物性デバイス講座 (詳細)

期間: 2004.4〜2023.3

patent.{@.apply.date="20040400 20050399" @.organization=\E{11117}}

2,004

特許

酒井士郎, 直井美貴, チョイラクジュン : 無極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2005-25184 (2005年3月), . [EdbClient | EDB]

(なし)

(なし)

patent.{@.apply.date="20050400 20060399" @.organization=\E{11117}}

1)	2,005	特許	酒井士郎 : 交流電源用発光装置, 特願2005-190406 (2005年6月), . [EdbClient \| EDB]
2)	2,005	特許	酒井士郎, チョイラクジュン : III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法並びにIII族窒化物半導体発光素子, 特願2005-250185 (2005年8月), . [EdbClient \| EDB]
3)	2,005	特許	酒井士郎, 住吉和英, 月原政志, 片岡研 : 半導体装置用基材および製造方法, 特願2005-359876 (2005年12月), . [EdbClient \| EDB]
4)	2,005	特許	酒井士郎, 住吉和英, 月原政志, 片岡研 : 半導体装置用基材およびその製造方法, 特願2005-359877 (2005年12月), . [EdbClient \| EDB]
5)	2,005	特許	酒井士郎, 直井美貴, チョイラクジュン, リースンミン, 小池正好 : 非極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2006-47294 (2006年2月), . [EdbClient \| EDB]
6)	2,005	特許	Shiro Sakai, Yoshiki Naoi and チョイラクジュン : method of growing non-polar a-plane gallium nitride, 2006-077492 (Mar. 2006), . [EdbClient \| EDB]

(なし)

(なし)