type: misc

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en: Laser Ablation: From the Viewpoint of Solid State Physics --- 講座:レーザー生成プラズマの新しい温度，密度領域における物性とシミュレーション

ja: 固体物性からみたレーザーアブレーション --- 講座:レーザー生成プラズマの新しい温度，密度領域における物性とシミュレーション

en: 三次元微細加工や非熱加工など,他の加工法にはない独特の加工技術としてフェムト秒レーザーアブレーションが注目を集めているが,その基礎的な物理過程はほとんどわかっていないのが現状である.また,フェムト秒レーザー照射は非常に短い時間(∼100fs)で非常に高いエネルギー(∼10^9J/cm^3)を微小な領域(∼1μm^3)に注入できる唯一の手法であることから,局所的に高温度・高密度状態を生成する手段として利用できる可能性もある.そこで,本章では,フェムト秒レーザー照射によって自発的に固体表面に形成されるレーザー誘起ナノ周期構造や,フェムト秒レーザー照射による物性改質,また,フェムト秒レーザー照射によって誘起される衝撃波と,それに伴う残留応力について,最近の研究成果を紹介するとともに,これらの結果からレーザー生成プラズマの新領域開拓についての展望を述べる.

en: Journal of Plasma and Fusion Research

ja: プラズマ・核融合学会誌


en: Imaging of Ablation Dynamics by Soft X-ray Laser

ja: 軟X線レーザープローブによるアブレーションダイナミクスのイメージング

en: The Review of Laser Engineering

ja: レーザー研究


en: 超短パルスレーザーを使ったSiCのマイクロ/ナノ加工と用途 --- 特集 「シリコンカーバイドがやってきた」

en: 工業材料

ja: 工業材料


en: Control of Local Electric Conductivity in Silicon Carbide by Femtosecond Laser Irradiation

ja: フェムト秒レーザー照射によるシリコンカーバイドの局所電気伝導度制御

en: 村田学術振興財団年報

ja: 村田学術振興財団年報

misc_type: others


en: Three-Dimensional Femtosecond Laser Processing and Photo-Induced Modification in Wide-Bandgap-Semiconductors

ja: ワイドギャップ半導体における三次元フェムト秒レーザー加工と光改質

en: 池谷科学技術振興財団年報

ja: 池谷科学技術振興財団年報


en: フェムト秒レーザーを用いた新加工領域における半導体の改質

ja: フェムト秒レーザーを用いた新加工領域における半導体の改質

en: 2006年度新世代研究所研究助成成果報告書

ja: 2006年度新世代研究所研究助成成果報告書


en: Development of spin functionalities in diluted magnetic semiconductor quantum dots

ja: 希薄磁性半導体量子ドットにおけるスピン機能性の開拓

en: ANNUAL REPORT OF THE MURATA SCIENCE FOUNDATION


en: Structure Dependent Ultrafast Relaxation Time of Photo-Excited Carriers in SiC

en: Technical Report of ISSP

ja: Technical Report of ISSP


en: Inter-Conduction Band Electron Relaxation Dynaimcs in 6H-SiC


en: Selective Resonance Effect of the Folded Longitudinal Phonon Modes in the Raman Spectra of SiC