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林 由佳子, 西村 勇介, 助田 祐志, 近藤 久美子, 森賀 俊広, 村井 啓一郎, 中林 一朗, 富永 喜久雄 : ZnO-In2O3系アモルファス透明導電膜の評価, 第65回日本応用物理学会学術講演会, 2004年9月.
岡田 政也, 高木 亮平, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET 電流電圧特性における光応答, 第65回応用物理学会学術講演会, 2004年9月.
川上 烈生 : SOLプラズマ中の炭素不純物輸送への高次炭化水素CxDyの寄与, 平成16年度電気関係学会 四国支部連合大会 講演論文集, 39, 2004年9月.
上田 良夫, 崎園 大, 沢村 功, 島田 朋尚, 川上 烈生, 西川 雅弘 : タングステン第一壁上の炭素混合層の形成メカニズム, プラズマ核融合学会 第20回年会 講演論文集, 2004年11月.
川上 烈生 : プラズマ対向壁としての低放射化フェライト鋼F82Hの損耗特性, 平成17年電気学会全国大会講演論文集, 222, 2005年3月.
山上 喜廣, 川上 烈生, 富永 喜久雄, 岩崎 聡一郎, 松田 潤也 : 電気回路の過渡現象に関する創成型学生実験への取り組みとその教育効果, 平成17年電気学会全国大会講演論文集, 1, 2005年3月.
富永 喜久雄, 林 由佳子, 森賀 俊広, 中林 一朗 : ZnO-SnO2, ZnO-In2O3透明導電膜の作製と評価, 平成17年電気学会全国大会講演論文集, Vol.3, 3-S19(1)-3-S19(2), 2005年3月.
西村 勇介, 助田 祐志, 林 由佳子, 村井 啓一郎, 森賀 俊広, 中林 一朗, 富永 喜久雄 : ZnO-SnO2系アモルファス透明導電膜へのAl，Gaドーピングの影響, 第52回応用物理学関連連合講演会, 2005年3月.
高木 亮平, 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : 熱酸化によるAlGaN/GaN MIS-HFETゲート電流の低減, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年3月.
岡田 政也, 高木 亮平, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい値電圧の温度及び光照射依存性, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年3月.
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Takashi Okimoto, Masashi Tsukihara, Kazuhide Sumiyoshi, Ken Kataoka, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Effect of GaNP Buffer Layer on AlGaN Epilayers Deposited on (0001) Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.45, No.8, L236-L238, 2006.
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Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao, Junya Matsuda and Yasuo Ohno : A Mechanism of Enhancement-mode Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET, 2005 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hyogo, Aug. 2005.
Yoshiki Naoi, Akihiro Nakamura, Kodai Ono, Hisao Sato, H Yamamoto, M Mikura, Suguru Nouda and Shiro Sakai : Impurity induced disordering of p-type AlGaN-GaN Superlat-tice Structures, 6th International Conference on Nitride Semiconductors, Th-P-023, Bremen, Aug. 2005.
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Jin-Ping Ao, Ryota Kan, Toshio Hirao, Hideki Okada, Masaya Okada, Daigo Kikuta, Shinobu Onoda, Hisayoshi Itoh and Yasuo Ohno : Gamma Radiation Effects on the Ohmic Contact of AlGaN/GaN HEMTs, 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials, 478-479, Kobe, Sep. 2005.
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榊原 友士, 高田 望美, 三河 通男, 村井 啓一郎, 森賀 俊広, 中林 一朗, 富永 喜久雄 : PLD法によるサファイア基板上へのZnO-In2O3系透明導電膜の作製と評価, 第52回応用物理学関連連合講演会, 2005年4月.
菊田 大悟, 敖 金平, 松田 潤也, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN MIS-HFET のエンハンスメント動作, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年4月.
助田 祐志, 西村 勇介, 高田 大輔, 富永 喜久雄, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : ポリカーボネート基板上に作製したZnO-In2O3系 アモルファス透明導電膜, 日本物理学会中国支部·四国支部 応用物理学会中国四国支部 2005年度支部学術講演会, 2005年7月.
川上 烈生 : 炭素不純物を含む水素イオンで照射されたタングステン材表面の付着炭素不純物の振舞い, 第66回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.2, 630, 2005年9月.
月原 政志, 住吉 和英, 閻 発旺, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 高品質AlGaNへ向けての低温成長AlGaN層の検討, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 274, 2005年9月.
直井 美貴, 中村 晃啓, 小野 耕大, 酒井 士郎, 木村 真大, 納田 卓 : p-AlGaN/GaN 超格子構造における不純物ドーピングによる混晶化, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 279, 2005年9月.
住吉 和英, 月原 政志, 河道 修一, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 低温GaNPバッファー層を用いた加工サファイア基板上のAlGaN MOCVD成長, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 269, 2005年9月.
閻 発旺, 住吉 和英, 月原 政志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : MOCVD法によるサファイア基板上へのSb添加AlNの成長, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 269, 2005年9月.
菅 良太, 平尾 敏雄, 小野田 忍, 伊藤 久義, 岡田 英輝, 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電気特性へγ線照射の影響, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月.
松田 潤也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : 周波数可変カーブトレーサを用いたAlGaN/GaN MIS-HFETヒステリシスの解析, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月.
榊原 友士, 石田 勝也, 三河 通男, 村井 啓一郎, 森賀 俊広, 富永 喜久雄 : PLD法によりc-サファイア基板上に作製したZnO-In2O3系透明導電膜の評価, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月.
三河 通男, 榊原 友士, 石田 勝也, 富永 喜久雄, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : PLD法により作製したZnO-In2O3系透明導電膜の構造·特性に及ぼす基板の影響, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月.
高田 大輔, 富永 喜久雄, 西村 勇介, 助田 祐志, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : Al2O3不純物添加 アモルファスZnO-In2O3系透明導電膜の特性, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月.
山本 真美子, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス法によるBP結晶成長, 電気関係学会四国支部連合大会, 151, 2005年9月.
河道 修一, 住吉 和英, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価, 電気関係学会四国支部連合大会, 150, 2005年9月.
沖本 聖, 月原 政志, 住吉 和英, 直井 美貴, 酒井 士郎 : AlGaN-MOCVD成長における GaNPバッファ層の効果, 電気関係学会四国支部連合大会, 149, 2005年9月.
松田 義和, 菅 良太, 山岡 優哉, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET構造を用いたショットキーダイオード, 平成17年度電気関係学会四国支部連合大会, 2005年9月.
川上 烈生 : 非平衡プラズマの自己組織化とドライエッチングとの関連性, 平成17年度電気関係学会 四国支部連合大会 講演論文集, 36, 2005年9月.
住吉 和英, 酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志 : 窒化物半導体と紫外発光デバイス, 第7回IEEE広島支部学生シンポジウム(HISS), 2005年11月.
山本 真美子, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス成長BP結晶上へのGaN成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.22, 346, 2006年3月.
住吉 和英, 月原 政志, 沖本 聖, 河道 修一, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl0.17Ga0.83N MOCVD成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, 378, 2006年3月.
河道 修一, 西野 克志, 住吉 和英, 月原 政志, 酒井 士郎 : 凹凸サファイア基板上に成長させたAlGaN薄膜の反転ドメイン, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, 379, 2006年3月.
池田 賢司, Choi Rak-Jun, 福本 哲也, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, Lee Min Soo, 小池 正好 : AlInN-buffer層上のALEによるa面GaNの高品質化, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.26, 401, 2006年3月.
石田 勝也, 榊原 友士, 三河 通男, 富永 喜久雄, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : PLD法により作製したZnO-In2O3系二層膜の特性評価, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月.
助田 祐志, 西村 勇介, 瀧田 啓介, 高田 大輔, 下村 幸司, 富永 喜久雄, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : ZnO-In2O3系透明導電膜における特性のGa2O3ドーパントの添加量依存性, 第53回応用物理学関連連合講演会, 2006年3月.
松浦 一暁, 菊田 大悟, 敖 金平, 扇谷 浩通, 平本 道広, 河合 弘治, 大野 泰夫 : SiCl4ガスを用いたICP-RIEによるAlGaN/GaN HFETのゲートリセスエッチング, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月.
敖 金平, 長岡 史郎, 岩崎 聡一郎, 岡田 政也, 大巻 雄治, 大野 泰夫 : EB露光CuゲートAlGaN/GaN HFETの高周波特性, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月.
川上 烈生 : SOLプラズマ中の炭素不純物によるタングステン材表面の損耗変化に関する研究, 平成17年度核融合科学研究所LHD数値解析システム利用共同研究報告書, 日本, 2006年3月.