フロンティア研究センター (詳細)

期間: 2006.4〜2016.3

2006年度(平成18年度)

article.{@.date="20060400 20070399" @.organization=\E{140116}}

2006年度(平成18年度) / 著書

(なし)

2006年度(平成18年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,006	学術論文 (審査論文)	S. Shimomura, T. Toritsuka, A. Uenishi, Takahiro Kitada and S. Hiyamizu : 1.3μm range effectively cylindrical In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As quantum wires grown on (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.32, No.1-2, 346-349, 2006. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	学術論文 (審査論文)	Y. Higuchi, S. Osaki, Takahiro Kitada, S. Shimomura, Y. Takasuka, M. Ogura and S. Hiyamizu : Room temperature lasing of GaAs quantum wire vertical-cavity surface-emitting lasers grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy, Solid-State Electronics, Vol.50, No.6, 1137-1140, 2006. [EdbClient \| EDB]
3)	2,006	学術論文 (審査論文)	Jun Inoue, Toshiro Isu, Kouichi Akahane and Masahiro Tsuchiya : Saturable absorption of highly stacked InAs quantum dot layer in 1.5 μm band, Applied Physics Letters, Vol.89, No.15, 151117, 2006. [EdbClient \| EDB]
4)	2,006	学術論文 (審査論文)	I. Watanabe, K. Shinohara, Takahiro Kitada, S. Shimomura, Y. Yamashita, A. Endoh, T. Mimura, S. Hiyamizu and T. Matsui : Velocity enhancement in cryogenically cooled InP-based HEMTs on (411)A-oriented substrates, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.53, No.11, 2842-2846, 2006. [EdbClient \| EDB]
5)	2,006	学術論文 (審査論文)	H. Sagisaka, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu, I. Watanabe, T. Matsui and T. Mimura : Suppression of surface segregation of silicon dopants during molecular beam epitaxy of (411)A In_0.75Ga_0.25As/In_0.52Al_0.48As pseudomorphic high electron mobility transistor structures, Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.24, No.6, 2668-2671, 2006. [EdbClient \| EDB]
6)	2,006	学術論文 (審査論文)	Yu Higuchi, Shinji Osaki, Yoshifumi Sasahata, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Mutsuo Ogura and Satoshi Hiyamizu : 830-nm Polarization Controlled Lasing of InGaAs Quantum Wire Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Grown on (775)B GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.7, L138-L141, 2007. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2006年度(平成18年度) / 学術レター

(なし)

2006年度(平成18年度) / 総説・解説

(なし)

2006年度(平成18年度) / 国際会議

1)	2,006	国際会議	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Selective generation of quantum beats of weakly confined excitons, Proceedings of International conference on physics of semiconductors, Vol.3, 78, Viena, Austria, Jul. 2006. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	国際会議	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Enhancement of nonlinear optical response of weakly confined excitons in GaAs thin films by spectrally rectangle-shape-pulse-excitation, International conference on nanoscience and technology, Vol.600, 164, Basel, Switzerland, Jul. 2006. [EdbClient \| EDB]
3)	2,006	国際会議	Y. Sasahara, S. Osaki, T. Fujita, A. Uenishi, T. Toritsuka, K. Ohmori, Y. Higuchi, K. Miyajima, Takahiro Kitada, S. Shimomura, T. Itoh and S. Hiyamizu : Room temperature lasing action of vertical cavity surface emitting laser with self-organized InGaAs quantum wire grown on the (775)B InP substrates by molecular beam epitaxy, 33rd International Symposium on Compound Semiconductors, 31, The University of British Columbia, Vancouver, Canada, Aug. 2006. [EdbClient \| EDB]
4)	2,006	国際会議	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Ultrafast nonlinear optical response of weakly confined excitons in GaAs thin films, 33rd International Symposium on Compound Semiconductors, 113, Vancouver, Aug. 2006. [EdbClient \| EDB]
5)	2,006	国際会議	Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu : Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates, 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 30, Waseda University, Tokyo, Sep. 2006. [EdbClient \| EDB]
6)	2,006	国際会議	I. Watanabe, K. Shinohara, Takahiro Kitada, S. Shimomura, A. Endoh, Y. Yamashita, T. Mimura, S. Hiyamizu and T. Matsui : Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs fabricated on (411)A-oriented substrates by MBE, 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 166, Waseda University, Tokyo, Sep. 2006. [EdbClient \| EDB]
7)	2,006	国際会議	S. Shimomura, T. Toritsuka, K. Ohmori, A. Uenishi, Takahiro Kitada and S. Hiyamizu : Room temperature operation of 1.2um range self-organized quantum wire lasers grown on a (221)A InP substrates by molecular beam epitaxy, 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 327, Waseda University, Tokyo, Sep. 2006. [EdbClient \| EDB]
8)	2,006	国際会議	S. Kusunoki, H. Sagisaka, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu : High Schottky AlAs barriers inserted into pseudomorphic InGaAs/InAlAs HEMT structures with (411)A super-flat interfaces grown by MBE, 24th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, 70, Duke University, Durham, NC, USA, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]
9)	2,006	国際会議	S. Osaki, Y. Higuchi, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu : Optical properties of GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wires grown on (775)B GaAs substrates by MBE, 24th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, 89, Duke University, Durham, NC, USA, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]
10)	2,006	国際会議	T. Fujita, Takahiro Kitada, S. Shimomura and S. Hiyamizu : Gain spectra of self-organized GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wire laser grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy, 24th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, 90, Duke University, Durham, NC, USA, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]
11)	2,006	国際会議	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Nonlinear optical response of weakly confined excitons, Kobe Frontier Technology Forum, 38, Kobe, Nov. 2006. [EdbClient \| EDB]
12)	2,006	国際会議	A. Kanno, Toshiro Isu, O. Kojima, J. Ishi-Hayase, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Optical response of weakly confined excitons in GaAs thin films, 5th International Symposium on Nanotechnology, Vol.P3-18, No.176, Tokyo, Feb. 2007. [EdbClient \| EDB]
13)	2,006	国際会議	Toshiro Isu, J. Inoue, K. Akahane, H. Sotobayashi and M. Tsuchiya : Nonlinear absorption of highly stacked InAs quantum dot layers on an InP(311) substrate, Proceedings of SPIE, Vol.6393, 639309-1-639309-9, Washington, D.C., Mar. 2007. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 国内講演発表

1)	2,006	国内講演発表	T. Fujita, 北田貴弘, S. Shimomura, S. Hiyamizu : Gain Spectra of self-organized GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wire laser groun on (775)B GaAs substrates by moleclar beam epitaxy, 25th Electron Material Symposium, 306-307, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	国内講演発表	S. Osaki, Y. Higuchi, 北田貴弘, S. Shimomura, S. Hiyamizu : Optical properties of GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wires grown on (775)B GaAs substrates by MBE, 25th Electron Material Symposium, 316-317, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,006	国内講演発表	S. Kusunoki, H. Sagisaka, 北田貴弘, S. Shimomura, S. Hiyamizu : Pseudomorphic InGaAs/InAlAs HEMT structures with high Schottky AlAs barriers grown on (411)A InP substrates by MBE, 25th Electron Material Symposium, 82-83, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,006	国内講演発表	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Ultrafast nonlinear optical response of weakly confined excitons, 25th Electron Material Symposium, Jul. 2006. [EdbClient \| EDB]
5)	2,006	国内講演発表	井須俊郎, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : GaAs薄膜中の弱閉じ込め励起子の超高速非線形光学応答, 応用物理学会中国四国支部学術講演会, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,006	国内講演発表	楠真一郎, 北田貴弘, 下村哲 : (411)A InGaAs/InAlAs変調ドープ歪量子井戸構造における異方性評価, 第67回応用物理学会学術講演会, 287, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,006	国内講演発表	下村哲, 笹畑圭史, 大森和幸, 鳥塚哲郎, 上西敦士, 北田貴弘, 小倉睦郎, 冷水佐壽 : 自己形成型量子細線のMBE成長とレーザ·面発光レーザへの応用, 第67回応用物理学会学術講演会, 30, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,006	国内講演発表	尾崎信二, 樋口裕, 北田貴弘, 下村哲, 冷水佐壽 : (775)GaAs基板上にMBE成長した自己形成型GaAs/(GaAs)4(AlAs)2量子細線のフォトルミネッセンス温度依存性, 第67回応用物理学会学術講演会, 1282, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,006	国内講演発表	藤田剛也, 大森和幸, 北田貴弘, 下村哲, 冷水佐壽 : (775)GaAs基板上にMBE成長した自己形成型GaAs/(GaAs)4(AlAs)2量子細線レーザの利得スペクトル, 第67回応用物理学会学術講演会, 1282, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,006	国内講演発表	小島磨, 井須俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : GaAs薄膜中の弱閉じ込め励起子による超高速非線形光学応答, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,006	国内講演発表	小島磨, 井須俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : GaAs薄膜における弱閉じ込め励起子の量子ビート, 日本物理学会2006年秋季大会, 2006年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,006	国内講演発表	菅野敦史, 井須俊郎, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : GaAs薄膜閉じ込め励起子の時間分解分光, 第17回光物性研究会, 2006年12月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,006	国内講演発表	小島磨, 井須俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : 弱閉じ込め励起子による非線形光学応答, 第17回光物性研究会, 2006年12月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,006	国内講演発表	石川陽, 井須俊郎, 石原一 : 共振器QED系での励起子分子効果による2光子非線形性の理論, 第17回光物性研究会, 2006年12月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,006	国内講演発表	井須俊郎, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 菅野敦史, Katouf Redouane, 土屋昌弘 : 超高速光スイッチに向けたGaAs系弱閉じ込め励起子の光学応答, CREST「光電場のナノ空間構造による新機能デバイスの創製」チームシンポジウム, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,006	国内講演発表	小島磨, 井須俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 菅野敦史, Katouf Redouane, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : 励起レーザスペクトル制御による弱閉じ込め励起子の非線形光学応答, CREST「光電場のナノ空間構造による新機能デバイスの創製」チームシンポジウム, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,006	国内講演発表	菅野敦史, Katouf Redouane, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 佐々木雅英, 土屋昌弘, 井須俊郎 : GaAs 弱閉じ込め励起子の時間分解フォトルミネッセンス, CREST「光電場のナノ空間構造による新機能デバイスの創製」チームシンポジウム, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,006	国内講演発表	R. Katouf, A. Kanno, O. Kojima, M. Tsuchiya and Toshiro Isu : Fabrication of GaAs Based devices by wafer fusion, CREST「光電場のナノ空間構造による新機能デバイスの創製」チームシンポジウム, Mar. 2007. [EdbClient \| EDB]
19)	2,006	国内講演発表	菅野敦史, 井須俊郎, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : GaAs薄膜中弱閉じ込め励起子の発光ダイナミクス, 日本物理学会2007年春季大会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,006	国内講演発表	小島磨, 井須俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 菅野敦史, Katouf Redouane, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : 弱閉じ込め励起子の非線形光学応答に対する励起子準位間干渉効果, 日本物理学会2007年春季大会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,006	国内講演発表	小島磨, 井須俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 菅野敦史, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : 弱閉じ込め励起子非線形光学応答の複数準位励起効果, 第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,006	国内講演発表	菅野敦史, 井須俊郎, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : GaAs薄膜中弱閉じ込め励起子の光学応答, 第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 作品等

(なし)

2006年度(平成18年度) / その他・研究会

(なし)

2006年度(平成18年度) / 報告書

(なし)

2007年度(平成19年度)

article.{@.date="20070400 20080399" @.organization=\E{140116}}

2007年度(平成19年度) / 著書

(なし)

2007年度(平成19年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,007	学術論文 (審査論文)	Issei Watanabe, Keisuke Shinohara, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Endoh, Yoshimi Yamashita, Takashi Mimura, Satoshi Hiyamizu and Toshiaki Matsui : Effects of Heterointerface Flatness on Device Performance of InP-Based High Electron Mobility Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.4B, 2325-2329, 2007. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura and Satoshi Hiyamizu : Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.301-302, 172-176, 2007. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	学術論文 (審査論文)	Issei Watanabe, Keisuke Shinohara, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Endoh, Yoshimi Yamashita, Takashi Mimura, Satoshi Hiyamizu and Toshiaki Matsui : Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs on(411)A-oriented substrates by MBE, Journal of Crystal Growth, Vol.301-302, 1025-1029, 2007. [EdbClient \| EDB]
4)	2,007	学術論文 (審査論文)	Yusuke Kondo, Masaaki Ono, Shunichirou Matsuzaka, Ken Morita, Haruki Sanada, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Multi Pulse Operation and Optical Detection of Nuclear Spin Coherence in a GaAs/AlGaAs Quantum Wells, Physical Review Letters, Vol.101, No.20, 207601, 2008. [EdbClient \| EDB]
5)	2,007	学術論文 (審査論文)	A Kanno, R Katouf, O Kojima, J Ishi-Hayase, M Tsuchiya and Toshiro Isu : Ultrafast Optical Kerr Effect of Excitons Weakly Confined in GaAs Thin Films, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.1, 360-363, 2008. [EdbClient \| EDB]
6)	2,007	学術論文 (審査論文)	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, A. Kanno, R. Katouf, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Decay of Orientational Grating of Weakly Confined Excitons in GaAs Thin Films, Journal of Luminescence, Vol.128, No.5-6, 963-965, 2008. [EdbClient \| EDB]
7)	2,007	学術論文 (審査論文)	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, A. Kanno, R. Katouf, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Effects of Excitation Spectral Width on Decay Profile of Weakly Confined Excitons, Journal of Luminescence, Vol.128, No.5-6, 966-968, 2008. [EdbClient \| EDB]
8)	2,007	学術論文 (審査論文)	A. Kanno, R. Katouf, O. Kojima, J. Ishi-Hayase, M. Sasaki, M. Tsuchiya and Toshiro Isu : Photoluminescence Dynamics of weakly confined Excitons in GaAs Thin Films, Journal of Luminescence, Vol.128, No.5-6, 1069-1071, 2008. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2007年度(平成19年度) / 学術レター

(なし)

2007年度(平成19年度) / 総説・解説

(なし)

2007年度(平成19年度) / 国際会議

1)	2,007	国際会議	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Ultrafast nonlinear optical response of weakly confined excitons in GaAs thin films, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.5, 1731-1734, Weinheim, May 2007. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	国際会議	A Kanno, R Katouf, O Kojima, J Ishi-Hayase, M Sasaki, M Tsuchiya and Toshiro Isu : Photoluminescence Dynamics of weakly confined Excitons in GaAs Thin Films, International Conference on DynamicalProcesses in Excited States of Solids (DPC07), Vol.Mo-P7-08, 80, Segovia, Jun. 2007. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	国際会議	O Kojima, Toshiro Isu, J Ishi-Hayase, M Sasaki and M Tsuchiya : Decay of Orientational Grating of Weakly Confined Excitons in GaAs Thin Films, International Conference on DynamicalProcesses in Excited States of Solids (DPC07), Vol.We-P4-49, 255, Segovia, Jun. 2007. [EdbClient \| EDB]
4)	2,007	国際会議	O Kojima, Toshiro Isu, J Ishi-Hayase, R Katouf, M Sasaki and M Tsuchiya : Effects of Excitation Spectral Width on Decay Profile of Weakly Confined Excitons, International Conference on DynamicalProcesses in Excited States of Solids (DPC07), Vol.We-P4-50, 256, Segovia, Jun. 2007. [EdbClient \| EDB]
5)	2,007	国際会議	A Kanno, R Katouf, O Kojima, J Ishi-Hayase, M Tsuchiya and Toshiro Isu : Ultrafast Optical Kerr Effect of Excitons Weakly Confined in GaAs, 15th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors(HCIS15), Vol.WeA-3, Tokyo, Jul. 2007. [EdbClient \| EDB]
6)	2,007	国際会議	O Kojima, Toshiro Isu, J Ishi-Hayase, M Sasaki, A Kanno, R Katouf and M Tsuchiya : Spectral Width Dependence of Residual Carrier Effect on Nonlinear Optical Response of Weakly Confined Excitons, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (iscs2007), Vol.MoD P1, 81, Kyoto, Oct. 2007. [EdbClient \| EDB]
7)	2,007	国際会議	N Niki, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Strained Quantum Wells on High Index Substrates, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (iscs2007), Vol.ThD P6, 341, Kyoto, Oct. 2007. [EdbClient \| EDB]
8)	2,007	国際会議	Takahiro Kitada, S Kusunoki, M Kinouchi, Ken Morita, Toshiro Isu and S Shimomura : Isotropic Interface Roughness of Pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As Quantum Wells Grown on (411)A InP Substrates by Molecular Beam Epitaxy, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (iscs2007), Vol.ThD P5, 340, Kyoto, Oct. 2007. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 国内講演発表

1)	2,007	国内講演発表	井須俊郎, 向井拓也, 森田健, 北田貴弘, 赤羽浩一, 山本直克 : InP(311)B上のInAs量子ドットの光学異方性, 第3回量子ナノ材料セミナー, 1-4, 2007年6月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	国内講演発表	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, A. Kanno, R. Katouf, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Interference effects on degenerate four-wave-mixing signals by weakly confined exciton states, 26th Electron Material Symposium, No.G5, 159-160, Jul. 2007. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	国内講演発表	T Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada, K Akahane, N Yamamoto and Toshiro Isu : Optical anisotropy of InAs quantum dots on an InP(113)B substrate, 26th Electron Material Symposium, Vol.G6, 161-162, Jul. 2007. [EdbClient \| EDB]
4)	2,007	国内講演発表	A Kanno, R Katouf, O Kojima, J Ishi-Hayase, M Tsuchiya and Toshiro Isu : Dynamics of excitons weakly confined in GaAs thin films by time-resolved photoluminescence measurements, 26th Electron Material Symposium, Vol.G7, 162-163, Jul. 2007. [EdbClient \| EDB]
5)	2,007	国内講演発表	井須俊郎 : 光電場のナノ空間構造を利用した超高速光スイッチの開発, ナノテクデバイス研究会, 68-69, 2007年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,007	国内講演発表	Kojima O., Toshiro Isu, Ishi-Hayase J., Kanno A., Katouf R., Sasaki M. and Tsuchiya M. : Interference effects between weakly confined exciton states on exciton dephasing, ナノテクデバイス研究会, 126-127, Jul. 2007. [EdbClient \| EDB]
7)	2,007	国内講演発表	菅野敦史, Redouane Katouf, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 土屋昌弘, 井須俊郎 : GaAs薄膜中の弱閉じ込め励起子の発光ダイナミクスおよび，光カー効果を用いた全光スイッチ応用の検討, ナノテクデバイス研究会, 128-129, 2007年7月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,007	国内講演発表	Katouf R., Kanno A., Kojima O., Ishi-Hayase J., Tsuchiya M. and Toshiro Isu : Fabrication of GaAs based photonic devices by wafer fusion, 130-131, Jul. 2007. [EdbClient \| EDB]
9)	2,007	国内講演発表	仁木伸義, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : PLによる高指数面上InGaAs歪量子井戸の光学異方性評価, 応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-5, 92, 2007年8月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,007	国内講演発表	神原敏之, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 大きな非線形光学応答を実現するGaAs/AlAs多層膜構造の検討, 応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-6, 93, 2007年8月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,007	国内講演発表	向井拓也, 森田健, 北田貴弘, 赤羽浩一, 山本直克, 井須俊郎 : (113)B InAs量子ドットのフォトルミネッセンスによる光学異方性, 応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-7, 94, 2007年8月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,007	国内講演発表	小島磨, 井須俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 菅野敦史, Katouf Redouane, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : 弱閉じ込め励起子系の非線形光学応答に対する残留キャリア効果, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.4a-ZK-12, 1461, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,007	国内講演発表	向井拓也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎, 赤羽浩一, 山本直克 : InP(113)B上の積層InAs量子ドットの光学異方性, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.6a-N12, 1413, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,007	国内講演発表	神原敏之, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs多層膜構造における光電場強度の増大効果, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-2, 1418, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,007	国内講演発表	仁木伸義, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 高指数(11n)面上のInGaAs歪量子井戸の光学異方性, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-3, 1418, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,007	国内講演発表	菅野敦史, Redouane Katouf, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 土屋昌弘, 井須俊郎 : 弱閉じ込め励起子系における光カー効果のピコ秒応答, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-4, 1419, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,007	国内講演発表	北田貴弘, 楠慎一郎, 木内将登, 森田健, 下村哲, 井須俊郎 : (411)A InGaAs/InAlAs 変調ドープ歪量子井戸構造における界面ラフネスの異方性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.8a-H-2, 345, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,007	国内講演発表	小島磨, 井須俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 菅野敦史, Katouf Redouane, 佐々木雅英, 土屋昌弘 : 弱閉じ込め励起子の配向緩和, 日本物理学会第62回年次大会, Vol.23pPSA-91, 769, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,007	国内講演発表	岩見勝弘, 熊井亮太, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 中河義典, 井須俊郎 : フェムト秒レーザー照射に伴う4H-SiC上での電気伝導度変化の検討, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集, Vol.16, 129-130, 2007年11月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,007	国内講演発表	菅野敦史, Katouf Redouane, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 土屋昌弘, 井須俊郎 : GaAs薄膜中弱閉じ込め励起子のサブピコ秒光カー効果, 第18回光物性研究会, Vol.IIA-48, 191-194, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,007	国内講演発表	渡辺真吾, 小島磨, 喜多隆, 和田修, 井須俊郎 : スペクトル分解反射型ポンプ・プローブ法によるGaAs薄膜中閉じ込め励起子の過渡応答測定, 第18回光物性研究会, Vol.IIA-47, 187-190, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,007	国内講演発表	北田貴弘, 森田健, 井須俊郎 : 面型超高速光スイッチに向けた半導体多層膜のMBE成長, 応用物理学会中国四国支部研究会, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,007	国内講演発表	井須俊郎 : ナノ半導体による新規光デバイスの創製, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,007	国内講演発表	向井拓也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎, 赤羽浩一, 山本直克 : InP(113)B基板上InAs量子ドットのフォトルミネッセンス光学異方性, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-11, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,007	国内講演発表	仁木伸義, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 高指数GaAs面上InGaAs歪量子井戸の光学異方性, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-12, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,007	国内講演発表	神原敏之, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 大きな非線形光学応答のためのGaAs/AlAs 多層膜構造の光電場強度増大効果, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-13, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,007	国内講演発表	北田貴弘, 楠真一郎, 木内将登, 森田健, 下村哲, 井須俊郎 : 電子移動度によるInGaAs/InAlAs へテロ界面の異方性評価, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-14, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,007	国内講演発表	井須俊郎, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, Katouf Redouane, 菅野敦史, 土屋昌弘 : GaAs閉じ込め励起子ポラリトンによる超高速光スイッチ, JSTナノテクノロジー分野別バーチャルラボ成果報告会, PB6-1, 2008年1月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,007	国内講演発表	渡部真吾, 小島磨, 喜多隆, 和田修, 井須俊郎 : GaAs薄膜における複数準位励起下での閉じ込め励起子の過渡反射スペクトル, 日本物理学会第63回年次大会, No.26a-PS-27, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
30)	2,007	国内講演発表	カトフレドワン, 菅野敦史, 山本直克, 井須俊郎, 外林秀之, 土屋昌弘 : GaAs ナノ細線光導波路の作製と評価, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
31)	2,007	国内講演発表	向井拓也, 高橋朋也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs (001)および(113)B基板上へのInAs量子ドットのMBE成長と光学特性評価, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
32)	2,007	国内講演発表	森田健, 神原敏之, 仲野翔也, 矢野慎介, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs多層膜における時間分解非線形光学応答, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
33)	2,007	国内講演発表	小島磨, 宮川歩弓, 喜多隆, 和田修, 井須俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子の超高速非線形応答の励起光強度依存性, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
34)	2,007	国内講演発表	仁木伸義, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 有限障壁ポテンシャルを考慮した高指数GaAs (11n)A基板上のInGaAs歪量子井戸の光学異方性評価, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
35)	2,007	国内講演発表	神原敏之, 仲野翔也, 矢野慎介, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : AlAs/Al0.3Ga0.7Asダブルエッチストッパー構造を有するGaAs/AlAs多層膜構造の作製, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
36)	2,007	国内講演発表	北田貴弘, 神原敏之, 森田健, 井須俊郎 : マトリックス法によるGaAs/AlAs多層膜構造の光カー信号強度のシミュレーション, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
37)	2,007	国内講演発表	菅野敦史, カトフレドワン, 小島磨, 早瀬(伊師) 潤子, 土屋昌弘, 井須俊郎 : 多連パルス入射時の弱閉じ込め励起子光カー効果サブピコ秒応答, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 作品等

(なし)

2007年度(平成19年度) / その他・研究会

(なし)

2007年度(平成19年度) / 報告書

(なし)

2008年度(平成20年度)

article.{@.date="20080400 20090399" @.organization=\E{140116}}

2008年度(平成20年度) / 著書

(なし)

2008年度(平成20年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,008	学術論文 (審査論文)	O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, J. Ishi-Hayase, A. Kanno, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Ultrafast response induced by interference effects between weakly confined exciton states, Journal of the Physical Society of Japan, Vol.77, No.4, 044701, 2008. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	学術論文 (審査論文)	O Kojima, Toshiro Isu, J Ishi-Hayase, M Sasaki, A Kanno, R Katouf and M Tsuchiya : Spectral Width Dependence of Residual Carrier Effect on Nonlinear Optical Response of Weakly Confined Excitons, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2858-2860, 2008. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, S Kusunoki, M Kinouchi, Ken Morita, Toshiro Isu and S Shimomura : Isotropic Interface Roughness of Pseudomorphic In_0.74Ga_0.26As/In_0.52Al_0.48As Quantum Wells Grown on (411)A InP Substrates by Molecular Beam Epitaxy, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2753-2755, 2008. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	学術論文 (審査論文)	Nobuyoshi Niki, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Strained Quantum Wells on High Index Substrates, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2756-2759, 2008. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Toshiyuki Kanbara, Ken Morita and Toshiro Isu : A GaAs/AlAs Multilayer Cavity with Self-Assembled InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Ultrafast All-Optical Switching Applications, Applied Physics Express, Vol.1, No.9, 092302, 2008. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Nobuyoshi Niki, Ken Morita and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of(11n)-Oriented InGaAs Strained Quantum Wells with Finite Barrier Potential Calculated with Mixing Effects of the Spin-Orbit Split-Off Band, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.10, 7839-7841, 2008. [EdbClient \| EDB]
7)	2,008	学術論文 (審査論文)	R. Katouf, N. Yamamoto, A. Kanno, N. Sekine, K. Akahane, H. Sotobayashi, Toshiro Isu and M. Tsuchiya : Ultrahigh Relative Refractive Index Contrast GaAs Nanowire Waveguides, Applied Physics Express, Vol.1, No.12, 122101, 2008. [EdbClient \| EDB]
8)	2,008	学術論文 (審査論文)	Osamu Kojima, Ayumi Miyagawa, Takashi Kita, Osamu Wada and Toshiro Isu : Ultrafast all-optical control of excitons confined in GaAs thin films, Applied Physics Express, Vol.1, No.11, 112401, 2008. [EdbClient \| EDB]
9)	2,008	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Kanbara Toshiyuki, Yano Shinsuke, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Asymmetric temporal profile of optical Kerr signal from GaAs/AlAs multilayer with /2 phase shift layer, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.1, 137-140, 2009. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2008年度(平成20年度) / 学術レター

(なし)

2008年度(平成20年度) / 総説・解説

(なし)

2008年度(平成20年度) / 国際会議

1)	2,008	国際会議	O Kojima, A Miyagawa, T Kita, Toshiro Isu and O Wada : Optical Cancellation of exciton population in GaAs thin films, 3rd International Laser, Light-Wave and Microwave Conference 2008, Vol.24-TP1-1, Yokohama, Apr. 2008. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	国際会議	R. Katouf, A. Kanno, N. Yamamoto, N. Sekine, K.T. Liang, K. Sasagawa, K. Akahane, Toshiro Isu, H. Sotobayashi and M. Tsuchiya : 15 dB cross loss modulation by cw pump injection of mW-class in 1.5-mm long nano-wire waveguide, Conference on Lasers and Electro-Optics(CLEO2008), San Jose, U.S.A., May 2008. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	国際会議	Ken Morita, Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Asymmetric temporal profile of optical Kerr signal from GaAs/AlAs multilayer with λ/2 phase shift layer, The 8th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter (EXCON2008), Vol.OP-IV-03, Kyoto, Jun. 2008. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	国際会議	O. Kojima, A. Miyagawa, T. Kita, O. Wada and Toshiro Isu : Optical control of residual excitons for ultrafast nonlinear response in GaAs thin films, The 8th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter (EXCON2008), Vol.P-53, Kyoto, Jun. 2008. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	国際会議	O Kojima, Toshiro Isu, J Ishi-Hayase, M Sasaki, A Kanno, R Katouf and M Tsuchiya : Spectral Width Dependence of Residual Carrier Effect on Nonlinear Optical Response of Weakly Confined Excitons, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2858-2860, Jul. 2008. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	国際会議	S. Watanabe, O. Kojima, T. Kita, O. Wada and Toshiro Isu : Transient reflectivity response with negative time delay caused by femtosecond pulse propagation in GaAs thin films, Third International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, Edmonton, Canada, Jul. 2008. [EdbClient \| EDB]
7)	2,008	国際会議	Takahiro Kitada, T. Mukai, T. Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications, 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008), No.3-V FA1.6, Vancouver, Aug. 2008. [EdbClient \| EDB]
8)	2,008	国際会議	T. Mukai, T. Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Excitation wavelength dependence of carrier relaxation in self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barrier layers, 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2008), Vol.E-1-4, Tsukuba, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
9)	2,008	国際会議	T. Kanbara, S. Nakano, S. Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Enhanced two-photon absorption in a GaAs/AlAs multilayer cavity, 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2008), Vol.E-2-5, Tsukuba, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
10)	2,008	国際会議	T. Takahashi, .T Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Molecular beam epitaxy of self-assembled InAs quantum dots on (001) and (113)B GaAs substrates under a slow growth rate condition, 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2008), Vol.F-5-2, Tsukuba, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
11)	2,008	国際会議	Ken Morita, T. Kanbara, S. Yano, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities for a short pulse, 35th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2008), Vol.P35, Rust,Germany, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 国内講演発表

1)	2,008	国内講演発表	Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Time-resolved two-photon absorption measurements of GaAs/AlAs multilayer with λ/2 GaAs layer, 27th Electronic Materials Symposium(EMS27), No.J13, 211, Jul. 2008. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	国内講演発表	Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs(001) and (113)B substrates, 27th Electronic Materials Symposium(EMS27), No.K9, 235, Jul. 2008. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	国内講演発表	S. Watanabe, O. Kojima, T. Kita, O. Wada and Toshiro Isu : Propagation effect on transient response of excitons confined in GaAs thin films, 27th Electronic Materials Symposium(EMS27), No.J14, 213, Jul. 2008. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	国内講演発表	向井拓也, 高橋朋也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットの分子線エピタキシャル成長と光学特性評価, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Ep-05, 2008年8月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	国内講演発表	神原敏之, 矢野慎介, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器構造の作製と二光子吸収特性評価, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-07, 2008年8月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	国内講演発表	仁木伸義, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlGaAs 量子井戸の二光子励起フォトルミネッセンス, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-05, 2008年8月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,008	国内講演発表	高橋朋也, 向井拓也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs 基板上InAs 量子ドットの分子線エピタキシャル成長とフォトルミネッセンス測定, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Ep-06, 2008年8月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,008	国内講演発表	矢野慎介, 神原敏之, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs多層膜共振器構造におけるQ値と光カー信号強度, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-09, 2008年8月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,008	国内講演発表	高橋朋也, 向井拓也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットのMBE成長, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(2a-CF-16), 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,008	国内講演発表	今津晋二郎, 松木豊和, 毛利如良, 藤田剛也, 北田貴弘, 下村哲 : (775)B GaAs基板上にMBE成長したGaAs/(GaAs)4(AlAs)2自己形成型量子細線レーザのゲインスペクトル3, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3p-ZQ-6), 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,008	国内講演発表	神原敏之, 矢野慎介, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 二光子共鳴量子井戸を有するGaAs/AlAs 多層膜共振器構造の作製, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-2), 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,008	国内講演発表	森田健, 神原敏之, 矢野慎介, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器の非対称時間分解光カー信号, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-3), 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,008	国内講演発表	矢野慎介, 神原敏之, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器構造における光カー信号強度の層数依存性, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-4), 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,008	国内講演発表	北田貴弘, 神原敏之, 矢野慎介, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器構造の光カー信号強度のQ 値依存性のシミュレーション, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-5), 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,008	国内講演発表	仁木伸義, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : (001)量子井戸における二光子吸収の光学異方性, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-6), 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,008	国内講演発表	小島磨, 喜多隆, 和田修, 井須俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子の密度制御, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-7), 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,008	国内講演発表	岩見勝弘, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 中河義典, 井須俊郎, 齋藤伸吾 : フェムト秒レーザー照射により改質されたSiCの電気伝導特性, 第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol.69, No.3, 999, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,008	国内講演発表	向井拓也, 高橋朋也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットの高速キャリア緩和, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(4p-ZQ-16), Vol.Ep-05, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,008	国内講演発表	森田健, 仁木伸義, 北田貴弘, 井須俊郎 : 二光子励起フォトルミネッセンス分光におけるGaAs/AlGaAs量子井戸の光学異方性, 第19回光物性研究会, Vol.3B-100, 402-405, 2008年12月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,008	国内講演発表	渡部真吾, 小島磨, 喜多隆, 和田修, 井須俊郎 : GaAs薄膜における励起子ポラリトン伝播効果, 第19回光物性研究会, Vol.3B-105, 422-425, 2008年12月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,008	国内講演発表	向所明里, 向井拓也, 高橋朋也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As 層に埋め込んだInAs量子ドットの作製とその光学特性, 第29回レーザー学会学術講演会, No.F-10pVI-2, 2009年1月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,008	国内講演発表	仁木伸義, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs量子井戸における二光子吸収の偏光方向異方性, 第29回レーザー学会学術講演会, No.F-10pVI-3, 2009年1月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,008	国内講演発表	熊井亮太, 富田卓朗, 森田健, 松尾繁樹, 橋本修一, 井須俊郎 : 100kHzフェムト秒レーザーを用いた半導体へのナノ周期構造の作製, レーザー学会学術講演会第29回年次大会講演予稿集, Vol.29, 125, 2009年1月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,008	国内講演発表	井須俊郎 : ナノ半導体による新規光デバイスの創製に向けて, 第2回フロンティア研究センターシンポジウム, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,008	国内講演発表	北田貴弘 : 超高速光スイッチに向けたInAs量子ドットのMBE成長, 第2回フロンティア研究センターシンポジウム, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,008	国内講演発表	森田健 : GaAs/AlAs多層膜共振器構造の非線形光学応答, 第2回フロンティア研究センターシンポジウム, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,008	国内講演発表	小島磨, 渡部真吾, 喜多隆, 和田修, 井須俊郎 : GaAs薄膜における励起子過渡応答に対する空間コヒーレンス効果, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,008	国内講演発表	井須俊郎, 田中文也, 神原敏之, 森田健, 北田貴弘 : 2つの共振器モードを実現するGaAs/AlAs多層膜結合共振器構造, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,008	国内講演発表	田中文也, 神原敏之, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造における第二高調波・和周波発生, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
30)	2,008	国内講演発表	北田貴弘, 向井拓也, 高橋朋也, 向所明里, 森田健, 井須俊郎 : 歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだInAs量子ドットのキャリア緩和におけるドーピング効果, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
31)	2,008	国内講演発表	北田貴弘, 向井拓也, 高橋朋也, 向所明里, 森田健, 井須俊郎 : 共振器層に過飽和吸収特性を有するGaAs/AlAs多層膜共振器構造, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
32)	2,008	国内講演発表	森田健, 高橋朋也, 神原敏之, 向井拓也, 矢野慎介, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層中のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器における光カー信号, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
33)	2,008	国内講演発表	高橋朋也, 向井拓也, 向所明里, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器のMBE成長, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 作品等

(なし)

2008年度(平成20年度) / その他・研究会

(なし)

2008年度(平成20年度) / 報告書

(なし)

2009年度(平成21年度)

article.{@.date="20090400 20100399" @.organization=\E{140116}}

2009年度(平成21年度) / 著書

2,009

著書

小島磨, 井須俊郎 : Dynamics of Excitons Confined in Semiconductor Thin Films, High-Power and Femtosecond Lasers : Properties, Materials and Applications (Lasers and Electro-optics Research and Technology), 2009年7月. [EdbClient | EDB]

2009年度(平成21年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,009	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Haruki Sanada, Shunichirou Matsuzaka, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Intersubband exchange interaction induced by optically excited electron spins in GaAs/AlGaAs quantum wells, Applied Physics Letters, Vol.94, No.16, 162104, 2009. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	学術論文 (審査論文)	Shingo Watanabe, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada and Toshiro Isu : Transient reflectivity response with negative time delay caused by femtosecond pulse propagation in GaAs thin films, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.S1, S139-S142, 2009. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	学術論文 (審査論文)	Takuya Mukai, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Excitation wavelength dependence of carrier relaxation in self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barrier layers, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C106, 2009. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	学術論文 (審査論文)	Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Enhanced two-photon absorption in a GaAs/AlAs multilayer cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C105, 2009. [EdbClient \| EDB]
5)	2,009	学術論文 (審査論文)	Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Photoluminescence Properties of Self-Assembled InAs Quantum Dots Grown on (001) and (113)B GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy under a Slow Growth Rate Condition, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C128, 2009. [EdbClient \| EDB]
6)	2,009	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Toshiyuk Kanbara, Shinsuke Yano, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities for a short pulse, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.6, 1420-1423, 2009. [EdbClient \| EDB]
7)	2,009	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Takuya Mukai, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In_0.35Ga_0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications, Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.7, 1807-1810, 2009. [EdbClient \| EDB]
8)	2,009	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Toshiyuki Kanbara, Shinsuke Yano, Ken Morita and Toshiro Isu : Marked Enhancement of Optical Kerr Signal in Proportion to Fourth Power of Quality Factor of a GaAs/AlAs Multilayer Cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.8, 080203, 2009. [EdbClient \| EDB]
9)	2,009	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Enhanced Optical Kerr Signal of GaAs/AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers, Applied Physics Express, Vol.2, No.8, 082001, 2009. [EdbClient \| EDB]
10)	2,009	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures for terahertz emission devices, Applied Physics Letters, Vol.95, No.11, 111106, 2009. [EdbClient \| EDB]
11)	2,009	学術論文 (審査論文)	Takuro Tomita, Masahiro Iwami, Minoru Yamamoto, Manato Deki, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shingo Saito, Kiyomi Sakai, Shinobu Onoda and Takeshi Ohshima : Electronic properties of femtosecond laser induced modified spots on single crystal silicon carbide, Materials Science Forum, Vol.645-648, 239-242, 2010. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2009年度(平成21年度) / 学術レター

(なし)

2009年度(平成21年度) / 総説・解説

(なし)

2009年度(平成21年度) / 国際会議

1)	2,009	国際会議	Atsushi Kanno, Redouane Katouf, Osamu Kojima, Junko Ishi-Hayase, Masahiro Tsuchiya and Toshiro Isu : Optical Kerr response to multi pump pulses on GaAs weakly confined exciton, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.6, 1509-1512, Wiley-VCH, Apr. 2009. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	国際会議	Takahiro Kitada, A. Mukaijyo, T. Takahashi, T. Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu : Doping effect on photocarrier lifetime in InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers grown by molecular beam epitaxy, The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Vol.Mo-mP54, 66, Kobe, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	国際会議	Ken Morita, T. Takahashi, T. Kanbara, S. Yano, T. Mukai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Large optical Kerr signal of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers, The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Vol.Mo-mP59, 71, Kobe, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	国際会議	S. Shimomura, T. Fujita, S. Imadu and Takahiro Kitada : Anisotropic modal gain spectra of GaAs self-assembled quantum-wire laser structures on (775)B GaAs substrates, The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Vol.Tu-mP27, 141, Kobe, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
5)	2,009	国際会議	O. Kojima, S. Watanabe, T. Kita, O. Wada and Toshiro Isu : Spatial coherence effect on transient response of confined excitons in GaAs thin films, The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Vol.Th-mP7, 226, Kobe, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
6)	2,009	国際会議	Ken Morita, H. Sanada, S. Matsuzaka, Y. Ohno and H. Ohno : Two-color pump-probe measurements of intersubband excitonic interactions in GaAs/AlAs quantum wells, The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Vol.M6e, 204, Kobe, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
7)	2,009	国際会議	Takahashi Tomoya, Kanbara Toshiyuki, Mukai Takuya, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Molecular Beam Epitaxy of InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Layers, Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemicoNano2009), Vol.P-19, Annan, Aug. 2009. [EdbClient \| EDB]
8)	2,009	国際会議	Toshiro Isu, Takahashi Tomoya, Kanbara Toshiyuki, Mukai Takuya, Ken Morita and Takahiro Kitada : Optical Kerr Signals of a GaAs/AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Layers, Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemicoNano2009), Vol.O-12, Annan, Aug. 2009. [EdbClient \| EDB]
9)	2,009	国際会議	Toshiro Isu, Kanbara Toshiyuki, Takahashi Tomoya, Ken Morita and Takahiro Kitada : Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities with two-photon resonant quantum wells in the half-wavelength layer, The 36th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2009), No.p1.15, 123, University of California, Santa Barbara, USA, Sep. 2009. [EdbClient \| EDB]
10)	2,009	国際会議	Ken Morita, Niki Nobuyoshi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical anisotropy of two-photon absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells measured by photoluminescence, The 36th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2009), No.p1.13, 119, University of California, Santa Barbara, USA, Sep. 2009. [EdbClient \| EDB]
11)	2,009	国際会議	Takahashi Tomoya, Mukai Takuya, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers for planar-type optical Kerr gate switches, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009), Vol.I-6-5, Sendai, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
12)	2,009	国際会議	Tanaka Fumiya, Takahashi Tomoya, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strong sum frequency generation in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity grown on a (113)B-oriented GaAs substrate, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009), Vol.I-9-2, Sendai, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
13)	2,009	国際会議	Tomoyasu Nakada, Masanobu Haraguchi, Yoshinori Nakagawa, Masuo Fukui, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Fabrication of a grating coupler in surface plasmon polariton (SPP) waveguide by scanning probe microscope (SPM) lithography, Abstract of the 7-th Asia-Pacific Conference on Near-field Optics (APNFO-7), 70, Jeju, Nov. 2009. [EdbClient \| EDB]
14)	2,009	国際会議	Takae Yamashita, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada and Toshiro Isu : Effective dipole moments of excitons in GaAs thin films, Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2009 (WINPTech 2009), Kobe, Dec. 2009. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 国内講演発表

1)	2,009	国内講演発表	野村英矩, 熊井亮太, 富田卓朗, 森田健, 松尾繁樹, 橋本修一, 井須俊郎 : シリコン表面上で生成されるリップル構造のパルス数及びフルエンス依存性, 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol.56, No.3, 1180, 2009年4月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	国内講演発表	中田智康, 中河義典, 原口雅宣, 福井萬壽夫, 井須俊郎, 四宮源一 : プローブ陽極酸化リソグラフィー法による微細グレーティング加工に関する研究, 第56回応用物理学会学関係連合講演会講演予稿集, Vol.2, No.1a-TE-4, 708, 2009年4月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	国内講演発表	井須俊郎 : 半導体多層膜共振器を用いた面型全光カーゲートスイッチ, 神戸大学連携推進本部ナノ・フォトニクス技術セミナー, 2009年5月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	国内講演発表	北田貴弘 : 超高速光スイッチに向けたInAs量子ドットの分子線エピタキシャル成長, 神戸大学連携推進本部ナノ・フォトニクス技術セミナー, 2009年5月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,009	国内講演発表	Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Akari Mukaijo, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in straiu-relaxed barriers for ultrafast all-optical switch, 28th Electronic Materials Symposium(EMS28), No.F4, 155-156, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
6)	2,009	国内講演発表	Fumiya Tanaka, Toshiyuki Kanbara, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Second harmonic and sum frequency generations of a coupled (113)B GaAs/AlAs multilayer cavity, 28th Electronic Materials Symposium(EMS28), No.J21, 277-278, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
7)	2,009	国内講演発表	高橋朋也, 向井拓也, 向所明里, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バイア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器, 応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会, Vol.Dp2-2, 97, 2009年8月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,009	国内講演発表	田中文也, 高橋朋也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 2つの共振器モードを有するGaAs/AlAs結合共振器構造による周波数混合信号の発生, 応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会, Vol.Dp2-3, 98, 2009年8月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,009	国内講演発表	出来真斗, 山本稔, 伊藤拓人, 岩見勝弘, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 中河義典, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : イオン注入電極を作製したSiC基板へのフェムト秒レーザー照射による電気伝導特性制御, 2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会・講演予稿集, 1057, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,009	国内講演発表	北田貴弘, 田中文也, 高橋朋也, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜結合共振器内部における2つの共振器モードの光干渉効果, 2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-5, 1286, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,009	国内講演発表	高橋朋也, 田中文也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/Air 多層膜共振器の光カー信号強度のシミュレーション, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-2, 1285, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,009	国内講演発表	田中文也, 高橋朋也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs (113)B 結合共振器における和周波信号強度の励起偏光方向依存性, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-6, 1287, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,009	国内講演発表	森田健, 高橋朋也, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器におけるps パルスを用いた光カー信号のQ 値依存性, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-1, 1285, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,009	国内講演発表	中田智康, 中河義典, 原口雅宣, 福井萬壽夫, 井須俊郎, 四宮源市 : 走査型プローブ顕微鏡リソグラフィーによる回折格子型表面プラズモン励起素子の作製, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9a-ZM-6, 946, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,009	国内講演発表	北田貴弘, 向井拓也, 高橋朋也, 向所明里, 森田健, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだSi ドープInAs 量子ドットにおけるキャリア緩和の励起波長依存性, 2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会, No.10p-C-14, 315, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,009	国内講演発表	森田健, 高橋朋也, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜共振器における光カー信号の励起光強度依存性, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.10p-C-13, 314, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,009	国内講演発表	山下太香恵, 小島磨, 喜多隆, 和田修, 井須俊郎 : GaAs薄膜の励起子非線形光学応答制御における第一パルス光強度依存性, 日本物理学会2009年秋季大会, No.27aPS-28, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,009	国内講演発表	山下太香恵, 小島磨, 喜多隆, 和田修, 井須俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子の双極子モーメント, 第20回光物性研究会, No.A-83, 341, 2009年12月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,009	国内講演発表	出来真斗, 伊藤拓人, 山本稔, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : 6H-SiC基板へのフェムト秒レーザー改質による電気伝導のパルスピッチ依存性, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集, Vol.18, 148-149, 2009年12月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,009	国内講演発表	北田貴弘, 高橋朋也, 森田健, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ, 2010年光エレクトロニクス研究会, Vol.109, No.401, OPE2009-189, 2010年1月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,009	国内講演発表	北田貴弘, 高橋朋也, 森田健, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットにおける高速キャリア緩和, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.17p-TW-14, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,009	国内講演発表	田中文也, 高橋朋也, 滝本隼主, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 2つの共振器モードを有する(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器の時間分解和周波信号測定, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.17a-TM-22, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,009	国内講演発表	中田智康, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源一 : 回折格子型表面プラズモンポラリトン励起素子の特性, 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol.17a-P1-21, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,009	国内講演発表	森田健, 田中文也, 高橋朋也, 滝本隼主, 北田貴弘, 井須俊郎 : 2パルスによる(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の和周波・第二高調波スペクトルの遅延時間依存性, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-M-1, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,009	国内講演発表	森田健, 高橋朋也, 田中文也, 北田貴弘, 井須俊郎 : ピコ秒パルスを用いたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器構造の光カー信号, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-N-7, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,009	国内講演発表	高橋朋也, 田中文也, 張ミン, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 選択エッチングによるGaAs/Air多層膜共振器構造の作製, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-TM-24, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,009	国内講演発表	森田健 : GaAs/AlAs非結合・結合共振器構造を利用した非線形ダイナミクス, イーグル若手研究会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,009	国内講演発表	北田貴弘 : InAs量子ドットとGaAs/AlAs多層膜共振器構造の超高速光スイッチ, 第4回フロンティア研究センターシンポジウム, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,009	国内講演発表	森田健 : 多層膜結合光共振器構造による周波数混合信号の発生, 第4回フロンティア研究センターシンポジウム, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 作品等

(なし)

2009年度(平成21年度) / その他・研究会

(なし)

2009年度(平成21年度) / 報告書

(なし)

2010年度(平成22年度)

article.{@.date="20100400 20110399" @.organization=\E{140116}}

2010年度(平成22年度) / 著書

(なし)

2010年度(平成22年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,010	学術論文 (審査論文)	Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strong Sum Frequency Generation in a GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity Grown on a (113)B-Oriented GaAs Substrate, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DG01, 2010. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	学術論文 (審査論文)	Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Planar-Type Optical Kerr Gate Switches, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DG02, 2010. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Strongly Enhanced Sum Frequency Generation in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, Applied Physics Express, Vol.3, No.7, 072801, 2010. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Nobuyoshi Niki, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical anisotropy of two-photon absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells measured by photoluminescence, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.10, 2482-2485, 2010. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	学術論文 (審査論文)	Toshiro Isu, Toshiyuki Kanbara, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Takahiro Kitada : Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities with two-photon resonant quantum wells in the half-wavelength layer, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.10, 2478-2481, 2010. [EdbClient \| EDB]
6)	2,010	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu : Doping effect on photocarrier lifetime in InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers grown by molecular beam epitaxy, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.42, No.10, 2540-2543, 2010. [EdbClient \| EDB]
7)	2,010	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Tomoya Takahashi, Toshiyuki Kanbara, Shinsuke Yano, Takuya Mukai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Large optical Kerr signal of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.42, No.10, 2505-2508, 2010. [EdbClient \| EDB]
8)	2,010	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu : Excitation wavelength dependence of photocarrier relaxation in Si-doped InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 334-336, 2011. [EdbClient \| EDB]
9)	2,010	学術論文 (審査論文)	Osamu Kojima, Shingo Watanabe, Takashi Kita, Osamu Wada and Toshiro Isu : Propagation Velocity of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 378-380, 2011. [EdbClient \| EDB]
10)	2,010	学術論文 (審査論文)	Osamu Kojima, Shingo Watanabe, Takashi Kita, Osamu Wada and Toshiro Isu : Dephasing of excitonic polaritons confined in GaAs thin films, Journal of the Physical Society of Japan, Vol.80, No.3, 034704-1-034704-5, 2011. [EdbClient \| EDB]
11)	2,010	学術論文 (審査論文)	Manato Deki, Takuto Ito, Minoru Yamamoto, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Ohshima : Enhancement of local electrical conductivities in SiC by femtosecond laser modification, Applied Physics Letters, Vol.98, No.13, 133104-1-133104-3, 2011. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 学術論文 (紀要その他)

2,010

学術論文 (紀要その他)

Tomoyasu Nakada, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Flockert Michael, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton excitation by a Phase Shift Grating, World Academy of Science Engineering and Technology, Vol.74, 24-28, 2011. [EdbClient | EDB]

2010年度(平成22年度) / 学術レター

(なし)

2010年度(平成22年度) / 総説・解説

(なし)

2010年度(平成22年度) / 国際会議

1)	2,010	国際会議	Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strong optical Kerr gate signal in InAs-dot-buried GaAs/AlAs multilayer cavity using a picosecond laser pulse, Quantum Dot 2010, No.p.57, East Midlands Conference Center,Nottingham,UK, Apr. 2010. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	国際会議	Osamu Kojima, Shingo Watanabe, Takashi Kita, Osamu Wada and Toshiro Isu : Propagation Velocity of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrE1-4, 353, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, Jun. 2010. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	国際会議	Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu : Excitation Wavelength Dependence of Photocarrier Relaxation in Si-Doped InAs Quantum Dots with Strain-Relaxed InGaAs Barriers, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrP15, 377, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, Jun. 2010. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	国際会議	Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Enhanced Sum-Frequency Generation Signal in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrP18, 379, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, Jun. 2010. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	国際会議	Toshiro Isu, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Toshikazu Takimoto, Ken Morita and Takahiro Kitada : Frequency-M-xing-Signal Generation on a GaAs/AlAs Coupled Multilayer-Cavity, 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processws in Condensed and Nano Materials (EXCON'10), Vol.13O02, Novotel Hotel, Brisbane, Australia, Jul. 2010. [EdbClient \| EDB]
6)	2,010	国際会議	Manato Deki, Minoru Yamamoto, Ito Takuto, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Ohshima : Femtosecond laser modification aiming at the enhancement of local electric conductivities in SiC, 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, P1-306, Seoul, Jul. 2010. [EdbClient \| EDB]
7)	2,010	国際会議	Takahiro Kitada, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), No.p1.20, bcc Berlin Congress Center, Berlin, Germany, Aug. 2010. [EdbClient \| EDB]
8)	2,010	国際会議	Tomoyasu Nakada, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Flockert Michael, Toshihiro Okamoto, Masuo Fukui, Toshiro Isu, T Okazaki and Gen-ichi Shinomiya : Modulator for Surface Plasmon Polariton Using LiNbO3:Ti Plasmon Waveguide, 11th International Conference on Near-field Nano Optics, Nanophotonics& Related Techniques (NFO-11), Beijing, Aug. 2010. [EdbClient \| EDB]
9)	2,010	国際会議	Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Remarkable Enhancement of Optical Kerr Signal by increasing Quality Factor in a GaAs/AlAs Multilayer Cavity, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), No.D-1-4, 59-60, Tokyo, Sep. 2010. [EdbClient \| EDB]
10)	2,010	国際会議	Fumiya Tanaka, Toshikazu Takimoto, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Time-Resolved Measurements on Sum Frequency Generation Strongly Enhanced in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), No.D-2-1, 61-62, Tokyo, Sep. 2010. [EdbClient \| EDB]
11)	2,010	国際会議	Manato Deki, Takuro Ito, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Oshima : Laser Modification Aiming at the Enhancement of Local Electrical Conductivities in SiC, The 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, 218-221, Takasaki, Oct. 2010. [EdbClient \| EDB]
12)	2,010	国際会議	Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates, SPIE Photonics West2011, No.OPTO7937-52, The Moscone Center San Francisco, California, USA, Jan. 2011. [EdbClient \| EDB]
13)	2,010	国際会議	Tomoyasu Nakada, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Flockert Michael, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton excitation by a Phase Shift Grating, International Conference on Nanotechnology, Optoelectronics and Photonics (ICNOP) 2011, 24, PENANG,MALAYSIA, Feb. 2011. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 国内講演発表

1)	2,010	国内講演発表	原口雅宣, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : ナノLEDの開発, LED総合フォーラム論文集, 67-68, 2010年4月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	国内講演発表	Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical anisotropy of sum-frequency generation in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), No.We3-5, 57, Jul. 2010. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	国内講演発表	Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr gate switching in InAs-dot-buried GaAs/AlAs multilayer cavity using a wavelength restricted picosecond laser pulse, 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), No.We3-7, 61, Jul. 2010. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	国内講演発表	中田智康, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : 表面プラズモンポラリトンを利用したレジスト厚計測, 応用物理学会中国四国支部 2010年度支部学術講演会, No.Aa2-5, 2010年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	国内講演発表	田辺新平, 中田智康, 中河義典, 原口雅宣, 井須俊郎, 四宮源市 : 表面プラズモンポラリトンを利用したグルコースセンサー, 応用物理学会中国四国支部 2010年度支部学術講演会, No.Aa2-4, 2010年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,010	国内講演発表	出来真斗, 伊藤拓人, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : SiCのフェムト秒レーザー改質部における局所電気伝導度の照射フルエンス依存性, 第71 回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 04-269, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,010	国内講演発表	森田健, 田中文也, 滝本隼主, 北田貴弘, 井須俊郎 : 分極反転したGaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の作製とその光学特性, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, No.14a-G-3, 05-041, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,010	国内講演発表	上山日向, 高橋朋也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの電気特性, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, No.15a-ZV-4, 15-058, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,010	国内講演発表	田中文也, 滝本隼主, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 非対称なGaAs/AlAs多層膜結合共振器の作製とその光学特性, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-7, 14-070, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,010	国内講演発表	北田貴弘, 田中文也, 滝本隼主, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlAs多層膜結合共振器における非線形分極構造の制御, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-6, 14-069, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,010	国内講演発表	大田翔平, 小島磨, 喜多隆, 井須俊郎 : GaAs薄膜におけるレーザースペクトル幅制御による励起子応答制御, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-8, 14-071, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,010	国内講演発表	中田智康, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : 表面プラズモンポラリトン励起のためのスラブ導波路上の位相シフト回折格子結合器の評価, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, No.17a-NJ-6, 03-140, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,010	国内講演発表	五井恵太, 山下太香恵, 小島磨, 喜多隆, 井須俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子状態の制御性, 2010年秋季大会日本物理学会, No.25pPSB-31, 731, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,010	国内講演発表	出来真斗, 伊藤拓人, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : フェムト秒レーザー改質したSiCにおける局所電気伝導度の照射フルエンス依存性, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会予稿集, 114-115, 2010年10月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,010	国内講演発表	伊藤拓人, 出来真斗, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : SiCのフェムト秒レーザー改質部における局所電気伝導度の照射偏光依存性, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会予稿集, 110-111, 2010年10月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,010	国内講演発表	大田翔平, 小島磨, 喜多隆, 井須俊郎 : GaAs薄膜における励起子応答に対する検出パルスのスペクトル幅の効果, WINPTech2010 Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2010, 2010年12月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,010	国内講演発表	五井恵太, 小島磨, 山下太香恵, 喜多隆, 井須俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子状態の光制御, 第21回光物性研究会(2010), No.A-57, 2010年12月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,010	国内講演発表	大田翔平, 小島磨, 喜多隆, 井須俊郎 : 検出パルス制御によるGaAs薄膜中の閉じ込め励起子の超高速応答, 第21回光物性研究会(2010), No.A-84, 2010年12月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,010	国内講演発表	森田健 : 量子ドットを用いた面型多層膜超高速全光スイッチ, 第5回フロンティア研究センターシンポジウム, 2011年2月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,010	国内講演発表	北田貴弘 : 半導体結合光共振器によるテラヘルツ光発生素子, 第5回フロンティア研究センターシンポジウム, 2011年2月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,010	国内講演発表	森田健, 加藤翔, 滝本隼主, 田中文也, 北田貴弘, 井須俊郎 : 多層膜結合共振器構造へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.24a-KF-4, 04-157, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,010	国内講演発表	上山日向, 高橋朋也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの作製とその光学特性, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.24p-BQ-4, 15-061, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,010	国内講演発表	西中一平, 美藤邦彦, 木股雅章, 内藤聖貴, 山本泰志, 片山晴善, 佐藤亮太, Patrashin Mikhail, 寳迫巌, 井須俊郎, 北田貴弘 : GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの開発, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KT-7, 03-063, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,010	国内講演発表	大田翔平, 小島磨, 喜多隆, 井須俊郎 : 重心運動閉じ込め励起子の量子ビートの生成と検出, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-7, 14-040, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,010	国内講演発表	北田貴弘, 安長千徳, 上山日向, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlAs多層膜三結合共振器の面型波長変換素子への応用, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-8, 14-041, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,010	国内講演発表	滝本隼主, 加藤翔, 田中文也, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : ウエハ接合により作製したGaAs/AlAs多層膜結合共振器, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-9, 14-042, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,010	国内講演発表	中田智康, 中河義典, 田邉新平, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : 表面プラズモンポラリトン励起のためのブレーズド回折格子結合器の評価, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25p-BH-3, 03-188, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,010	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 中田智康, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : 二次元六方クラスター回折格子による表面プラズモン励起, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25p-BH-4, 03-189, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,010	国内講演発表	Michael Flockert, 田邉新平, 中河義典, 中田智康, 原口雅宣, 井須俊郎, 小山浩司, 四宮源市 : 二次元矩形クラスタープラズモニック格子による表面プラズモン励起, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25p-BH-5, 03-190, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
30)	2,010	国内講演発表	伊藤拓人, 出来真斗, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : フェムト秒レーザー照射によるSiC改質部の局所電気伝導度の照射偏光依存性, 第58回応用物理学関係連合講演会, 04-287, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
31)	2,010	国内講演発表	加藤翔, 滝本隼主, 田中文也, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の二つの共振器モードを利用したテラヘルツ帯差周波発生, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.26a-KB-2, 05-106, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 作品等

(なし)

2010年度(平成22年度) / その他・研究会

2,010

その他・研究会

出来真斗, 伊藤拓人, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : フェムト秒レーザー照射によるSiC改質部の局所電気伝導度の照射強度および偏光依存性, 第5回フロンティア研究センターシンポジウム「日亜寄附講座研究成果報告会」, 10, 2011年2月. [EdbClient | EDB]

2010年度(平成22年度) / 報告書

(なし)

2011年度(平成23年度)

article.{@.date="20110400 20120399" @.organization=\E{140116}}

2011年度(平成23年度) / 著書

(なし)

2011年度(平成23年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,011	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr Signals Markedly Enhanced by Increasing Quality Factor in a GaAs/AlAs Multilayer Cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.4, 04DG02, 2011. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	学術論文 (審査論文)	Fumiya Tanaka, Toshikazu Takimoto, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Time-Resolved Measurements on Sum-Frequency Generation Strongly Enhanced in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.4, 04DG03, 2011. [EdbClient \| EDB]
3)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates, Proceedings of SPIE, Vol.7937, 1H-1, 2011. [EdbClient \| EDB]
4)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Tomoya Takahashi, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu : Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, Journal of Crystal Growth, Vol.323, No.1, 241-243, 2011. [EdbClient \| EDB]
5)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takuro Tomita, Ryota Kumai, Hidenori Nomura, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Ken Morita and Toshiro Isu : Surface roughness assisted 100 kHz femtosecond laser induced nanostructure formation on silicon surface, Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.105, No.1, 89-94, 2011. [EdbClient \| EDB]
6)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takae Yamashita, Osamu Kojima, Takashi Kita and Toshiro Isu : Depolarization effect on optical control of excition states confined in GaAs thin films, Journal of Applied Physics, Vol.110, No.4, 043514, 2011. [EdbClient \| EDB]
7)	2,011	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Fumiya Tanaka, Yoshinori Nakagawa, Shingo Saito, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Generation of Terahertz Radiation from Two Cavity Modes of a GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, Applied Physics Express, Vol.4, No.10, 102102, 2011. [EdbClient \| EDB]
8)	2,011	学術論文 (審査論文)	Na Zhou, Tetsuya Suekane, Takahiro Hosokawa, Sadamu Inaoka and Qiuwang Wang : In-situ capillary trapping of CO₂ by means of co-injection, Transport in Porous Media, Vol.90, No.2, 575-587, 2011. [EdbClient \| EDB]
9)	2,011	学術論文 (審査論文)	Tetsuya Suekane and Hiroki Ushita : Effect of buoyancy on pore-scale characteristics of two-phase flow in porous media, CT Imaging, Vol.2, 2011. [EdbClient \| EDB]
10)	2,011	学術論文 (審査論文)	Shohei Ohta, Osamu Kojima, Takashi Kita and Toshiro Isu : Observation of quantum beat oscillations and ultrafast relaxation of excitons confined in GaAs thin films by controlling probe laser pulses, Journal of Applied Physics, Vol.111, 023505, 2012. [EdbClient \| EDB]
11)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takuto Ito, Manato Deki, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Oshima : Electrical conduction properties of SiC modified by femtosecond laser, Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.7, No.1, 16-20, 2012. [EdbClient \| EDB]
12)	2,011	学術論文 (審査論文)	Haruyoshi Katayama, Junpei Murooka, Masataka Naitoh, Tadashi Imai, Ryota Sato, Eichi Tomita, Munetaka Ueno, Hiroshi Murakami, Satoshi Kawasaki, Kunihiko Bito, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin and Iwao Hosako : Development of type II superlattice detector for future space applications at JAXA, Proceedings of SPIE, Vol.8353, 2012. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2011年度(平成23年度) / 学術レター

(なし)

2011年度(平成23年度) / 総説・解説

(なし)

2011年度(平成23年度) / 国際会議

1)	2,011	国際会議	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Tomoyasu Nakada, Masanobu Haraguchi, Michael Flockert, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface plasmon excitation by 2D-hexagonal plasmonic crystal, The 5th International Conference on Surface Plasmon Photonics (SPP5) 2011, Vol.MP-14, Busan, May 2011. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	国際会議	Flockert Michael, Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Tomoyasu Nakada, Masanobu Haraguchi, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : 2D-gap mode plasmonic crystal on photonic fiber end face, The 5th International Conference on Surface Plasmon Photonics (SPP5) 2011, Vol.TuP-126, Busan, May 2011. [EdbClient \| EDB]
3)	2,011	国際会議	Ken Morita, Toshikazu Takimoto, Shou Katoh, Fumiya Tanaka, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with polarization inverted structure fabricated by wafer-bonding method, The 38th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2011), No.P4.102, Berlin, Germany Maritim proArte Hotel, May 2011. [EdbClient \| EDB]
4)	2,011	国際会議	Tetsuya Suekane, T. Izumi and K. Okada : Capillary trapping of supercritical CO2 in porous media at the pore scale, 6th International Conference on Computational and Experimental Methods in Multiphase and Complex Flow, Kos, Jun. 2011. [EdbClient \| EDB]
5)	2,011	国際会議	Tetsuya Suekane : Mechanisms of capillary trapping of CO2 at pore scale, the 2nd International Environment Forum for CCS, Seoul, Jul. 2011. [EdbClient \| EDB]
6)	2,011	国際会議	Shimpei Tanabe, Yoshinori Nakagwa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Chirped grating coupler for surface plasmon polariton excitation fabricated by scanning probe microscope lithography, The 8th Asia-Pacific Workshop on Nanophotonics and Near-Field Optics( APNFO), Adelaide, Aug. 2011. [EdbClient \| EDB]
7)	2,011	国際会議	Hiroaki Suzuki, Masanobu Haraguchi, Toshiro Isu and Toshihiro Okamoto : Emission spectra from nano slit arrays on a LED electrode, The 8th Asia-Pacific Workshop on Nanophotonics and Near-Field Optics( APNFO), Adelaide, Aug. 2011. [EdbClient \| EDB]
8)	2,011	国際会議	Tetsuya Suekane and K. Okada : Pore scale imaging of supercritical CO2 trapped by capillarity in porous media, 4th International Workshop on Process Tomography, Chenghu, Sep. 2011. [EdbClient \| EDB]
9)	2,011	国際会議	Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz radiation from a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity by ultrashort laser pulse excitation, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), No.I-4-2, Nagoya, Sep. 2011. [EdbClient \| EDB]
10)	2,011	国際会議	Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), No.I-5-1, Nagoya, Sep. 2011. [EdbClient \| EDB]
11)	2,011	国際会議	N. Zhou, Tetsuya Suekane, T. Hosokawa, H.T. Nguyen and Q.W. Wang : Capillary trapping of carbon dioxide storage in geological formations, 2011 International Workshop on Heat Transfer Advances for Energy Conservation and Pollution Control, Xi'an, Oct. 2011. [EdbClient \| EDB]
12)	2,011	国際会議	Setiawan Arief, H. Nomura and Tetsuya Suekane : Pore-scale trapping mechanisms of oil in porous medium, 2011 International Workshop on Heat Transfer Advances for Energy Conservation and Pollution Control, Xi'an, Oct. 2011. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 国内講演発表

1)	2,011	国内講演発表	鈴木裕旭, 原口雅宣, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : 金属膜上の多重スリットによるLED光取り出し制御, LED総合フォーラム論文集, 77-78, 2011年6月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	国内講演発表	Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Optical properties of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers for an all-optical switch with a multilayer cavity structure, 第30回電子材料シンホシウム(EMS-30), No.Th1-8, 2011年6月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,011	国内講演発表	Syo Katoh, Toshikazu Takimoto, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Terahertz Difference-frequency Generation of two cavity modes in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, 第30回電子材料シンホシウム(EMS-30), No.Th1-17, 2011年6月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,011	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 遠藤善紀, 井須俊郎, 四宮源市 : 二次元六方プラズモン結合器の励起光波長依存性, 応用物理学会中国四国支部 2011年度支部学術講演会, No.Bp2-3, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,011	国内講演発表	遠藤善紀, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 田邉新平, 井須俊郎, 四宮源市 : ツインリッジプラズモン導波路の作製と評価, 応用物理学会中国四国支部 2011年度支部学術講演会, No.Bp2-4, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,011	国内講演発表	安長千徳, 上山日向, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜三結合共振器構造を用いた四光波混合による波長変換素子, 2011年度応用物理学会中国四国支部学術講演会, No.Bp2-1, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,011	国内講演発表	張ミン, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/Air 微小光共振器構造の選択エッチングによる作製, 2011年度応用物理学会中国四国支部学術講演会, No.Ea2-4, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,011	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源一 : 表面プラズモンポラリトン広角励起用チャープグレーティングの作製, 第72回応用物理学会学術講演会, Vol.30p-P13-24, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,011	国内講演発表	伊藤拓人, 出来真斗, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : フェムト秒レーザー照射によるSiC改質部の局所電気伝導度の照射偏光依存性Ⅱ, 第72回応用物理学会学術講演会, 04-236, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,011	国内講演発表	北田貴弘, 滝本隼主, 加藤翔, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlAs結合共振器に生じる非線形分極とテラヘルツ帯差周波発生, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31a-F-6, 04-135, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,011	国内講演発表	森田健, 加藤翔, 滝本隼主, 田中文也, 中河義典, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs結合共振器における二つの共振器モードを利用したテラヘルツ帯差周波発生, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31a-F-7, 04-136, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,011	国内講演発表	滝本隼主, 加藤翔, 田中文也, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs多層膜結合共振器のテラヘルツ帯差周波発生の分極反転効果, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-6, 14-037, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,011	国内講演発表	張ミン, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 超高速光スイッチに向けたGaAs/Air 共振器構造の作製, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-5, 14-036, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,011	国内講演発表	安長千徳, 上山日向, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 波長変換機能を実現するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器中の非線形分極, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-4, 14-035, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,011	国内講演発表	小島磨, 山下太香恵, 喜多隆, 井須俊郎 : GaAs薄膜中の光電場に対する局所場の効果, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-3, 14-034, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,011	国内講演発表	上山日向, 高橋朋也, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器の作製と光学特性, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1a-ZA-15, 15-108, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,011	国内講演発表	加藤翔, 滝本隼主, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造におけるテラヘルツ帯差周波信号の励起偏光方向依存性, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-ZN-4, 05-073, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,011	国内講演発表	大田翔平, 小島磨, 喜多隆, 井須俊郎 : 非共鳴励起下における励起子ポラリトンと光電場の結合, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-K-9, 14-071, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,011	国内講演発表	奥野正士, 清田正徳, 末包哲也 : らせん管型吸収器の水蒸気吸収性能について, 日本機械学会2011年度年次大会講演論文集(CD), 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,011	国内講演発表	五井恵太, 小島磨, 喜多隆, 井須俊郎 : GaAs薄膜における励起子状態の光制御に対する入射光エネルギー依存性, 2011年秋季大会日本物理学会, No.21aRB-9, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,011	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 森田健 : 半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ波発生素子, 学振第182委員会第11回研究会 (テラヘルツ波科学技術と産業開拓委員会), 2011年10月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,011	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 遠藤善紀, 井須俊郎, 四宮源市 : 楕円型回折格子による表面プラズモンポラリトン励起, 日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2011, No.29aE2, 2011年11月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,011	国内講演発表	遠藤善紀, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 田邉新平, 井須俊郎, 四宮源市 : 交差回折格子結合器によるSPP の二色性励起, 日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2011, No.29aE3, 2011年11月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,011	国内講演発表	井須俊郎 : 半導体ナノ構造による新規光デバイスの創製, 精密工学会知能メカトロニクス専門委員会研究会, Vol.16, No.3, 13, 2012年1月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,011	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 森田健, 中河義典 : GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子, (社)レ-ザー学会学術講演会第32回年次大会, No.F-431pIV01, 169, 2012年1月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,011	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 森田健 : 半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ波発生, 第7回宇宙用高感度赤外センサ研究会, 2012年2月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,011	国内講演発表	森田健, 上山日向, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による超高速全光スイッチ, 光エレクトロニクス研究会(OPE), Vol.111, No.448-449, 31-34, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,011	国内講演発表	伊藤拓人, 大西諒, 出来真斗, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : フェムト秒レーザー照射による表面及び内部におけるSiC 改質部の電気伝導特性, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 04-283, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,011	国内講演発表	上山日向, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを1層有するGaAs/AlAs多層膜共振器のMBE成長, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.16p-A8-8, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
30)	2,011	国内講演発表	北田貴弘, 滝本隼主, 加藤翔, 森田健, 井須俊郎 : 超短パルス光照射によるGaAs/AlAs結合共振器からのテラヘル帯差周波発生とそのシミュレーション, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.16p-GP6-10, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
31)	2,011	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : 表面プラズモンポラリトン広範励起用チャープグレーティングの作製, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.16p-GP1-20, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
32)	2,011	国内講演発表	上山日向, 安長千徳, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜共振器の四光波混合信号測定, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.17a-E1-7, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
33)	2,011	国内講演発表	森田健, 滝本隼主, 加藤翔, 中河義典, 北田貴弘, 井須俊郎 : 分極反転したGaAs/AlAs結合共振器によるテラヘルツ帯差周波発生, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.18a-E8-11, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 作品等

(なし)

2011年度(平成23年度) / その他・研究会

1)	2,011	その他・研究会	井須俊郎 : テラヘルツLEDの実現を目指して, 第10回徳島大学研究者との集い(産学連携講演会), 2011年11月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	その他・研究会	井須俊郎 : 半導体ナノ構造を使った新しい光デバイス技術開発∼未開拓の光発生素子を目指して∼, LED・エネルギー市民フォーラム, 2011年12月. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 報告書

(なし)

2012年度(平成24年度)

article.{@.date="20120400 20130399" @.organization=\E{140116}}

2012年度(平成24年度) / 著書

(なし)

2012年度(平成24年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,012	学術論文 (審査論文)	Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/AlAs Multilayer Cavity with Er-Doped InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Barriers for Ultrafast All-Optical Switches, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.4, 04DG06, 2012. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	学術論文 (審査論文)	Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz Radiation from a (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity by Ultrashort Laser Pulse Excitation, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.4, 04DG05, 2012. [EdbClient \| EDB]
3)	2,012	学術論文 (審査論文)	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton grating coupler on the Ti diffused LiNbO3 channel waveguide, World Academy of Science, Engineering and Technology, Vol.71, 798-807, 2012. [EdbClient \| EDB]
4)	2,012	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Hyuga Ueyama, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG04, 2013. [EdbClient \| EDB]
5)	2,012	学術論文 (審査論文)	Hidetada Komatsu, Zhao Zhang, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/Air Multilayer Cavity for a Planar-Type Nonlinear Optical Device, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG06, 2013. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2012年度(平成24年度) / 学術レター

(なし)

2012年度(平成24年度) / 総説・解説

(なし)

2012年度(平成24年度) / 国際会議

1)	2,012	国際会議	Ken Morita, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz radiation using a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter, Nanostructured and Molecular Materials(EXCON2012), Vol.P073, Groningen, the Netherlands, Jul. 2012. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	国際会議	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Toshihiro Okamoto, Masanobu Haraguchi, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton Grating Coupler on Piezoelectric Material Bonded with Conductive Si (100) Substrate, Abstract of the 12-th international Conference on Near-field Optics nanophotonics and Related Techniques (NFO-12), 110, DONOSTIA-SAN SEBASTIAN, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
3)	2,012	国際会議	Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu : Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), No.TuP-53, Nara, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
4)	2,012	国際会議	Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strongly enhanced four-wave mixing signal from GaAs/AlAs cavity with InAs QDs embedded in strain-relaxed barriers, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.A-3-2, Kyoto, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
5)	2,012	国際会議	Hidetada Komatsu, Zhao Zhang, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/Air multilayer cavity for a planar-type non-linear optical device, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.PS-7-19, Kyoto, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
6)	2,012	国際会議	Ken Morita, Hyuga Ueyama, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast alloptical switches, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.A-6-4, Kyoto, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
7)	2,012	国際会議	S Katoh, Y Yasunaga, Y Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs barriers on (113)B GaAs substrates, International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.P2-084, Brisbane,Austraria, Oct. 2012. [EdbClient \| EDB]
8)	2,012	国際会議	Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Four-wave mixing signal measurements of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs QDs embedded in strain-relaxed barriers, International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.P2-105, Brisbane,Austraria, Oct. 2012. [EdbClient \| EDB]
9)	2,012	国際会議	Takahiro Kitada, Ken Morita and Toshiro Isu : Novel semiconductor quantum dots for ultrafast nonlinear optical devices, International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.4C-IL-6, Brisbane,Austraria, Oct. 2012. [EdbClient \| EDB]
10)	2,012	国際会議	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton grating coupler on the Ti diffused LiNbO3 channel waveguide, ICNOP 2012 : International Conference on Nanotechnology, Optoelectronics and Photonics, Venice, Nov. 2012. [EdbClient \| EDB]
11)	2,012	国際会議	Takahiro Kitada, Ken Morita and Toshiro Isu : Molecular Beam Epitaxy of InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Ultrafast Nonlinear Optical Devices, Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG), No.A7, Orland, Florida, USA, Dec. 2012. [EdbClient \| EDB]
12)	2,012	国際会議	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Toshihiro Okamoto, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Fabrication and optical evaluation of 1D and 2D photonic metamaterial crystal, Photonics Global Conference 2012, Vol.c12a512, Singapore, Dec. 2012. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 国内講演発表

1)	2,012	国内講演発表	H Komatsu, Z Zhang, Y Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : A GaAs/Air multilayer cavity for a planar-type non-linear optical devise GaA/Air, 第31回電子材料シンポジウム(EMS-31), No.Fr1-8, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	国内講演発表	Y Yasunaga, H Ueyama, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Strongly enhanced four-wave mixing signal from GaAs/AlAs cavity, 第31回電子材料シンポジウム(EMS-31), No.Fr1-9, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,012	国内講演発表	安長千徳, 上山日向, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドット共振器による四光波混合信号の増強, 応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Cp-4, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,012	国内講演発表	小松秀士, 張ミン, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜光共振器の反射率スペクトル測定, 応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Cp-3, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,012	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 楠瀬健, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : Ti 拡散LiNbO3 リッジ導波路上への表面プラズモンポラリトン励起用回折格子の作製, 応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Aa-8, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,012	国内講演発表	北田貴弘 : 新規な非線形光学デバイスを目指した半導体ナノ構造のMBE成長, 和歌山大学-徳島大学光・ナノテクノロジー研究会, 2012年8月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,012	国内講演発表	森田健 : 半導体結合共振器による面型テラヘルツ波発生素子, 和歌山大学-徳島大学光・ナノテクノロジー研究会, 2012年8月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,012	国内講演発表	北田貴弘, 上山日向, 森田健, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs 量子ドットにおける超高速キャリア緩和の励起波長依存性, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.11p-F1-1, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,012	国内講演発表	森田健, 北田貴弘, 赤羽浩一, 井須俊郎 : 通信波長帯多重積層InAs 量子ドット中のスピン緩和, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.11p-F1-2, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,012	国内講演発表	安長千徳, 上山日向, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 波長変換機能を実現するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号の時間分解測定, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12a-F1-2, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,012	国内講演発表	加藤翔, 安長千徳, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B GaAs基板上に作製した歪緩和In0.45Ga0.55Asバリア層に埋め込んだInAs量子ドット, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12a-J-9, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,012	国内講演発表	富田卓朗, 尾崎信彦, 菅野智士, 江山剛史, 高吉翔大, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlGaAs多重量子井戸におけるフェムト秒レーザーアブレーション, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12p-PA4-6, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,012	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : 単結晶ダイヤモンド基板上に作製された表面プラズモンポラリトン励起用回折格子型結合器の特性評価, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.13a-PA4-5, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,012	国内講演発表	鈴木裕旭, 原口雅宣, 岡本敏弘, 北田貴弘, 井須俊郎 : LED の金属電極部に形成した回折格子構造による発光制御, 日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2012 講演予稿集, No.24pE3, 2012年10月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,012	国内講演発表	森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, No.ED2012-96, 17-21, 2012年12月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,012	国内講演発表	北田貴弘, 原山千穂, 森田健, 井須俊郎 : InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 結合共振器による二波長面発光レーザの室温光励起発振, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, No.28a-G20-8, 2013年3月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,012	国内講演発表	井須俊郎 : 超高速非線形光学デバイスと応用電子物性分科会, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, No.28p-G14-5, 2013年3月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,012	国内講演発表	小松秀士, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造の反射率面内分布, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, No.30a-G20-12, 2013年3月. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 作品等

(なし)

2012年度(平成24年度) / その他・研究会

(なし)

2012年度(平成24年度) / 報告書

(なし)

2013年度(平成25年度)

article.{@.date="20130400 20140399" @.organization=\E{140116}}

2013年度(平成25年度) / 著書

(なし)

2013年度(平成25年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,013	学術論文 (審査論文)	Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strongly Enhanced Four-Wave Mixing Signal from GaAs/AlAs Cavity with InAs Quanynm Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG09, 2013. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	学術論文 (審査論文)	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Toshihiro Okamoto, Masanobu Haraguchi, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Fabrication and evaluation of photonic metamaterial crystal, Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.112, 613-619, 2013. [EdbClient \| EDB]
3)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Terahertz Waveforms Generated by Second-Order Nonlinear Polarization in GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities Using Ultrashort Laser Pulses, IEEE Photonics Journal, Vol.5, No.3, 6500308, 2013. [EdbClient \| EDB]
4)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Terahertz emission from a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with nonlinear optical susceptibility inversion, Applied Physics Letters, Vol.102, No.25, 251118, 2013. [EdbClient \| EDB]
5)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu : Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, Journal of Crystal Growth, Vol.378, 485-488, 2013. [EdbClient \| EDB]
6)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Wavelength conversion via four-wave mixing in a triple-coupled multilayer cavity, Applied Physics Letters, Vol.103, No.10, 101109, 2013. [EdbClient \| EDB]
7)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Chiho Harayama, Ken Morita and Toshiro Isu : Two-color lasing in a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots by optical pumping, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.10, No.11, 1434-1437, 2013. [EdbClient \| EDB]
8)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.4S, 04EG03, 2014. [EdbClient \| EDB]
9)	2,013	学術論文 (審査論文)	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Wafer-bonded coupled multilayer cavity with InAs quantum dots for two-color emission, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.4S, 04EG11, 2014. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2013年度(平成25年度) / 学術レター

(なし)

2013年度(平成25年度) / 総説・解説

(なし)

2013年度(平成25年度) / 国際会議

1)	2,013	国際会議	Takahiro Kitada, Chiho Harayama, Ken Morita and Toshiro Isu : Two-Color Lasing in a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots by Optical Pumping, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), No.TuC1-5, Kobe Convention Center, Kobe, Japan, May 2013. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	国際会議	Haruyoshi Katayama, Junpei Murooka, Ryota Sato, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin and Iwao Hosako : Development of Type II Superlattice Detector for Future Space Applications in JAXA, CLEO-PR & OECC/PS 2013, No.TuC1-3, Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, Jul. 2013. [EdbClient \| EDB]
3)	2,013	国際会議	Hiroaki Suzuki, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Kohji Oshodani, Toshiro Isu and Masuo Fukui : Emission from metal slit array on Laser Diode electrode through evanescent field scattering process, The 9th Asia-Pacific Conference on Near-field Optics (APNFO2013), 132, Singapore, Jul. 2013. [EdbClient \| EDB]
4)	2,013	国際会議	Hiroaki Suzuki, Kohji Oshodani, Masanobu Haraguchi, Masuo Fukui, Toshiro Isu and Toshihiro Okamoto : The light extraction control of the semiconduct or light-emitting devices using plasmonic structure, Asia Student Photonics Conference 2013 (ASPC2013), No.P-40, 70, Osaka, Jul. 2013. [EdbClient \| EDB]
5)	2,013	国際会議	Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), No.K-5-3, Fukuoka, Sep. 2013. [EdbClient \| EDB]
6)	2,013	国際会議	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity by Wafer-Bonding for Two-Color Emission Devices, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), No.K-4-4, Fukuoka, Sep. 2013. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 国内講演発表

1)	2,013	国内講演発表	Hidetada Komatsu, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Clear observation of cavity mode of GaAs/air multilayer structure, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-3, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	国内講演発表	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Two-color lasing from wafer-bonded GaAs/AlAs coupled multilayer cavity by optical pumping, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-4, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,013	国内講演発表	Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Terahertz emission from a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with self-assembled InAs quantum dots, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-8, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,013	国内講演発表	Sho Katoh, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Optical properties of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs barriers on (113)B GaAs substrate, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.Fr1-3, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,013	国内講演発表	盧翔孟, M Koyama, Y Izumi, S Adachi, S Muto : Scaling behavior of InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.Fr1-5, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,013	国内講演発表	北田貴弘, 盧翔孟, 井須俊郎 : 量子ドット結合共振器による二波長レーザ∼新しいテラヘルツ光源を目指して, 第2回和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会, 2013年8月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,013	国内講演発表	盧翔孟, Satoru Adachi, Shunichi Muto : Scaling Behavior of InAlAs/AlGaAs QDs Grown on GaAs by MBE, 第2回和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会, 2013年8月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,013	国内講演発表	鈴木裕旭, 大正谷皓司, 原口雅宣, 井須俊郎, 福井萬壽夫, 岡本敏弘 : プラズモニック構造による半導体発光デバイスの光取り出し制御, 第74回応用物理学会秋期学術講演会, No.17a-P12-14, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,013	国内講演発表	大柄根斉宣, 加藤翔, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-D6-13, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,013	国内講演発表	原山千穂, 加藤翔, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器のウエハ直接結合による作製と光学特性評価, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-D6-14, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,013	国内講演発表	小松秀士, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 微小開口部アレイからの選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19a-D6-4, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,013	国内講演発表	北田貴弘, 安長千徳, 中河義典, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlAs三結合共振器への波長帯域制限したパルス光照射による四光波混合信号光のスペクトル形状, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19a-D6-3, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,013	国内講演発表	山内諒, 盧翔孟, 小山正孝, 笹倉弘理, 武藤俊一 : 2種類の拡散原子を有する量子ドット成長モデルでのスケール関数, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19p-D3-11, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,013	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 森田健, 盧翔孟, 中河義典 : 半導体多層膜結合共振器構造の非線形光学応答とそのデバイス応用, 第9回量子ナノ材料セミナー, 2013年11月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,013	国内講演発表	原口雅宣, 鈴木裕旭, 大正谷浩司, 井須俊郎, 岡本敏弘, 福井萬壽夫 : プラズモン利用による発光デバイスの光取り出し制御, レーザー学会学術講演会第34回年次大会, No.22a I-3, 2014年1月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,013	国内講演発表	北田貴弘, 加藤翔, 原山千穂, 大柄根斉宣, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 結合共振器によるテラヘルツ波発生への膜厚不均一の影響, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-2, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,013	国内講演発表	大柄根斉宣, 安長千徳, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 超高速波長変換素子に向けたInAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の作製, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-3, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,013	国内講演発表	原山千穂, 加藤翔, 中河義典, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器による等強度の二波長発振, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-4, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,013	国内講演発表	盧翔孟, 松原修三, 中河義典, 北田貴弘, 井須俊郎 : 分子線エピタキシーによる(001)と(113)B GaAs基板上に成長したInAs量子ドットのフォトルミネッセンスに与えるAlAsキャップの影響, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.18a-E15-1, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,013	国内講演発表	森田健, 小田達也, 石谷善博, 北田貴弘, 井須俊郎 : 通信波長帯InGaAs量子井戸中のスピン緩和, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.18a-E15-3, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 作品等

(なし)

2013年度(平成25年度) / その他・研究会

2,013

その他・研究会

鈴木裕旭, 原口雅宣, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : 半導体レーザの金属電極多重スリットによるレーザ光取出し制御, LED総合フォーラム2013 in 徳島論文集, 57-58, 2013年4月. [EdbClient | EDB]

2013年度(平成25年度) / 報告書

(なし)

2014年度(平成26年度)

article.{@.date="20140400 20150399" @.organization=\E{140116}}

2014年度(平成26年度) / 著書

(なし)

2014年度(平成26年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,014	学術論文 (審査論文)	Haruyoshi Katayama, Michito Sakai, Junpei Murooka, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin, Iwao Hosako and Yasuhiro Iguchi : Development Status of Type II Superlattice Infrared Detector in JAXA, Sensors and Materials, Vol.26, No.4, 225-234, 2014. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	学術論文 (審査論文)	Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Four-wave mixing in GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 04DG05, 2015. [EdbClient \| EDB]
3)	2,014	学術論文 (審査論文)	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effect of cavity-layer thicknesses on two-color emission in coupled multilayer cavities with InAs quantum dots, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 04DG10, 2015. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2014年度(平成26年度) / 学術レター

(なし)

2014年度(平成26年度) / 総説・解説

(なし)

2014年度(平成26年度) / 国際会議

1)	2,014	国際会議	R Yamauchi, Xiangmeng Lu, M Koyama, H Sasakura, Y Nakata and S Muto : Volume distribution by quantum dot growth model with 2 kinds of diffusion atoms, 8th International Conference on Quantum Dots (QD 2014), No.M141, Pisa, Italy, May 2014. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	国際会議	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effect of non-equivalent cavities on two-color lasing in a GaAs/AlAs coulpled multilayer cavity with InAs quantum dots, The 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014), No.P57, Montpellier, France, May 2014. [EdbClient \| EDB]
3)	2,014	国際会議	Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Enhanced photoluminescence form InAs quantum dots with a thin AlAs cap layer grown on (100) and (311)B GaAs substrate, The 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014), No.Tu-B3-4, Montpellier, France, May 2014. [EdbClient \| EDB]
4)	2,014	国際会議	Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap, The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014), No.TuA2-5, Flagstaff, Arizona, Sep. 2014. [EdbClient \| EDB]
5)	2,014	国際会議	Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz Emission from a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots, The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014), No.TuA2-2, Flagstaff, Arizona, Sep. 2014. [EdbClient \| EDB]
6)	2,014	国際会議	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effect of Cavity-Layer Thicknesses on Two-Color Lasing in a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), No.B-3-3, Tsukuba, Sep. 2014. [EdbClient \| EDB]
7)	2,014	国際会議	Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for an ultrafast wavelength conversion device via the four-wave-mixing, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), No.PS-7-7, Tsukuba, Sep. 2014. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 国内講演発表

1)	2,014	国内講演発表	盧翔孟, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, 北田貴弘, 井須俊郎 : Reduced wetting layer and enhanced photoluminescence of InAs quantum dots with AlAs cap grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Th2-14, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	国内講演発表	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 北田貴弘, 井須俊郎 : Effect of thickness difference between two cavity layers on two-color lasing in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with InAs quantum dots, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-16, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,014	国内講演発表	Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for novel ultrafast wavelength conversion devices, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-15, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,014	国内講演発表	Keisuke Murakumo, Hidetada Komatsu, Yoshinori Nakagawa, 北田貴弘, 井須俊郎 : Fabrication of a cavity structure with an air layer by selective etching and wafer-bonding, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-11, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,014	国内講演発表	盧翔孟, 川口晃弘, 中河義典, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : Effects of AlAs cap and InGaAs Layer on optical property of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy, 2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Da-1, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,014	国内講演発表	原山千穂, 上原敏弘, 中河義典, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製, 2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Da-2, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,014	国内講演発表	村雲圭佑, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪柔和InGaAs層に埋め込んだErドープInAsQDsの内面光伝導特性, 2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Da-3, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,014	国内講演発表	大正谷皓司, 村中隆二, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : LED 表面の金属電極に設けたマルチスリットによる光取り出し特性, 2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Ea-4, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,014	国内講演発表	熊谷直人, 村雲圭佑, 北田貴弘, 井須俊郎 : 超高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光伝導, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18a-A27-6, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,014	国内講演発表	村雲圭佑, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs/InGaAs量子ドット積層構造の面内光伝導特性の異方性, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A20-13, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,014	国内講演発表	盧翔孟, 川口晃弘, 中河義典, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : AlAsキャップ付InAs量子ドットのフォトルミネツセンスに対するInGaAs層の影響, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A20-16, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,014	国内講演発表	北田貴弘, 原山千穂, 太田寛人, 前川知久, 高田博文, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : MBE成長とウエハ接合により作製したpn接合を含む量子ドット結合共振器, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-2, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,014	国内講演発表	大柄根斉宣, 安長千徳, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号測定, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-3, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,014	国内講演発表	原山千穂, 上原敏弘, 中河義典, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドットを含むGaAs/AlGaAs結合共振器の電流注入による二波長発光, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-4, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,014	国内講演発表	森田健, Ryota Kurosawa, Tatsuya Oda, Yoshihiro Ishitani, 北田貴弘, 井須俊郎 : Room temperature spin relaxation in InGaAs quantum wells, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.19P-S2-11, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,014	国内講演発表	北田貴弘, 井須俊郎, 森田健 : ウエハ接合による結合共振器の作製とテラヘルツ波発生素子への応用, 第5回集積光デバイス技術研究会(IPDA), 2014年12月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,014	国内講演発表	北田貴弘, 原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : 二波長面発光レーザーによるテラヘルツ波発生, レーザー学会第472回研究会, 2014年12月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,014	国内講演発表	原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 結合共振器構造による二波長面発光とテラヘルツ波発光素子, 電子情報通信学会研究会(レーザ・量子エレクトロニクス研究会LQE), Vol.48, 2015年1月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,014	国内講演発表	盧翔孟, 川口晃弘, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B GaAs基板上に成長した量子ドットのPLの温度依存性, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.11a-A10-9, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,014	国内講演発表	熊谷直人, 村雲圭佑, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドット積層構造の面内光伝導キャリアの移動度, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.11a-A10-10, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,014	国内講演発表	北田貴弘, 原山千穂, 太田寛人, 前川知久, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : ウエハ接合界面での光損失を低減した量子ドット結合共振器の作製, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12a-A10-9, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,014	国内講演発表	大柄根斉宣, 高本俊昭, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生 (II), 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A14-4, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,014	国内講演発表	村雲圭佑, 山岡裕也, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 量子ドット光伝導スイッチのメサ加工による暗電流の抑制, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A14-12, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,014	国内講演発表	原山千穂, 太田寛人, 前川知久, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A17-8, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,014	国内講演発表	大正谷皓司, 村中隆二, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : 金属マルチスリットを組み合わせたLED 構造による表面プラズモンポラリトン発生素子の検討, 第62回応用物理学会春季学術講演会, No.13p-P3-18, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 作品等

(なし)

2014年度(平成26年度) / その他・研究会

1)	2,014	その他・研究会	北田貴弘, 原山千穂, 森田健, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : テラヘルツLED, LED総合フォーラム2014-2015, 2015年1月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	その他・研究会	井須俊郎 : 半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ光発生素子, 神戸大学フォトニック材料学セミナー, 2015年1月. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 報告書

(なし)

2015年度(平成27年度)

article.{@.date="20150400 20160399" @.organization=\E{140116}}

2015年度(平成27年度) / 著書

(なし)

2015年度(平成27年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,015	学術論文 (審査論文)	Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap, Journal of Crystal Growth, Vol.425, 106-109, 2015. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	学術論文 (審査論文)	Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz emission from a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots, Journal of Crystal Growth, Vol.425, 303-306, 2015. [EdbClient \| EDB]
3)	2,015	学術論文 (審査論文)	Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication of two-color surface emitting device of a coupled cavity structure with InAs QDs formed by wafer-bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.4S, 04EH09, 2016. [EdbClient \| EDB]
4)	2,015	学術論文 (審査論文)	Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Photoconductivity of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs layers with 1.5mm cw and pulse excitation, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.4S, 04EH12, 2016. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2015年度(平成27年度) / 学術レター

(なし)

2015年度(平成27年度) / 総説・解説

(なし)

2015年度(平成27年度) / 国際会議

1)	2,015	国際会議	Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Temperature Dependence Photoluminescence From InAs Quantum Dots With AlAs Cap Grown on (311)B and (100) GaAs Substrate, The 42th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2015), No.Mo3GN1.5, Santa Barbara, CA USA, Jun. 2015. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	国際会議	Keisuke Murakumo, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : In-plane photoconductivity of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs layer, The 42th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2015), No.Mo3GN1.2, Santa Barbara, CA USA, Jun. 2015. [EdbClient \| EDB]
3)	2,015	国際会議	Naoto Kumagai, Keisuke Murakumo, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Mobility of in-plane photocurrent of stacked InAs QDs layers in strain-relaxed InGaAs matrix, 17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Mo-PM-14, Sendai, Jul. 2015. [EdbClient \| EDB]
4)	2,015	国際会議	Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Investigation of Carriers Thermal Transfer in Self-asssembled Quantum Dots Grown on (311)B GaAs by Temperature Dependence Photoluminescence, 17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Th-PM-13, Sendai, Jul. 2015. [EdbClient \| EDB]
5)	2,015	国際会議	Shunicni Muto, Ryo Yamauchi, Osamu Muramatsu, Xiangmeng Lu, Masataka Koyama, Yoshiaki Nakata and Hirotaka Sasakura : 2D Islands by growth model with 2 kinds of diffusive atoms, 17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Th-PM-3, Sendai, Jul. 2015. [EdbClient \| EDB]
6)	2,015	国際会議	Takahiro Kitada, Masanori Ogarane, Toshiaki Takamoto, Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Ken Morita and Toshiro Isu : Enhancement of Terahertz Emission from GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities by InAs Quantum Dots on (113)B-Oriented Substrates, The Second International Symposium on Frontiers in THz Technology (FTT2015), No.Pos1.24, Hamamatsu, Aug. 2015. [EdbClient \| EDB]
7)	2,015	国際会議	Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Photoconductivity with 1.55 m excitation of InAs QDs embedded in InGaAs barriers on GaAs substrate, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), No.PS-7-9, Sapporo, Sep. 2015. [EdbClient \| EDB]
8)	2,015	国際会議	Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication of Two-Color Surface Emitting Device of a Coupled Cavity Structure with InAs QDs Formed by Wafer-Bonding, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), No.A-7-6, Sapporo, Sep. 2015. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 国内講演発表

1)	2,015	国内講演発表	盧翔孟, Akihiro Kawaguchi, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : Temperature dependence photoluminescence of quantum dots grown on (311)B GaAs by molecular beam epitaxy, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th2-5, 2015年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	国内講演発表	Keisuke Murakumo, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : In-plane photoconductivity of InAs QDs layers embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-10, 2015年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,015	国内講演発表	Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : Fabrication of Two-Color Surface Emitting Laser of a Coupled Cavity Structure Formed by Wafer-Bonding, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-12, 2015年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,015	国内講演発表	Tomohisa Maekawa, Chiho Harayama, Hiroto Ota, 北田貴弘, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : Two-color emission from coupled cavity structure including InAs QDs formed by wafer bonding, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-13, 2015年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 原山千穂, 前川知久, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光素子の発光特性, 2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Ca-2, 2015年8月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,015	国内講演発表	村中隆二, 大正谷皓司, 岡本敏弘, 原口雅宣, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : 金属電極に作製したマルチスリット構造によるLED取り出し光の集光特性に関する研究, 2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Ap-9, 2015年8月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,015	国内講演発表	熊谷直人, 村雲圭佑, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : テラヘルツ波検出に向けた量子ドット層の面内光伝導特性評価, 第3回光・ナノテクノロジー研究会和歌山大・徳島大合同, 2015年8月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : テラヘルツLEDのための二波長面発光レーザの作製, 第3回光・ナノテクノロジー研究会和歌山大・徳島大合同, 2015年8月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,015	国内講演発表	井須俊郎, 太田寛人, 原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘 : 半導体多層薄膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子, 2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会, Vol.CI-1-3, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,015	国内講演発表	盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : (001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果, 2015年度第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-2W-7, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,015	国内講演発表	熊谷直人, 太田寛人, 前川知久, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : 結合共振器を用いた二波長面発光レーザの発振スペクトル注入電流依存性, 2015年度第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.15p-2C-5, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 前川知久, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : InGaAs/GaAs 多重量子井戸構造を導入した結合共振器による二波長面発光レーザの発振特性, 2015年度第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.16a-2E-7, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,015	国内講演発表	村雲圭佑, 熊谷直人, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : 1.5・m パルス励起によるInAs 量子ドット光伝導アンテナ構造の光電流, 2015年度第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.16p-2J-11, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,015	国内講演発表	北田貴弘, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : 半導体多層膜結合共振器を用いた面型発光素子「テラヘルツLED」の開発, 応用物理学会・テラヘルツ電磁技術研究会第1回研究討論会/テラヘルツテクノロジーフォーラム第1回テラテク技術セミナー, 2015年10月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,015	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 熊谷直人, 盧翔孟 : 半導体ナノ構造による新規光デバイスの創製, 徳島大学&宇都宮大学光学連携講演会2015, 2015年10月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 半導体多層膜結合共振器を用いた二波長面発光レーザー, レーザー学会学術講演会第36回年次大会, 2016年1月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,015	国内講演発表	森田健, 奥村朗人, 石谷善博, 北田貴弘, 井須俊郎 : 時間分解ファラデー回転法によるInGaAs/InAlAs多重量子井戸における電子g因子測定, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.19p-W241-8, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,015	国内講演発表	熊谷直人, 村雲圭佑, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : Er ドープInAs 量子ドット層のキャリア緩和時間から評価した光電流周波数特性, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.20a-H135-8, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 西村信耶, 渡邊健吉, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : ウエハ接合により形成した結合共振器による二波長面発光レーザの特性, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.20p-S321-3, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,015	国内講演発表	盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 超高速波長変換素子に向けたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.21p-S621-2, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,015	国内講演発表	北田貴弘, 太田寛人, 原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : 結合共振器から生じる二波長レーザー光の時間的コヒーレンスの評価, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.21p-S621-6, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 作品等

(なし)

2015年度(平成27年度) / その他・研究会

1)	2,015	その他・研究会	北田貴弘, 太田寛人, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : テラヘルツLED, LED総合フォーラム2015, Vol.P-3, 2015年12月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	その他・研究会	村中隆二, 岡本敏弘, 井須俊郎, 原口雅宣 : 金属電極に作製したマルチスリット構造によるLED取り出し光の集光特性に関する研究, LED総合フォーラム2015in徳島論文集, 85-86, 2015年12月. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 報告書

(なし)