNバッファ層を用いた低転位GaN膜成長方法について議論し，その低転位化機構をAFM，X線回折を用いて調査し，結晶成長モデルを提案した．


Localized States at GaN Surfaces, Schottky Barriers, and Quntaum Well

低エネルギー電子線励起ルミネッセンス法を用い，GaN表面および金属/GaN界面，InGaN/GaN多重量子井戸界面の局所電子状態を議論した．


Electron Microscopic Study on the Initial Stages of (111)-Oriented Diamonds Growth on Pt Substrates

白金基板上(111)配向ダイヤモンドの成長初期段階をTEMにより評価した．スクラッチング手法が白金基板におおきく損傷を与えること，損傷をうけた多結晶的は400-500nmの厚さに分布すること，損傷部分が成長初期段階に再結晶化し，この再結晶化過程がダイヤモンド配向に大きな影響を及ぼす事を示した．

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)


The Effect of Nitrogen Ion Damage on the Optical and Electrical Properties of MBE GaN grown on MOCVD GaN/Sapphire Templates

MOCVD成長GaN上にMBE成長したGaNの光学·電気特性を，低エネルギー電子線励起ルミネッセンス法により調査した．MBE成長時の窒素イオン損傷の効果と，偏向電極によるイオン除去効果による移動度への影響について議論した．

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research


Defect Formation Near GaN Surfaces and Interfaces

低速電子励起ルミネッセンス法を用い,GaN表面付近の欠陥特性を調査した.表面付近のネイティブな離散欠陥準位および,ヘテロ構造界面における界面準位の評価に有効な手法であることを示した.


V-shaped Defects in InGaN/GaN Multiquantum Wells

MOCVD法により成長されたサファイア基板上InGaN/GaN多重量子井戸構造の欠陥構造を,TEMにより評価した.V欠陥が低温成長GaN試料に対して観察され,貫通転位,混合,刃状転位と密接な関連があることを示した.


Combined HREELS/LEED Study on the Oxidation of GaN Surfaces

GaN表面の酸化過程を,300-700Kについて高分解能エネルギー損失分光法および低速電子線回折法により調査した.格子振動数の評価から,加熱によりGa酸化物が形成されることを示した.


Configuration of Dislocations in Lateral Overgrowth GaN Films

LEO成長されたGaN膜の転位分布と光学特性を,カソードルミネッセンス法およびTEMを用いて議論した.転位分布と光放出分布は密接な関係があり,転位はバンド端発光強度に影響を及ぼすだけでなく黄色発光に著しく影響を及ぼすことを明らかにした.


Formation and Optical Properties of InGaN/GaN Nano-structures Grown on Amorphous Si Substrates by MOCVD

MOCVD法を用いてアモルファスSi基板上に,ナノメータサイズのInGaN/GaN構造を形成し,その光学特性について調査した.


Fabrication of Nanoscale Structures of InGaN by MOCVD Lateral Overgrowth

ナノメータサイズのInGaN量子線および量子ドットを選択成長法を用い形成できることを示し,その光学特性および転位について議論した.


Investigation on the p-type Activation Mechanism in Mg-doped GaN Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

MgドープされたGaN中でのp型活性化について調査した.p型活性化のための最適加熱温度と転位との関連を議論した.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)


Role of Dislocation in InGaN Phase Separation

MOCVD成長されたサファイア上のInGaNの光学特性に対する転位の役割をカソードルミネッセンス法およびAFMを用いて議論した.転位は非発光センターとして振る舞うこと,InGaN中の相分離は混合転位によるスパイラル成長により生じることを示した.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)


Comparison and Investigation of Ohmic Characteristics in the Ni/AuZn and Cr/AuZn Metal Schemes

p型GaNに対する低接触抵抗材料に関して,Ni/AuZnおよびCr/AuZnを検討した.本手法を用いた場合の,電気的特性を示し,その物理機構をTEM,SIMSにより解析した.


HREELS Analysis of the Vibrational and Electronic Properties of GaN Film on Sapphire(0001) Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

MOCVD成長されたGaN膜を高分解能電子エネルギー損失分光法,低速電子回折,ラマン分光法を用いて評価した.本手法を用いることにより,LOおよびTOフォノン周波数およびその異方性,表面付近のキャリヤ密度とその減衰定数を決定した.


Growth of InNAs on GaAs(100) Substrates by Moleculer-Beam Epitaxy

非常に小さなバンドギャップであると予想されるInNAs混晶を分子線エピタキシー法を用いGaAs基板上に成長した.窒素組成38%の混晶が得られた.この結晶は,GaAs基板と格子整合する場合に得られる事を示した.


Characterization of Bulk GaN Grown by Sublimation Technique

昇華法によりつくられたバルクGaNをX線回折,2次イオン質量分析,ラマン散乱分光および電気的特性実験により評価した.本報告で使用したバルク結晶は高い結晶完全性をもち高い純度をもつものであることを示した.


Temperature Dependence of Crystal Size and Nucleation Density of Diamond Film

白金基板上ダイヤモンド成長における,結晶の方位およびコアレッセンス特性と核発生密度およびサイズとの関連を調査した.核発生密度およびサイズは,結晶成長初期段階の基板温度により大きく支配され,ヘテロエピタキシャル成長の鍵である事を示した.


昇華法によるバルクGaN結晶製造技術およびMOCVD法によるホモエピタキシャル成長技術について検討した.バルク結晶の前処理により,ホモエピタキシャル成長後の表面モフォロジー,光学特性が大きく変化することを示した.


Compositional Inhomogeneity of InGaN Grown on Sapphire and Bulk GaN Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

MOCVD成長されたバルクGaN上InGaN膜の組成不均一を,カソードルミネッセンス法およびEDX法を用いて調査した.ホモエピタキシャル膜のIn組成不均一は,サファイア基板上のものよりもはるかに少ない事を示し,実験事実を説明できる物理的モデルを提案した.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)


p型GaNに対するオーミック接触について調査した.Au-Zn/Ni系金属を用いることにより,非常に小さな接触抵抗になること,および,その物理的機構を,2次イオン質量分析法等などを用いて議論した.


Direct Evidence that Dislocations are Non-radiative Recombination Centers in GaN

平面TEM観察およびカソードルミネッセンス像測定を,n型GaNにおいて同一試料·同一場所に対して行った.カソードルミネッセンス像中の暗点は,TEM像中における転位と1対1で対応することを示した.n型GaN中の正孔の拡散距離を約50nmであると評価した.GaN発光効率は,少数キャリヤの拡散長が転位の間隔よりも短いほど高くなることを実験的に明らかにした.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)


Study of Threading Dislocations in Wurtzite GaN Films Grown on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

サファイア基板上に成長したGaN膜中の貫通転位を透過型電子顕微鏡を用いた平面像観察により調査した.刃状転位は低角粒界を形成することを示した.


Surface Pretreatment of Bulk GaN for Homoepitaxial Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

昇華法により成長されたバルクGaN上へ,有機金属気相成長法によりホモエピタキシャル成長を行い,バルク表面の前処理効果について検討した.平滑な表面をもち,強いカソードルミネッセンス光を発する試料が,バルク結晶に対して適切な前処理を施すことにより得られた.このカソードルミネッセンス光は,サファイア基板上へ成長させたGaN膜から得られるものよりも強い.また,ホモエピタキシャル膜の転位密度は,適切な前処理により,著しく減少する事を示した.


Growth Conditions of Highly Oriented Diamond on Pt Substrates

白金基板上への高配向ダイヤモンドの成長条件について検討した.特に,核発生密度について詳細に検討し,核発生密度がダイヤモンドの配向方位およびコアレッセンスに重大な影響を及ぼすことを明らかにした.


Growth of GaN by Sublimation Technique and Homoepitaxial Growth by MOCVD

昇華法によるバルクGaNおよび有機金属気相成長法によるホモエピタキシャル成長について報告している.昇華法における原料粉は,多種類のガリウム,窒素および水素化物から構成される化合物であることを示した.また,有機金属気相成長法におえる核発生制御手法について検討した.六角形柱状結晶が選択的に形成され,本手法がデバイスプロセスに応用できることを示した.

Material Research Society Symposium Proc.


Structural analysis of GaN and GaN/InGaN/GaN DH Structures on Sapphire (0001) Substrate grown by MOCVD

GaN,InGaN/GaNシングルヘテロ構造およびダブルヘテロ構造の格子構造をX線回折を用いた逆格子マッピング法を用いて調査した.特に,ダブルヘテロ構造において,InGaN とキャップGaN層におけるモザイク構造はInGaNの膜厚を20∼110nmに増やすことによって顕著となった.また,モザイク構造に関係した転位が観察された.

Materials Research Society Symposia Proceedings


X-Ray Diffraction Analysis of GaN and GaN/InGaN/GaN Double-Hetero Structures Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

MOCVD法により成長されたサファイア上GaNおよびGaN/InGaN/GaNダブルヘテロ構造の構造解析をX線回折および透過型電子顕微鏡観察により行った.GaN試料については,0.35ミクロン厚の非配向グレイン構造から,1.4ミクロン厚でモザイク構造をもった均一な膜へ遷移することが明瞭に観察された.また,ダブルヘテロ構造においては,膜厚変化に伴うモザイク構造変化および転位挙動について検討した.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)


XPS Measurement of Valence Band Discontinuity at GaP/GaN Heterostructures

X線光電子分光法により,GaP/GaNヘテロ界面のバンド不連続量を測定した.バンド不連続量ΔEvは,2.3±0.6eVであり,このヘテロ界面は,TypeⅡであることを示した.


MOCVD Growth of InAsN for Infrared Applications

3元混晶InAsNを有機金属気相成長法により,はじめて成長した.減圧成長下で,成長温度をパラメータに実験を行った.X線回折法およびFTIR法により評価した結果,成長温度の上昇およびアンモニア気相比を高くすることにより,窒素の分解を増す事がわかった.また,すべての試料が直接遷移で,窒素組成とともにバンドギャップが減少すること,最小バンドギャップは,InAs(0.939)N(0.061)の試料に対して室温でo.12eVであった.


Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film

昇華法で作製したGaN単結晶上にGaN膜をMOCVD法でホモエピ成長させた．FIB法により加工して電子線が透過する部分を壁状に加工し，結晶内の転位をTEMにより観察した．また，この観察結果に基づき，GaN単結晶内の転位密度を推定した．

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)


Growth and Characterization of Thick GaN by Sublimation Method and Homoepitaxial Growth by MOCVD

昇華法を用いて,サファイア基板上への10-30ミクロン厚のGaN厚膜合成に初めて成功した.光励起実験の結果,誘導放出を室温で観測した.


X-ray Photoelectron Spectroscopy of Zinc Blend InN and Valence-Band Discontinuity in the Heterojunction InN/GaAs

ジンクブレンド構造InNをプラズマ支援有機金属気相成長法を用いて,GaAs基板上に成長した.X線光電子分光法により,InN/GaAs界面のバンド不連続を調査した.価電子帯バンド不連続は1.3±0.5eVと評価された.

Proceedings of the International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes


Photopumped Stimulated Emission from Homoepitaxial GaN Grown on Bulk GaN Prepared by Sublimation Method

昇華法により作成されたバルク基板上のMOCVDホモエピタキシャルGaN膜からの光励起誘導放出を室温で初めて観測した.閾値ポンピングパワーは0.86MW/cm2であり,また,誘導放出光は結晶c軸に対して垂直な電界方向に偏光していることを示した.


Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD

フォトルミネッセンス法により，Si基板上に成長したGaAs膜中における転位近くの微視的応力分布を調査した．転位近くに存在する格子変形による圧縮応力が観察された．また，鋭い針により外部応力を印加することにより，転位により生じたフォトルミネッセンス像中の暗点が動き，転位の密度や位置をある程度人為的に操作できることを示した．


Very High Resolution Photoelectron Spectra of NEA-GaAs

負の電子親和力をもつp型GaAs表面からの光電子のエネルギー分布を超高分解能エネルギー分析を行った．本研究においてはじめて，放出スペクトル中に約50meV間隔のピークが存在することを示し，それが，表面バンド曲がり領域に存在することが予測される2次元サブバンド準位に関連したものである事を示した．


Light Emission Characteristics and Surface Roughness of Au/AlOx/Al Tunnel Junction

金属-絶縁体-金属トンネル接合から輻射される光の放射特性と表面·界面凹凸との関係を明らかにした．放射強度の波長スペクトルは実験的に得られた凹凸により説明できるが，放射強度の角度分布は説明できないことがわかった．

Journal of the Physical Society of Japan


Intensity of Surface-Plasmon Polariton Energy Emitted into the Air Side in an Air/Ag-film/Prism Configuration

空気/銀膜(厚さ42nm)/プリズム構造の表面プラズモンポラリトンエネルギーが表面凹凸により空気側へ放射される割合を実験的·理論的に検討した．割合は，実験では2%，理論では1.9%となり，両者の一致は良い．この結果，今まで割合に関して種々の議論があったが，我々の研究により最終的な結論が出た．

Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics


Evaluation of Surface Roughness Parameters of Metal Films by Light Scattering Technique

Light scattering is a powerful method to evaluate surface n'oughness parameters.From the information on radiation produced by the: surface roughness we are able toget a pair of roughness paramc:ter, i.e. the amplitude of surface corrugation and thetransverse correlation length. llowever, the parameters evaluated by such a way cannot explain the whole angular distribution of scattc:red light intensity. We show thatthe angular distribution of scattered light intensit3z can be properly explained by acombination of several paramc:ters.

光散乱法は表面凹凸パラメーターを与える．すなわち，表面凹凸の大きさと横相関距離がわかる．しかし，従来の方法で評価されたパラメーターでは散乱光強度の角度分布の一部分しか再現できず，パラメーターの決定に不備なところがあった．本論文で，パラメーターを数組選べば，上記の角度分布の全体が再現できることを，銀，アルミニウム，金の各膜に対して実験と理論を比較して示した．