Investigation of Ga Localization in AlGaN Growth with Step-Bunching at ultra-high temperature MOVPE growth

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)


AlGaN and AlGaN/AlN superlattice growth by using ultra high-temperature MOVPE


GaN localization in high-temperature AlGaN growth over 1500


Deep ultraviolet to visible absorbing and sensing applications by stacking film with highly lossy ultrathin film

The 13th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META 2023)


The dependence of the V/III ratio in high-temperature AlN growth with several misorientations off-angle sapphire substrate

International Workshop on Nitride semiconductor 2022


Lateral epitaxial overgrowth by mass transport in AlN with the temperature of 1700


Dependence of c-plane sapphire misorientation angle in high temperature AlN growth and specific step bunching at large angle


The high-temperature growth in AlN with the unaffected parasitic reaction by Jet gas stream MOVPE


Virus inactivation using ultraviolet LEDs


Ultraviolet violet applications utilizing high refractive index subwavelength structure with ultra-thin thickness

The 12th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META 2022)


The improvement of crystal orientation in AlN with controlled inversion domain


Threshold temperature in annihilation radius of dislocation for AlN


The reduction of adduct formation during high-temperature growth in AlN by jet gas stream metalorganic vapor phase epitaxy


Design of AlN-subwavelength grating for deep ultraviolet wavelength reflector operating at 244 nm of wavelength

The 8th Optical Manipulation and Structured Materials Conference


High refractive index contrast meta-structures for GaN-based and sensing applications operating at deep ultraviolet to visible wavelength

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials


The improving resolution for dislocation analysis in GaN by three-photon microscopy

SPIE The International Society for Optical Engineering


Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)


Improved emission intensity of UVC-LEDs using strain-relaxation layer


Crystalline quality improvement and suppression of cracking for sputter-deposited high-temperature annealed AlN films by stress control


Effect of stress-relaxation layer in UVC-LEDs on sputter-deposited high-temperature annealedAlN/sapphire

国際照明学会 第十五届中国国际半导体照明论坛

国際照明学会 第十五届中国国际半导体照明论坛


Schottky Barrier Diodes Fabricated on Miscut m-planeSubstrates

International Symposium on Growth of -Nitrides (ISGN-7)


Improvement of Electrical Stability of ALD-Al2O3/GaN Interfaceby UV/O3 Oxidation and Postdeposition Annealing

International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)


Observation of Dislocation Propagation in GaN on GaN Structure With a Multiphoton Excitation Photoluminescence Microscope(invited)


Improvement of Electrical Stability in ALD-Al2O3/GaN Interface using UV/Ozone Oxidation and Post Deposition Annealing


Crystal quality improvement of sputter-deposited AlN films on SiC substrates by high temperature annealing


Effect of the environment temperature around the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)


Ammonia Decomposition and Reaction by High-Resolution Mass Spectrometry forGroup III-Nitrides Epitaxial Growth


Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in ametalorganic vapor phase epitaxy reactor


2018 17th IEEE Intersociety Conference on Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems (ITherm)

In this study, we perform electrical and thermal characterization of vertical GaN pn diodes. One set of diode devices was subjected to passivation through the use of a polyimide film, while the other set of devices was non-passivated. Electroluminescence (EL) was performed on both sets of devices, and it was found that non-passivated devices demonstrated increased EL intensity at the mesa edges, most likely due to enhanced surface recombination, and subsequently showed I-V characteristics that outperformed the passivated devices in terms of power handling capabilities at high forward voltages. Thermoreflectance imaging was used to evaluate the temperature distribution of the metal contact for 130 μm diodes, and it was found that a very uniform distribution was consistent even for very large forward voltage bias. Additional thermal characterization was carried out using time-domain thermoreflectance (TDTR) and depth dependent measurements demonstrated an inhomogeneity in the thermal conductivity of the diodes when measuring from the heavily doped p-type region.


Development of sustainable smart society based on transformative electronics

2017 IEEE International Electron Devices Meeting

We will review three recent advances. Defects which cause leakage under a high-voltage reverse-biased condition were identified in GaN pin diodes grown on free-standing GaN substrates. The performances of GaN-based horizontal-heterostructure superjunction high-electron-mobility transistor and a GaN-nanorod-based vertical pn-superjunction diode were simulated. A vertical pn-superjunction was fabricated using GaN nanorod growth technology.


In-situ and biased characterization of nitride semiconductor crystalfor the advanced optical and power electronic devices

8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics


Growth and Structural Characterization of Hexagonal Boron Nitride on Sapphire

International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)


Dislocation observation of GaN/GaN homo epitaxial growth film by Multi-photon absorption hotoluminescence

6th International Workshop Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2017)


Deep Levels in Homoepitaxialm-plane GaN Schottky Barrier Diodes

10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors IWBNS-X


Hexagonal boron nitride deposition and growth evolution by pulsed-mode MOVPE technique

International Conference on Nitride Semiconductors-12


m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE layer on several off-angled GaN substrate


Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors


Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on free-standing GaN substrate

International Conference on Nitride Semiconductors-12 (ICNS12)


Impact of temperature on pulsed-mode MOCVDHexagonal Boron Nitride on Sapphire

SPIE The International Society for Optical Engineering


Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and device characteristics

International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)


GaN Growth on m-plane SiC Substrate with an Ultrathin Interlayer


The Influence of Residual Boron in Reactor on the Quality of GaN Crystal Grown via MOVPE


In-LineNH3 Reactant Analysis on Nitride Semiconductor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy via High-ResolutionMass Spectrometry


Facet Distribution of Leakage Current and Carrier Concentration in m-plane GaN Schottky BarrierDiode Fabricated with MOVPE


InGaN surface roughness recovery by hydrogen treatment as monitored by in situ laser scattering

the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)


GaN Growth on a-plane SiC Substrate with an Ultrathin Interlayer

he 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)


Reduction of leakage current density in homoepitaxial m-plane GaN by controlling V/III ratios for high-power device applications


In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growthby MOVPE

The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials


Growth of InGaN well layer with an in-situ monitoring system

6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)


Reduction of Residual Carbon on Un-doped GaNGrown usingMetal Organic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy


Design and Lasing Characteristics of GaN Vertical Elongated Cavity Surface Emitting Lasers

SPIE Gallium Nitride Materials and Devices IX

SPIE The International Society for Optical Engineering


Design and lasing characteristics of GaN vertical elongated cavity surface emitting lasers

We report on design and lasing characteristics of GaN vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with an elongated cavity for use in uniform elements of a two-dimensional (2D) laser array. Calculations of VCSELs with the elongated cavity taking into account the wavelength dispersion of the refractive index show that the transverse mode spacing can be significantly narrower than the gain spectrum with a small tradeoff of the differential quantum efficiency. The result clearly shows that the elongated cavity is robust against the thermally induced peakshift of the gain spectrum, and thus preferable for use in elements of density packed laser array for which uniform operation of each element is crucial. The VCSEL with the elongated cavity fabricated by the wafer thinning technique operates under current injection by using highly reflective distributed Bragg reflectors (DBRs) made of transparent ZrO2 and SiO2 film stacks. Together with high reflectivity and wide stop band of the DBR, the elongated cavity of 6 μm (36λ) allows multimode lasing oscillation with a mode spacing of 2.9 nm, which is one order of magnitude narrower than the gain spectrum. In addition, we demonstrate a 5x5 GaN VCSEL array.


Continuous Wave Operation of GaN Vertical Cavity Surface Emitting Lasers at Room Temperature

We report on continuous wave lasing characteristics of GaN vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs). The VCSEL operates at room temperature under current injection by using highly reflective distributed Bragg reflectors (DBRs) made up of transparent ${m ZrO}_{2}$ and ${m SiO}_{2}$ film stacks. Together with high reflectivity and the wide stop band of the DBR, the long cavity of 6 $u{m m}$ allows multimode lasing oscillation with narrow mode spacing of 2.9 nm. In addition, a short cavity structure of 2 $u{m m}$ is fabricated and shows quasi-single mode operation. The spacing of the lasing modes shows a clear dependence of the actual cavity lengths with fairly good agreement to theory taking account of the refractive index dispersion.


Dye Lasers Lasing from Water Solution of Rhodamine 6G/Gold Nanoparticles: Impact of SiO2-Coating on Metal Surface. L. Dong


Atomic layer epitaxy of GaInN and AlGaN by high pressure MOVPE

Bulletin of the American Physical Society


Increased pressure digital metalorganic vapor phase epitaxy system with high-speed switching valves for growing high-In-content GaInN


New MOVPE system for next generation AlGaInN growth

The 4th International Conference on LED and Solid-State Lighting (LED 2010)


Growth of GaInN Films by High Pressure MOVPE System at 200kPa

8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)


Growth of Low-Dislocation-Density AlGaN using Mg-Doped AlN Underlying Layer


High Pressure MOVPE System with High-Speed Switching Valves for the Realization of High-Quality AlGaN at Low Temperatures

International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)


High Output Power AlGaN/GaN Ultraviolet Light Emitting Diodes by Activation of Mg-Doped P-Type AlGaN in Oxygen Ambient


The 36 th International Symposium on Compound Semiconductors

Atomic layer epitaxy of AlGaN with an average growth rate of as high as 4.5 mm/h has been achieved by the highspeed switchingvalves (HSSVs) technique in a raisedpressure metalorganic vapor phase epitaxy system. Regarding the duration of group III metalorganics and NH3 gases input, 0.1 second for each injection time is found to be sufficient to realize AlGaN growth of one monolayer per cycle over a 2inch wafer with hydrogen and nitrogen carrier gases at a raised pressure. Lowtemperature growth of highquality AlGaN has been achieved using HSSVs.


Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high performance ultraviolet laser diodes

Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC)

SPIE The International Society for Optical Engineering


Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high-performance ultraviolet laser diodes


Challenge for short wavelength semiconductor UV laser diodes


Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106)

A microstructure in AlGaN with a whole compositional range on an AlN/sapphire template is systematically investigated. At the interface between AlGaN and AlN, misfit dislocation density increases with Ga composition in AlGaN. However, most misfit dislocations bend owing to the compressive stress and form loops, by which threading dislocation density is markedly reduced if the thickness exceeds several microns. The effective acceptor energy of Mg in Al0.5Ga0.5N is found to depend on Mg concentration with a negative one-third power. A SiO2/AlN dielectric multilayer mirror is very effective for controlling the reflectivity of the Fabry-Perot resonator mirrors at the cleaved edge of the ultraviolet (UV) laser diodes (LDs). A UV LD with an emission wavelength of 358 nm shows a threshold current density as low as 3.9 KA/cm2 at room temperature.


International Warkshop on Nitride semiconductor 2008 (IWN2008)


Relaxation process of AlxGa1-xN grown on high-crystalline-quality AlN

Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)


Short wavelength semiconductor laser diodes

Japan- Brazil Memorial Symposium on Science and Technology for the Celebration of 100 Years of Japanese Immigration in Brazil


The 20th Annual Meeting of the IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS 2007)


LEOS Annual 2007; 20th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society


Effect of cplane sapphire misorientation on the growth of AlN by hightemperature MOVPE

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors

AlN layers were directly grown on sapphire substrates with slightly different miscut angles from the cplane by metalorganic vapor phase epitaxy at 1300 °C. By Xray diffraction analysis, the structural quality was found to improve with the increase in substrate offangle. When the substrate offangle was 0.5°, the Xray rocking curve (XRC) full widths at half maximum (FWHMs) of symmetric and asymmetric planes were 170 and 550 arcsec, respectively. At smaller offangle, XRCFWHMs were wider. When the substrate offangle was zero, the XRCFWHM was considerably inferior to that on 0.5ooffangle sapphire. The surface morphology was investigated. Atomic steps were observed on the substrates with a small misorientation. In contrast, macro steps appeared on largeroffangle sapphire substrates. (© 2008 WILEYVCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)


UV Emitters Grown on High Crystalline Quality AlGaN on Sapphire

The 7th International Conference of Nitride Semiconductors

We fabricated UV-LED on 3 types of the underlying layers. All samples were grown on AlN on sapphire substrates by MOVPE. Type 1 is UV-LED on AlN template. Type 2 is ELO Al0.25Ga0.75N on grooved AlN. Type 3 is ELO Al0.25Ga0.75N on grooved Al0.25Ga0.75N on AlN template. We compared how these device performances influenced by the difference of the underlying layer. Light output intensity of UV-LED fabricated on ELO Al0.25Ga0.75N on grooved Al0.25Ga0.75N luminous intensity of this UV- LED is the stronger than that of other samples from the L-I curves. The improvement of this luminous intensity originates in a decrease in the defect in AlGaN and control of strain.


the 7th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)

Nonpolar AlN is attracted much attention to realize high-performance UV light emitting devices due to elimination of the internal electric field induced by piezoelectricity in the quantum well. However, experimental evaluation of the advantage of nonpolar plane had been still hindered because of the presence of high-density dislocations and stacking faults in nonpolar AlN layer. We have succeeded to achieve high-quality polar and nonpolar epitaxial lateral overgrown (ELO) AlN layers by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy (HT-MOVPE). In this letter, we report stimulated emission from nonpolar and polar AlN by optical excitation. Then, stimulated emission from nonpolar AlN was confirmed and a threshold excitation power density of nonpolar AlN is almost the same as that of polar AlN both at 8K and 100K.


Epitaxial lateral overgrowth of low dislocation density AlN by high temperature MOVPE and fabrication of UV optoelectronics devices

The 15th International Conference on Crystal Growth


Comparison of the simulation and experiments of the nitride-based UV light emitting diodes

SPIE The International Society for Optical Engineering

In attempt to prepare a high performance AlxGa1-xN based UV-B LED, a computer simulation has been performed on a typical UV-LED structure to find out the effect of threading dislocations on non-radiative recombination process. UVB LED structures were formed on using GaN and AlN based layers for comparison. Cracks were generated in the device structure formed on GaN underlayer. No cracks were observed on the device structure formed on AlN under layer. Much better structure was formed when the base AlN was grown by high temperature MOVPE.


Comparison of the simulation and experiments of the nitride-based UV-light-emitting diodes


Growth of low-dislocation-density AlGaN for the realization of high-performance ultraviolet laser diodes

The 3rd International Conference on Display and Solid-State Lighting


LEOS 2007 - IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting Conference Proceedings

The ultraviolet (UV) laser diode (LD) is attracting much attention for various novel applications such as in medical engineering, sterilization and high density optical storage. Group III nitrides are one of the most promising candidates to realize UV LD. The external quantum efficiency of group-Ill nitride-based light-emitting diodes (LEDs) with emission wavelength shorter than 360 nm is still far inferior to that of nitride-based visible-short-wavelength LEDs. Simulation results show that there is no theoretical barrier which hiders the realization of short wavelength UV LDs (Chow, 2005). At the moment, however, the shortest emission wavelength of nitride-based LD is limited to 343nm on SiC (Edmond, 2004) and 350.9 nm on a sapphire substrate (Iida, 2004). In order to overcome the barrier for emission wavelength and to realize much shorter wavelength UV LDs, in addition to the control of conductivity for both n-type and p-type layers, the growth of low-dislocation-density high-Al-content AlGaN with low internal loss is essential.


High temperature MOVPE growth of AlN and AlxGa1-xN

4th International Workshop of Nitride Semiconductors

International Conference on Nitride Semiconductors


High Temperature MOVPE Growth of AlxGa1-xN (0.2-1) Layers on Sapphire and SiC Substrates for the Fabrication Deep UV Optical Devices'' MRS OnlineProceedingsLibrary(OPL)

Materials Research Society Symposia Proceedings

Symposium I Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices


Normally Off-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor Using P-Type Gate Contact


Normally Off-Mode AlGaN/GaN HFET with p-Type Gate Contact

International Union of Materials Research Societies


Realization of high-crystallinity a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate for high-performance light-emitting device


Symposium FF GaN, AlN, InN and Related Materials

A normally off-mode AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor (HFET) using a p-type GaN gate was fabricated and their static properties were compared with those of HFET having a Schottky gate. HFET having a p-GaN gate contact shows a very low leakage current density of 18.2 μA/mm at VGS and VDS of 0 V and 20 V, respectively.


高屈折率基板上AlNサブ波長回折格子を用いた深紫外域 における共鳴反射の狭帯域化

第71回応用物理学会春季学術講演会

第71回応用物理学会春季学術講演会


Refractive index detection using highly lossy Ni/SiO2/Cr-subwavelength grating structure

Ni/SiO2/Crサブ波長格子構造の光損失性を積極的に利用した屈折率検出

第71回応用物理学会春季学術講演会

第71回応用物理学会春季学術講演会


p型窒化ガリウム上金属電極へのピコ秒レーザー照射の影響

p型窒化ガリウム上金属電極へのピコ秒レーザー照射の影響

令和6年電気学会全国大会

令和6年電気学会全国大会

The Institute of Electrical Engineers of Japan


Polarization tunable structural color from Ni-subwavelength grating/SiO2/Ni

Ni サブ波長格子/SiO2/Ni 構造を用いた可視域における構造色の動的制御

第84回応用物理学会秋季学術講演会

第84回応用物理学会秋季学術講演会


Visible to near-infrared broadband absorber with multilayer including ultra-thin Fe film by complex Fresnel reflection

Fe極薄膜を含む多層薄膜による複素フレネル反射を利用した可視-近赤外ブロードバンド吸収体

第84回応用物理学会秋季学術講演会

第84回応用物理学会秋季学術講演会


Improvement of resonant sharpness in deep ultraviolet region using high aspect ratio AlN subwavelength grating

高アスペクト比 AlN サブ波長周期構造を用いた 深紫外域における共鳴反射の狭帯域化

2023年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会

2023年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会


Narrowing the absorption spectrum of multilayer structure by large complex Fresnel multiple reflection

多層薄膜中の大きな複素フレネル多重反射を用いた光吸収スペクトルの狭帯域化

2023年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会

2023年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会


窒化処理した高温成長AlNにおける極性反転

窒化処理した高温成長AlNにおける極性反転

2023年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会

2023年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会


高オフ角サファイア基板上AlNのステップバンチング低減技術

高オフ角サファイア基板上AlNのステップバンチング低減技術

2023年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会

2023年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会


第70回応用物理学会春季学術講演会

第70回応用物理学会春季学術講演会


Investigation for high sensitivity refractive index sensing by multilayer containing highly lossy material

大きな光損失性材料を含む多層膜構造を用いた高感度屈折率検出の提案

第70回応用物理学会春季学術講演会

第70回応用物理学会春季学術講演会


Refractive index sensor by using the combination of high contrast gratings operating at two wavelengths

高屈折率差サブ波長周期構造を2つ組み合わせた2波長屈折率センサーの検討

レーザー学会学術講演会第43回年次大会

レーザー学会学術講演会第43回年次大会


気相反応抑制下におけるAlN高温成長の最適化のためのV/III比依存性

気相反応抑制下におけるAlN高温成長の最適化のためのV/III比依存性

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会


有機金属気相成長法による高温AlN成長

有機金属気相成長法による高温AlN成長

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会


Highly Reflective Reflector with Airgap High-Contrast Subwavelength Grating for Deep Ultraviolet Wavelength

エアギャップ型高屈折率差サブ波長格子を用いた深紫外高反射リフレクターの提案

日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2022


Highly sensitive refractive index sensor with double-layer subwavelength gratings operating ultraviolet region

2層サブ波長格子による紫外域用高感度屈折率検出素子の検討


低オフ角サファイヤ基板を用いた高温AIN成長におけるV/Ⅲ比依存性

低オフ角サファイヤ基板を用いた高温AIN成長におけるV/Ⅲ比依存性

第69回応用物理学会春季学術講演会

第69回応用物理学会春季学術講演会


高温有機金属気相成長法におけるAlNの特異的なステップバンチング

高温有機金属気相成長法におけるAlNの特異的なステップバンチング

第69回応用物理学会春季学術講演会

第69回応用物理学会春季学術講演会


高屈折率を有するTiO2極薄膜を用いた深紫外光吸収体

高屈折率を有するTiO2極薄膜を用いた深紫外光吸収体

第69回応用物理学会春季学術講演会

第69回応用物理学会春季学術講演会


気相反応を制御したMOVPEにおけるAlNのV/III比依存性

気相反応を制御したMOVPEにおけるAlNのV/III比依存性

第50回日本結晶成長学会

第50回日本結晶成長学会


気相反応を抑制したMOVPEにおけるAlNのV/Ⅲ比依存性

気相反応を抑制したMOVPEにおけるAlNのV/Ⅲ比依存性


AlNサブ波長回折格子を用いた深紫外ミラーの広帯域化

AlNサブ波長回折格子を用いた深紫外ミラーの広帯域化

第82回応用物理学会秋季学術講演会

第82回応用物理学会秋季学術講演会


インバージョンドメインの抑制による高品質AlN成長手法の確立

インバージョンドメインの抑制による高品質AlN成長手法の確立

第82回応用物理学会秋季学術講演会

第82回応用物理学会秋季学術講演会


極性制御による高品質AlN成長手法の確立

極性制御による高品質AlN成長手法の確立

応用物理学会中四国支部若手研究会

応用物理学会中四国支部若手研究会


気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/III比依存性

気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/III比依存性

応用物理学会中四国支部若手研究会

応用物理学会中四国支部若手研究会


深紫外LEDを用いた新型コロナウイルスの不活化

深紫外LEDを用いた新型コロナウイルスの不活化

電気学会 光・量子デバイス研究会「パワー光源システム技術研究会」

電気学会 光・量子デバイス研究会「パワー光源システム技術研究会」


AlNの高流速成長における成長メカニズム

AlNの高流速成長における成長メカニズム

第68回応用物理学会春季学術講演会

第68回応用物理学会春季学術講演会


AlNテンプレート上高温AlN結晶成長

AlNテンプレート上高温AlN結晶成長

第68回応用物理学会春季学術講演会

第68回応用物理学会春季学術講演会


高温有機金属気相成長装法におけるAlN成長の気相反応抑制

高温有機金属気相成長装法におけるAlN成長の気相反応抑制

第68回応用物理学会春季学術講演会

第68回応用物理学会春季学術講演会


TiO2メタ周期構造を表面に有するAlGaN系深紫外発光ダイオードのコリメート特性

第68回応用物理学会春季学術講演会

第68回応用物理学会春季学術講演会


構造高さを変調したTiO2メタ表面による集光紫外発光ダイオードの提案

構造高さを変調したTiO2メタ表面による集光紫外発光ダイオードの提案

日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2020


紫外光LEDの大気中における光減衰に関する研究

紫外光LEDの大気中における光減衰に関する研究

第67回応用物理学会春季学術講演会予稿集

第67回応用物理学会春季学術講演会予稿集


AlGaN深紫外LEDの課題と最近の進展

AlGaN深紫外LEDの課題と最近の進展

ポストLEDフォトニクス研究所公開シンポジウム2019

ポストLEDフォトニクス研究所公開シンポジウム2019


講演奨励賞受賞記念講演 深紫外発光素子応用に向けたスパッタ成膜AlNテンプレートの転位密度低減

第66回応用物理学会春季学術講演会

第66回応用物理学会春季学術講演会


高温アニールしたAlNのクラック抑制と高品質化

高温アニールしたAlNのクラック抑制と高品質化

第79回応用物理学会秋季学術講演会

第79回応用物理学会秋季学術講演会


歪緩和による深紫外LEDの発光効率改善

歪緩和による深紫外LEDの発光効率改善

第79回応用物理学会秋季学術講演会

第79回応用物理学会秋季学術講演会


スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基板上への AlGaN深紫外LED作製

スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基板上への AlGaN深紫外LED作製

第79回応用物理学会秋季学術講演会

第79回応用物理学会秋季学術講演会


多光子 PL 顕微鏡による窒化ガリウム中転位の三次元観察

多光子 PL 顕微鏡による窒化ガリウム中転位の三次元観察

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会2018年講演会第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会


m 面 GaN 基板上 SBD における障壁高さの金属仕事関数依存性

m 面 GaN 基板上 SBD における障壁高さの金属仕事関数依存性


6H-SiC基板上におけるAlN周期構造の作製と評価

6H-SiC基板上におけるAlN周期構造の作製と評価


∼格子欠陥はどこまで制御できるのか:先端評価と機能探索∼ --- シンポジウム(口頭講演)窒化物半導体特異構造の科学

第65回応用物理学会春季学術講演会

第65回応用物理学会春季学術講演会


HVPE法によるAlGaNの薄膜成長

HVPE法によるAlGaNの薄膜成長

第65回応用物理学会春季学術講演会

第65回応用物理学会春季学術講演会


高分解能質量分析によるⅢ族窒化物半導体気相成長のためのアンモニア分解及び反応の解析

第65回応用物理学会春季学術講演会

第65回応用物理学会春季学術講演会


h-BN MOVPE中における気相反応プロセスの理論的検討

h-BN MOVPE中における気相反応プロセスの理論的検討

第65回応用物理学会春季学術講演会

第65回応用物理学会春季学術講演会


GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電 気特性に与える影響

第65回応用物理学会春季学術講演会

第65回応用物理学会春季学術講演会


3DAP および LACBED 法による GaN 自立基板上 pn ダ イオードのリークの起源調査

第65回応用物理学会春季学術講演会

第65回応用物理学会春季学術講演会


GaN 自立基板上 pn ダイオード逆方向リーク電流の成長 条件依存性

GaN 自立基板上 pn ダイオード逆方向リーク電流の成長 条件依存性

第65回応用物理学会春季学術講演会

第65回応用物理学会春季学術講演会


m面GaN基板上SBDにおける障壁高さの金属仕事関数依存性

m面GaN基板上SBDにおける障壁高さの金属仕事関数依存性

第65回応用物理学会春季学術講演会

第65回応用物理学会春季学術講演会


-C面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究

-C面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究

電子情報通信学会 名古屋工業大学

電子情報通信学会 名古屋工業大学

Institute of Electronics, Information and Communication Engineers


In-situ gas monitoring in metalorganic vapor phase epitaxy reactor during GaN growth bymulti-turn Time-of-flight mass spectrometry

第 15 回 赤﨑記念研究センターシンポジウム「窒化物半導体研究の新展開:新規デバイスの創出をめざして」

赤﨑記念研究センターシンポジウム

赤﨑記念研究センターシンポジウム


オフ角の異なるm 面GaN 基板上Si ドープ厚膜SBD

オフ角の異なるm 面GaN 基板上Si ドープ厚膜SBD

第78回応用物理学会秋季学術講演会

第78回応用物理学会秋季学術講演会


転位密度の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

転位密度の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

第78回応用物理学会秋季学術講演会

第78回応用物理学会秋季学術講演会


エピタキシャル成長のマルチフィジックスシミュレーションの現状 --- シンポジウム インフォマティクスがもたらす結晶成長プロセスの革新

第64回応用物理学会春季学術講演会

第64回応用物理学会春季学術講演会


m面GaN SBDの漏れ電流のファセット依存性

m面GaN SBDの漏れ電流のファセット依存性

第64回応用物理学会春季学術講演会

第64回応用物理学会春季学術講演会


O2プラズマ処理 および O3酸化 処理 を行った Al 2O3/GaN /GaN 構造の界面準位密度評価

第64回応用物理学会春季学術講演会

第64回応用物理学会春季学術講演会


GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係

GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係

第64回応用物理学会春季学術講演会

第64回応用物理学会春季学術講演会


MOHVPE法における中間反応

MOHVPE法における中間反応

第64回応用物理学会春季学術講演会

第64回応用物理学会春季学術講演会


2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製

2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製

第64回応用物理学会春季学術講演会

第64回応用物理学会春季学術講演会


GaN 自立基板上PIN ダイオードにおける順方向発光パターン解析

GaN 自立基板上PIN ダイオードにおける順方向発光パターン解析

第77回応用物理学会秋季学術講演会

第77回応用物理学会秋季学術講演会


レーザ散乱光強度その場観察によるInGaN 成長モードの解析

レーザ散乱光強度その場観察によるInGaN 成長モードの解析

第77回応用物理学会秋季学術講演会

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窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの 作製 と電気特性評価

窒化ホウ素を用いたGaN -MIS キャパシタの 作製 と電気特性評価

第77回応用物理学会秋季学術講演会

第77回応用物理学会秋季学術講演会


レーザ散乱を用いたInGaN結晶成長表面粗さ回復の観察

レーザ散乱を用いたInGaN結晶成長表面粗さ回復の観察

第63回応用物理学会春季学術講演会

第63回応用物理学会春季学術講演会


長共振器型窒化物系面発光レーザの設計と発振特性 --- シンポジウム(口頭講演)窒化物半導体を用いた新機能半導体レーザーの創出とその応用-レーザー発振から20年目を迎えて

第76回応用物理学会秋季学術講演会

第76回応用物理学会秋季学術講演会


GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析

GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析

電子情報通信学会徳島大学

電子情報通信学会徳島大学


酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化

酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化

電子情報通信学会徳島大学

電子情報通信学会徳島大学


酸素雰囲気中でのp 型AlGaN の活性化による高出力AlGaN/GaN 紫外LED

第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


Mg-doped AlN下地層を用いた低転位AlGaNの微細構造観察

Mg-doped AlN下地層を用いた低転位AlGaNの微細構造観察

第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


AlGaNの原子層エピタキシャル成長

AlGaNの原子層エピタキシャル成長

第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


加圧MOVPEによる高速バルブスイッチング技術を用いたAlGaNの高品質化

加圧MOVPEによる高速バルブスイッチング技術を用いたAlGaNの高品質化

第70回応用物理学会学術講演会

第70回応用物理学会学術講演会


AlGaN中のMgの活性化エネルギー(II)

AlGaN中のMgの活性化エネルギー(II)

第56回応用物理学関係連合講演会

第56回応用物理学関係連合講演会


活性化アニールによるp型Al0.17Ga0.83Nの正孔濃度と接触比抵抗の評価

活性化アニールによるp型Al0.17Ga0.83Nの正孔濃度と接触比抵抗の評価

第56回応用物理学関係連合講演会

第56回応用物理学関係連合講演会


AlN のバンド構造と偏光特性

AlN のバンド構造と偏光特性

第69回応用物理学会学術講演会

第69回応用物理学会学術講演会


Mg-doped p-AlGaN混晶の発光スペクトルの温度依存性

Mg-doped p-AlGaN混晶の発光スペクトルの温度依存性

第69回応用物理学会学術講演会

第69回応用物理学会学術講演会


周期溝下地結晶を用いたAl0.5Ga0.5Nの低転位化

周期溝下地結晶を用いたAl0.5Ga0.5Nの低転位化

第69回応用物理学会学術講演会

第69回応用物理学会学術講演会


溝加工したAlN上AlGaNの転位解析

溝加工したAlN上AlGaNの転位解析

電子情報通信学会 名古屋工業大学

電子情報通信学会 名古屋工業大学


AlGaN中のMgの活性化エネルギー

AlGaN中のMgの活性化エネルギー

第55回応用物理学関係連合講演会

第55回応用物理学関係連合講演会


シミュレータを用いた窒化物半導体光デバイスの動作シミュレーションおよび実際との比較

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会2008

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会2008

独立行政法人日本学術振興会

独立行政法人日本学術振興会


日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会2008

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会2008

独立行政法人日本学術振興会

独立行政法人日本学術振興会


低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(III)

低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(III)

第54回応用物理学関係連合講演会

第54回応用物理学関係連合講演会


低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(III)

低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(III)

電子情報通信学会京都大学

電子情報通信学会京都大学


顕微ラマン分光法によるNitride-LEDの動作時におけるGaN層の温度分布解析

第66回応用物理学会学術講演会

第66回応用物理学会学術講演会


サファイアR面基板上ナイトライドLEDの特性

サファイアR面基板上ナイトライドLEDの特性

第66回応用物理学会学術講演会

第66回応用物理学会学術講演会


X線回折を用いたステップバンチングの発生オフ角評価

X線回折を用いたステップバンチングの発生オフ角評価

応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会

応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会


MOVPE 超高温 成長中断 アニーリングによる A lN 転位低減手法

MOVPE 超高温 成長中断 アニーリングによる A lN 転位低減手法

応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会

応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会


高屈折率ナノ構造による深紫外∼可視域での発光およびセンシングデバイス

高屈折率ナノ構造による深紫外∼可視域での発光およびセンシングデバイス

第173回ラドテック研究会講演会

第173回ラドテック研究会講演会


気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/Ⅲ比依存性

気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/Ⅲ比依存性

2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会

2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会


極性制御による高品質AlN成長手法の確立

極性制御による高品質AlN成長手法の確立

2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会

2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会


AlN高温成長での面内膜厚分布の改善

AlN高温成長での面内膜厚分布の改善

LED総合フォーラム2021in徳島

LED総合フォーラム2021in徳島


サブ波長周期電極を有する紫外発光ダイオード偏光特性に対する電極材料の影響

サブ波長周期電極を有する紫外発光ダイオード偏光特性に対する電極材料の影響

LED総合フォーラム2021in徳島

LED総合フォーラム2021in徳島


深紫外LEDの大気中における光減衰に関する研究

深紫外LEDの大気中における光減衰に関する研究

LED総合フォーラム2020in徳島

LED総合フォーラム2020in徳島


深紫外LEDの発光層温度予測と寿命の関係

深紫外LEDの発光層温度予測と寿命の関係

徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019

徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019


次世代癌治療用深紫外スポットLEDの開発

次世代癌治療用深紫外スポットLEDの開発

徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019

徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019


徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019

徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019


-c 面 GaN 基板上の GaN の MOVPE 成長における酸素低減の研究 (電子デバイス)

電子情報通信学会技術研究報告

GaN epitaxial layer grown on -c plane substrate by MOVPE has a smaller amount of carbon incorporation that compensates electrons than GaN on the + c plane substrate, making it possible to control lower impurity concentration in the drift layer of power device. Therefore, there is a possibility of realizing a high voltage device. However, there is a problem that the amount of oxygen incorporation is as high as 1018 cm-3 or more, therefore the depletion layer does not extend and the operating voltage becomes low. Therefore, in this research, we tried to grow at higher temperature to reduce oxygen concentration. As a result, reduction of luminescence caused by oxygen can be confirmed from PL measurement.

MOVPE成長による-c面GaN基板上のGaNは，+c面GaN基板上のGaNに比べ，電子を補償する炭素の取り込み量が少なく，ドリフト層に関して，より低濃度な不純物濃度制御が可能となる．そのため，高耐圧デバイス実現の可能性がある．しかし，酸素の取り込み量が1018 cm-3以上と高く，空乏層が伸びず耐圧が低下する問題がある．そこで，本研究では，酸素濃度の低減のため，高温でのMOVPE成長に取り組んだ．その結果，PLから酸素起因の発光の低減が確認できた．


3族窒化物半導体紫外発光素子の高効率化のための要素技術に関する研究

3族窒化物半導体紫外発光素子の高効率化のための要素技術に関する研究

CiNii 国立情報学研究所 学術情報ナビゲータ

CiNii 国立情報学研究所 学術情報ナビゲータ


酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化

酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化

電子情報通信学会技術研究報告

Activation annealing of Mg-doped p-type Al0.17Ga0.83N in different gases was conducted. The hole concentration in Al0.17Ga0.83N annealed in oxygen flow is higher than those annealed in nitrogen or air. A hole concentration of 1.3×1016 cm-3 at room temperature was achieved by annealing in oxygen flow at 900 oC. We also confirmed the effect of activation annealing in oxygen flow on the performance of UV LED. At a DC current of 100 mA, the output power of the LED annealed in oxygen flow at 900 oC is 4 times higher than that of the LED annealed in nitrogen flow at 800 oC.

Mgドープしたp型Al0.17Ga0.83Nについて，異なる雰囲気ガス中で活性化アニールを行った．酸素雰囲気中で活性化した試料の正孔濃度は，窒素中や空気中で活性化した試料の正孔濃度よりも高いことがわかった．同様に，紫外LEDについても，酸素雰囲気中の活性化アニールの効果を確認した．100 mAのDC電流で，酸素雰囲気中900 ℃において活性化したLEDは，窒素雰囲気中800 ℃において活性化したLEDと比べ，約4倍光出力が高い．


GaInN の加圧 MOVPE における熱力学解析

GaInN の加圧 MOVPE における熱力学解析

電子情報通信学会技術研究報告

High In content GaInN films are promising for many applications such as multi-junction tandem photovoltaic cells, high power heterostructured field-effect transistors, high-brightness green light-emitting diodes, etc. Up to now, growth temperature for high In composition GaInN films should be lower than that of GaN. It is desirable to grow GaInN at higher temperature to achieve high quality and low residual impurities. It is possible to grow GaInN at higher temperature under higher pressure. This paper reports GaInN growth at raised pressure by MOVPE and these thermodynamic aspects.

高In 組成GaInN は高効率多接合型太陽電池，高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LD への応用が期待されている．従来のMOVPE法では高In 組成GaInN は低温成長が必須であったが，結晶性の悪さや残留不純物濃度が増加しやすいことから，高温での成長が望まれている．GaInNにおいて加圧成長することで，より高温で成長可能になる．本報告では，加圧MOVPE法を用いたGaInNの結晶成長およびその熱力学解析について報告する．


溝加工した AlN 上 AlGaN の転位解析

溝加工した AlN 上 AlGaN の転位解析

電子情報通信学会技術研究報告


様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価

様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価

電子情報通信学会技術研究報告