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研究活動

専門分野

半導体量子工学 (Semiconductor Quantum Engineering)

研究テーマ

分子線エピタキシー法による半導体ナノ構造の作製に関する研究 (半導体ナノ構造 (semiconductor nanostructures), 分子線エピタキシー (molecular beam epitaxy))

著書・論文

学術論文(審査論文):

1. Hiroki Shida, Kohei Kawaguchi, Yasuhito Saito, Ichirota Takazawa, Toshiki Fukasawa, Daisuke Iizasa, Takahito Saito, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Makoto Kohda and Ken Morita :
Spinorbit parameters derivation using singlefrequency analysis of InGaAs multiple quantum wells in transient spin dynamics regime,
Journal of Applied Physics, Vol.127, 153901, 2020.
(DOI: 10.1063/5.0002821)
2. Kohei Kawaguchi, Toshiki Fukasawa, Ichirota Takazawa, Hiroki Shida, Yasuhito Saito, Daisuke Iizasa, Takahito Saito, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Makoto Kohda and Ken Morita :
Transient diffusive spin dynamics in intrinsic InGaAs/InAlAs multiple quantum wells,
Applied Physics Letters, Vol.115, 172406, 2019.
(DOI: 10.1063/1.5124011)
3. Yasuo Minami, Kotaro Ogusu, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada :
Time-resolved measurements of two-color laser light emitted from GaAs/AlGaAs-coupled multilayer cavity,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.58, No.SJ, SJJC03, 2019.
(DOI: 10.7567/1347-4065/ab238c)
4. Ken Morita, A. Okumura, H. Takaiwa, I Takazawa, T. Oda, Takahiro Kitada, M. Kohda and Y. Ishitani :
Temperature and laser energy dependence of the electron g-factor in intrinsic InGaAs/InAlAs multiple quantum wells,
Applied Physics Letters, Vol.115, 012404, 2019.
(DOI: 10.1063/1.5100343)
5. Xiangmeng Lu, Yasuo Minami and Takahiro Kitada :
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs heterostructures grown on (113)A and (113)B GaAs substrates,
Journal of Crystal Growth, Vol.512, 74-77, 2019.
(徳島大学機関リポジトリ: 113928,   DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.010)
6. Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami and Takahiro Kitada :
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.4S, 04FH07, 2018.
(DOI: 10.7567/JJAP.57.04FH07,   Elsevier: Scopus)
7. Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Ken Morita :
Room-temperature two-color lasing by current injection into a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity fabricated by wafer bonding,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.4S, 04FH03, 2018.
(徳島大学機関リポジトリ: 113926,   DOI: 10.7567/JJAP.57.04FH03)
8. Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami and Takahiro Kitada :
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates,
Applied Physics Express, Vol.11, No.1, 015501, 2018.
(徳島大学機関リポジトリ: 113925,   DOI: 10.7567/APEX.11.015501)
9. Xiangmeng Lu, Hiroto Ota, Naoto Kumagai, Yasuo Minami, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Two-color surface-emitting lasers by a GaAs-based coupled multilayer cavity structure for coherent terahertz light sources,
Journal of Crystal Growth, Vol.477, 249-252, 2017.
(徳島大学機関リポジトリ: 113924,   DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.049)
10. Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Effects of Sb-soak on InAs quantum dots grown on (001) and (113)B GaAs substrates,
Journal of Crystal Growth, Vol.477, 221-224, 2017.
(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.024,   Elsevier: Scopus)
11. Xiangmeng Lu, Hiroto Ota, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.4S, 04CH02, 2017.
(徳島大学機関リポジトリ: 111097,   DOI: 10.7567/JJAP.56.04CH02,   Elsevier: Scopus)
12. Yasuo Minami, Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Current-injection two-color lasing in a wafer-bonded coupled multilayer cavity with InGaAs multiple quantum wells,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.4S, 04CH01, 2017.
(徳島大学機関リポジトリ: 111095,   DOI: 10.7567/JJAP.56.04CH01,   Elsevier: Scopus)
13. Takahiro Kitada, Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai and Toshiro Isu :
Surface Emitting Devices Based on a Semiconductor Coupled Multilayer Cavity for Novel Terahertz Light Sources,
IEICE Transactions on Electronics, Vol.E100-C, No.2, 171-178, 2017.
(徳島大学機関リポジトリ: 110567,   DOI: 10.1587/transele.E100.C.171)
14. Takahiro Kitada, Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai and Toshiro Isu :
Two-color surface-emitting lasers using a semiconductor coupled multilayer cavity,
Applied Physics Express, Vol.9, No.11, 111201, 2016.
(徳島大学機関リポジトリ: 113922,   DOI: 10.7567/APEX.9.111201,   Elsevier: Scopus)
15. Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Photoconductivity of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs layers with 1.5mm cw and pulse excitation,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.4S, 04EH12, 2016.
(徳島大学機関リポジトリ: 113921,   DOI: 10.7567/JJAP.55.04EH12,   Elsevier: Scopus)
16. Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Fabrication of two-color surface emitting device of a coupled cavity structure with InAs QDs formed by wafer-bonding,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.4S, 04EH09, 2016.
(徳島大学機関リポジトリ: 113920,   DOI: 10.7567/JJAP.55.04EH09,   Elsevier: Scopus)
17. Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Terahertz emission from a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots,
Journal of Crystal Growth, Vol.425, 303-306, 2015.
(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.03.023,   Elsevier: Scopus)
18. Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap,
Journal of Crystal Growth, Vol.425, 106-109, 2015.
(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.02.074,   Elsevier: Scopus)
19. Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Effect of cavity-layer thicknesses on two-color emission in coupled multilayer cavities with InAs quantum dots,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 04DG10, 2015.
(DOI: 10.7567/JJAP.54.04DG10,   Elsevier: Scopus)
20. Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Four-wave mixing in GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 04DG05, 2015.
(DOI: 10.7567/JJAP.54.04DG05,   Elsevier: Scopus)
21. Haruyoshi Katayama, Michito Sakai, Junpei Murooka, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin, Iwao Hosako and Yasuhiro Iguchi :
Development Status of Type II Superlattice Infrared Detector in JAXA,
Sensors and Materials, Vol.26, No.4, 225-234, 2014.
(DOI: 10.18494/SAM.2014.971,   Elsevier: Scopus)
22. Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Wafer-bonded coupled multilayer cavity with InAs quantum dots for two-color emission,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.4S, 04EG11, 2014.
(DOI: 10.7567/JJAP.53.04EG11,   CiNii: 210000143640,   Elsevier: Scopus)
23. Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu :
Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.4S, 04EG03, 2014.
(DOI: 10.7567/JJAP.53.04EG03,   CiNii: 210000143632,   Elsevier: Scopus)
24. Takahiro Kitada, Chiho Harayama, Ken Morita and Toshiro Isu :
Two-color lasing in a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots by optical pumping,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.10, No.11, 1434-1437, 2013.
(DOI: 10.1002/pssc.201300205,   Elsevier: Scopus)
25. Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu :
Wavelength conversion via four-wave mixing in a triple-coupled multilayer cavity,
Applied Physics Letters, Vol.103, No.10, 101109, 2013.
(DOI: 10.1063/1.4820813)
26. Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu :
Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers,
Journal of Crystal Growth, Vol.378, 485-488, 2013.
(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.005)
27. Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu :
Terahertz emission from a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with nonlinear optical susceptibility inversion,
Applied Physics Letters, Vol.102, No.25, 251118, 2013.
(DOI: 10.1063/1.4813012)
28. Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu :
Terahertz Waveforms Generated by Second-Order Nonlinear Polarization in GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities Using Ultrashort Laser Pulses,
IEEE Photonics Journal, Vol.5, No.3, 6500308, 2013.
(DOI: 10.1109/JPHOT.2013.2267536)
29. Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Strongly Enhanced Four-Wave Mixing Signal from GaAs/AlAs Cavity with InAs Quanynm Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG09, 2013.
(DOI: 10.7567/JJAP.52.04CG09)
30. Hidetada Komatsu, Zhao Zhang, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
A GaAs/Air Multilayer Cavity for a Planar-Type Nonlinear Optical Device,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG06, 2013.
(DOI: 10.7567/JJAP.52.04CG06)
31. Ken Morita, Hyuga Ueyama, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG04, 2013.
(DOI: 10.7567/JJAP.52.04CG04)
32. Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Terahertz Radiation from a (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity by Ultrashort Laser Pulse Excitation,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.4, 04DG05, 2012.
(DOI: 10.1143/JJAP.51.04DG05,   CiNii: 210000140531)
33. Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
A GaAs/AlAs Multilayer Cavity with Er-Doped InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Barriers for Ultrafast All-Optical Switches,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.4, 04DG06, 2012.
(DOI: 10.1143/JJAP.51.04DG06,   CiNii: 40019231646)
34. Haruyoshi Katayama, Junpei Murooka, Masataka Naitoh, Tadashi Imai, Ryota Sato, Eichi Tomita, Munetaka Ueno, Hiroshi Murakami, Satoshi Kawasaki, Kunihiko Bito, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin and Iwao Hosako :
Development of type II superlattice detector for future space applications at JAXA,
Proceedings of SPIE, Vol.8353, 2012.
(DOI: 10.1117/12.919006)
35. Takuto Ito, Manato Deki, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Oshima :
Electrical conduction properties of SiC modified by femtosecond laser,
Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.7, No.1, 16-20, 2012.
(DOI: 10.2961/jlmn.2012.01.0003)
36. Ken Morita, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Fumiya Tanaka, Yoshinori Nakagawa, Shingo Saito, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Generation of Terahertz Radiation from Two Cavity Modes of a GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity,
Applied Physics Express, Vol.4, No.10, 102102, 2011.
(DOI: 10.1143/APEX.4.102102,   CiNii: 10029790517)
37. Takahiro Kitada, Tomoya Takahashi, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu :
Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers,
Journal of Crystal Growth, Vol.323, No.1, 241-243, 2011.
(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.120)
38. Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu :
Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates,
Proceedings of SPIE, Vol.7937, 1H-1, 2011.
(DOI: 10.1117/12.872103,   Elsevier: Scopus)
39. Fumiya Tanaka, Toshikazu Takimoto, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Time-Resolved Measurements on Sum-Frequency Generation Strongly Enhanced in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.4, 04DG03, 2011.
(DOI: 10.1143/JJAP.50.04DG03,   CiNii: 210000138699)
40. Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical Kerr Signals Markedly Enhanced by Increasing Quality Factor in a GaAs/AlAs Multilayer Cavity,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.4, 04DG02, 2011.
(DOI: 10.1143/JJAP.50.04DG02,   CiNii: 210000070319)
41. Manato Deki, Takuto Ito, Minoru Yamamoto, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Ohshima :
Enhancement of local electrical conductivities in SiC by femtosecond laser modification,
Applied Physics Letters, Vol.98, No.13, 133104-1-133104-3, 2011.
(DOI: 10.1063/1.3573786)
42. Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu :
Excitation wavelength dependence of photocarrier relaxation in Si-doped InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 334-336, 2011.
(DOI: 10.1002/pssc.201000452)
43. Ken Morita, Tomoya Takahashi, Toshiyuki Kanbara, Shinsuke Yano, Takuya Mukai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Large optical Kerr signal of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers,
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.42, No.10, 2505-2508, 2010.
(DOI: 10.1016/j.physe.2009.12.035)
44. Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu :
Doping effect on photocarrier lifetime in InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers grown by molecular beam epitaxy,
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.42, No.10, 2540-2543, 2010.
(DOI: 10.1016/j.physe.2009.11.015)
45. Toshiro Isu, Toshiyuki Kanbara, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Takahiro Kitada :
Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities with two-photon resonant quantum wells in the half-wavelength layer,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.10, 2478-2481, 2010.
(DOI: 10.1002/pssc.200983872)
46. Ken Morita, Nobuyoshi Niki, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical anisotropy of two-photon absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells measured by photoluminescence,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.10, 2482-2485, 2010.
(DOI: 10.1002/pssc.200983884)
47. Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical Anisotropy of Strongly Enhanced Sum Frequency Generation in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity,
Applied Physics Express, Vol.3, No.7, 072801, 2010.
(DOI: 10.1143/APEX.3.072801,   CiNii: 10026495327)
48. Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Planar-Type Optical Kerr Gate Switches,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DG02, 2010.
(DOI: 10.1143/JJAP.49.04DG02)
49. Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Strong Sum Frequency Generation in a GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity Grown on a (113)B-Oriented GaAs Substrate,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DG01, 2010.
(DOI: 10.1143/JJAP.49.04DG01,   CiNii: 40017085228)
50. Takuro Tomita, Masahiro Iwami, Minoru Yamamoto, Manato Deki, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shingo Saito, Kiyomi Sakai, Shinobu Onoda and Takeshi Ohshima :
Electronic properties of femtosecond laser induced modified spots on single crystal silicon carbide,
Materials Science Forum, Vol.645-648, 239-242, 2010.
(DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.239,   Elsevier: Scopus)
51. Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures for terahertz emission devices,
Applied Physics Letters, Vol.95, No.11, 111106, 2009.
(DOI: 10.1063/1.3226667)
52. Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Enhanced Optical Kerr Signal of GaAs/AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers,
Applied Physics Express, Vol.2, No.8, 082001, 2009.
(DOI: 10.1143/APEX.2.082001,   CiNii: 10025087660)
53. Takahiro Kitada, Toshiyuki Kanbara, Shinsuke Yano, Ken Morita and Toshiro Isu :
Marked Enhancement of Optical Kerr Signal in Proportion to Fourth Power of Quality Factor of a GaAs/AlAs Multilayer Cavity,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.8, 080203, 2009.
(DOI: 10.1143/JJAP.48.080203,   CiNii: 40016704622)
54. Takahiro Kitada, Takuya Mukai, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu :
Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications,
Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.7, 1807-1810, 2009.
(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.10.049)
55. Ken Morita, Toshiyuk Kanbara, Shinsuke Yano, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities for a short pulse,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.6, 1420-1423, 2009.
(DOI: 10.1002/pssc.200881522)
56. Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Photoluminescence Properties of Self-Assembled InAs Quantum Dots Grown on (001) and (113)B GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy under a Slow Growth Rate Condition,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C128, 2009.
(DOI: 10.1143/JJAP.48.04C128,   CiNii: 210000066639)
57. Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Enhanced two-photon absorption in a GaAs/AlAs multilayer cavity,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C105, 2009.
(DOI: 10.1143/JJAP.48.04C105,   CiNii: 210000066616)
58. Takuya Mukai, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Excitation wavelength dependence of carrier relaxation in self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barrier layers,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C106, 2009.
(DOI: 10.1143/JJAP.48.04C106,   CiNii: 210000066617)
59. Ken Morita, Kanbara Toshiyuki, Yano Shinsuke, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Asymmetric temporal profile of optical Kerr signal from GaAs/AlAs multilayer with /2 phase shift layer,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.1, 137-140, 2009.
(DOI: 10.1002/pssc.200879873)
60. Takahiro Kitada, Nobuyoshi Niki, Ken Morita and Toshiro Isu :
Optical Anisotropy of(11n)-Oriented InGaAs Strained Quantum Wells with Finite Barrier Potential Calculated with Mixing Effects of the Spin-Orbit Split-Off Band,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.10, 7839-7841, 2008.
(DOI: 10.1143/JJAP.47.7839,   CiNii: 210000065823)
61. Takahiro Kitada, Toshiyuki Kanbara, Ken Morita and Toshiro Isu :
A GaAs/AlAs Multilayer Cavity with Self-Assembled InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Ultrafast All-Optical Switching Applications,
Applied Physics Express, Vol.1, No.9, 092302, 2008.
(DOI: 10.1143/APEX.1.092302,   CiNii: 10025082437)
62. Nobuyoshi Niki, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical Anisotropy of Strained Quantum Wells on High Index Substrates,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2756-2759, 2008.
(DOI: 10.1002/pssc.200779225)
63. Takahiro Kitada, S Kusunoki, M Kinouchi, Ken Morita, Toshiro Isu and S Shimomura :
Isotropic Interface Roughness of Pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As Quantum Wells Grown on (411)A InP Substrates by Molecular Beam Epitaxy,
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2753-2755, 2008.
(DOI: 10.1002/pssc.200779184)
64. Issei Watanabe, Keisuke Shinohara, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Endoh, Yoshimi Yamashita, Takashi Mimura, Satoshi Hiyamizu and Toshiaki Matsui :
Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs on(411)A-oriented substrates by MBE,
Journal of Crystal Growth, Vol.301-302, 1025-1029, 2007.
(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.056,   Elsevier: Scopus)
65. Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates,
Journal of Crystal Growth, Vol.301-302, 172-176, 2007.
(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.170)
66. Issei Watanabe, Keisuke Shinohara, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Endoh, Yoshimi Yamashita, Takashi Mimura, Satoshi Hiyamizu and Toshiaki Matsui :
Effects of Heterointerface Flatness on Device Performance of InP-Based High Electron Mobility Transistor,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.4B, 2325-2329, 2007.
(DOI: 10.1143/JJAP.46.2325,   CiNii: 40015349046,   Elsevier: Scopus)
67. Yu Higuchi, Shinji Osaki, Yoshifumi Sasahata, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Mutsuo Ogura and Satoshi Hiyamizu :
830-nm Polarization Controlled Lasing of InGaAs Quantum Wire Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Grown on (775)B GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.7, L138-L141, 2007.
(DOI: 10.1143/JJAP.46.L138,   CiNii: 10018868082,   Elsevier: Scopus)
68. H. Sagisaka, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu, I. Watanabe, T. Matsui and T. Mimura :
Suppression of surface segregation of silicon dopants during molecular beam epitaxy of (411)A In0.75Ga0.25As/In0.52Al0.48As pseudomorphic high electron mobility transistor structures,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.24, No.6, 2668-2671, 2006.
(DOI: 10.1116/1.2382944)
69. I. Watanabe, K. Shinohara, Takahiro Kitada, S. Shimomura, Y. Yamashita, A. Endoh, T. Mimura, S. Hiyamizu and T. Matsui :
Velocity enhancement in cryogenically cooled InP-based HEMTs on (411)A-oriented substrates,
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.53, No.11, 2842-2846, 2006.
(DOI: 10.1109/TED.2006.884065,   CiNii: 80018827231)
70. Y. Higuchi, S. Osaki, Takahiro Kitada, S. Shimomura, Y. Takasuka, M. Ogura and S. Hiyamizu :
Room temperature lasing of GaAs quantum wire vertical-cavity surface-emitting lasers grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy,
Solid-State Electronics, Vol.50, No.6, 1137-1140, 2006.
(DOI: 10.1016/j.sse.2006.04.040)
71. S. Shimomura, T. Toritsuka, A. Uenishi, Takahiro Kitada and S. Hiyamizu :
1.3μm range effectively cylindrical In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wires grown on (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy,
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.32, No.1-2, 346-349, 2006.
(DOI: 10.1016/j.physe.2005.12.066)
72. K. Ohmori, H. Hino, T. Fujita, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Much improved self-organized In0.53Ga0.47As quantum wire lasers grown on (775)B InP substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Physics: Conference Series, Vol.38, 99-103, 2006.
(DOI: 10.1088/1742-6596/38/1/025)
73. H. Hino, A. Shigenobu, K. Ohmori, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Pulse oscillation of self-organize In0.53Ga0.47As quantum wire lasers grown on (775)B InP substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.23, No.6, 2526-2529, 2005.
(DOI: 10.1116/1.2126670)
74. I. Watanabe, K. Shinohara, Takahiro Kitada, S. Shimomura, Y. Yamashita, A. Endoh, T. Mimura, T. Matsui and S. Hiyamizu :
High transconductance of 2.25 S/mm observed at 16 K for 195-nm-gate In0.75Ga0.25As/In0.52Al0.48As HEMT fabricated on (411)A-oriented InP substrate,
IEEE Electron Device Letters, Vol.26, No.7, 425-428, 2005.
(DOI: 10.1109/LED.2005.851234)
75. S. Katoh, H. Sagisaka, M. Yamamoto, I. Watanabe, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Interface roughness characterization by electron mobility of pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As modulation-doped quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.23, No.3, 1154-1157, 2005.
(DOI: 10.1116/1.1868713)
76. M. Imura, H. Kurohara, Y. Masui, T. Asano, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Much improved flat interfaces of InGaAs/AlAsSb quantum well structures grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.23, No.3, 1158-1161, 2005.
(DOI: 10.1116/1.1914818)
77. Takahiro Kitada, T. Aoki, I. Watanabe, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Extremely high electron mobility of pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.46Al0.54As modulation-doped quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy,
Applied Physics Letters, Vol.85, No.18, 4043-4045, 2004.
(DOI: 10.1063/1.1807023)
78. Takahiro Kitada, D. Kawazoe, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Photoreflectance characterization of GaAs/AlAs quantum wells with (411)A super-flat interfaces grown by molecular beam epitaxy,
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.21, No.2-4, 722-726, 2004.
(DOI: 10.1016/j.physe.2003.11.113)
79. Yu Higuchi, Masaya Uemura, Yuji Masui, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
V/III ratio dependence of surface migration length of As4 molecules during molecular beam epitaxy of GaAsP on (411)A GaAs substrates,
Journal of Crystal Growth, Vol.251, No.1-4, 80-84, 2003.
(DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02377-1)
80. Issei Watanabe, Kenji Kanzaki, Takahiro Kitada, Masashi Yamamoto, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Characterization of interface roughness scattering of electrons in an In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As QW-HEMT structure with (411)A super-flat interfaces,
Journal of Crystal Growth, Vol.251, 90-95, 2003.
(DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02422-3)
81. Takahiro Kitada, Toyohiro Aoki, Issei Watanabe, Kenji Kanzaki, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Single-particle relaxation times in a pseudomorphic In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As QW-HEMT structure with (411)A super-flat interfaces grown by MBE,
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.13, No.2-4, 657-662, 2002.
(DOI: 10.1016/S1386-9477(02)00212-6)
82. Issei Watanabe, Takahiro Kitada, Kenji Kanzaki, Daisaku Kawaura, Masashi Yamamoto, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Extremely flat growth-interrupted InAlAs surface grown on a (411)A-oriented InP substrate by molecular beam epitaxy,
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.13, No.2-4, 1195-1199, 2002.
(DOI: 10.1016/S1386-9477(02)00334-X)
83. Y. Tatsuoka, M. Uemura, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Dissociation of As4 molecules during molecular beam epitaxy of GaAsP on (n11)A and (n11)B GaAs substrates,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.20, No.1, 282-285, 2002.
(DOI: 10.1116/1.1445290)
84. Yasuhide Ohno, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Large anisotropy of electron mobilities in laterally modulated two-dimensional systems grown on the (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.40, 1058-1060, 2001.
(DOI: 10.1143/JJAP.40.L1058,   Elsevier: Scopus)
85. I. Watanabe, K. Kanzaki, T. Aoki, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Mobility enhancement by reduced remote impurity scattering in a pseudomorphic In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As quantum well high electron mobility transistor structure with (411)A super-flat interfaces grown by molecular-beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.19, No.4, 1515-1518, 2001.
(DOI: 10.1116/1.1387454,   Elsevier: Scopus)
86. Takahiro Kitada, Keisuke Nii, Tetsuya Hiraoka, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Improved interface abruptness in pseudomorphic InGaAs/AlGaAs quantum wells with (411)A super-flat interfaces grown by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.19, No.4, 1546-1549, 2001.
(DOI: 10.1116/1.1388602)
87. Takahiro Kitada, Toyohiro Aoki, Issei Watanabe, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Optimized channel thickness for high electron mobility in pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As quantum-well HEMT structures with (411)A super-flat interfaces grown by MBE,
Journal of Crystal Growth, Vol.227-228, 289-293, 2001.
(DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00707-2)
88. Satoshi Shimomura, Yoshiaki Kitano, Hidehiko Kuge, Takahiro Kitada, Kazuo Nakajima and Satoshi Hiyamizu :
Lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (x = 0.18 and 0.19) grown on (411)A- and (100)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Crystal Growth, Vol.227-228, 72-76, 2001.
(DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00635-2)
89. Yasuaki Tatsuoka, Masaya Uemura, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Substrate temperature dependence of surface migration of As atoms during molecular beam epitaxy of GaAsP on a (411)A GaAs substrate,
Journal of Crystal Growth, Vol.227-228, 266-270, 2001.
(DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00702-3)
90. Masataka Higashiwaki, Takahiro Kitada, Toyohiro Aoki, Satoshi Shimomura, Yoshimi Yamashita, Akira Endoh, Kohki Hikosaka, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui and Satoshi Hiyamizu :
DC and RF performance of 50 nm gate pseudomorphic In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors grown on (411)A-oriented InP substrates by molecular-beam epitaxy,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.39, 720-722, 2000.
(DOI: 10.1143/JJAP.39.L720,   Elsevier: Scopus)
91. Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Surface migration of group V atoms in GaAsP grown on GaAs channeled substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.18, No.3, 1549-1552, 2000.
(DOI: 10.1116/1.591424,   Elsevier: Scopus)
92. H. Kamimoto, Y. Tatsuoka, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
In0.18Ga0.82As/GaAs1-yPy quantum wells grown on (n11)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.18, No.3, 1572-1575, 2000.
(DOI: 10.1116/1.591428,   Elsevier: Scopus)
93. Y. Kitano, R. Kuriyama, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu, Y. Nishijima and H. Ishikawa :
In0.05Ga0.95As/Al0.3Ga0.7As quantum wells grown on a (411)A-oriented In0.06Ga0.94As ternary substrate by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.18, No.3, 1576-1578, 2000.
(DOI: 10.1116/1.591429,   Elsevier: Scopus)
94. Takahiro Kitada, Yasuaki Tatsuoka, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
As4 pressure dependence of surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of In0.08Ga0.92As/GaAs superlattices on (411)A GaAs substrates,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.18, No.3, 1579-1582, 2000.
(DOI: 10.1116/1.591430,   Elsevier: Scopus)
95. Toyohiro Aoki, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Super-flat interfaces in pseudomorphic In0.72Ga0.28As/In0.52Al0.48As quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.18, No.3, 1598-1600, 2000.
(DOI: 10.1116/1.591435)
96. Takahiro Kitada, Keisuke Nii, Tetsuya Hiraoka, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
High-quality InAlAs layers grown on (411)A-oriented InP substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.17, No.4, 1482-1484, 1999.
(DOI: 10.1116/1.590778)
97. Yasuaki Tatsuoka, Hitoshi Kamimoto, Yoshiaki Kitano, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
GaAs/GaAs0.8P0.2 quantum wells grown on (n11)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.17, No.3, 1155-1157, 1999.
(DOI: 10.1116/1.590713)
98. K. Nii, R. Kuriyama, T. Hiraoka, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Larger critical thickness determined by photoluminescence measurements in pseudomorphic In0.25Ga0.75As/Al0.32Ga0.68As quantum well grown on (411)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.17, No.3, 1167-1170, 1999.
(DOI: 10.1116/1.590716)
99. Takahiro Kitada, Masanobu Ohashi, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
High-quality InGaAs layers grown on (411)A-oriented InP substrates by molecular beam epitaxy,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.38, 1888-1891, 1999.
(DOI: 10.1143/JJAP.38.1888)
100. S. Hiyamizu, S. Shimomura and Takahiro Kitada :
Super-flat (411)A interfaces and uniformly corrugated (775)B interfaces in GaAs/AlGaAs and InGaAs/InAlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy,
Microelectronics Journal, Vol.30, 379-385, 1999.
(DOI: 10.1016/S0026-2692(98)00139-6,   Elsevier: Scopus)
101. Takahiro Kitada, Tatsuya Saeki, Masanobu Ohashi, Satoshi Shimomura, Akira Adachi, Yasunori Okamoto, Naokatsu Sano and Satoshi Hiyamizu :
Super-flat interfaces in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Electronic Materials, Vol.27, No.9, 1043-1046, 1998.
(DOI: 10.1007/s11664-998-0161-9)
102. Masanobu Ohashi, Tatsuya Saeki, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Yasunori Okamoto and Satoshi Hiyamizu :
Super-flat interfaces in pseudomorphic InxGa1-xAs/Al0.28Ga0.72As quantum wells with high In content (x = 0.15) grown on (411)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.37, 4515-4517, 1998.
(DOI: 10.1143/JJAP.37.4515)
103. Takahiro Kitada, Tatsuya Saeki, Masanobu Ohashi, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu :
Extremely uniform In0.08Ga0.92As/GaAs superlattice grown on a (411)A GaAs substrate by molecular beam epitaxy,
Solid-State Electronics, Vol.42, 1575-1579, 1998.
(DOI: 10.1016/S0038-1101(98)00074-4)
104. Tatsuya Saeki, Takeharu Motokawa, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Adachi, Yasunori Okamoto, Naokatsu Sano and Satoshi Hiyamizu :
Extremely flat interfaces in InxGa1-xAs/Al0.3Ga0.7As quantum wells grown on (411)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.36, 1786-1788, 1997.
(DOI: 10.1143/JJAP.36.1786)
105. S. Hiyamizu, T. Saeki, T. Motokawa, S. Shimomura, Takahiro Kitada, A. Adachi, Y. Okamoto, T. Kusunoki, K. Nakajima and N. Sano :
Extremely flat interfaces in In0.04Ga0.96As/Al0.3Ga0.7As quantum wells grown on (411)A In0.04Ga0.96As substrates by MBE,
Superlattices and Microstructures, Vol.21, No.1, 107-111, 1997.
(DOI: 10.1006/spmi.1996.0179)
106. S. Shimomura, K. Shinohara, Takahiro Kitada, S. Hiyamizu, Y. Tsuda, N. Sano, A. Adachi and Y. Okamoto :
Much improved interfaces in GaAs/AlAs quantum wells grown on (411)A GaAs substrates by molecular-beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.13, No.2, 696-698, 1995.
(DOI: 10.1116/1.588138)
107. Takahiro Kitada, A. Wakejima, N. Tomita, S. Shimomura, A. Adachi, N. Sano and S. Hiyamizu :
Preferential migration of indium atoms on the (411)A plane in InGaAs grown on GaAs channeled substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Crystal Growth, Vol.150, 487-491, 1995.
(DOI: 10.1016/0022-0248(95)80259-F)
108. A. Wakejima, A. Inoue, Takahiro Kitada, N. Tomita, S. Shimomura, S. Hiyamizu, M. Fujii, T. Yamamoto, K. Kobayashi and N. Sano :
Lateral variation of indium content in InGaAs grown on GaAs channeled substrates by molecular beam epitaxy,
Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.12, No.2, 1102-1105, 1994.
(DOI: 10.1116/1.587098)

総説・解説:

1. 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 :
高指数面上の副格子交換エピタキシーと面型非線形光デバイス,
材料, Vol.68, No.10, 739-744, 2019年10月.
(DOI: 10.2472/jsms.68.739,   Elsevier: Scopus)
2. 北田 貴弘, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健 :
半導体結合共振器による面発光テラヘルツ素子,
光学, Vol.48, No.7, 274-280, 2019年7月.
3. 冷水 佐壽, 下村 哲, 北田 貴弘 :
MBEによる高指数へテロ界面の形成と素子応用,
応用物理学会誌, Vol.72, No.3, 291-297, 2003年3月.
(CiNii: 80015839677)

国際会議:

1. Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada :
Time Resolved Measurement of Two-Color Laser Lights Emitted from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity,
23rd Microoptics Conference (MOC 2018), No.H-4, Taipei, Taiwan,, Oct. 2018.
2. Xiangmeng Lu, Yasuo Minami and Takahiro Kitada :
Sublattice Reversal in GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs Heterostructures Grown on (113)A and (113)B GaAs Substrates,
20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(ICMBE 2018), No.Th-C4-1, Shanghai, China, Sep. 2018.
3. Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada :
Temperature Tuning of Two-Color Lasing Using a Coupled GaAs/AlGaAs Multilayer Cavity by Current Injection,
The Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018),, We2A2.4, Massachusetts Institute of Technology Cambridge, MA, USA,, May 2018.
4. Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada :
Simultaneous Oscillation of Two-Color Laser Lights from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity,
The Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018), JTu2A.20, San Jose, California, USA, May 2018.
(Elsevier: Scopus)
5. Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Ken Morita :
Room-Temperature Two-Color Lasing by Current Injection into a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity Fabricated by Wafer Bonding,
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), Vol.57, No.4, G-3-07, Sendai, Sep. 2017.
(DOI: 10.7567/JJAP.57.04FH03,   Elsevier: Scopus)
6. Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Takahiro Kitada :
Sublattice Reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity,
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), Vol.57, No.4, G-3-02, Sendai, Sep. 2017.
(DOI: 10.7567/JJAP.57.04FH07,   Elsevier: Scopus)
7. Ken Morita, Haruka Takaiwa, Takahiro Kitada and Yoshihiro Ishitani :
Influence of the above-barrier illumination on spin relaxation time of InGaAs/InAlAs multiple quantum wells,
9th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology(SpinTECH ), No.B86, Fukuoka, Jun. 2017.
8. Xiangmeng Lu, Yasuo Minami and Takahiro Kitada :
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures grown by MBE,
The 44rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2017), No.B8.6, Berlin, Germany, May 2017.
9. Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Current-Injection Two-Color Lasing in a Wafer-Bonded Coupled Multilayer Cavity with InGaAs Multiple Quantum Wells,
2016 Internatioal Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2016), No.E-6-01, Tsukuba, Sep. 2016.
10. Xiangmeng Lu, Hiroto Ota, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs Triple-coupled Cavity with InAs Quantum dots for Ultrafast Wavelength Conversion Devices,
2016 Internatioal Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2016), No.C-4-03, つくば, Sep. 2016.
11. Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Two-Color Surface Emitting Lasers by a GaAs-Based Coupled Multilayer Cavity Structure for Novel Coherent Terahertz Light Sources,
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2016), No.Tu-P-59, Montpelier, France, Sep. 2016.
12. Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Effects of Sb-soak on InAs Quantum Dots Grown on (001) and (113)B GaAs Substrates,
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2016), Vol.477, 221-224, Montpelier, France, Sep. 2016.
(DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.024,   Elsevier: Scopus)
13. Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Two-Color Lasing from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity by Current Injection,
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2016), No.MoP-ISCS-033, Toyama, Jun. 2016.
14. Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices,
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2016), No.MoP-ISCS-034, Toyama, Jun. 2016.
15. Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Fabrication of Two-Color Surface Emitting Device of a Coupled Cavity Structure with InAs QDs Formed by Wafer-Bonding,
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), No.A-7-6, Sapporo, Sep. 2015.
16. Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Photoconductivity with 1.55 m excitation of InAs QDs embedded in InGaAs barriers on GaAs substrate,
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), No.PS-7-9, Sapporo, Sep. 2015.
17. Takahiro Kitada, Masanori Ogarane, Toshiaki Takamoto, Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Ken Morita and Toshiro Isu :
Enhancement of Terahertz Emission from GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities by InAs Quantum Dots on (113)B-Oriented Substrates,
The Second International Symposium on Frontiers in THz Technology (FTT2015), No.Pos1.24, Hamamatsu, Aug. 2015.
18. Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Investigation of Carriers Thermal Transfer in Self-asssembled Quantum Dots Grown on (311)B GaAs by Temperature Dependence Photoluminescence,
17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Th-PM-13, Sendai, Jul. 2015.
19. Naoto Kumagai, Keisuke Murakumo, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Mobility of in-plane photocurrent of stacked InAs QDs layers in strain-relaxed InGaAs matrix,
17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Mo-PM-14, Sendai, Jul. 2015.
20. Keisuke Murakumo, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
In-plane photoconductivity of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs layer,
The 42th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2015), No.Mo3GN1.2, Santa Barbara, CA USA, Jun. 2015.
21. Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Temperature Dependence Photoluminescence From InAs Quantum Dots With AlAs Cap Grown on (311)B and (100) GaAs Substrate,
The 42th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2015), No.Mo3GN1.5, Santa Barbara, CA USA, Jun. 2015.
22. Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for an ultrafast wavelength conversion device via the four-wave-mixing,
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), No.PS-7-7, つくば, Sep. 2014.
23. Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Effect of Cavity-Layer Thicknesses on Two-Color Lasing in a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots,
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), No.B-3-3, つくば, Sep. 2014.
24. Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Terahertz Emission from a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots,
The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014), No.TuA2-2, Flagstaff, Arizona, Sep. 2014.
25. Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap,
The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014), No.TuA2-5, Flagstaff, Arizona, Sep. 2014.
26. Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Enhanced photoluminescence form InAs quantum dots with a thin AlAs cap layer grown on (100) and (311)B GaAs substrate,
The 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014), No.Tu-B3-4, Montpellier, France, May 2014.
27. Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Effect of non-equivalent cavities on two-color lasing in a GaAs/AlAs coulpled multilayer cavity with InAs quantum dots,
The 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014), No.P57, Montpellier, France, May 2014.
28. Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity by Wafer-Bonding for Two-Color Emission Devices,
2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), No.K-4-4, Fukuoka, Sep. 2013.
29. Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu :
Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices,
2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), No.K-5-3, Fukuoka, Sep. 2013.
30. Haruyoshi Katayama, Junpei Murooka, Ryota Sato, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin and Iwao Hosako :
Development of Type II Superlattice Detector for Future Space Applications in JAXA,
CLEO-PR & OECC/PS 2013, No.TuC1-3, Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, Jul. 2013.
31. Takahiro Kitada, Chiho Harayama, Ken Morita and Toshiro Isu :
Two-Color Lasing in a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots by Optical Pumping,
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), No.TuC1-5, Kobe Convention Center, Kobe, Japan, May 2013.
32. Takahiro Kitada, Ken Morita and Toshiro Isu :
Molecular Beam Epitaxy of InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Ultrafast Nonlinear Optical Devices,
Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG), No.A7, Orland, Florida, USA, Dec. 2012.
33. Takahiro Kitada, Ken Morita and Toshiro Isu :
Novel semiconductor quantum dots for ultrafast nonlinear optical devices,
International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.4C-IL-6, Brisbane,Austraria, Oct. 2012.
34. Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Four-wave mixing signal measurements of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs QDs embedded in strain-relaxed barriers,
International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.P2-105, Brisbane,Austraria, Oct. 2012.
35. S Katoh, Y Yasunaga, Y Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs barriers on (113)B GaAs substrates,
International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.P2-084, Brisbane,Austraria, Oct. 2012.
36. Ken Morita, Hyuga Ueyama, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast alloptical switches,
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.A-6-4, Kyoto, Sep. 2012.
37. Hidetada Komatsu, Zhao Zhang, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
A GaAs/Air multilayer cavity for a planar-type non-linear optical device,
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.PS-7-19, Kyoto, Sep. 2012.
38. Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Strongly enhanced four-wave mixing signal from GaAs/AlAs cavity with InAs QDs embedded in strain-relaxed barriers,
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.A-3-2, Kyoto, Sep. 2012.
39. Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu :
Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers,
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), No.TuP-53, Nara, Sep. 2012.
40. Ken Morita, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Terahertz radiation using a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity,
The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter, Nanostructured and Molecular Materials(EXCON2012), Vol.P073, Groningen, the Netherlands, Jul. 2012.
41. Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
A GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches,
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), No.I-5-1, Nagoya, Sep. 2011.
42. Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Terahertz radiation from a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity by ultrashort laser pulse excitation,
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), No.I-4-2, Nagoya, Sep. 2011.
43. Ken Morita, Toshikazu Takimoto, Shou Katoh, Fumiya Tanaka, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with polarization inverted structure fabricated by wafer-bonding method,
The 38th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2011), No.P4.102, Berlin, Germany Maritim proArte Hotel, May 2011.
44. Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu :
Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates,
SPIE Photonics West2011, No.OPTO7937-52, The Moscone Center San Francisco, California, USA, Jan. 2011.
(DOI: 10.1117/12.872103,   Elsevier: Scopus)
45. Manato Deki, Takuro Ito, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Oshima :
Laser Modification Aiming at the Enhancement of Local Electrical Conductivities in SiC,
The 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, 218-221, Takasaki, Oct. 2010.
46. Fumiya Tanaka, Toshikazu Takimoto, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Time-Resolved Measurements on Sum Frequency Generation Strongly Enhanced in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity,
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), No.D-2-1, 61-62, Tokyo, Sep. 2010.
47. Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Remarkable Enhancement of Optical Kerr Signal by increasing Quality Factor in a GaAs/AlAs Multilayer Cavity,
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), No.D-1-4, 59-60, Tokyo, Sep. 2010.
48. Takahiro Kitada, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu :
Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers,
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), No.p1.20, bcc Berlin Congress Center, Berlin, Germany, Aug. 2010.
49. Manato Deki, Minoru Yamamoto, Ito Takuto, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Ohshima :
Femtosecond laser modification aiming at the enhancement of local electric conductivities in SiC,
30th International Conference on the Physics of Semiconductors, P1-306, Seoul, Jul. 2010.
50. Toshiro Isu, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Toshikazu Takimoto, Ken Morita and Takahiro Kitada :
Frequency-M-xing-Signal Generation on a GaAs/AlAs Coupled Multilayer-Cavity,
9th International Conference on Excitonic and Photonic Processws in Condensed and Nano Materials (EXCON'10), Vol.13O02, Novotel Hotel, Brisbane, Australia, Jul. 2010.
51. Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical Anisotropy of Enhanced Sum-Frequency Generation Signal in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity,
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrP18, 379, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, Jun. 2010.
52. Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu :
Excitation Wavelength Dependence of Photocarrier Relaxation in Si-Doped InAs Quantum Dots with Strain-Relaxed InGaAs Barriers,
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrP15, 377, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, Jun. 2010.
53. Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Strong optical Kerr gate signal in InAs-dot-buried GaAs/AlAs multilayer cavity using a picosecond laser pulse,
Quantum Dot 2010, No.p.57, East Midlands Conference Center,Nottingham,UK, Apr. 2010.
54. Tanaka Fumiya, Takahashi Tomoya, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Strong sum frequency generation in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity grown on a (113)B-oriented GaAs substrate,
2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009), Vol.I-9-2, Sendai, Oct. 2009.
55. Takahashi Tomoya, Mukai Takuya, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
A GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers for planar-type optical Kerr gate switches,
2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009), Vol.I-6-5, Sendai, Oct. 2009.
56. Ken Morita, Niki Nobuyoshi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical anisotropy of two-photon absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells measured by photoluminescence,
The 36th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2009), No.p1.13, 119, University of California, Santa Barbara, USA, Sep. 2009.
57. Toshiro Isu, Kanbara Toshiyuki, Takahashi Tomoya, Ken Morita and Takahiro Kitada :
Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities with two-photon resonant quantum wells in the half-wavelength layer,
The 36th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2009), No.p1.15, 123, University of California, Santa Barbara, USA, Sep. 2009.
58. Toshiro Isu, Takahashi Tomoya, Kanbara Toshiyuki, Mukai Takuya, Ken Morita and Takahiro Kitada :
Optical Kerr Signals of a GaAs/AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Layers,
Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemicoNano2009), Vol.O-12, Annan, Aug. 2009.
59. Takahashi Tomoya, Kanbara Toshiyuki, Mukai Takuya, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Molecular Beam Epitaxy of InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Layers,
Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemicoNano2009), Vol.P-19, Annan, Aug. 2009.
60. S. Shimomura, T. Fujita, S. Imadu and Takahiro Kitada :
Anisotropic modal gain spectra of GaAs self-assembled quantum-wire laser structures on (775)B GaAs substrates,
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Vol.Tu-mP27, 141, Kobe, Jul. 2009.
61. Ken Morita, T. Takahashi, T. Kanbara, S. Yano, T. Mukai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Large optical Kerr signal of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers,
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Vol.Mo-mP59, 71, Kobe, Jul. 2009.
62. Takahiro Kitada, A. Mukaijyo, T. Takahashi, T. Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu :
Doping effect on photocarrier lifetime in InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers grown by molecular beam epitaxy,
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Vol.Mo-mP54, 66, Kobe, Jul. 2009.
63. Ken Morita, T. Kanbara, S. Yano, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities for a short pulse,
35th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2008), Vol.P35, Rust,Germany, Sep. 2008.
64. T. Takahashi, .T Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Molecular beam epitaxy of self-assembled InAs quantum dots on (001) and (113)B GaAs substrates under a slow growth rate condition,
2008 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2008), Vol.F-5-2, Tsukuba, Sep. 2008.
65. T. Kanbara, S. Nakano, S. Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Enhanced two-photon absorption in a GaAs/AlAs multilayer cavity,
2008 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2008), Vol.E-2-5, Tsukuba, Sep. 2008.
66. T. Mukai, T. Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Excitation wavelength dependence of carrier relaxation in self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barrier layers,
2008 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2008), Vol.E-1-4, Tsukuba, Sep. 2008.
67. Takahiro Kitada, T. Mukai, T. Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu :
Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications,
15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008), No.3-V FA1.6, Vancouver, Aug. 2008.
68. Ken Morita, Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Asymmetric temporal profile of optical Kerr signal from GaAs/AlAs multilayer with λ/2 phase shift layer,
The 8th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter (EXCON2008), Vol.OP-IV-03, Kyoto, Jun. 2008.
69. Takahiro Kitada, S Kusunoki, M Kinouchi, Ken Morita, Toshiro Isu and S Shimomura :
Isotropic Interface Roughness of Pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As Quantum Wells Grown on (411)A InP Substrates by Molecular Beam Epitaxy,
The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (iscs2007), Vol.ThD P5, 340, Kyoto, Oct. 2007.
70. N Niki, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical Anisotropy of Strained Quantum Wells on High Index Substrates,
The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (iscs2007), Vol.ThD P6, 341, Kyoto, Oct. 2007.
71. T. Fujita, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Gain spectra of self-organized GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wire laser grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy,
24th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, 90, Duke University, Durham, NC, USA, Oct. 2006.
72. S. Osaki, Y. Higuchi, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Optical properties of GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wires grown on (775)B GaAs substrates by MBE,
24th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, 89, Duke University, Durham, NC, USA, Oct. 2006.
73. S. Kusunoki, H. Sagisaka, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
High Schottky AlAs barriers inserted into pseudomorphic InGaAs/InAlAs HEMT structures with (411)A super-flat interfaces grown by MBE,
24th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, 70, Duke University, Durham, NC, USA, Oct. 2006.
74. S. Shimomura, T. Toritsuka, K. Ohmori, A. Uenishi, Takahiro Kitada and S. Hiyamizu :
Room temperature operation of 1.2um range self-organized quantum wire lasers grown on a (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy,
14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 327, Waseda University, Tokyo, Sep. 2006.
75. I. Watanabe, K. Shinohara, Takahiro Kitada, S. Shimomura, A. Endoh, Y. Yamashita, T. Mimura, S. Hiyamizu and T. Matsui :
Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs fabricated on (411)A-oriented substrates by MBE,
14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 166, Waseda University, Tokyo, Sep. 2006.
76. Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu :
Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates,
14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 30, Waseda University, Tokyo, Sep. 2006.
77. Y. Sasahara, S. Osaki, T. Fujita, A. Uenishi, T. Toritsuka, K. Ohmori, Y. Higuchi, K. Miyajima, Takahiro Kitada, S. Shimomura, T. Itoh and S. Hiyamizu :
Room temperature lasing action of vertical cavity surface emitting laser with self-organized InGaAs quantum wire grown on the (775)B InP substrates by molecular beam epitaxy,
33rd International Symposium on Compound Semiconductors, 31, The University of British Columbia, Vancouver, Canada, Aug. 2006.

国内講演発表:

1. 南 康夫, 阿部 広睦, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘 :
高速キャリア緩和InAs量子ドット積層構造を用いた光伝導アンテナのテラヘルツ波発生特性,
2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 12p-PA1-3, 2020年3月.
2. 海津 利行, 北田 貴弘, 南 康夫, 原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修 :
多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの作製,
2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会, 12a-D511-7, 2020年3月.
3. 原口 雅宣, 北田 貴弘, 永瀬 雅夫, 安井 武史, 木内 陽介, 宮脇 克行, 髙橋 章, 岡久 稔也 :
2019年度におけるLEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業の取り組み,
LED総合フォーラム2020in徳島, 75-76, 2020年2月.
4. 志田 博貴, 川口 晃平, 高澤 一朗太, 齋藤 康人, 北田 貴弘, 好田 誠, 石谷 善博, 森田 健 :
空間スキャン法によるInGaAs量子井戸スピン軌道相互作用係数の導出,
2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 12a-M101-8, 2019年3月.
5. 中山 政裕, 菅野 裕吾, 石谷 善博, 北田 貴弘, 森田 健 :
小型フーリエ変換赤外分光装置の製作と測定法の確立,
2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 11p-PA7-25, 2019年3月.
6. 熊谷 直人, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 :
高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光電流スペクトルの温度依存性,
2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 11p-PA4-5, 2019年3月.
7. 盧 翔孟, 小楠 洸太朗, 髙橋 美沙, 合田 剛史, 熊谷 直人, 森田 健, 南 康夫, 北田 貴弘 :
(113)B GaAsウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入によるレーザ発振,
2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 10p-PB4-7, 2019年3月.
8. 合田 剛史, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 :
2つの(113)Bエピウェハの直接接合で作製した半導体結合共振器の電流注入レーザー発振,
平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, P17, 2019年2月.
9. 髙橋 美沙, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 :
量子ドットを活性層とする結合共振器の光励起レーザ発振,
平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, P16, 2019年2月.
10. 阿部 広睦, 張 弘翼, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 :
DBR膜上の低温成長InGaAs量子井戸によるテラヘルツ光伝導スイッチの研究,
平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, P15, 2019年2月.
11. 森田 健, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
半導体結合共振器を利用したテラヘルツ波発生,
テラヘルツ科学の最先端V, Inv5, 2018年12月.
12. 川口 晃平, 深澤 俊樹, 志田 博貴, 齋藤 康人, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健 :
InGaAs量子井戸中の拡散電子スピンに作用する内部有効磁場,
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 21p-131-5, 2018年9月.
13. 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 :
MBEによる(113)A GaAs基板上におけるAlAs/Ge/AlAsヘテロ構造の副格子交換,
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 18p-234B-14, 2018年9月.
14. 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
GaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による二波長発振の動的振る舞いの温度依存性,
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 18a-232-6, 2018年9月.
15. 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 :
半導体多層膜結合共振器による赤外二波長レーザー発振,
2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会, No.C-4-19, 2018年9月.
16. 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
GaAs/AlGaAs結合共振器による二波長面発光レーザの時間分解スペクトル測定,
2018年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, Vol.Fa-5, 98, 2018年8月.
17. 川口 晃平, 深澤 俊樹, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健 :
波長切り出し系を利用した通信波長帯スピン時空間ダイナミクス計測,
第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-D104-6, 2018年3月.
18. 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による室温での2波長レーザーの時間特性,
第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-A402-12, 2018年3月.
19. 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入によるニ波長レーザの温度特性,
第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-C301-11, 2018年3月.
20. 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
テラヘルツLEDを実現するガリウムヒ素系結合共振器の室温赤外二波長レーザ発振,
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成29年度第1回講演会・見学会 (平成29年度徳島大学日亜寄附講座研究交流会), P2, 2018年1月.
21. 吉田 啓佑, 宮井 淳平, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 :
ゲルマニウムを使った高指数面基板上ガリウムヒ素系薄膜の副格子交換エピタキシー成長,
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成29年度第1回講演会・見学会 (平成29年度徳島大学日亜寄附講座研究交流会), P1, 2018年1月.
22. 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
ウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による室温二波長レーザ発振,
電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会, Vol.117, No.406, OPE2017-118-P9-14, 2018年1月.
23. Ken Morita, Haruka Takaiwa, Kohei Kawaguchi, Takahiro Kitada and Yoshihiro Ishitani :
Spin relaxation time anisotropy of in-plane magnetic fields in InGaAs/InAlAs multiple quantum wells,
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-A413-10, Sep. 2017.
24. 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 :
高指数面上の副格子交換エピタキシーと面発光テラヘルツ素子,
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-A203-1, 2017年9月.
25. 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による2波長レーザー発振,
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-A405-11, 2017年9月.
26. 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘 :
MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長,
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 5p-C21-9, 2017年9月.
27. 盧 翔孟, 熊谷 直人, 南 康夫, 北田 貴弘 :
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures,
The 12th National Conference on Molecular Beam Epitaxy, Vol.P125, 2017年8月.
28. 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
InAs量子ドットをもつGaAs結合共振器からの電流注入によるレーザー発振,
2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ep-7-P81, 2017年7月.
29. 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入による室温ニ波長レーザー発振,
2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ep-6-P80, 2017年7月.
30. 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 :
Study of MBE Growth on high-index GaAs substrate for THz devices,
2017 Xiamen University Nanqiang Youth Scholar Forum, 2017年4月.
31. 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 :
(113)B GaAs基板上の副格子交換によるGaAs/AlAs多層膜結合共振器,
2017年度 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17a-B5-4, 2017年3月.
32. 南 康夫, 太田 寛人, 盧 翔孟, 北田 貴弘 :
結合共振器による2波長面発光レーザーの偏光特性,
2017年度 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-213-16, 2017年3月.
33. 北田 貴弘, 南 康夫, 盧 翔孟 :
半導体多層薄膜を使った結合共振器構造による テラヘルツ発光素子,
発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会, Vol.116, No.430, EID2016-33, 2017年1月.
34. 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
結合共振器による二波長面発光レーザの温度依存性,
2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No.16p-A35-5, 2016年9月.
35. 盧 翔孟, 太田 寛人, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
MBEによる GaAs/Ge/GaAs(113)Bヘテロ構造における副格子交換,
2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No.15a-P11-13, 2016年9月.
36. 高岩 悠, 森田 健, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InGaAs/InAlAs(001)多重量子井戸中の電子スピン緩和時間の外部光照射強度依存性,
2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-C41-11, 2016年9月.
37. 北田 貴弘, 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 :
波長920 nm 近傍のゲート光で動作する光伝導アンテナ素子の作製,
2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-B2-19, 2016年9月.
38. 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices,
第35回電子材料シンポジウム(EMS-35), No.we2-16, 2016年7月.
39. Hiroto Ota, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Two-Color Laser Based on a Wafer-Bonded Coupled Multilayer Cavity for Novel Terahertz LED,
第35回電子材料シンポジウム(EMS-35), No.Th3-3, 2016年7月.
40. 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
テラヘルツ帯差周波発生に適した結合共振器による二波長面発光レーザの作製,
電子情報通信学会研究会(レーザ・量子エレクトロニクス研究会LQE), Vol.15, 2016年5月.
41. 北田 貴弘, 太田 寛人, 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 :
結合共振器から生じる二波長レーザー光の時間的コヒーレンスの評価,
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.21p-S621-6, 2016年3月.
42. 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
超高速波長変換素子に向けたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器,
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.21p-S621-2, 2016年3月.
43. 太田 寛人, 西村 信耶, 渡邊 健吉, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
ウエハ接合により形成した結合共振器による二波長面発光レーザの特性,
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.20p-S321-3, 2016年3月.
44. 熊谷 直人, 村雲 圭佑, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Er ドープInAs 量子ドット層のキャリア緩和時間から評価した光電流周波数特性,
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.20a-H135-8, 2016年3月.
45. 森田 健, 奥村 朗人, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
時間分解ファラデー回転法によるInGaAs/InAlAs多重量子井戸における電子g因子測定,
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.19p-W241-8, 2016年3月.
46. 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
半導体多層膜結合共振器を用いた二波長面発光レーザー,
レーザー学会学術講演会第36回年次大会, 2016年1月.
47. 井須 俊郎, 北田 貴弘, 熊谷 直人, 盧 翔孟 :
半導体ナノ構造による新規光デバイスの創製,
徳島大学&宇都宮大学光学連携講演会2015, 2015年10月.
48. 北田 貴弘, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 :
半導体多層膜結合共振器を用いた面型発光素子「テラヘルツLED」の開発,
応用物理学会・テラヘルツ電磁技術研究会 第1回研究討論会/テラヘルツテクノロジーフォーラム 第1回テラテク技術セミナー, 2015年10月.
49. 村雲 圭佑, 熊谷 直人, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
1.5・m パルス励起によるInAs 量子ドット光伝導アンテナ構造の光電流,
2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.16p-2J-11, 2015年9月.
50. 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InGaAs/GaAs 多重量子井戸構造を導入した結合共振器による二波長面発光レーザの発振特性,
2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.16a-2E-7, 2015年9月.
51. 熊谷 直人, 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
結合共振器を用いた二波長面発光レーザの発振スペクトル注入電流依存性,
2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.15p-2C-5, 2015年9月.
52. 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
(001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果,
2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-2W-7, 2015年9月.
53. 井須 俊郎, 太田 寛人, 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘 :
半導体多層薄膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子,
2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会, Vol.CI-1-3, 2015年9月.
54. 太田 寛人, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
テラヘルツLEDのための二波長面発光レーザの作製,
第3回 光・ナノテクノロジー研究会 和歌山大・徳島大合同, 2015年8月.
55. 熊谷 直人, 村雲 圭佑, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
テラヘルツ波検出に向けた量子ドット層の面内光伝導特性評価,
第3回 光・ナノテクノロジー研究会 和歌山大・徳島大合同, 2015年8月.
56. 太田 寛人, 原山 千穂, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光素子の発光特性,
2015年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, No.Ca-2, 2015年8月.
57. Tomohisa Maekawa, Chiho Harayama, Hiroto Ota, 北田 貴弘, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 :
Two-color emission from coupled cavity structure including InAs QDs formed by wafer bonding,
第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-13, 2015年7月.
58. Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Fabrication of Two-Color Surface Emitting Laser of a Coupled Cavity Structure Formed by Wafer-Bonding,
第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-12, 2015年7月.
59. Keisuke Murakumo, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
In-plane photoconductivity of InAs QDs layers embedded in strain-relaxed InGaAs barriers,
第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-10, 2015年7月.
60. 盧 翔孟, Akihiro Kawaguchi, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Temperature dependence photoluminescence of quantum dots grown on (311)B GaAs by molecular beam epitaxy,
第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th2-5, 2015年7月.
61. 原山 千穂, 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製,
2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A17-8, 2015年3月.
62. 村雲 圭佑, 山岡 裕也, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
量子ドット光伝導スイッチのメサ加工による暗電流の抑制,
2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A14-12, 2015年3月.
63. 大柄根 斉宣, 高本 俊昭, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
(113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生 (II),
2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A14-4, 2015年3月.
64. 北田 貴弘, 原山 千穂, 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 :
ウエハ接合界面での光損失を低減した量子ドット結合共振器の作製,
2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12a-A10-9, 2015年3月.
65. 熊谷 直人, 村雲 圭佑, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InAs量子ドット積層構造の面内光伝導キャリアの移動度,
2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.11a-A10-10, 2015年3月.
66. 盧 翔孟, 川口 晃弘, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
(113)B GaAs基板上に成長した量子ドットのPLの温度依存性,
2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.11a-A10-9, 2015年3月.
67. 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
結合共振器構造による二波長面発光とテラヘルツ波発光素子,
電子情報通信学会研究会(レーザ・量子エレクトロニクス研究会LQE), Vol.48, 2015年1月.
68. 北田 貴弘, 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 :
二波長面発光レーザーによるテラヘルツ波発生,
レーザー学会第472回研究会, 2014年12月.
69. 北田 貴弘, 井須 俊郎, 森田 健 :
ウエハ接合による結合共振器の作製とテラヘルツ波発生素子への応用,
第5回集積光デバイス技術研究会(IPDA), 2014年12月.
70. 森田 健, Ryota Kurosawa, Tatsuya Oda, Yoshihiro Ishitani, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Room temperature spin relaxation in InGaAs quantum wells,
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.19P-S2-11, 2014年9月.
71. 原山 千穂, 上原 敏弘, 中河 義典, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InAs量子ドットを含むGaAs/AlGaAs結合共振器の電流注入による二波長発光,
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-4, 2014年9月.
72. 大柄根 斉宣, 安長 千徳, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号測定,
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-3, 2014年9月.
73. 北田 貴弘, 原山 千穂, 太田 寛人, 前川 知久, 高田 博文, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 :
MBE成長とウエハ接合により作製したpn接合を含む量子ドット結合共振器,
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-2, 2014年9月.
74. 盧 翔孟, 川口 晃弘, 中河 義典, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
AlAsキャップ付InAs量子ドットのフォトルミネツセンスに対するInGaAs層の影響,
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A20-16, 2014年9月.
75. 村雲 圭佑, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InAs/InGaAs量子ドット積層構造の面内光伝導特性の異方性,
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A20-13, 2014年9月.
76. 熊谷 直人, 村雲 圭佑, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
超高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光伝導,
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18a-A27-6, 2014年9月.
77. 村雲 圭佑, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪柔和InGaAs層に埋め込んだErドープInAsQDsの内面光伝導特性,
2014年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, No.Da-3, 2014年7月.
78. 原山 千穂, 上原 敏弘, 中河 義典, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製,
2014年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, No.Da-2, 2014年7月.
79. 盧 翔孟, 川口 晃弘, 中河 義典, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Effects of AlAs cap and InGaAs Layer on optical property of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy,
2014年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, No.Da-1, 2014年7月.
80. Keisuke Murakumo, Hidetada Komatsu, Yoshinori Nakagawa, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Fabrication of a cavity structure with an air layer by selective etching and wafer-bonding,
第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-11, 2014年7月.
81. Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for novel ultrafast wavelength conversion devices,
第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-15, 2014年7月.
82. Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Effect of thickness difference between two cavity layers on two-color lasing in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with InAs quantum dots,
第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-16, 2014年7月.
83. 盧 翔孟, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Reduced wetting layer and enhanced photoluminescence of InAs quantum dots with AlAs cap grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy,
第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Th2-14, 2014年7月.
84. 森田 健, 小田 達也, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
通信波長帯InGaAs量子井戸中のスピン緩和,
2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, No.18a-E15-3, 2014年3月.
85. 盧 翔孟, 松原 修三, 中河 義典, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
分子線エピタキシーによる(001)と(113)B GaAs基板上に成長したInAs量子ドットのフォトルミネッセンスに与えるAlAsキャップの影響,
2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, No.18a-E15-1, 2014年3月.
86. 原山 千穂, 加藤 翔, 中河 義典, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器による等強度の二波長発振,
2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-4, 2014年3月.
87. 大柄根 斉宣, 安長 千徳, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
超高速波長変換素子に向けたInAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の作製,
2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-3, 2014年3月.
88. 北田 貴弘, 加藤 翔, 原山 千穂, 大柄根 斉宣, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs 結合共振器によるテラヘルツ波発生への膜厚不均一の影響,
2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-2, 2014年3月.
89. 井須 俊郎, 北田 貴弘, 森田 健, 盧 翔孟, 中河 義典 :
半導体多層膜結合共振器構造の非線形光学応答とそのデバイス応用,
第9回量子ナノ材料セミナー, 2013年11月.
90. 北田 貴弘, 安長 千徳, 中河 義典, 森田 健, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs三結合共振器への波長帯域制限したパルス光照射による四光波混合信号光のスペクトル形状,
2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19a-D6-3, 2013年9月.
91. 小松 秀士, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
微小開口部アレイからの選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造,
2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19a-D6-4, 2013年9月.
92. 原山 千穂, 加藤 翔, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器のウエハ直接結合による作製と光学特性評価,
2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-D6-14, 2013年9月.
93. 大柄根 斉宣, 加藤 翔, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
(113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生,
2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-D6-13, 2013年9月.
94. 北田 貴弘, 盧 翔孟, 井須 俊郎 :
量子ドット結合共振器による二波長レーザ∼新しいテラヘルツ光源を目指して,
第2回 和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会, 2013年8月.
95. Sho Katoh, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Optical properties of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs barriers on (113)B GaAs substrate,
第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.Fr1-3, 2013年7月.
96. Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Terahertz emission from a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with self-assembled InAs quantum dots,
第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-8, 2013年7月.
97. Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Two-color lasing from wafer-bonded GaAs/AlAs coupled multilayer cavity by optical pumping,
第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-4, 2013年7月.
98. Hidetada Komatsu, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Clear observation of cavity mode of GaAs/air multilayer structure,
第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-3, 2013年7月.
99. 小松 秀士, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造の反射率面内分布,
2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, No.30a-G20-12, 2013年3月.
100. 北田 貴弘, 原山 千穂, 森田 健, 井須 俊郎 :
InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 結合共振器による二波長面発光レーザの室温光励起発振,
2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, No.28a-G20-8, 2013年3月.
101. 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生,
電子情報通信学会電子デバイス研究会, No.ED2012-96, 17-21, 2012年12月.
102. 鈴木 裕旭, 原口 雅宣, 岡本 敏弘, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
LED の金属電極部に形成した回折格子構造による発光制御,
日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2012 講演予稿集, No.24pE3, 2012年10月.
103. 加藤 翔, 安長 千徳, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
(113)B GaAs基板上に作製した歪緩和In0.45Ga0.55Asバリア層に埋め込んだInAs量子ドット,
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12a-J-9, 2012年9月.
104. 安長 千徳, 上山 日向, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
波長変換機能を実現するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号の時間分解測定,
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12a-F1-2, 2012年9月.
105. 森田 健, 北田 貴弘, 赤羽 浩一, 井須 俊郎 :
通信波長帯多重積層InAs 量子ドット中のスピン緩和,
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.11p-F1-2, 2012年9月.
106. 北田 貴弘, 上山 日向, 森田 健, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs 量子ドットにおける超高速キャリア緩和の励起波長依存性,
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.11p-F1-1, 2012年9月.
107. 北田 貴弘 :
新規な非線形光学デバイスを目指した半導体ナノ構造のMBE成長,
和歌山大学-徳島大学 光・ナノテクノロジー研究会, 2012年8月.
108. 小松 秀士, 張 ミン, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜光共振器の反射率スペクトル測定,
応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Cp-3, 2012年7月.
109. 安長 千徳, 上山 日向, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InAs量子ドット共振器による四光波混合信号の増強,
応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Cp-4, 2012年7月.
110. Y Yasunaga, H Ueyama, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Strongly enhanced four-wave mixing signal from GaAs/AlAs cavity,
第31回電子材料シンポジウム(EMS-31), No.Fr1-9, 2012年7月.
111. H Komatsu, Z Zhang, Y Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
A GaAs/Air multilayer cavity for a planar-type non-linear optical devise GaA/Air,
第31回電子材料シンポジウム(EMS-31), No.Fr1-8, 2012年7月.
112. 森田 健, 滝本 隼主, 加藤 翔, 中河 義典, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
分極反転したGaAs/AlAs結合共振器によるテラヘルツ帯差周波発生,
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.18a-E8-11, 2012年3月.
113. 上山 日向, 安長 千徳, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜共振器の四光波混合信号測定,
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.17a-E1-7, 2012年3月.
114. 北田 貴弘, 滝本 隼主, 加藤 翔, 森田 健, 井須 俊郎 :
超短パルス光照射によるGaAs/AlAs結合共振器からのテラヘル帯差周波発生とそのシミュレーション,
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.16p-GP6-10, 2012年3月.
115. 上山 日向, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを1層有するGaAs/AlAs多層膜共振器のMBE成長,
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.16p-A8-8, 2012年3月.
116. 伊藤 拓人, 大西 諒, 出来 真斗, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 :
フェムト秒レーザー照射による表面及び内部におけるSiC 改質部の電気伝導特性,
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 04-283, 2012年3月.
117. 森田 健, 上山 日向, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による超高速全光スイッチ,
光エレクトロニクス研究会(OPE), Vol.111, No.448-449, 31-34, 2012年3月.
118. 井須 俊郎, 北田 貴弘, 森田 健 :
半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ波発生,
第7回宇宙用高感度赤外センサ研究会, 2012年2月.
119. 井須 俊郎, 北田 貴弘, 森田 健, 中河 義典 :
GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子,
(社)レ-ザー学会学術講演会第32回年次大会, No.F-431pIV01, 169, 2012年1月.
120. 井須 俊郎, 北田 貴弘, 森田 健 :
半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ波発生素子,
学振第182委員会第11回研究会 (テラヘルツ波科学技術と産業開拓委員会), 2011年10月.
121. 加藤 翔, 滝本 隼主, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造におけるテラヘルツ帯差周波信号の励起偏光方向依存性,
第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-ZN-4, 05-073, 2011年9月.
122. 上山 日向, 高橋 朋也, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器の作製と光学特性,
第72回応用物理学会学術講演会, No.1a-ZA-15, 15-108, 2011年9月.
123. 安長 千徳, 上山 日向, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
波長変換機能を実現するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器中の非線形分極,
第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-4, 14-035, 2011年8月.
124. 張 ミン, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
超高速光スイッチに向けたGaAs/Air 共振器構造の作製,
第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-5, 14-036, 2011年8月.
125. 滝本 隼主, 加藤 翔, 田中 文也, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs多層膜結合共振器のテラヘルツ帯差周波発生の分極反転効果,
第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-6, 14-037, 2011年8月.
126. 森田 健, 加藤 翔, 滝本 隼主, 田中 文也, 中河 義典, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs結合共振器における二つの共振器モードを利用したテラヘルツ帯差周波発生,
第72回応用物理学会学術講演会, No.31a-F-7, 04-136, 2011年8月.
127. 北田 貴弘, 滝本 隼主, 加藤 翔, 森田 健, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs結合共振器に生じる非線形分極とテラヘルツ帯差周波発生,
第72回応用物理学会学術講演会, No.31a-F-6, 04-135, 2011年8月.
128. 伊藤 拓人, 出来 真斗, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 :
フェムト秒レーザー照射によるSiC改質部の局所電気伝導度の照射偏光依存性Ⅱ,
第72回応用物理学会学術講演会, 04-236, 2011年8月.
129. 張 ミン, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/Air 微小光共振器構造の選択エッチングによる作製,
2011年度応用物理学会中国四国支部学術講演会, No.Ea2-4, 2011年7月.
130. 安長 千徳, 上山 日向, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs 多層膜三結合共振器構造を用いた四光波混合による波長変換素子,
2011年度応用物理学会中国四国支部学術講演会, No.Bp2-1, 2011年7月.
131. Syo Katoh, Toshikazu Takimoto, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Terahertz Difference-frequency Generation of two cavity modes in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity,
第30回電子材料シンホ シ ウム(EMS-30), No.Th1-17, 2011年6月.
132. Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
Optical properties of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers for an all-optical switch with a multilayer cavity structure,
第30回電子材料シンホ シ ウム(EMS-30), No.Th1-8, 2011年6月.
133. 加藤 翔, 滝本 隼主, 田中 文也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の二つの共振器モードを利用したテラヘルツ帯差周波発生,
第58回応用物理学関係連合講演会, No.26a-KB-2, 05-106, 2011年3月.
134. 伊藤 拓人, 出来 真斗, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 :
フェムト秒レーザー照射によるSiC改質部の局所電気伝導度の照射偏光依存性,
第58回応用物理学関係連合講演会, 04-287, 2011年3月.
135. 滝本 隼主, 加藤 翔, 田中 文也, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
ウエハ接合により作製したGaAs/AlAs多層膜結合共振器,
第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-9, 14-042, 2011年3月.
136. 北田 貴弘, 安長 千徳, 上山 日向, 森田 健, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs多層膜三結合共振器の面型波長変換素子への応用,
第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-8, 14-041, 2011年3月.
137. 西中 一平, 美藤 邦彦, 木股 雅章, 内藤 聖貴, 山本 泰志, 片山 晴善, 佐藤 亮太, Patrashin Mikhail, 寳迫 巌, 井須 俊郎, 北田 貴弘 :
GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの開発,
第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KT-7, 03-063, 2011年3月.
138. 上山 日向, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの作製とその光学特性,
第58回応用物理学関係連合講演会, No.24p-BQ-4, 15-061, 2011年3月.
139. 森田 健, 加藤 翔, 滝本 隼主, 田中 文也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
多層膜結合共振器構造へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生,
第58回応用物理学関係連合講演会, No.24a-KF-4, 04-157, 2011年3月.
140. 北田 貴弘 :
半導体結合光共振器によるテラヘルツ光発生素子,
第5回フロンティア研究センターシンポジウム, 2011年2月.
141. 伊藤 拓人, 出来 真斗, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 :
SiCのフェムト秒レーザー改質部における局所電気伝導度の照射偏光依存性,
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会 予稿集, 110-111, 2010年10月.
142. 出来 真斗, 伊藤 拓人, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 :
フェムト秒レーザー改質したSiCにおける局所電気伝導度の照射フルエンス依存性,
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会 予稿集, 114-115, 2010年10月.
143. 北田 貴弘, 田中 文也, 滝本 隼主, 森田 健, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs多層膜結合共振器における非線形分極構造の制御,
2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-6, 14-069, 2010年9月.
144. 田中 文也, 滝本 隼主, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
非対称なGaAs/AlAs多層膜結合共振器の作製とその光学特性,
2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-7, 14-070, 2010年9月.
145. 上山 日向, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの電気特性,
2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.15a-ZV-4, 15-058, 2010年9月.
146. 森田 健, 田中 文也, 滝本 隼主, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
分極反転したGaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の作製とその光学特性,
2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.14a-G-3, 05-041, 2010年9月.
147. 出来 真斗, 伊藤 拓人, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 :
SiCのフェムト秒レーザー改質部における局所電気伝導度の照射フルエンス依存性,
第71 回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 04-269, 2010年9月.
148. Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical Kerr gate switching in InAs-dot-buried GaAs/AlAs multilayer cavity using a wavelength restricted picosecond laser pulse,
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), No.We3-7, 61, Jul. 2010.
149. Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Optical anisotropy of sum-frequency generation in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity,
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), No.We3-5, 57, Jul. 2010.
150. 北田 貴弘 :
InAs量子ドットとGaAs/AlAs多層膜共振器構造の超高速光スイッチ,
第4回フロンティア研究センターシンポジウム, 2010年3月.
151. 高橋 朋也, 田中 文也, 張 ミン, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
選択エッチングによるGaAs/Air多層膜共振器構造の作製,
第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-TM-24, 2010年3月.
152. 森田 健, 高橋 朋也, 田中 文也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
ピコ秒パルスを用いたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器構造の光カー信号,
第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-N-7, 2010年3月.
153. 森田 健, 田中 文也, 高橋 朋也, 滝本 隼主, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
2パルスによる(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の和周波・第二高調波スペクトルの遅延時間依存性,
第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-M-1, 2010年3月.
154. 田中 文也, 高橋 朋也, 滝本 隼主, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
2つの共振器モードを有する(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器の時間分解和周波信号測定,
第57回応用物理学関係連合講演会, No.17a-TM-22, 2010年3月.
155. 北田 貴弘, 高橋 朋也, 森田 健, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットにおける高速キャリア緩和,
第57回応用物理学関係連合講演会, No.17p-TW-14, 2010年3月.
156. 北田 貴弘, 高橋 朋也, 森田 健, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ,
2010年光エレクトロニクス研究会, Vol.109, No.401, OPE2009-189, 2010年1月.
157. 出来 真斗, 伊藤 拓人, 山本 稔, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 :
6H-SiC基板へのフェムト秒レーザー改質による電気伝導のパルスピッチ依存性,
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集, Vol.18, 148-149, 2009年12月.
158. 森田 健, 高橋 朋也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜共振器における光カー信号の励起光強度依存性,
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.10p-C-13, 314, 2009年9月.
159. 北田 貴弘, 向井 拓也, 高橋 朋也, 向所 明里, 森田 健, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだSi ドープInAs 量子ドットにおけるキャリア緩和の励起波長依存性,
2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会, No.10p-C-14, 315, 2009年9月.
160. 森田 健, 高橋 朋也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs 多層膜共振器におけるps パルスを用いた光カー信号のQ 値依存性,
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-1, 1285, 2009年9月.
161. 田中 文也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs (113)B 結合共振器における和周波信号強度の励起偏光方向依存性,
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-6, 1287, 2009年9月.
162. 高橋 朋也, 田中 文也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/Air 多層膜共振器の光カー信号強度のシミュレーション,
2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-2, 1285, 2009年9月.
163. 北田 貴弘, 田中 文也, 高橋 朋也, 森田 健, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs 多層膜結合共振器内部における2つの共振器モードの光干渉効果,
2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-5, 1286, 2009年9月.
164. 出来 真斗, 山本 稔, 伊藤 拓人, 岩見 勝弘, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 中河 義典, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 :
イオン注入電極を作製したSiC基板へのフェムト秒レーザー照射による電気伝導特性制御,
2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会・講演予稿集, 1057, 2009年9月.
165. 田中 文也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
2つの共振器モードを有するGaAs/AlAs結合共振器構造による周波数混合信号の発生,
応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会, Vol.Dp2-3, 98, 2009年8月.
166. 高橋 朋也, 向井 拓也, 向所 明里, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和バイア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器,
応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会, Vol.Dp2-2, 97, 2009年8月.
167. Fumiya Tanaka, Toshiyuki Kanbara, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Second harmonic and sum frequency generations of a coupled (113)B GaAs/AlAs multilayer cavity,
28th Electronic Materials Symposium(EMS28), No.J21, 277-278, Jul. 2009.
168. Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Akari Mukaijo, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Fabrication of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in straiu-relaxed barriers for ultrafast all-optical switch,
28th Electronic Materials Symposium(EMS28), No.F4, 155-156, Jul. 2009.
169. 北田 貴弘 :
超高速光スイッチに向けたInAs量子ドットの分子線エピタキシャル成長,
神戸大学連携推進本部ナノ・フォトニクス技術セミナー, 2009年5月.
170. 高橋 朋也, 向井 拓也, 向所 明里, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器のMBE成長,
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
171. 森田 健, 高橋 朋也, 神原 敏之, 向井 拓也, 矢野 慎介, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和バリア層中のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器における光カー信号,
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
172. 北田 貴弘, 向井 拓也, 高橋 朋也, 向所 明里, 森田 健, 井須 俊郎 :
共振器層に過飽和吸収特性を有するGaAs/AlAs多層膜共振器構造,
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
173. 北田 貴弘, 向井 拓也, 高橋 朋也, 向所 明里, 森田 健, 井須 俊郎 :
歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだInAs量子ドットのキャリア緩和におけるドーピング効果,
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
174. 田中 文也, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造における第二高調波・和周波発生,
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
175. 井須 俊郎, 田中 文也, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘 :
2つの共振器モードを実現するGaAs/AlAs多層膜結合共振器構造,
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
176. 北田 貴弘 :
超高速光スイッチに向けたInAs量子ドットのMBE成長,
第2回フロンティア研究センターシンポジウム, 2009年3月.
177. 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs量子井戸における二光子吸収の偏光方向異方性,
第29回レーザー学会学術講演会, No.F-10pVI-3, 2009年1月.
178. 向所 明里, 向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和In0.35Ga0.65As 層に埋め込んだInAs量子ドットの作製とその光学特性,
第29回レーザー学会学術講演会, No.F-10pVI-2, 2009年1月.
179. 森田 健, 仁木 伸義, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
二光子励起フォトルミネッセンス分光におけるGaAs/AlGaAs量子井戸の光学異方性,
第19回光物性研究会, Vol.3B-100, 402-405, 2008年12月.
180. 向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットの高速キャリア緩和,
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(4p-ZQ-16), Vol.Ep-05, 2008年9月.
181. 岩見 勝弘, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 中河 義典, 井須 俊郎, 齋藤 伸吾 :
フェムト秒レーザー照射により改質されたSiCの電気伝導特性,
第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol.69, No.3, 999, 2008年9月.
182. 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
(001)量子井戸における二光子吸収の光学異方性,
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-6), 2008年9月.
183. 北田 貴弘, 神原 敏之, 矢野 慎介, 森田 健, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs 多層膜共振器構造の光カー信号強度のQ 値依存性のシミュレーション,
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-5), 2008年9月.
184. 矢野 慎介, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs 多層膜共振器構造における光カー信号強度の層数依存性,
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-4), 2008年9月.
185. 森田 健, 神原 敏之, 矢野 慎介, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs 多層膜共振器の非対称時間分解光カー信号,
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-3), 2008年9月.
186. 神原 敏之, 矢野 慎介, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
二光子共鳴量子井戸を有するGaAs/AlAs 多層膜共振器構造の作製,
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-2), 2008年9月.
187. 今津 晋二郎, 松木 豊和, 毛利 如良, 藤田 剛也, 北田 貴弘, 下村 哲 :
(775)B GaAs基板上にMBE成長したGaAs/(GaAs)4(AlAs)2自己形成型量子細線レーザのゲインスペクトル3,
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3p-ZQ-6), 2008年9月.
188. 高橋 朋也, 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットのMBE成長,
2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(2a-CF-16), 2008年9月.
189. 矢野 慎介, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs多層膜共振器構造におけるQ値と光カー信号強度,
応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-09, 2008年8月.
190. 高橋 朋也, 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs 基板上InAs 量子ドットの分子線エピタキシャル成長とフォトルミネッセンス測定,
応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Ep-06, 2008年8月.
191. 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlGaAs 量子井戸の二光子励起フォトルミネッセンス,
応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-05, 2008年8月.
192. 神原 敏之, 矢野 慎介, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs 多層膜共振器構造の作製と二光子吸収特性評価,
応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-07, 2008年8月.
193. 向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットの分子線エピタキシャル成長と光学特性評価,
応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Ep-05, 2008年8月.
194. Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Fabrication and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs(001) and (113)B substrates,
27th Electronic Materials Symposium(EMS27), No.K9, 235, Jul. 2008.
195. Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu :
Time-resolved two-photon absorption measurements of GaAs/AlAs multilayer with λ/2 GaAs layer,
27th Electronic Materials Symposium(EMS27), No.J13, 211, Jul. 2008.
196. 北田 貴弘, 神原 敏之, 森田 健, 井須 俊郎 :
マトリックス法によるGaAs/AlAs多層膜構造の光カー信号強度のシミュレーション,
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
197. 神原 敏之, 仲野 翔也, 矢野 慎介, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
AlAs/Al0.3Ga0.7Asダブルエッチストッパー構造を有するGaAs/AlAs多層膜構造の作製,
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
198. 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
有限障壁ポテンシャルを考慮した高指数GaAs (11n)A基板上のInGaAs歪量子井戸の光学異方性評価,
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
199. 森田 健, 神原 敏之, 仲野 翔也, 矢野 慎介, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs多層膜における時間分解非線形光学応答,
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
200. 向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs (001)および(113)B基板上へのInAs量子ドットのMBE成長と光学特性評価,
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
201. 北田 貴弘, 楠 真一郎, 木内 将登, 森田 健, 下村 哲, 井須 俊郎 :
電子移動度によるInGaAs/InAlAs へテロ界面の異方性評価,
第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-14, 2007年12月.
202. 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
大きな非線形光学応答のためのGaAs/AlAs 多層膜構造の光電場強度増大効果,
第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-13, 2007年12月.
203. 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
高指数GaAs面上InGaAs歪量子井戸の光学異方性,
第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-12, 2007年12月.
204. 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 赤羽 浩一, 山本 直克 :
InP(113)B基板上InAs量子ドットのフォトルミネッセンス光学異方性,
第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-11, 2007年12月.
205. 北田 貴弘, 森田 健, 井須 俊郎 :
面型超高速光スイッチに向けた半導体多層膜のMBE成長,
応用物理学会中国四国支部研究会, 2007年12月.
206. 岩見 勝弘, 熊井 亮太, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 中河 義典, 井須 俊郎 :
フェムト秒レーザー照射に伴う4H-SiC上での電気伝導度変化の検討,
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集, Vol.16, 129-130, 2007年11月.
207. 北田 貴弘, 楠 慎一郎, 木内 将登, 森田 健, 下村 哲, 井須 俊郎 :
(411)A InGaAs/InAlAs 変調ドープ歪量子井戸構造における界面ラフネスの異方性評価,
第68回応用物理学会学術講演会, Vol.8a-H-2, 345, 2007年9月.
208. 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
高指数(11n)面上のInGaAs歪量子井戸の光学異方性,
第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-3, 1418, 2007年9月.
209. 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
GaAs/AlAs多層膜構造における光電場強度の増大効果,
第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-2, 1418, 2007年9月.
210. 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 赤羽 浩一, 山本 直克 :
InP(113)B上の積層InAs量子ドットの光学異方性,
第68回応用物理学会学術講演会, Vol.6a-N12, 1413, 2007年9月.
211. 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 赤羽 浩一, 山本 直克, 井須 俊郎 :
(113)B InAs量子ドットのフォトルミネッセンスによる光学異方性,
応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-7, 94, 2007年8月.
212. 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
大きな非線形光学応答を実現するGaAs/AlAs多層膜構造の検討,
応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-6, 93, 2007年8月.
213. 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
PLによる高指数面上InGaAs歪量子井戸の光学異方性評価,
応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-5, 92, 2007年8月.
214. T Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada, K Akahane, N Yamamoto and Toshiro Isu :
Optical anisotropy of InAs quantum dots on an InP(113)B substrate,
26th Electron Material Symposium, Vol.G6, 161-162, Jul. 2007.
215. 井須 俊郎, 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 赤羽 浩一, 山本 直克 :
InP(311)B上のInAs量子ドットの光学異方性,
第3回量子ナノ材料セミナー, 1-4, 2007年6月.
216. 藤田 剛也, 大森 和幸, 北田 貴弘, 下村 哲, 冷水 佐壽 :
(775)GaAs基板上にMBE成長した自己形成型GaAs/(GaAs)4(AlAs)2量子細線レーザの利得スペクトル,
第67回応用物理学会学術講演会, 1282, 2006年8月.
217. 尾崎 信二, 樋口 裕, 北田 貴弘, 下村 哲, 冷水 佐壽 :
(775)GaAs基板上にMBE成長した自己形成型GaAs/(GaAs)4(AlAs)2量子細線のフォトルミネッセンス温度依存性,
第67回応用物理学会学術講演会, 1282, 2006年8月.
218. 下村 哲, 笹畑 圭史, 大森 和幸, 鳥塚 哲郎, 上西 敦士, 北田 貴弘, 小倉 睦郎, 冷水 佐壽 :
自己形成型量子細線のMBE成長とレーザ·面発光レーザへの応用,
第67回応用物理学会学術講演会, 30, 2006年8月.
219. 楠 真一郎, 北田 貴弘, 下村 哲 :
(411)A InGaAs/InAlAs変調ドープ歪量子井戸構造における異方性評価,
第67回応用物理学会学術講演会, 287, 2006年8月.
220. S. Kusunoki, H. Sagisaka, 北田 貴弘, S. Shimomura, S. Hiyamizu :
Pseudomorphic InGaAs/InAlAs HEMT structures with high Schottky AlAs barriers grown on (411)A InP substrates by MBE,
25th Electron Material Symposium, 82-83, 2006年7月.
221. S. Osaki, Y. Higuchi, 北田 貴弘, S. Shimomura, S. Hiyamizu :
Optical properties of GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wires grown on (775)B GaAs substrates by MBE,
25th Electron Material Symposium, 316-317, 2006年7月.
222. T. Fujita, 北田 貴弘, S. Shimomura, S. Hiyamizu :
Gain Spectra of self-organized GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wire laser groun on (775)B GaAs substrates by moleclar beam epitaxy,
25th Electron Material Symposium, 306-307, 2006年7月.

その他・研究会:

1. 原口 雅宣, 北田 貴弘, 永瀬 雅夫, 安井 武史, 木内 陽介, 宮脇 克行, 髙橋 章, 岡久 稔也 :
LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業の取り組み,
LED総合フォーラム2019in徳島, P-2, 2019年2月.
2. 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの作製を目指した基礎的研究,
LED総合フォーラム2019 in 徳島, No.P-16, 89-92, 2019年2月.
3. 原口 雅宣, 北田 貴弘, 永瀬 雅夫, 安井 武史, 木内 陽介, 宮脇 克行, 髙橋 章, 岡久 稔也 :
LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業におけるテラヘルツLED応用基盤技術に関する取り組み,
LED総合フォーラム2018in徳島, P-2, 2018年2月.
4. 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 :
GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの研究開発,
LED総合フォーラム2018 in 徳島, No.P-4, 83-88, 2018年2月.
5. 原口 雅宣, 木内 陽介, 北田 貴弘, 永瀬 雅夫, 安井 武史, 宮脇 克行, 髙橋 章, 岡久 稔也 :
LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業におけるテラヘルツLED応用基盤技術に関する取り組み,
LED総合フォーラム2016in徳島 論文集, 201-202, 2016年12月.
6. 南 康夫, 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 :
テラヘルツLEDの研究開発の現状,
LED総合フォーラム2016, P-33, 2016年12月.
7. 北田 貴弘, 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 :
テラヘルツLED,
LED総合フォーラム2015, Vol.P-3, 2015年12月.
8. 北田 貴弘, 原山 千穂, 森田 健, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 :
テラヘルツLED,
LED総合フォーラム2014-2015, 2015年1月.
9. 出来 真斗, 伊藤 拓人, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 :
フェムト秒レーザー照射によるSiC改質部の局所電気伝導度の照射強度および偏光依存性,
第5回フロンティア研究センターシンポジウム 「日亜寄附講座研究成果報告会」, 10, 2011年2月.

科学研究費補助金 (KAKEN Grants Database @ NII.ac.jp)

  • 副格子交換エピタキシーによるテラヘルツLEDの研究 (研究課題/領域番号: 19H02200 )
  • 超高速キャリア緩和を有するInAs量子ドットのテラヘルツ波検出素子への応用 (研究課題/領域番号: 16K06266 )
  • テラヘルツLEDの研究 (研究課題/領域番号: 16H04351 )
  • 高指数面基板上の副格子交換エピタキシーによる半導体多層膜結合共振器の研究 (研究課題/領域番号: 15K13956 )
  • 光励起下におけるInAs量子ドット層の面内伝導特性の解明と光伝導アンテナへの応用 (研究課題/領域番号: 26889043 )
  • 高強度テラヘルツパルスを利用した半導体中電子スピンの超高速自由制御 (研究課題/領域番号: 26390074 )
  • 半導体多層膜結合共振器構造による二波長レーザ発振とテラヘルツ波発生の研究 (研究課題/領域番号: 24656051 )
  • 量子ドットと半導体多層膜結合共振器構造を用いた超高速波長変換素子 (研究課題/領域番号: 24360028 )
  • 半導体多層膜結合光共振器による波長変換デバイス (研究課題/領域番号: 22656018 )
  • 半導体結合共振器による面型テラヘルツ波発生素子の研究 (研究課題/領域番号: 22360030 )
  • 光によるQ値可変を実現する半導体多層膜共振器の創製 (研究課題/領域番号: 21656084 )
  • 量子ドットを用いた面型多層膜半導体超高速光スイッチの研究 (研究課題/領域番号: 21360035 )
  • 高ショットキー極薄バリア超高速トランジスタ材料の開発 (研究課題/領域番号: 17760253 )
  • 巨大伝導帯オフセットをもつ量子井戸材料の探索と量子構造の作製 (研究課題/領域番号: 17560283 )
  • 長波長帯面発光量子細線レーザの作製 (研究課題/領域番号: 15206034 )
  • 超高圧下の精密な固体物性研究による圧力誘起量子相転移機構の解明 (研究課題/領域番号: 15204032 )
  • InGaAs面発光量子細線レーザの開発 (研究課題/領域番号: 12355015 )
  • (775)BGaAs基板上の超高密度InGaAs/AlGaAs量子細線の研究 (研究課題/領域番号: 09450130 )
  • 研究者番号(90283738)による検索