en: A research on full-color LED using UV light emitting devices

ja: 紫外線高輝度発光ダイオードを用いたフルカラー発光素子の研究

en: Grants-in-Aid for Scientific Research

ja: 科学研究費助成事業


en: 窒化物混晶半導体の物性評価

ja: 窒化物混晶半導体の物性評価


en: 窒化物混晶半導体の界面物性評価

ja: 窒化物混晶半導体の界面物性評価


en: 窒化物半導体による半金属合金の合成と評価に関する研究

ja: 窒化物半導体による半金属合金の合成と評価に関する研究


en: MATERIAL SCIENCE AND APPLICATION OF ALLOY NITRIC SEMICONDUCTORS

ja: 窒化III-V族混晶の電子物性解明と応用に関する研究


en: Study on nitride-based semiconductor photonic devices with nano-imprint technique

ja: ナノインプリント技術を用いた窒化物系半導体発光デバイスの研究


en: Development of new microprocessing technology of silicon crystalline substrate: internal, three-dimensional, arbitrary-shape removal processing

ja: シリコン結晶基板の新しい微細加工技術の開発:内部・三次元・任意形状除去加工


en: High performance light emitting diode by subwavelength grating

ja: サブ波長ナノグレーティング構造を用いた高機能発光ダイオードの開発


en: Development of three-dimensional micro processing techniques using near-infrared femtosecond laser

ja: 近赤外フェムト秒レーザーを用いるシリコンの新奇三次元微細加工技術の開発


en: Non-thermal anealing of the interface between wide band-gap semiconductor and metal induced by femtosecond laser irradiation

ja: フェムト秒レーザー光照射によるワイドバンドギャップ半導体と金属界面の非熱的合金化


en: Development of high performance LED with subwavelength nano structure

ja: サブ波長ナノ構造を用いた多機能LEDの開発