物性デバイス講座 (詳細)

期間: 2004.4〜2011.3

2004年度(平成16年度)

article.{@.date="20040400 20050399" @.organization=\E{148362}}

2004年度(平成16年度) / 著書

(なし)

2004年度(平成16年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,004	学術論文 (審査論文)	Kikuo Tominaga, Hidenori Fukumoto, Kumiko Kondo, Yukako Hayashi, Kei-ichiro Murai, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : Al-impurity-doped Transparent Conductive Oxide Films of In₂O₃-ZnO System, Vacuum, Vol.74, No.3-4, 683-687, 2004. [EdbClient \| EDB]
2)	2,004	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Yoshihiko Nakayama, Yoshitaka Hamada, Tetsuo Tanabe, Andreas Kirschner, Volker Philipps and Nobuaki Noda : Modeling of Material Mixing Effects on Plasma Surface Interactions in Magnetic Fusion Devices, Physica Scripta, Vol.T111, 138-144, 2004. [EdbClient \| EDB]
3)	2,004	学術論文 (審査論文)	Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Measurement of crystal orientation and residual stress in GaN film deposited by RF sputtering with powder target, Vacuum, Vol.74, No.3-4, 613-618, 2004. [EdbClient \| EDB]
4)	2,004	学術論文 (審査論文)	Tao Wang, J P Parbrook, N C Harrison, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Highly improved performance of a 350nm ultraviolet light-emitting diode containing Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN distributed Bragg reflectors, Journal of Crystal Growth, Vol.267, No.3-4, 583-587, 2004. [EdbClient \| EDB]
5)	2,004	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Tomohisa Shimada, Yoshio Ueda and Masahiro Nishikawa : Simulation Study of Dynamical Material Mixing on Tungsten Surfaces at Elevated Temperatures due to Hydrogen and Carbon Mixed Ion Beam Irradiation, Journal of Nuclear Materials, Vol.329-333, No.0, 737-741, 2004. [EdbClient \| EDB]
6)	2,004	学術論文 (審査論文)	Takenori Mitani, Retsuo Kawakami and Shuhei Kuriu : Simulation Study of Sputtering Erosion and Impurity Deposition on Carbon and Tungsten Surfaces Irradiated with Deuterium Plasmas Including Carbon Impurity, Journal of Nuclear Materials, Vol.329, No.329-333, 830-835, 2004. [EdbClient \| EDB]
7)	2,004	学術論文 (審査論文)	Yoshio Ueda, Takahisa Funabiki, Tomohisa Shimada, Retsuo Kawakami and Masahiro Nishikawa : Effects of Carbon Impurity in Fusion Plasmas on Erosion of RAF First Wall, Journal of Nuclear Materials, Vol.329-333, 771-774, 2004. [EdbClient \| EDB]
8)	2,004	学術論文 (審査論文)	Tomohisa Shimada, Takahisa Funabiki, Retsuo Kawakami, Yoshio Ueda and Masahiro Nishikawa : Carbon Behavior on Tungsten Surface after Carbon and Hydrogen Mixed Beam Irradiation, Journal of Nuclear Materials, Vol.329-333, No.0, 747-751, 2004. [EdbClient \| EDB]
9)	2,004	学術論文 (審査論文)	Kazuhito Tajima, Shigeru Nakamura, Furukawa A. and Sasaki T. : Hybrid-integrated Symmetric Mach-Zehnder all-optical switches and ultrafast signal processing, IEICE Transactions on Electronics, Vol.87, No.7, 1119-1125, 2004. [EdbClient \| EDB]
10)	2,004	学術論文 (審査論文)	Yu-Huai Liu, Hong-Dong Li, Jin-Ping Ao, Young-Bae Lee, Tao Wang and Shiro Sakai : Influence of undoped GaN layer thickness to the performance of AlGaN/GaN-based ultraviolet light-emitting diodes, Journal of Crystal Growth, Vol.268, No.1-2, 30-34, 2004. [EdbClient \| EDB]
11)	2,004	学術論文 (審査論文)	Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Noriyoshi Yamauchi : Effect of Substrate Temperature on Crystal Orientation and Residual Stress in Radio Frequency Sputtered Gallium-Nitride Films, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.22, No.4, 1587-1590, 2004. [EdbClient \| EDB]
12)	2,004	学術論文 (審査論文)	Toshihiro Moriga, Yukako Hayashi, Kumiko Kondo, Yusuke Nishimura, Kei-ichiro Murai, Ichiro Nakabayashi, Hidenori Fukumoto and Kikuo Tominaga : Transparent Conducting Amorphous Zn-Sn-O Films Deposited by Simultaneous DC Sputtering, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.22, No.4, 1705-1710, 2004. [EdbClient \| EDB]
13)	2,004	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya and Tohru Ishitani : Monte Carlo simulation of topographic contrast in scanning ion microscope, Journal of Electron Microscopy, Vol.53, No.3, 229-235, 2004. [EdbClient \| EDB]
14)	2,004	学術論文 (審査論文)	Fawang Yan, Masashi Tsukihara, Akihiro Nakamura, Takayuki Yadani, Tetsuya Fukumoto, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Surface smoothing mechanism of AlN film by initially alternating supply of ammonia, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.43, No.8B, L1057-L1059, 2004. [EdbClient \| EDB]
15)	2,004	学術論文 (審査論文)	Yoshitaka Hamada, Shinji Ebisu and Kaoru Ohya : Transition Behaviour between Erosion and Deposition on a Tungsten Surface Exposed to Deuterium Plasmas Containing Carbon Impurities, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.43, No.9A, 6385-6391, 2004. [EdbClient \| EDB]
16)	2,004	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Tetsuo Tanabe, Marek Rubel, Motoi Wada, Tadashi Ohgo, Takeshi Hirai, Volker Philipps, Andreas Kirschner, Albrecht Pospieszczyk, Alexander Huber, Genadij Sergienko, S. Brezinsek and Nobuaki Noda : Modeling of erosion and deposition patterns on C-W and W-Ta twin limiters exposed to the TEXTOR edge plasmas, Journal of Nuclear Materials, Vol.329-333, No.Part A, 732-736, 2004. [EdbClient \| EDB]
17)	2,004	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya and Tohru Ishitani : Monte Carlo study of secondary electron emission from SiO2 induced by focused gallium ion beams, Applied Surface Science, Vol.237, No.1-4, 602-606, 2004. [EdbClient \| EDB]
18)	2,004	学術論文 (審査論文)	Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Noriyoshi Yamauchi : Effect of substrate temperature on crystal orientation and residual stress in RF sputtered galium nitride films, Materials Science Forum, Vol.490-491, 613-618, 2005. [EdbClient \| EDB]
19)	2,004	学術論文 (審査論文)	Mitsuhiko Hataya, Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Kikuo Tominaga and Tatsuya Matsue : Residual stress measurement in sputtered copper thin films by synchrotron radiation and ordinary X-rays, Materials Science Forum, Vol.490-491, 661-668, 2005. [EdbClient \| EDB]
20)	2,004	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami : Simulation Study on Influence of Chemically Eroded Carbon Impurity Transport on Net Sputtering Erosion of Carbon Materials Exposed to Edge Fusion Plasmas, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.44, No.2, 1069-1075, 2005. [EdbClient \| EDB]

2004年度(平成16年度) / 学術論文 (紀要その他)

2,004

学術論文 (紀要その他)

森賀俊広, 林由佳子, 三河通男, 村井啓一郎, 富永喜久雄 : 第3世代透明導電性アモルファス薄膜の創製, 徳島大学工学部研究報告, No.50, 7-12, 2005年. [EdbClient | EDB]

2004年度(平成16年度) / 学術レター

1)	2,004	学術レター	Kazuhiro Nishizono, Masaya Okada, Minoru Kamei, Daigo Kikuta, Kikuo Tominaga, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Metal/Al-doped ZnO ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistor, Applied Physics Letters, Vol.84, No.20, 3996-3998, 2004. [EdbClient \| EDB]
2)	2,004	学術レター	Naotaka Kubota, Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta and Yasuo Ohno : Schottky Barrier Height Determination by Capacitance-Voltage Measurement on n-GaN with Exponential Doping Profile, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.43, No.7A, 4159-4160, 2004. [EdbClient \| EDB]
3)	2,004	学術レター	Tohru Ishitani and Kaoru Ohya : Comparative study of scanning ion microscope and scanning electron microscope images using Monte Carlo simulations, Microscopy and Microanalysis, Vol.10, No.Suppl 02, 140-141, 2004. [EdbClient \| EDB]

2004年度(平成16年度) / 総説・解説

2,004

総説・解説

川上烈生, 山上喜廣, 富永喜久雄, 服部敦美, 來山征士, 大野泰夫 : デジタル化・ネットワーク化時代の電気電子工学学生実験, 徳島大学高度情報化基盤センター「広報」, Vol.12, 57-60, 2005年2月. [EdbClient | EDB]

2004年度(平成16年度) / 国際会議

1)	2,004	国際会議	Retsuo Kawakami and Mitani Takenori : Simulation Study on Influence of Chemically Eroded Higher Hydrocarbons on SOL Impurity Transport and Effect of Dynamical Material Mixing on Erosion/Deposition of Tungsten Surfaces Exposed to Plasma Boundary, 16th International Conference on Plasma Surface interactions in Controlled Fusion Devices, P1-29, Portland Maine, U.S.A., May 2004. [EdbClient \| EDB]
2)	2,004	国際会議	Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Noriyoshi Yamauchi : Effect of Substrate Temperature on Crystal Orientation and Residual Stress in RF Sputtered Gallium Nitride Films, Proceedings of the 7th International Conference on Residual Stresses, 613-618, Xi'an, Jun. 2004. [EdbClient \| EDB]
3)	2,004	国際会議	Mitsuhiko Hataya, Takao Hanabusa, Kazuya Kusaka, Kikuo Tominaga, Tatsuya Matsue and Osami Sakata : Residual Stress Measurement in Sputtered Copper Thin Films by Synchrotron Radiation and Ordinary X-rays, Proceedings of the 7th International Conference on Residual Stresses, 661-666, Xi'an, Jun. 2004. [EdbClient \| EDB]
4)	2,004	国際会議	Daigo Kikuta, Ryohei Takaki, Junya Matsuda, Masaya Okada, Xin Wei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs, 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Sep. 2004. [EdbClient \| EDB]
5)	2,004	国際会議	Kaoru Ohya, Kensuke Inai and Ishitani Tohru : Reconstruction of pseudo secondary electron images in scanning ion microscope, 15th International Workshop on Inelastic Ion Surface Collisions, Mie, Japan, Oct. 2004. [EdbClient \| EDB]
6)	2,004	国際会議	Michio Mikawa, Toshihiro Moriga, Yuji Sakakibara, Yukinori Misaki, Kei-ichiro Murai, Ichiro Nakabayashi and Kikuo Tominaga : Preparation of ZnO-In₂O₃ transparent conducting films by pulsed laser depositon, 11th International Workshop on Oxide Electronics, Hakone, Oct. 2004. [EdbClient \| EDB]
7)	2,004	国際会議	Toshihiro Moriga, Michio Mikawa, Yuji Sakakibara, Yukinori Misaki, Kei-ichiro Murai, Ichiro Nakabayashi and Kikuo Tominaga : Effects of introduction of argon on structural and transparent conducting properties of ZnO-In₂O₃ thin films prepared by pulsed laser deposition, 11th International Workshop on Oxide Electronics, Hakone, Oct. 2004. [EdbClient \| EDB]
8)	2,004	国際会議	Retsuo Kawakami : Simulation Study on Effects of Chemically Eroded Methane and Ethylene Molecules on Carbon Impurity Transport and Net Erosion of Carbon Materials, Joint Meeting of 14th Internaitional Toki Conference on Plasma Physics and Controlled Nuclear Fusion & 4th International Conference on Atomic and Molecular Data and Their Application, 73, Toki, Oct. 2004. [EdbClient \| EDB]
9)	2,004	国際会議	Yukako Hayashi, Kumiko Kondo, Yusuke Nishimura, Hiroshi Suketa, Kei-ichiro Murai, Toshihiro Moriga, Ichiro Nakabayashi and Kikuo Tominaga : Characterizations of Transparent Conducting Amorphous ZnO-SnO₂ Films Deposited by Opposed Target Sputtering System, The 13th International Conference on Processing and Fabrication of Advanced Materials, Vol.1, 209-218, Singapore, Dec. 2004. [EdbClient \| EDB]

2004年度(平成16年度) / 国内講演発表

1)	2,004	国内講演発表	旗谷充彦, 野田和宏, 日下一也, 富永喜久雄, 英崇夫, 松英達也, 坂田修身 : ナノサイズCu薄膜の残留応力測定, 日本材料学会四国支部第5期総会·学術講演会講演論文集, 5-6, 2004年4月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,004	国内講演発表	高木亮平, 岡田政也, 菊田大悟, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETのサイドゲート効果における光の影響, 日本物理学会中四国支部，応用物理学会中四国支部，物理教育学会四国支部連絡協議会2004年度支部学術講演会, 2004年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,004	国内講演発表	林由佳子, 西村勇介, 助田祐志, 近藤久美子, 森賀俊広, 村井啓一郎, 中林一朗, 富永喜久雄 : ZnO-In₂O₃系アモルファス透明導電膜の評価, 第65回日本応用物理学会学術講演会, 2004年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,004	国内講演発表	岡田政也, 高木亮平, 菊田大悟, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET 電流電圧特性における光応答, 第65回応用物理学会学術講演会, 2004年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,004	国内講演発表	川上烈生 : SOLプラズマ中の炭素不純物輸送への高次炭化水素CxDyの寄与, 平成16年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 39, 2004年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,004	国内講演発表	上田良夫, 崎園大, 沢村功, 島田朋尚, 川上烈生, 西川雅弘 : タングステン第一壁上の炭素混合層の形成メカニズム, プラズマ核融合学会第20回年会講演論文集, 2004年11月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,004	国内講演発表	川上烈生 : プラズマ対向壁としての低放射化フェライト鋼F82Hの損耗特性, 平成17年電気学会全国大会講演論文集, 222, 2005年3月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,004	国内講演発表	山上喜廣, 川上烈生, 富永喜久雄, 岩崎聡一郎, 松田潤也 : 電気回路の過渡現象に関する創成型学生実験への取り組みとその教育効果, 平成17年電気学会全国大会講演論文集, 1, 2005年3月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,004	国内講演発表	富永喜久雄, 林由佳子, 森賀俊広, 中林一朗 : ZnO-SnO₂, ZnO-In₂O₃透明導電膜の作製と評価, 平成17年電気学会全国大会講演論文集, Vol.3, 3-S19(1)-3-S19(2), 2005年3月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,004	国内講演発表	西村勇介, 助田祐志, 林由佳子, 村井啓一郎, 森賀俊広, 中林一朗, 富永喜久雄 : ZnO-SnO₂系アモルファス透明導電膜へのAl，Gaドーピングの影響, 第52回応用物理学関連連合講演会, 2005年3月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,004	国内講演発表	高木亮平, 岡田政也, 菊田大悟, 敖金平, 大野泰夫 : 熱酸化によるAlGaN/GaN MIS-HFETゲート電流の低減, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年3月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,004	国内講演発表	岡田政也, 高木亮平, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい値電圧の温度及び光照射依存性, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年3月. [EdbClient \| EDB]

2004年度(平成16年度) / 作品等

(なし)

2004年度(平成16年度) / その他・研究会

(なし)

2004年度(平成16年度) / 報告書

2,004

報告書

川上烈生 : デタッチプラズマ照射下の炭素材から放出された炭素不純物の振舞いに関する研究, 平成16年度核融合科学研究所LHD数値解析システム利用共同研究報告書, 日本, 2005年3月. [EdbClient | EDB]

2005年度(平成17年度)

article.{@.date="20050400 20060399" @.organization=\E{148362}}

2005年度(平成17年度) / 著書

1)	2,005	著書	富永喜久雄 : (共著)脱ITOに向けた透明導電膜の低抵抗・低温・大面積製膜技術, 株式会社技術情報協会, 東京, 2005年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,005	著書	酒井士郎, 高橋清, 他 : ワイドギャップ半導体光・電子デバイス, 森北出版株式会社, 東京, 2006年2月. [EdbClient \| EDB]

2005年度(平成17年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,005	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Tetsuo Tanabe, Andreas Kirschner, Takeshi Hirai, Volker Philipps, Motoi Wada, Tadashi Ohgo and Nobuaki Noda : Dynamic transition between erosion and deposition on a tungsten surface exposed to edge plasmas containing carbon impurities, Journal of Nuclear Materials, Vol.337-339, 882-886, 2005. [EdbClient \| EDB]
2)	2,005	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami and Mitani Takenori : Simulation Study on Influence of Chemically Eroded Higher Hydrocarbons on SOL Impurity Transport and Effect of Dynamical Material Mixing on Erosion/Deposition of Tungsten Surfaces Exposed to Plasma Boundary, Journal of Nuclear Materials, Vol.337-339, 45-49, 2005. [EdbClient \| EDB]
3)	2,005	学術論文 (審査論文)	Tao Wang, G Raviprakash, F Ranalli, N C Harrison, Jie Bai, R J P David, J P Parbrook, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Effect of Strain Relaxation and Exciton Localization on Performance of 350-nm AlInGaN Quantum Light-Emitting Diodes, Journal of Applied Physics, Vol.97, No.8, 083104-1-083104-4, 2005. [EdbClient \| EDB]
4)	2,005	学術論文 (審査論文)	Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Evaluation of Surface States of AlGaN/GaN HFET Using Open-Gated Structure, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E88-C, No.4, 683-689, 2005. [EdbClient \| EDB]
5)	2,005	学術論文 (審査論文)	Daigo Kikuta, Ryohei Takaki, Junya Matsuda, Masaya Okada, Xin Wei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.44, No.4B, 2479-2482, 2005. [EdbClient \| EDB]
6)	2,005	学術論文 (審査論文)	Kikuo Tominaga, Hidenori Fukumoto, Kumiko Kondo, Yukako Hayashi, Kei-ichiro Murai, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : Amorphous Transparent Conductive Oxide Films of In₂O₃-ZnO with Additional Al₂O₃ Impurities, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.23, No.3, 401-407, 2005. [EdbClient \| EDB]
7)	2,005	学術論文 (審査論文)	R.J. Choi, S. Kubo, M. Tsukihara, K. Inoue, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Effects of V/III flux ratio on AlInGaN/AlGaN quantum wells grown by atmospheric pressure MOCVD, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.2, No.7, 2149-2152, 2005. [EdbClient \| EDB]
8)	2,005	学術論文 (審査論文)	Michio Mikawa, Toshihiro Moriga, Yuji Sakakibara, Yukinori Misaki, Kei-ichiro Murai, Ichiro Nakabayashi and Kikuo Tominaga : Characterization of ZnO-In₂O₃ transparent conducting films by pulsed laser deposition, Materials Research Bulletin, Vol.40, No.6, 1052-1058, 2005. [EdbClient \| EDB]
9)	2,005	学術論文 (審査論文)	Fawang Yan, Yoshiki Naoi, Masashi Tsukihara, Takayuki Yadani and Shiro Sakai : Interdiffusion induced In(Ga)NAs films growth on GaAs substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.282, No.1-2, 29-35, 2005. [EdbClient \| EDB]
10)	2,005	学術論文 (審査論文)	Toshihiro Moriga, Michio Mikawa, Yuji Sakakibara, Yukinori Misaki, Kei-ichiro Murai, Ichiro Nakabayashi and Kikuo Tominaga : Effects of introduction of argon on structural and transparent conducting properties of ZnO-In₂O₃ thin films prepared by pulsed laser deposition, Thin Solid Films, Vol.486, No.1, 53-57, 2005. [EdbClient \| EDB]
11)	2,005	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Dynamic Monte Carlo Simulation of Compositional and Topography Changes Induced by Ion Beam Irradiation, e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol.4, 32-38, 2006. [EdbClient \| EDB]
12)	2,005	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Tomohisa Shimada, Yoshio Ueda and Masahiro Nishikawa : Influence of Carbon Impurity on Net Erosion of Reduced-Activation Ferritic/Martensitic Steel and Tungsten Materials Exposed to Hydrogen and Carbon Mixed Ion Beam Relevant to Fusion Plasma Boundary, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.45, No.1A, 221-227, 2006. [EdbClient \| EDB]
13)	2,005	学術論文 (審査論文)	Takashi Okimoto, Masashi Tsukihara, Kazuhide Sumiyoshi, Ken Kataoka, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Effect of GaNP Buffer Layer on AlGaN Epilayers Deposited on (0001) Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.45, No.8, L236-L238, 2006. [EdbClient \| EDB]
14)	2,005	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Tetsuo Tanabe and Jun Kawata : Simulation of redeposition patterns of hydrocarbons released from carbon target in divertors, Fusion Engineering and Design, Vol.81, No.1-7, 205-210, 2006. [EdbClient \| EDB]
15)	2,005	学術論文 (審査論文)	Shinji Ebisu, Kaoru Ohya and Tetsuo Tanabe : Dynamic erosion and deposition on carbon and tungsten sue to simultaneous bombardment with deuterium and beryllium ions in plasmas, Fusion Engineering and Design, Vol.81, No.1-7, 253-258, 2006. [EdbClient \| EDB]
16)	2,005	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami : Simulation Study on Effects of Chemically Eroded Methane and Ethylene Molecules on Carbon Impurity Transport and Net Erosion of Carbon Materials, Journal of Plasma and Fusion Research SERIES, Vol.7, 94-97, 2006. [EdbClient \| EDB]
17)	2,005	学術論文 (審査論文)	Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate leakage and electrical performance of AlGaN/GaN MIS-type HFET with evaporated silicon oxide layer, Solid-State Electronics, Vol.50, No.3, 316-321, 2006. [EdbClient \| EDB]

2005年度(平成17年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2005年度(平成17年度) / 学術レター

(なし)

2005年度(平成17年度) / 総説・解説

(なし)

2005年度(平成17年度) / 国際会議

1)	2,005	国際会議	Yoshiki Naoi, Hisao Sato, Hiroshi Yamamoto, Kodai Ono, Akihiro Nakamura, Masahiro Kimura, Suguru Nouda and Shiro Sakai : Growth and fabrication of AlGaInN-based UV-LEDs using SiN nano-mask, Proceedings of SPIE, Vol.5722, 417-422, San Jose, Apr. 2005. [EdbClient \| EDB]
2)	2,005	国際会議	Retsuo Kawakami : Simulation study of carbon impurity dynamics on reduced-activation ferritic/martensitic steel material at elevated temperatures under hydrogen exposure, 7th International Symposium on Fusion Nuclear Technology, 191, Tokyo, May 2005. [EdbClient \| EDB]
3)	2,005	国際会議	Fawang Yan, Yoshiki Naoi, Masashi Tsukihara, Shuichi Kawamichi, Takayuki Yadani and Shiro Sakai : Diffusion Effect Induced InAsN Films Growth on GaAs(100) Substrates by MOCVD, The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), TuP.79, Higashiura, Jul. 2005. [EdbClient \| EDB]
4)	2,005	国際会議	Toshihiro Moriga, Yusuke Nishimura, Hiroshi Suketa, Kei-ichiro Murai, Kikuo Tominaga and Ichiro Nakabayashi : Effects of Al, Ga -Doping on Transparent Conducting Properties of Amorphous ZnO -SnO₂ Films, Advanced Materials Development & Performance Conference 2005, Auckland, Jul. 2005. [EdbClient \| EDB]
5)	2,005	国際会議	Masaya Okada, Ryohei Takaki, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Temperature and Illumination Dependence of AlGaN/GaN HFET Threshold Voltage, 2005 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hyogo, Aug. 2005. [EdbClient \| EDB]
6)	2,005	国際会議	Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao, Junya Matsuda and Yasuo Ohno : A Mechanism of Enhancement-mode Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET, 2005 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hyogo, Aug. 2005. [EdbClient \| EDB]
7)	2,005	国際会議	Yoshiki Naoi, Akihiro Nakamura, Kodai Ono, Hisao Sato, H Yamamoto, M Mikura, Suguru Nouda and Shiro Sakai : Impurity induced disordering of p-type AlGaN-GaN Superlat-tice Structures, 6th International Conference on Nitride Semiconductors, Th-P-023, Bremen, Aug. 2005. [EdbClient \| EDB]
8)	2,005	国際会議	Kazuhide Sumiyoshi, Masashi Tsukihara, Fawang Yan and Shiro Sakai : AlGaN Films grown on trenched sapphire substrates using a low-temperature GaNP buffer layer by MOCVD, 6th international conference on nitride semiconductors, Tu-P-089, Bremen, Germany, Aug. 2005. [EdbClient \| EDB]
9)	2,005	国際会議	Jin-Ping Ao, Ryota Kan, Toshio Hirao, Hideki Okada, Masaya Okada, Daigo Kikuta, Shinobu Onoda, Hisayoshi Itoh and Yasuo Ohno : Gamma Radiation Effects on the Ohmic Contact of AlGaN/GaN HEMTs, 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials, 478-479, Kobe, Sep. 2005. [EdbClient \| EDB]
10)	2,005	国際会議	Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Dynamic Monte Carlo simulation of Compositional and Topography Changes Induced by Ion Beam irradiation, International Symposium on Surface Science and Nanotechnology, Saitama, Japan, Nov. 2005. [EdbClient \| EDB]
11)	2,005	国際会議	Kaoru Ohya and Kensuke Inai : Simulation of redeposition patterns in the gaps between divertor tiles, 12th International Conference on Fusion Reactor Materials, California, USA, Nov. 2005. [EdbClient \| EDB]
12)	2,005	国際会議	Y Sumiyoshi, Masashi Tsukihara, Ken Kataoka, Kiyoshi Okimoto, Shuichi Kawamichi, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : High-quality AlGaN film grown on the patterned sapphire substrate using a low-temperature intermediate layer by MOCVD, International COE Workshop on Nano Processes and Devices, and Their Applications, 75-76, Nagoya University, Dec. 2005. [EdbClient \| EDB]

2005年度(平成17年度) / 国内講演発表

1)	2,005	国内講演発表	榊原友士, 高田望美, 三河通男, 村井啓一郎, 森賀俊広, 中林一朗, 富永喜久雄 : PLD法によるサファイア基板上へのZnO-In₂O₃系透明導電膜の作製と評価, 第52回応用物理学関連連合講演会, 2005年4月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,005	国内講演発表	菊田大悟, 敖金平, 松田潤也, 大野泰夫 : AlGaN/GaN MIS-HFET のエンハンスメント動作, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年4月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,005	国内講演発表	助田祐志, 西村勇介, 高田大輔, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : ポリカーボネート基板上に作製したZnO-In₂O₃系アモルファス透明導電膜, 日本物理学会中国支部·四国支部応用物理学会中国四国支部 2005年度支部学術講演会, 2005年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,005	国内講演発表	川上烈生 : 炭素不純物を含む水素イオンで照射されたタングステン材表面の付着炭素不純物の振舞い, 第66回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.2, 630, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,005	国内講演発表	月原政志, 住吉和英, 閻発旺, 直井美貴, 酒井士郎 : 高品質AlGaNへ向けての低温成長AlGaN層の検討, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 274, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,005	国内講演発表	直井美貴, 中村晃啓, 小野耕大, 酒井士郎, 木村真大, 納田卓 : p-AlGaN/GaN 超格子構造における不純物ドーピングによる混晶化, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 279, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,005	国内講演発表	住吉和英, 月原政志, 河道修一, 直井美貴, 酒井士郎 : 低温GaNPバッファー層を用いた加工サファイア基板上のAlGaN MOCVD成長, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 269, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,005	国内講演発表	閻発旺, 住吉和英, 月原政志, 直井美貴, 酒井士郎 : MOCVD法によるサファイア基板上へのSb添加AlNの成長, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 269, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,005	国内講演発表	菅良太, 平尾敏雄, 小野田忍, 伊藤久義, 岡田英輝, 岡田政也, 菊田大悟, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET電気特性へγ線照射の影響, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,005	国内講演発表	松田潤也, 菊田大悟, 敖金平, 大野泰夫 : 周波数可変カーブトレーサを用いたAlGaN/GaN MIS-HFETヒステリシスの解析, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,005	国内講演発表	榊原友士, 石田勝也, 三河通男, 村井啓一郎, 森賀俊広, 富永喜久雄 : PLD法によりc-サファイア基板上に作製したZnO-In₂O₃系透明導電膜の評価, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,005	国内講演発表	三河通男, 榊原友士, 石田勝也, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : PLD法により作製したZnO-In₂O₃系透明導電膜の構造·特性に及ぼす基板の影響, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,005	国内講演発表	高田大輔, 富永喜久雄, 西村勇介, 助田祐志, 村井啓一郎, 森賀俊広 : Al₂O₃不純物添加アモルファスZnO-In₂O₃系透明導電膜の特性, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,005	国内講演発表	山本真美子, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : フラックス法によるBP結晶成長, 電気関係学会四国支部連合大会, 151, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,005	国内講演発表	河道修一, 住吉和英, 月原政志, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : 加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価, 電気関係学会四国支部連合大会, 150, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,005	国内講演発表	沖本聖, 月原政志, 住吉和英, 直井美貴, 酒井士郎 : AlGaN-MOCVD成長における GaNPバッファ層の効果, 電気関係学会四国支部連合大会, 149, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,005	国内講演発表	松田義和, 菅良太, 山岡優哉, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET構造を用いたショットキーダイオード, 平成17年度電気関係学会四国支部連合大会, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,005	国内講演発表	川上烈生 : 非平衡プラズマの自己組織化とドライエッチングとの関連性, 平成17年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 36, 2005年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,005	国内講演発表	住吉和英, 酒井士郎, 直井美貴, 西野克志 : 窒化物半導体と紫外発光デバイス, 第7回IEEE広島支部学生シンポジウム(HISS), 2005年11月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,005	国内講演発表	山本真美子, 月原政志, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : フラックス成長BP結晶上へのGaN成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.22, 346, 2006年3月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,005	国内講演発表	住吉和英, 月原政志, 沖本聖, 河道修一, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : 低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl0.17Ga0.83N MOCVD成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, 378, 2006年3月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,005	国内講演発表	河道修一, 西野克志, 住吉和英, 月原政志, 酒井士郎 : 凹凸サファイア基板上に成長させたAlGaN薄膜の反転ドメイン, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, 379, 2006年3月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,005	国内講演発表	池田賢司, Choi Rak-Jun, 福本哲也, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, Lee Min Soo, 小池正好 : AlInN-buffer層上のALEによるa面GaNの高品質化, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.26, 401, 2006年3月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,005	国内講演発表	石田勝也, 榊原友士, 三河通男, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : PLD法により作製したZnO-In₂O₃系二層膜の特性評価, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,005	国内講演発表	助田祐志, 西村勇介, 瀧田啓介, 高田大輔, 下村幸司, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : ZnO-In₂O₃系透明導電膜における特性のGa₂O₃ドーパントの添加量依存性, 第53回応用物理学関連連合講演会, 2006年3月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,005	国内講演発表	松浦一暁, 菊田大悟, 敖金平, 扇谷浩通, 平本道広, 河合弘治, 大野泰夫 : SiCl4ガスを用いたICP-RIEによるAlGaN/GaN HFETのゲートリセスエッチング, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,005	国内講演発表	敖金平, 長岡史郎, 岩崎聡一郎, 岡田政也, 大巻雄治, 大野泰夫 : EB露光CuゲートAlGaN/GaN HFETの高周波特性, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月. [EdbClient \| EDB]

2005年度(平成17年度) / 作品等

(なし)

2005年度(平成17年度) / その他・研究会

(なし)

2005年度(平成17年度) / 報告書

2,005

報告書

川上烈生 : SOLプラズマ中の炭素不純物によるタングステン材表面の損耗変化に関する研究, 平成17年度核融合科学研究所LHD数値解析システム利用共同研究報告書, 日本, 2006年3月. [EdbClient | EDB]

2006年度(平成18年度)

article.{@.date="20060400 20070399" @.organization=\E{148362}}

2006年度(平成18年度) / 著書

1)	2,006	著書	富永喜久雄 : ZnO系の最新技術と応用, 株式会社シーエムシー出版, 東京, 2007年1月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	著書	Shiro Sakai, Kiyoshi Takahash and al. et : Wide Bandgap Semiconductors, Nippon Gakujyutsu-shinnkoukai, Feb. 2007. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,006	学術論文 (審査論文)	Kikuo Tominaga, Ito Daisuke and Miyamoto Yoshinori : Energetic negative ions in titanium oxide deposition by reactive sputtering in Ar/O2, Vacuum, Vol.80, 654-657, 2006. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami : Simulation study of carbon impurity dynamics on reduced-activation ferritic/martensitic steel material at elevated temperatures under hydrogen exposure, Fusion Engineering and Design, Vol.81, No.8-14, 1683-1687, 2006. [EdbClient \| EDB]
3)	2,006	学術論文 (審査論文)	Masaya Okada, Ryohei Takaki, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Temperature and Illumination Dependence of AlGaN/GaN HFET Threshold Voltage, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E89-C, No.7, 1042-1046, 2006. [EdbClient \| EDB]
4)	2,006	学術論文 (審査論文)	Daigo KIKUTA, Jin-Ping Ao, Junya MATSUDA and Yasuo Ohno : A Mechanism of Enhancement-mode Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E89-C, No.7, 1031-1036, 2006. [EdbClient \| EDB]
5)	2,006	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya : Dynamic simulation of erosion and redeposition on plasma-facing materials, Physica Scripta, Vol.T124, 70-75, 2006. [EdbClient \| EDB]
6)	2,006	学術論文 (審査論文)	F.W. Yan, Yoshiki Naoi, M. Tsukihara, S. Kawamichi, T. Yadani, K. Sumiyoshi and Shiro Sakai : Diffusion effect-induced InNAs films growth on GaAs(100) substrates by MOCVD, Physica B : Condensed Matter, Vol.376-377, 595-597, 2006. [EdbClient \| EDB]
7)	2,006	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami : Simulation Study of Carbon Impurity Dynamics on Tungsten Surfaces Exposed to Hydrogen Ions, Journal of Nuclear Materials, Vol.348, 256-262, 2006. [EdbClient \| EDB]
8)	2,006	学術論文 (審査論文)	Toshihiro Moriga, Yusuke Nishimura, Hiroshi Suketa, Kei-ichiro Murai, Kazuhiro Nogami, Kikuo Tominaga and Ichiro Nakabayashi : Effects of Al, Ga-Doping on Transparent Conducting Properties of Amorphous ZnO-SnO₂ Films, International Journal of Modern Physics B, Vol.20, No.25-27, 3902-3907, 2006. [EdbClient \| EDB]
9)	2,006	学術論文 (審査論文)	Shuichi Kawamichi, Katsushi Nishino, Kazuhide Sumiyoshi, Masashi Tsukihara, Fanwang Yan and Shiro Sakai : Inversion domain in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.298, 297-299, 2007. [EdbClient \| EDB]
10)	2,006	学術論文 (審査論文)	Katsushi Nishino, A. Sakamoto and Shiro Sakai : Growth of thich a-plane GaN on r-plane sapphire by direct synthesis method, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2532-2535, 2007. [EdbClient \| EDB]
11)	2,006	学術論文 (審査論文)	Kazuhide Sumiyoshi, Masashi Tsukihara, Ken Kataoka, Shuichi Kawamichi, Tadashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Al0.17Ga0.83N film with Middle Temperature Intermediate Layer Grown on Trenched Sapphire Substrate by MOCVD, Journal of Crystal Growth, Vol.298, No.SI, 300-304, 2007. [EdbClient \| EDB]
12)	2,006	学術論文 (審査論文)	K. Sumiyoshi, M. Tsukihara, K. Kataoka, S. Kawamichi, T. Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Al_0.17Ga_0.83N Film Using Middle-Temperature Intermediate Layer Grown on (0001) Sapphire Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.2, 491-495, 2007. [EdbClient \| EDB]
13)	2,006	学術論文 (審査論文)	M Tsukihara, K Sumiyoshi, T Okimoto, K Kataoka, S Kawamichi, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.300, No.1, 190-193, 2007. [EdbClient \| EDB]
14)	2,006	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Monte Carlo Simulation of Hydrocarbon Redeposition on a Graphite Surface in Hydrogen Plasma, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.3A, 1149-1156, 2007. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2006年度(平成18年度) / 学術レター

2,006

学術レター

Fawang Yan, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth and Characteristics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.45, No.27, L697-L700, 2006. [EdbClient | EDB]

2006年度(平成18年度) / 総説・解説

(なし)

2006年度(平成18年度) / 国際会議

1)	2,006	国際会議	Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Hydrocarbon Redeposition in the plasma shadowed area and the gaps between diveroter tiles, 17th International Conference on Plasma Surface Interactions, Hefei, China, May 2006. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	国際会議	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Tanabe T. and Takenaga H. : Modeling of asymmetric redeposition distribution between inner and outer regions of the W-shaped divertor in JT-60U, 17th International Conference on Plasma Surface Interactions, Hefei, China, May 2006. [EdbClient \| EDB]
3)	2,006	国際会議	R.J. Choi, Shiro Sakai, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, M. Koike and S.M. Lee : Efficient non-polar a-plane light-emitting-diodes grown using AlInNbuffer and intermediate layer, 6th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Montpellier, May 2006. [EdbClient \| EDB]
4)	2,006	国際会議	K. Sumiyoshi, M. Tsukihara, K. Kataoka, S. Kawamichi, T. Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Al0.17Ga0.83N film with middle temperature intermediate layer grown on trenched sapphire substrate by MOCVD, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006. [EdbClient \| EDB]
5)	2,006	国際会議	K. Ikeda, R.J. Choi, T. Fukumoto, K. Ono, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Visible light emitting diode using a-plane GaN on r-sapphire substrate with an InAlN buffer layer and a high temperature atomic layer epitaxy, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006. [EdbClient \| EDB]
6)	2,006	国際会議	S. Kawamichi, Katsushi Nishino, K. Sumiyoshi, M. Tsukihara and Shiro Sakai : Inversion domains in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006. [EdbClient \| EDB]
7)	2,006	国際会議	M. Tsukihara, K. Sumiyoshi, T. Okimoto, K. Kataoka, S. Kawamichi, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition, First International Symposium on Growth of III-Nitrides, Linkoping, Jun. 2006. [EdbClient \| EDB]
8)	2,006	国際会議	K. Matsuura, D. Kikuta, Jin-Ping Ao, H. Ogiya, M. Hiramoto, H. Kawai and Yasuo Ohno : ICP Reactive Ion Etching with SiCl4 Gas for Recessed Gate AlGaN/GaN HFET, The 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Yokohama, Sep. 2006. [EdbClient \| EDB]
9)	2,006	国際会議	Yoshiki Naoi, K. Ono, K. Ikeda, R.J. Choi, T. Fukumoto, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, M. Koike and S.M. Lee : Blue light emitting diode fabricated on a-plane GaN film over r-sapphire substrate and on a-plane bulk GaN substrate, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]
10)	2,006	国際会議	Yoshiki Naoi, K. Ikeda, T. Hama, R.J. Choi, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, M. Koike and S.M. Lee : Investigation of InGaN films on a-plane GaN grown by metal organic chemical vapor deposition technique, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]
11)	2,006	国際会議	Katsushi Nishino, A. Sakamoto and Shiro Sakai : Growth of Thick a-plane GaN on r-plane Sapphire by Direct Synthesis Method, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]
12)	2,006	国際会議	Jin-Ping Ao, Yoshikazu Matsuda, Yuya Yamaoka and Yasuo Ohno : A Monolithic Cockcroft-Walton Voltage Multiplier Based on AlGaN/GaN HFET Structure, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]
13)	2,006	国際会議	Masaya Okada, Kazuaki Matsuura, Jin-Ping Ao, Yasuo Ohno and Hiroji Kawai : High-Sensitivity UV Phototransistor with GaN/AlGaN/GaN Gate Epi-Structure, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]
14)	2,006	国際会議	Toshihiro Moriga, Hiroshi Suketa, Keisuke Takita, Daisuke Takada, Koji Shimomura, Kei-ichiro Murai and Kikuo Tominaga : Transparent Conducting Amorphous ZnO-In₂O₃ Films Deposited on PC or PET Substrates, American Vacuum Society 53rd International Symposium and Exhibition, San Francisco, Nov. 2006. [EdbClient \| EDB]
15)	2,006	国際会議	Kikuo Tominaga, Hiroshi Suketa, Keisuke Takita, Daisuke Takada, Koji Shimomura, Kei-ichiro Murai and Toshihiro Moriga : Transparent Conductive Oxide Films of In₂O₃-ZnO with Additional Ga₂O₃ Impurities, American Vacuum Society 53rd International Symposium and Exhibition, San Francisco, Nov. 2006. [EdbClient \| EDB]
16)	2,006	国際会議	Toshihiro Moriga, Katsuya Ishida, Akira Taki, Hirotaka Ohno, Yuji Sakakibara, Kei-ichiro Murai, Michio Mikawa and Kikuo Tominaga : Characterization of ZnO-In₂O₃/ZnO Laminated Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition, American Vacuum Society 53rd International Symposium and Exhibition, San Francisco, Nov. 2006. [EdbClient \| EDB]
17)	2,006	国際会議	Retsuo Kawakami and Inaoka Takeshi : Analysis of GaN Etching Damage by Capacitively Coupled RF Ar Plasma Exposure, Proceedings of International Symposium of Dry Process, 63-64, Nagoya, Nov. 2006. [EdbClient \| EDB]
18)	2,006	国際会議	K. Ikeda, R. Matsuoka, T. Hama, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, M. Koike and S.M. Lee : An a-GaN and an a-InGaN on r-Sapphire by Relatively High Temperature Metal organic Chemical Vapor Deposition, The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Jeonju, Mar. 2007. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 国内講演発表

1)	2,006	国内講演発表	谷口太一, 井内健介, 大宅薫 : 炭化水素分子の再付着分布への表面反射の影響, 第6回核融合エネルギー連合講演会, 2006年6月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	国内講演発表	井内健介, 大宅薫 : ダイバータタイル隙間の炭化水素再付着シミュレーション, 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部四国支部・日本物理教育学会四国連絡会議2006年支部学術講演会, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,006	国内講演発表	瀧田啓介, 助田祐志, 高田大輔, 下村幸司, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : 有機基板上に製膜したZnO-In₂O₃系透明導電性薄膜の特性, 応用物理学会中国四国支部日本物理学会中国支部・四国支部日本物理教育学会四国連絡会議 2006年度支部学術講演会, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,006	国内講演発表	濱敬重, 南部紗織, 沖本聖, 月原政志, 片岡研, 住吉和英, 直井美貴, 酒井士郎 : 高Al組成窒化物系UV-LED用Ni/Au系透明電極の解析, 応用物理学会中国四国支部，日本物理学会中国支部・四国支部，日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 137, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,006	国内講演発表	沖本聖, 月原政志, 住吉和英, 片岡研, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, 酒井士郎 : 低温成長層の導入によるAlGaNの高品質化, 応用物理学会中国四国支部，日本物理学会中国支部・四国支部，日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 142, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,006	国内講演発表	住吉和英, 月原政志, 片岡研, 沖本聖, 直井美貴, 酒井士郎 : 低温中間層による凸凹サファイア基板上Al0.17Ga0.83NのMOCVD, 応用物理学会中国四国支部，日本物理学会中国支部・四国支部，日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 143, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,006	国内講演発表	仁木貴敏, 月原政志, 沖本聖, 住吉和英, 片岡研, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : 中間温度成長AlGaN層と多重量子井戸(MQW)層によるMOCVD成長AlGaN中の転位低減, 応用物理学会中国四国支部，日本物理学会中国支部・四国支部，日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 144, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,006	国内講演発表	稲岡武, 川上烈生 : 低温プラズマエッチングされたn-GaNのショットキー接合リーク電流特性, 日本物理学会中国四国支部応用物理学会中国四国支部平成18年度支部例会講演論文集, 24, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,006	国内講演発表	川上烈生, 稲岡武 : 容量結合型高周波プラズマによるGaNエッチングの解析, 日本物理学会中国四国支部応用物理学会中国四国支部平成18年度支部例会講演論文集, 23, 2006年7月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,006	国内講演発表	川上烈生, 稲岡武 : 容量性結合ArプラズマによるGaNエッチングダメージの解析, 第67回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.1, 162, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,006	国内講演発表	助田祐志, 瀧田啓介, 高田大輔, 下村幸司, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : 有機基板上に作製したZnO-In₂O₃系アモルファス透明導電膜の特性, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,006	国内講演発表	西野克志, 坂本旭, 酒井士郎 : 直接合成法によるr面サファイア上へのバルクa-GaN成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,006	国内講演発表	西野克志, 宮村高史, 酒井士郎 : TMA添加直接合成法によるバルクAlGaNの結晶成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,006	国内講演発表	岡田政也, 松浦一暁, 敖金平, 河合弘治, 大野泰夫 : GaNキャップ層ピエゾ電荷を用いたエンハンスメントモードAlGaN/GaN HFET, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,006	国内講演発表	石尾隆幸, 岡田政也, 敖金平, 廣瀬和之, 河合弘治, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい電圧の温度依存性の測定, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,006	国内講演発表	山岡優哉, 岡田政也, 敖金平, 河合弘治, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい電圧のゲートストレスバイアス依存性, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,006	国内講演発表	池田賢司, Rakjun Choi, 福本哲也, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, 小池正好, S.M. Lee : a面成長InGaN/GaN LEDにおけるInGaN活性層の解析, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,006	国内講演発表	谷口太一, 井内健介, 大宅薫 : 炭化水素分子の再付着分布への表面反射の影響(Ⅱ), 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 2006年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,006	国内講演発表	片岡研, 沖本聖, 仁木貴敏, 住吉和英, 月原政志, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : SiNを用いたAlInGaN系紫外LED高出力化の検討, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年9月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,006	国内講演発表	濱敬重, 小野耕大, 池田賢司, Rakjun Choi, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, S.M. Lee, 小池正好 : a面バルクGaNおよびr面サファイア上a面GaNに作製した青色発光ダイオード, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年9月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,006	国内講演発表	菅良太, 佐藤弘明, 敖金平, 小中信典, 入谷忠光, 大野泰夫 : オープンリング共振器を用いたチップ間ミリ波信号伝送, 2006年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2006年9月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,006	国内講演発表	川上烈生, 稲岡武 : 非平衡RFプラズマの自己組織化構造とドライエッチングとの相関性, 平成18年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 16, 2006年9月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,006	国内講演発表	金子悠祐, 小林利成, 村井寛幸, 宮本佳典, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : RFスパッタリング法によるTiO₂薄膜の作製とその評価, 化学工学会徳島大会, 2006年10月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,006	国内講演発表	井内健介, 戎真志, 大宅薫 : イオン反射とスパッタリングのMDシミュレーション, プラズマ・核融合学会，第23回年会, 2006年11月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,006	国内講演発表	岡田政也, 国貞雅也, 敖金平, 河合弘治, 大野泰夫 : GaN/AlGaN/GaNフォトトランジスタを用いたUVセンサ回路, 2007年電子情報通信学会総合大会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,006	国内講演発表	奥山祐加, 菅良太, 佐藤弘明, 小中信典, 粟井郁雄, 大野泰夫 : オープンリング共振器無線接続における位置ずれの影響, 2007年電子情報通信学会総合大会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,006	国内講演発表	松岡遼, 池田賢司, 濱敬重, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, Rakjun Choi, S.M. Lee, 小池正好 : MOCVDにより直接高温成長した高品質a面GaN・InGaN結晶成長, 第54回応用物理学会学術講演会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,006	国内講演発表	金子悠祐, 小林利成, 村井寛幸, 宮本佳典, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : RFスパッタリング法により作製したTiO₂:NbおよびTiO₂:Ta薄膜の熱処理効果, 第54回応用物理学関連連合講演会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,006	国内講演発表	井上研一, 富永喜久雄, 続木貴志, 三河通男, 森賀俊広 : PLD法によるIn-Ga-Zn系酸化物透明導電性薄膜, 第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿講集, Vol.2, 704, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
30)	2,006	国内講演発表	富永喜久雄, 高田大輔, 下村孝司, 助田裕志, 瀧田啓介, 村井啓一郎, 森賀俊広 : In2O3-ZnO系透明導電膜へのGa2O3添加の影響, 第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol.2, 704, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
31)	2,006	国内講演発表	瀧田啓介, 助田裕志, 高田大輔, 下村孝司, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : PCおよびPET基板に常温で成膜したZnO-In2O3系アモルファス透明導電膜の特性, 第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol.Vol.2, 704, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 作品等

(なし)

2006年度(平成18年度) / その他・研究会

2,006

その他・研究会

井内健介, 大宅薫 : タイル隙間の炭化水素堆積分布のシミュレーション, 第21回トライアム研究会&核融合フォーラムサブクラスター会合合同研究会, 2006年8月. [EdbClient | EDB]

2006年度(平成18年度) / 報告書

1)	2,006	報告書	川上烈生 : プラズマの自己組織化と材料の損耗特性との関連性に関する研究, 平成18年度核融合科学研究所LHD数値解析システム利用共同研究報告書, 日本, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	報告書	川上烈生 : ITERのプラズマ対向壁材としてのタングステンの可能性に関する研究, 平成17-18年度科学研究費補助金, 若手研究(B), 日本, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度)

article.{@.date="20070400 20080399" @.organization=\E{148362}}

2007年度(平成19年度) / 著書

1)	2,007	著書	酒井士郎, 他 : 化合物半導体の最新技術大全集, 株式会社技術情報協会, 東京, 2007年4月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	著書	Kaoru Ohya and Tohru Ishitani : Focused Ion Beam Systems; Basics and Applications, Cambridge University Press, Cambridge, Sep. 2007. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,007	学術論文 (審査論文)	Kazuaki Matsuura, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao, Hiromichi Ogiya, Michihiro hiramoto, Hiroji Kawai and Yasuo Ohno : Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching with SiCl4 Gas for Recessed Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.46, No.4B, 2320-2324, 2007. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	学術論文 (審査論文)	M Yamamoto, Y Hamazaki, M Tsukihara, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth of AlN and GaN by metalorganic chemical vapor deposition on BP synthesized by flux method, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.46, No.14, L323-L325, 2007. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	学術論文 (審査論文)	Masaya Okada, Kazuaki Matsuura, Jin-Ping Ao, Yasuo Ohno and Hiroji Kawai : High-sensitivity UV phototransistor with GaN/AlGaN/GaN gate epi-structure, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.204, No.6, 2117-2120, 2007. [EdbClient \| EDB]
4)	2,007	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Yoshikazu Matsuda, Yuya Yamaoka and Yasuo Ohno : A monolithic Cockcroft-Walton voltage multiplier based on AlGaN/GaN HFET structure, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2654-2657, 2007. [EdbClient \| EDB]
5)	2,007	学術論文 (審査論文)	Yoshiki Naoi, K. Ikeda, T. Hama, K. Ono, R. Choi, T. Fukumoto, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, S. M. Lee and M. Koike : Blue light emitting diode fabricated on a-plane GaN film over r-sapphire substrate and on a-plane bulk GaN substrate, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2810-2813, 2007. [EdbClient \| EDB]
6)	2,007	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Simulation of hydrocarbon redeposition in the gaps between divertor tiles, Journal of Nuclear Materials, Vol.363-365, 915-919, 2007. [EdbClient \| EDB]
7)	2,007	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Tetsuo Tanabe and Hidenobu Takenaga : Modeling of asymmetric redeposition distribution between inner and outer regions of the W-shaped divertor in JT-60U, Journal of Nuclear Materials, Vol.363-365, 78-85, 2007. [EdbClient \| EDB]
8)	2,007	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai, Kaoru Ohya and Tohru Ishitani : Simulation study on image contrast and spatial resolution in helium ion microscope, Journal of Electron Microscopy, Vol.56, No.5, 163-169, 2007. [EdbClient \| EDB]
9)	2,007	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Nisawa Koji and Itoh Akio : Emission statistics of X-ray induced photoelectrons and its comparison with electron- and ion-induced electron emissions, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol.266, 541-548, 2007. [EdbClient \| EDB]
10)	2,007	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Minamoto Shingo and Kikuhara Yasuyuki : Analysis of GaN Etching Damage by Capacitively Coupled RF Ar Plasma Exposure, Thin Solid Films, Vol.516, No.11, 3478-3481, 2008. [EdbClient \| EDB]
11)	2,007	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Simulation of Hydrocarbon Redeposition on Plasma Shadowed Areas, Contributions to Plasma Physics, Vol.48, No.1-3, 275-279, 2008. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2007年度(平成19年度) / 学術レター

2,007

学術レター

Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Annealing with Ni for ohmic contact formation on ICP-etched p-GaN, Electronics Letters, Vol.44, No.2, 155-157, 2008. [EdbClient | EDB]

2007年度(平成19年度) / 総説・解説

(なし)

2007年度(平成19年度) / 国際会議

1)	2,007	国際会議	Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Simulation of Hydrocarbon Redeposition on Plasma Shadowed Areas, 11th International Workshop on Plasma Edge Theory in Fusion Devices, Gifu, May 2007. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	国際会議	Shimomura Kouji, Kikuo Tominaga, Takada Daisuke, Suketa Hiroshi, Takita Keiji, Kei-ichiro Murai and Toshihiro Moriga : In2O3-ZnO transparent conductive oxide film deposition on polycarbonate substrate, Proc. of the nineth International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, 445-448, Kanazawa, Jun. 2007. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	国際会議	Kikuo Tominaga, Takada Daisuke, Shimomura Kouji, Suketa Hiroshi, Takita Keisuke, Kei-ichiro Murai and Toshihiro Moriga : Influence of additional ga2O3 on transparent conductive oxide films of In2O3-ZnO, Proc. of the nineth International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, 449-452, Kanazawa, Jun. 2007. [EdbClient \| EDB]
4)	2,007	国際会議	Retsuo Kawakami and Inaoka Takeshi : Effect of Argon Plasma Etching Damage on Electrical Characteristics, Proceedings of 9th International Symposium of Sputtering & Plasma Processes, 391-394, Kanazawa, Jun. 2007. [EdbClient \| EDB]
5)	2,007	国際会議	Inoue Kenichi, Kikuo Tominaga, Tsuduki Takashi, Mikawa Michio and Toshihiro Moriga : Film deposition of transparent conductive In-Ga-Zn oxides by PLD method, Proc. of the nineth International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, 441-444, Kanazawa, Jun. 2007. [EdbClient \| EDB]
6)	2,007	国際会議	Kikuo Tominaga, Miyamoto Yoshinori, Ohkura Shinya, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : Comparison of film depositions of anatase TiO2 by planar magnetron sputtering with opposed Ti targets and conventional Ti targets, The 20th Symposium on Plasma Science for Materials, 108, Nagoya, Jun. 2007. [EdbClient \| EDB]
7)	2,007	国際会議	Mikawa Michio, Kikuo Tominaga, Inoue Kenichi, Tsuduki Takashi and Toshihiro Moriga : Influence of additional impurities on the properties of In-Zn-O transparent conductive oxide films, The 20th Symposium on Plasma Science for Materials, 110, Nagoya, Jun. 2007. [EdbClient \| EDB]
8)	2,007	国際会議	Jin-Ping Ao, Yuya Yamaoka, Masaya Okada, Cheng-Yu Hu and Yasuo Ohno : Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress, 2007 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Chiba, Aug. 2007. [EdbClient \| EDB]
9)	2,007	国際会議	Cheng-Yu Hu, K. Matsuura, Masaya Okada, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Ohmic Contact for Dry-Etched p-GaN Realized by High Temperature Annealing, 2007 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Chiba, Aug. 2007. [EdbClient \| EDB]
10)	2,007	国際会議	Ryosuke Sumitomo, Kaoru Ohya, Hitoshi Tanaka and Fuji Ren : Designing of Campus Information Navigator based on Human-Machine Dialog, IEEE NLP-KE2007 Poster Session, 111-116, Beijing, Aug. 2007. [EdbClient \| EDB]
11)	2,007	国際会議	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Hideaki Kuwada, Teruyuki Hayashi and Misako Saitoh : Dynamic simulation of secondary electron emission and charging up of an insulating material, 6th Asian-Europian International Conference on Plasma Surface Engineering, Nagasaki, Sep. 2007. [EdbClient \| EDB]
12)	2,007	国際会議	Kensuke Inai, Yasuyuki Kikuhara and Kaoru Ohya : Comparison of carbon deposition on plasma-exposed tungsten between molecular dynamics and dynamic Monte Carlo simulation, 6th Asian-Europian International Conference on Plasma Surface Engineering, Nagasaki, Sep. 2007. [EdbClient \| EDB]
13)	2,007	国際会議	T Okimoto, M Tsukihara, K Kataoka, A Kato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : GaN- and AlGaN-based UV-LEDs on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007), Kyoto, Oct. 2007. [EdbClient \| EDB]
14)	2,007	国際会議	Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao, M. Okada, M. Sugimoto, T. Uesugi, T. Kachi and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact Formation to Dry-Etched p-GaN, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto, Oct. 2007. [EdbClient \| EDB]
15)	2,007	国際会議	M Tohno, T Okimoto, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, T Kusuura, A Mitra, S Nouda, M Kimura, S Kawano and Y Muramoto : GaN-LED's on nano-etched sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition, The first International conference on White Light-Emitting Diodes(LEDs) and Solid State Lighting (SSL), Tokyo, Nov. 2007. [EdbClient \| EDB]
16)	2,007	国際会議	Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi and Mukai Takashi : Synergy effect of Particle and Ultraviolet Radiations from Capacitively Coupled RF Argon Plasmas on n-GaN Etching Damage, Proceedings of International Symposium of Dry Process, 181-182, Tokyo, Nov. 2007. [EdbClient \| EDB]
17)	2,007	国際会議	Kensuke Inai and Kaoru Ohya : EDDY code and PIC sheath code, Workshop on Theory and Simulation of Boundary Plasmas, Gifu, Mar. 2008. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 国内講演発表

1)	2,007	国内講演発表	續木貴志, 富永喜久雄, 井上研一, 三河通男, 森賀俊広 : PLD法によるIn-Ga-Zn-O酸化物透明導電性薄膜, 平成19年度電気関係学会四国支部連合大会講演予稿集, 130, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	国内講演発表	井上研一, 富永喜久雄, 續木貴志, 三河通男, 森賀俊広 : 不純物添加によるIn-Zn-O系酸化物透明導電膜の特性への影響, 平成19年度電気関係学会四国支部連合大会講演予稿集, 123, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	国内講演発表	坂本晃彦, 富永喜久雄, 下村幸司, 瀧田啓介, 森賀俊広, 中林一朗 : 1In2O3-ZnO系酸化物透明導電膜へのGa2O3添加による影響, 平成19年度電気関係学会四国支部連合大会講演予稿集, 131, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,007	国内講演発表	岡田健司, 富永喜久雄, 大倉信也 : 不平衡マグネトロンスパッタ法と対向型マグネトロンスパッタ法によるTiO2膜の作製, 平成19年度電気関係学会四国支部連合大会講演予稿集, 129, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,007	国内講演発表	下村幸司, 富永喜久雄, 高田大輔, 助田祐志, 瀧田啓介, 村井啓一郎, 森賀俊広 : PC基板上へのIn2O3-ZnO系酸化物透明導電膜の作製, 平成19年度電気関係学会四国支部連合大会講演予稿集, 127, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,007	国内講演発表	大倉信也, 富永喜久雄, 岡田健司, 納田隆弘, 白石健太郎 : 対向型マグネトロンスパッタリング法によるTiO2薄膜作製と光触媒の評価, 平成19年度電気関係学会四国支部連合大会講演予稿集, 124, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,007	国内講演発表	川上烈生, 稲岡武 : 容量結合型アルゴンプラズマエッチングダメージによるn-GaNの電子的特性, 第68回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.1, 178, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,007	国内講演発表	大野泰夫, 山岡優哉, 岡田政也, 胡成余, 敖金平 : ゲートストレスバイアスによるAlGaN/GaN MIS HFETの電流コラプス評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,007	国内講演発表	野久保宏幸, 岡田政也, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : GaN MISダイオードによる絶縁膜界面評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,007	国内講演発表	澤田剛一, 新海聡子, 敖金平, 岡田政也, 胡成余, 廣瀬和之, 河合弘治, 大野泰夫 : n‐GaNへの高温処理ZrN電極ショットキー特性, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,007	国内講演発表	胡成余, 岡田政也, 敖金平, 大野泰夫 : Ni処理を用いたドライエッチp‐GaNへの低抵抗オーミック形成, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,007	国内講演発表	敖金平, 澤田剛一, 新海聡子, 岡田政也, 胡成余, 廣瀬和之, 河合弘治, 大野泰夫 : TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,007	国内講演発表	富永喜久雄, 宮本佳典, 大倉信也, 岡田健司 : 対向型マグネトロン(PM)スパッタ法と不平衡PMスパッタ法によるTiO2膜の作製, 第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol.2, 638, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,007	国内講演発表	富永喜久雄, 三河通男, 井上研一, 続木貴志 : In-Zn-Oアモルファス透明導電膜への不純物添加の影響, 第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol.2, 666, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,007	国内講演発表	遠野充明, 沖本聖, 加藤篤, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎, 楠浦崇央, ミトラアヌパム : ナノ・エッチングしたサファイア上へのGaNのMOCVD成長, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,007	国内講演発表	奥山祐加, 柏原俊彦, 敖金平, 粟井郁雄, 大野泰夫 : オープンリング共振器を用いたチップ間マイクロ波信号伝送, 2007年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,007	国内講演発表	遠野充明, 沖本聖, 直井美貴, 西野克志, 楠浦崇央, ミトラアヌパム, 納田卓, 木村真大, 川野俊輔, 村本宣彦 : ナノ・エッチングしたサファイア基板上へのGaN-LEDのMOCVD成長, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-5, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,007	国内講演発表	加藤篤, 月原政志, 片岡研, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : UV-LED用高Al組成AlGaN結晶の高品質化に関する研究, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-11, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,007	国内講演発表	松岡遼, 池田賢司, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : オフ角r面サファイア基板上にMOCVD法によるa面GaNのX線回折による評価, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-14, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,007	国内講演発表	仁木貴敏, 片岡研, 月原政志, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : MOCVD成長AlGaNのMgドーピングによる結晶性への影響, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-22, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,007	国内講演発表	南部紗織, 直井美貴, 酒井士郎 : AlGaN系紫外LEDのエレクトロルミネッセンスの温度特性, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-11, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,007	国内講演発表	沖本聖, 遠野充明, 南部紗織, 北村政治, 月原政志, 片岡研, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : AlGaN系紫外発光ダイオードの光出力に及ぼす電極形状の影響に関する研究, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-29, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,007	国内講演発表	川上烈生, 稲岡武 : 容量結合型高周波プラズマナノプロセスリアクタの開発と放電及び分光特性, 平成19年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 18, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,007	国内講演発表	菊原康之, 井内健介, 大宅薫 : タングステン表面への炭素再堆積のMDシミュレーション, プラズマ・核融合学会24回年会, 2007年11月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,007	国内講演発表	井内健介, 大宅薫 : プラズマ照射のないタイル表面への炭化水素再付着のシミュレーション, プラズマ・核融合学会，第24回年会, 2007年11月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,007	国内講演発表	大宅薫, 井内健介, 二澤宏司, 伊藤秋男 : 1-100keV単色X線照射による金属の二次電子放出シミュレーション, プラズマ・核融合学会，第24回年会, 2007年11月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,007	国内講演発表	瀧田啓介, 渡邊隆之, 下村幸司, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : PC基板上に製膜した酸化亜鉛-酸化インジウム系アモルファス薄膜へのAlドーピングによる特性向上, 第46回セラミックス基礎科学討論会, 2008年1月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,007	国内講演発表	大宅薫 : プラズマ対向壁の損耗・再堆積のシミュレーション, 核融合エネルギーフォーラム周辺&ペデスタル物理クラスタ会合, 2008年2月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,007	国内講演発表	伊藤秀起, 高橋健介, 原内貴司, 岡田政也, 胡成余, 敖金平, 河合弘治, 篠原真毅, 丹羽直幹, 大野泰夫, 井川裕介 : マイクロ波整流用GaNショットキーダイオードの特性評価, 2008年電子情報通信学会総合大会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
30)	2,007	国内講演発表	岡田健司, 富永喜久雄, 大倉信也 : RF-DC結合形スパッタ法と対向型スパッタ法によるTiO2薄膜の作製, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol.2, 610, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
31)	2,007	国内講演発表	坂本晃彦, 富永喜久雄, 下村幸司, 植野貴大, 瀧田啓介, 渡邊隆之, 森賀俊広, 中林一朗 : In₂O₃-ZnO系酸化物透明導電膜へのGa₂O₃添加の影響, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
32)	2,007	国内講演発表	續木貴志, 富永喜久雄, 井上研一, 三河通男, 森賀俊広, 中林一朗 : PLD法によるIn-Ga-Zn系酸化物透明導電性薄膜, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
33)	2,007	国内講演発表	坂本晃彦, 富永喜久雄, 下村幸司, 植野貴大, 瀧田啓介, 渡辺隆之, 森賀俊広, 中林一郎 : In2O3-ZnO系酸化物透明導電膜へのGa2O3添加の影響, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol.2, 640, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
34)	2,007	国内講演発表	松岡遼, 沖本聖, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : 金属蒸着膜を使ったAlGaN on GaN/Sapphireの選択MOCVD成長, 2008年(平成20年)春季第55回応用物理学会連合講演会, 29p-B-18, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
35)	2,007	国内講演発表	胡成余, 敖金平, 河合弘治, 大野泰夫 : p-基板層付きAlGaN/GaN HFETのVt-Vsub特性, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
36)	2,007	国内講演発表	高橋健介, 伊藤秀起, 原内貴司, 岡田政也, 胡成余, 敖金平, 河合弘治, 篠原真毅, 丹羽直幹, 大野泰夫, 井川裕介 : GaNを用いたマイクロ波整流用ショットキーバリアダイオード, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 作品等

(なし)

2007年度(平成19年度) / その他・研究会

1)	2,007	その他・研究会	R Matsuoka, K Ikeda, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Chracterization of a-plane MOCVD-grown GaN on off-angle r-plane sapphire substrates, 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26), Vol.E12, Jul. 2007. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	その他・研究会	K Kataoka, M Tsukihara, T Niki, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : The segragation and saturation phenomena of Mg concentration in AlGaN, 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26), Vol.H7, Jul. 2007. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	その他・研究会	北村政治, 沖本聖, 遠野充明, 南部紗織, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : 340nm帯ナイトライド系 UV-LEDの自己発熱と電流集中効果による発光特性への影響, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P1, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,007	その他・研究会	松岡遼, 池田賢司, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : オフ角r面サファイア上MOCVD成長a面GaNのX線回折評価, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P2, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,007	その他・研究会	遠野充明, 沖本聖, 直井美貴, 西野克志, 酒井士郎, 楠浦崇央, ミトラアムパム, 納田卓, 木村真大, 川野俊輔, 村本宣彦 : ナノ微細加工サファイア基板上へのGaN系発光ダイオードの作製, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P3, 2007年12月. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 報告書

1)	2,007	報告書	川上烈生 : 高周波プラズマの自己組織化と材料損耗特性との相関性, 平成19年度核融合科学研究所LHD数値解析システム利用共同研究報告書, 日本, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	報告書	川上烈生 : 窒化物系半導体デバイスのためのプラズマ誘因ダメージレスナノプロセス装置の研究開発, 平成19年度教育研究等支援事業(学長裁量経費)報告書, 日本, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度)

article.{@.date="20080400 20090399" @.organization=\E{148362}}

2008年度(平成20年度) / 著書

(なし)

2008年度(平成20年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,008	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami and Inaoka Takeshi : Effect of Argon Plasma Etching Damage on Electrical Characteristics of Gallium Nitride, Vacuum, Vol.83, No.3, 490-492, 2008. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	学術論文 (審査論文)	Masaya Okada, Hideki Ito, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Mechanism of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Threshold Voltage Shift by Illumination, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.4, 2103-2107, 2008. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	学術論文 (審査論文)	T Okimoto, M Tsukihara, K Kataoka, A Kato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : GaN- and AlGaN-based UV-LEDs on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 3066-3068, 2008. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	学術論文 (審査論文)	Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao, Masaya Okada and Yasuo Ohno : A Study on Ohmic Contact to Dry-Etched p-GaN, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E91-C, No.7, 1020-1024, 2008. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Yuya Yamaoka, Masaya Okada, Cheng-Yu Hu and Yasuo Ohno : Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E91-C, No.7, 1004-1008, 2008. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Kuwahara Akinobu, Kikuo Tominaga and Mukai Takashi : Synergy Effect of Particle Radiation and Ultraviolet Radiation from Capacitively Coupled Radio Frequency Argon Plasmas on n-GaN Etching Damage, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.47, No.8, 6863-6866, 2008. [EdbClient \| EDB]
7)	2,008	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai, Yasuyuki Kikuhara and Kaoru Ohya : Comparison of carbon deposition on tungsten between molecular dynamics and dynamic Monte Carlo simulation, Surface & Coatings Technology, Vol.202, No.22-23, 5374-5378, 2008. [EdbClient \| EDB]
8)	2,008	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Hideaki Kuwada, Teruyuki Hayashi and Misako Saito : Dynamic simulation of secondary electron emission and charging up of an insulating material, Surface & Coatings Technology, Vol.202, No.22-23, 5310-5313, 2008. [EdbClient \| EDB]
9)	2,008	学術論文 (審査論文)	Toshihiro Moriga, Koji Shimomura, Daisuke Takada, Hiroshi Suketa, Keisuke Takita, Kei-ichiro Murai and Kikuo Tominaga : In₂O₃-ZnO transparent conductive oxide film deposition on polycarbonate substrates, Vacuum, Vol.83, No.3, 557-560, 2008. [EdbClient \| EDB]
10)	2,008	学術論文 (審査論文)	Kikuo Tominaga, Daisuke Takada, Koji Shimomura, Hiroshi Suketa, Keisuke Takita, Kei-ichiro Murai and Toshihiro Moriga : Influence of Ga₂O₃ addition on transparent conductive oxide films of In₂O₃-ZnO, Vacuum, Vol.83, No.3, 561-563, 2008. [EdbClient \| EDB]
11)	2,008	学術論文 (審査論文)	Kenichi Inoue, Kikuo Tominaga, Takashi Tsuduki, Michio Mikawa and Toshihiro Moriga : The properties of transparent conductive In-Ga-Zn oxide films produced by pulsed laser deposition, Vacuum, Vol.83, No.3, 552-556, 2008. [EdbClient \| EDB]
12)	2,008	学術論文 (審査論文)	Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Future Applications of GaN Electron Devices, Semiconductor Technology, Vol.33, No.12, 72-74, 2008. [EdbClient \| EDB]
13)	2,008	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN, Semiconductor Technology, Vol.33, No.12, 75-79, 2008. [EdbClient \| EDB]
14)	2,008	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Takuya Yamanaka, Kensuke Inai and Tohru Ishitani : Comparison of secondary electron emission in helium ion microscope with gallium ion and electron microscopes, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol.267, No.4, 584-589, 2009. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2008年度(平成20年度) / 学術レター

(なし)

2008年度(平成20年度) / 総説・解説

1)	2,008	総説・解説	大宅薫, 相良明男 : 今，核融合炉の壁が熱い! 第3回 III. 壁の表面で何が起きているか, 日本原子力学会誌, Vol.50, No.8, 511-515, 2008年8月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	総説・解説	酒井士郎 : 短波長LEDチップを用いた白色照明, 光学, Vol.38, No.3, 127-131, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 国際会議

1)	2,008	国際会議	Yasuyuki Kikuhara, Kensuke Inai, Atsushi Ito, Hiroaki Nakamura and Kaoru Ohya : Hydrocarbon Reflection and Redeposition on Plasma-Facing Surfaces, 2nd Japan-China Workshop on Blanket and Tritium Technology, 38-41, Sendai, Japan, May 2008. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	国際会議	Kaoru Ohya, Yasuyuki Kikuhara, Kensuke Inai, Andreas Kirschner, D. Borodin, Atsushi Ito, Hiroaki Nakamura and Tetsuo Tanabe : Simulation of hydrocarbon reflection from carbon and tungsten surfaces and its impact on codeposition patterns on plasma facing components, 18th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, Toledo, Spain, May 2008. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	国際会議	Kensuke Inai, Kaoru Ohya, Yukihiro Tomita, Andreas Kirschner, A. Litnovsky and Tetsuo Tanabe : Simulation of redeposition of carbon/hydrocarbon on a material surface with castellated structures, 18th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, Toledo, Spain, May 2008. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	国際会議	Daiji Kato, Takahiro Kenmotsu, Kaoru Ohya and Tetsuo Tanabe : Excited state distribution of reflected hydrogen atoms at metal surfaces - Development of theoretical models -, 18th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, Toledo, Spain, May 2008. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	国際会議	Kazuo Hoshio, Mitsunori Toma, M. Furuibayashi, Akiyoshi Hatayama, Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Numerical Analysis of Incident Angle of Heavy Metal Impurity to Plasma Facing Components by IMPGYRO, 18th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, Toledo, Spain, May 2008. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	国際会議	Mitsunori Toma, Kazuo Hoshino, Kensuke Inai, M. Ishida, Akiyoshi Hatayama and Kaoru Ohya : Coupled IMPGYRO-EDDY simulation of tungsten impurity transport in tokamak geometry, 18th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, Toledo, Spain, May 2008. [EdbClient \| EDB]
7)	2,008	国際会議	Kikuo Tominaga, Tsuduki Takashi, Inoue Ken-ichi, Mikawa Michio and Toshihiro Moriga : Film properties of amorphous transparent conductive In-Ga-Zn oxides deposited on fuzed quartz by the PLD method, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces, 329, Dublin, Jul. 2008. [EdbClient \| EDB]
8)	2,008	国際会議	Okada Kenji, Kikuo Tominaga, Retsuo Kawakami, Ohkura Shinya, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : Deposition of photocatalytic tiO2 films by planar magnetron sputtering system with opposed Ti targets, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces, 331-332, Dublin, Jul. 2008. [EdbClient \| EDB]
9)	2,008	国際会議	Ryo Matsuoka, Takashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate, Second International Symposium on Growth of III-Nitrides, MO-44, Izu, Jul. 2008. [EdbClient \| EDB]
10)	2,008	国際会議	Kensuke Inai, Kaoru Ohya, Gakushi Kawamura and Yukihiro Tomita : An EDDY-PIC Simulation of Codeposition of Hydrocarbon Isotopes on Castellated Structure of Plasma Facing Tiles, 14th International Congress on Plasma Physics, Fukuoka, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
11)	2,008	国際会議	Yasuyuki Kikuhara, Kensuke Inai, Kaoru Ohya, Atsushi Ito and Hiroaki Nakamura : Molecular dynamics simulation of hydrocarbon reflection of carbon and tungsten in realistic surface condition, 14th International Congress on Plasma Physics, Fukuoka, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
12)	2,008	国際会議	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Yasuyuki Kikuhara, T. Nakano, Jun Kawada, Hayato Kawazome, Yoshio Ueda and Tetsuo Tanabe : Transport of heavy hydrocarbon and its redeposition on plasma facing walls, 14th International Congress on Plasma Physics, Fukuoka, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
13)	2,008	国際会議	Mitsunori Toma, Kazuo Hoshino, Kensuke Inai, M. Ishida, Akiyoshi Hatayama and Kaoru Ohya : Analysis of the high-Z impurity transport in a tokamak by the IMPGYRO code, 14th International Congress on Plasma Physics, Fukuoka, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
14)	2,008	国際会議	Kaoru Ohya : Modeling of hydrocarbon transport and redeposition in gaps, 11th ITPA meeting on SOL/divertor physics, Nagasaki, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
15)	2,008	国際会議	Kaoru Ohya, Takuya Yamanaka, Kensuke Inai and Tohru Ishitani : Comparison of secondary electron emission in helium ion microscope with gallium ion and electron microscopes, 17th International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions, Porquerolles, France, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
16)	2,008	国際会議	K. Takahashi, Jin-Ping Ao, Y. Ikawa, C. -Y. Hu, H. Kawai, N. Shinohara, N. Niwa and Yasuo Ohno : GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
17)	2,008	国際会議	Cheng-Yu Hu, Katsutoshi Nakatani, Daigo Kikuta, Masahiro Sugimoto, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : VT-VSUB Characterization of AlGaN/GaN HFET with Regrown Epi-layer on p-GaN, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
18)	2,008	国際会議	Yuka Okuyama, Jin-Ping Ao, Ikuo Awai and Yasuo Ohno : Wireless Inter-Chip Signal Transmission by Electromagnetic Coupling of Open-Ring Resonators, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
19)	2,008	国際会議	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Yasuyuki Kikuhara, Atsushi Ito, Hiroaki Nakamura, Yukihiro Tomita and Tetsuo Tanabe : Modeling of Hydrocarbon Redeposition in the Gaps of Castellated Structures, Proceedings of 22nd IAEA Fusion Energy Conference, TH/P4-8, Geneva, Oct. 2008. [EdbClient \| EDB]
20)	2,008	国際会議	Katsuhiro Shimizu, Tomonori Takizuka, Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Tomohide Nakano, A. Takayama and Hisato Kawashima : Kinetic Modeling of Impurity Transport in Detached Plasma for Integrated Divertor Simulation with SONIC (SOLDOR/NEUT2D/IMPMC/EDDY), Proceedings of 22nd IAEA Fusion Energy Conference, TH/3-3, Geneva, Oct. 2008. [EdbClient \| EDB]
21)	2,008	国際会議	Heng-Yu Xu, Jin-Ping Ao, Hui Yu, Cheng-Yu Hu and Yasuo Ohno : Device Isolation for AlGaN/GaN HFET Utilizing Heavy Metal Diffusion, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008 (NMDC2008), Kyoto, Oct. 2008. [EdbClient \| EDB]
22)	2,008	国際会議	Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Kikuo Tominaga, Mukai Takashi, Hiraoka Kensaku, Kudo Yuki and Koide Kuniyuki : Model Analysis of Preferential Etching of III-V Nitrides by Capacitively Coupled Radio Frequency Argon Plasmas, 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia, 187, Matsue, Oct. 2008. [EdbClient \| EDB]
23)	2,008	国際会議	Okada Kenji, Kikuo Tominaga, Ohokura Sinya, Nouda Takahiro and Retsuo Kawakami : Deposition of TiO2 films by a RF-DC Coupled Magnetron Sputtering, 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia, 217, Matsue, Oct. 2008. [EdbClient \| EDB]
24)	2,008	国際会議	Ikuo Awai, Kunihito Hori, Yuka Okuyama and Yasuo Ohno : Non-contact Signal Transmission Based on Open Ring Resonator BPF, Proceedings of the 38th European Microwave Conference, Amsterdam, Oct. 2008. [EdbClient \| EDB]
25)	2,008	国際会議	Daiji Kato, Takahiro Kenmotsu, Kaoru Ohya and Tetsuo Tanabe : Polarization of excited states of atomic hydrogen reflected at Mo surface, 6th International Conference on Atomic and Molecular Data and Their Applications, Beijing, Oct. 2008. [EdbClient \| EDB]
26)	2,008	国際会議	Kensuke Inai, Kaoru Ohya, Hideaki Kuwada, Ryosuke Kawasaki, Misako Saito, Kaoru Fujiwara, Teruyuki Hayashi, Jack Jau and Kenichi Kanai : Electron beam charging of a SiO₂ layer on Si: a comparison between Monte Carlo-simulated and experimental results, Proceedings of SPIE, Vol.7140, 71400X, Taipei, Nov. 2008. [EdbClient \| EDB]
27)	2,008	国際会議	Kaoru Ohya, Takuya Yamanaka, Kensuke Inai and Tohru Ishitani : Modeling of secondary electron image contrasts in helium ion microscope, SPIE Lithography Asia Taiwan 2008, Taipei, Nov. 2008. [EdbClient \| EDB]
28)	2,008	国際会議	Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Kikuo Tominaga and Mukai Takashi : Effects of Capacitively Coupled Radio Frequency Krypton and Argon Plasmas on Gallium Nitride Etching Damage, Proceedings of International Symposium of Dry Process 2008, 187-188, Tokyo, Nov. 2008. [EdbClient \| EDB]
29)	2,008	国際会議	Naoki Shinohara, Yushi Miyata, Tomohiko Mitani, Naoki Niwa, Kenji Takagi, Kenichi Hamamoto, Satoshi Ujigawa, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : New Application of Microwave Power Transmission for Wireless Power Distribution System in Buildings, Asia Pacific Microwave Conference 2008, Hong Kong, Dec. 2008. [EdbClient \| EDB]
30)	2,008	国際会議	Takuya Yamanaka, Kensuke Inai, Kaoru Ohya and Tohru Ishitani : Simulation of secondary-electron emission in helium ion microscope for overcut and undercut line-edge patterns, Proceedings of SPIE, Vol.7272, 72722L, SanJose, CA, USA, Feb. 2009. [EdbClient \| EDB]
31)	2,008	国際会議	Kensuke Inai, Kaoru Ohya, Ryosuke Kawasaki, Hideaki Kuwada, Misako Saito, Teruyuki Hayashi, J. Jau and K. Kanai : Simulation of SEM images and charging of an insulator/metal bilayer in trench/hole patterns, SPIE Advanced Lithography 2009, San Nose, California, USA, Feb. 2009. [EdbClient \| EDB]
32)	2,008	国際会議	Daiji Kato, H. Iwakiri, K. Morishita, Kaoru Ohya and Tetsuo Tanabe : Hydrogen trapping and erosion of W crystal, IAEA 2nd CRM "Data for surface composition dynamics relevant to erosion processes", Vienna, Austria, Mar. 2009. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 国内講演発表

1)	2,008	国内講演発表	山中卓也, 井内健介, 大宅薫, 石谷亨 : ヘリウムイオン顕微鏡における二次電子信号の評価シミュレーション, 日本顕微鏡学会，第64回学術講演会, 2008年5月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	国内講演発表	藤間光徳, 星野一生, 井内健介, 石田真彦, 畑山明聖, 大宅薫 : トカマク不純物コードIMPGYROと損耗・再堆積コードEDDYとの結合, 第7回核融合エネルギー連合講演会, 2008年6月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	国内講演発表	大宅薫, 井内健介, 菊原康之, 冨田幸博, 中村浩章, 伊藤篤史, 田辺哲朗 : プラズマ対向壁における炭化水素の反射と再堆積, 第7回核融合エネルギー連合講演会, 2008年6月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	国内講演発表	敖金平, 許恒宇, 于僡, 胡成余, 大野泰夫 : Ni拡散によるAlGaN/GaN HFET素子分離, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	国内講演発表	胡成余, 中谷克俊, 敖金平, 菊田大悟, 杉本雅裕, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET VT-VSUB特性を用いたp-GaN上バッファ層の評価, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	国内講演発表	井川裕介, 湯浅頼英, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ表面負帯電におけるDC特性の解析, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,008	国内講演発表	星野一生, 藤間光徳, 井内健介, 石田真彦, 畑山明聖, 大宅薫 : IMPGYROコードによるトカマク周辺プラズマにおける重金属不純物輸送のシミュレーション, 第2回シミュレーション科学シンポジウム, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,008	国内講演発表	井内健介, 菊原康之, 大宅薫, 伊藤篤史, 中村浩章, 河村学思, 冨田幸博 : プラズマ対向壁における損耗・堆積のシミュレーション, 第2回シミュレーション科学シンポジウム, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,008	国内講演発表	大宅薫, 井内健介, 菊原康之, 冨田幸博, 中村浩章, 伊藤篤史, 田辺哲朗 : プラズマ対向壁における炭化水素再付着のシミュレーション, 日本原子力学会，2008年秋の大会, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,008	国内講演発表	松岡遼, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : ストライプ状金属蒸着膜を使ったAlGaN on GaN/Sapphireの選択MOCVD成長, 2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2a-CA-8, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,008	国内講演発表	川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 向井孝志 : GaNエッチングダメージへのアルゴンプラズマ粒子と紫外放射光のシナジー効果, 第69回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.1, 175, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,008	国内講演発表	續木隆志, 富永喜久雄, 丸山貴之, 三河通男, 森賀俊広 : PLD法により石英基板上へ作製したIn-Ga-Zn系酸化物透明導電性薄膜の特性, 第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 526, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,008	国内講演発表	川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 平岡謙作, 工藤裕貴, 小出訓之, 向井孝志 : n-GaNのアルゴンプラズマエッチングダメージ, 平成20年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 13, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,008	国内講演発表	森一郎, 森本敏文, 川上烈生 : 揺らぎを介する二個のビーム電子とイオンの相互作用と集団`CLUMP'の形成, 平成20年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 12, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,008	国内講演発表	加藤篤, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : SiO2 を斜め蒸着した凹凸GaN テンプレート上へのGaN成長, 平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-1, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,008	国内講演発表	結城勇介, 西野克志, 直井美貴, 酒井士郎 : 直接合成法を用いたa 面GaN 結晶成長のためのNH3 流量の検討, 平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-2, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,008	国内講演発表	遠野充明, 直井美貴, 酒井士郎, 和地順蔵 : ナノインプリント技術によるサファイア基板上へのナノ構造の形成, 平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-3, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,008	国内講演発表	南部紗織, 直井美貴, 酒井士郎 : 表面プラズモンポラリトンによる半導体LED の出力改善に関する検討, 平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-4, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,008	国内講演発表	川崎亮介, 桑田英明, 井内健介, 大宅薫, 斉藤美佐子, 林輝幸, Jau Jack, 金井健一 : 電子ビーム照射による絶縁物薄膜の帯電と二次電子放出のシミュレーション, LSIテスティングシンポジウム会議録, 51-56, 2008年11月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,008	国内講演発表	清水勝宏, 滝塚知典, 大宅薫, 井内健介, 仲野友英, 高山有道, 川島寿人 : 非接触プラズマにおける不純物輸送のダイバータ統合モデリング, プラズマ・核融合学会25回年会, 2008年12月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,008	国内講演発表	井上満夫, 井内健介, 大宅薫, 冨田幸博, 河村学思, 田辺哲朗 : 炭化水素のタイル再付着分布に及ぼすギャップ近傍のプラズマの影響, プラズマ・核融合学会25回年会, 2008年12月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,008	国内講演発表	茂原直秀, 井内健介, 大宅薫, 菊原康之, 伊藤篤史, 中村浩章, 田辺哲朗 : プラズマ対向壁に斜め入射する炭化水素の表面反射のMDシミュレーション, プラズマ・核融合学会25回年会, 2008年12月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,008	国内講演発表	大宅薫 : プラズマ対向壁の損耗・再堆積のシミュレーションの現状と展望, 未来エネルギー協会講演会, 2008年12月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,008	国内講演発表	大宅薫 : プラズマ材料相互作用のシミュレーション研究, PWI合同研究会, 2008年12月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,008	国内講演発表	渡邊隆之, 丸尾洋一, 坂本晃彦, 植野貴大, 河村亮輔, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : 対向ターゲット式DCマグネトロンスパッタリング法によりPET基板上に作製した酸化亜鉛-酸化インジウム系透明導電膜, 第47回セラミックス基礎科学討論会, 2009年1月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,008	国内講演発表	宮田侑是, 篠原真毅, 三谷友彦, 丹羽直幹, 高木賢二, 浜本研一, 宇治川智, 高橋健介, 敖金平, 大野泰夫 : GaNショットキーダイオードを用いた大電力レクテナの研究開発, 2009年電子情報通信学会総合大会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,008	国内講演発表	阿部まみ, 奥山祐加, 倉本健次, 黒田健太郎, 佐藤弘明, 粟井郁雄, 大野泰夫 : オープンリング共振器無線接続における損失の検討, 2009年電子情報通信学会総合大会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,008	国内講演発表	成行祐児, 松本将和, 遠野充明, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : ナノ加工を用いたGaNのC-V特性, 第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZJ-3, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,008	国内講演発表	北村政治, 川崎晃一, 吉田博紀, 直井美貴, 酒井士郎 : MOCVD法によるSi基板上へのSi1-x-yGexCy薄膜の成長, 第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-E-6, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
30)	2,008	国内講演発表	澤田剛一, 敖金平, 許恒宇, 高橋健介, 胡成余, 河合弘治, 篠原真毅, 丹羽直幹, 大野泰夫 : p型表面層を持つマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
31)	2,008	国内講演発表	井川裕介, 湯浅頼英, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETにおける仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
32)	2,008	国内講演発表	胡成余, 中谷克俊, 敖金平, 菊田大悟, 杉本雅裕, 大野泰夫 : p層上デュアルゲートAlGaN/GaN HFETにおけるアバランシェホール電流の測定, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 作品等

(なし)

2008年度(平成20年度) / その他・研究会

1)	2,008	その他・研究会	井内健介, 大宅薫 : castellation geometry タイル表面における炭化水素の再付着シミュレーション, 周辺プラズマモデリング研究会, 2008年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	その他・研究会	胡成余, 中谷克俊, 敖金平, 大野泰夫, 菊田大悟, 杉本雅裕 : VT-VSUB特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	その他・研究会	井川裕介, 湯浅頼英, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ負帯電による電流コラプスの2次元数値解析, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	その他・研究会	遠野充明, 張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 和地順蔵 : ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.ED2008-158, 2008年11月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	その他・研究会	Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Future Applications of GaN Electron Devices, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices (China), Nov. 2008. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	その他・研究会	Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices (China), Nov. 2008. [EdbClient \| EDB]
7)	2,008	その他・研究会	Kaoru Ohya, Kensuke Inai and 菊原康之 : Simulation of Erosion and Redeposition on Plasma Facing Walls, 第7回統合コード研究会, Dec. 2008. [EdbClient \| EDB]
8)	2,008	その他・研究会	川上烈生, 下村直行, 富永喜久雄, 井上廉 : 電気電子工学科における新入生の学業実態 ∼アンケート分析∼, 徳島大学工学部FD工学教育シンポジウム2009, 27-33, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,008	その他・研究会	大野泰夫 : 共振器結合を用いたワイアレス電力伝送, 日本機械学会マイクロナノ工学専門会議マイクロエネルギー研究会第三回会合, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 報告書

1)	2,008	報告書	川上烈生 : 紫外線LEDを利用した柑橘類の品質維持の可能性に関する研究, 財団法人阿波銀行学術・文化振興財団,平成19年度(第12回)学術部門助成報告書, 日本, 2008年4月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	報告書	川上烈生 : ワイドギャップ半導体用の高性能・低コスト・ドライ洗浄装置の開発, JSTイノベーションサテライト徳島,平成19年度研究成果実用化検討(FS)研究報告書, 日本, 2008年4月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	報告書	川上烈生 : 窒化物系半導体デバイスのためのプラズマ誘因ダメージレスナノプロセス装置の研究開発, 平成20年度教育研究等支援事業(学長裁量経費)報告書, 日本, 2009年1月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	報告書	川上烈生 : 高周波アルゴンプラズマによる衝撃粒子エネルギー分布と粒子束の解析, 平成20年度核融合科学研究所LHD数値解析システム利用共同研究報告書, 日本, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	報告書	川上烈生 : UV-LEDと光触媒のシナジー効果による果実の鮮度維持技術の開発研究, 徳島大学研究連携推進機構(知的財産本部),産学連携研究者育成支援事業, 日本, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	報告書	川上烈生 : UV-LEDによる光触媒酸化作用を用いた果実の汎用型鮮度維持装置の開発研究, JSTイノベーションサテライト徳島,平成20年度シーズ発掘試験(A), 日本, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度)

article.{@.date="20090400 20100399" @.organization=\E{148362}}

2009年度(平成21年度) / 著書

2,009

著書

Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : GaN-based Schottky Diodes, Handbook of Light Emitting and Schottky Diode Research, Nova Science Publishers, Hauppauge, May 2009. [EdbClient | EDB]

2009年度(平成21年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,009	学術論文 (審査論文)	Kikuo Tominaga, Takashi Tsuzuki, Takayuki Maruyama, Michio Mikawa and Toshihiro Moriga : Properties of Amorphous Transparent Conductive In-Ga-Zn Oxide Films Deposited on Fused Quartz by PLD Method, e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol.7, 273-276, 2009. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	学術論文 (審査論文)	Kensuke Takahashi, Jin-Ping Ao, Yusuke Ikawa, Cheng-Yu Hu, Hiroji Kawai, Naoki Shinohara, Naoki Niwa and Yasuo Ohno : GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C095, 2009. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	学術論文 (審査論文)	Yuka Okuyama, Jin-Ping Ao, Ikuo Awai and Yasuo Ohno : Wireless Inter-Chip Signal Transmission by Electromagnetic Coupling of Open-Ring Resonators, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C025, 2009. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	学術論文 (審査論文)	K. Shimizu, T. Takizuka, Kaoru Ohya, Kensuke Inai, T. Nakano, A. Takayama, H. Kawashima and K. Hoshino : Kinetic modelling og impurity transport in detached plasma for integrated divertor simulation with SONIC (SOLDOR/NEUT2D/IMPMC/EDDY), Nuclear Fusion, Vol.49, No.6, 065028, 2009. [EdbClient \| EDB]
5)	2,009	学術論文 (審査論文)	Kikuo Tominaga, Kenji Okada, Yoshinori Miyamoto, Shinya Ohkura, Kazuya Kusaka, Kentaro Shiraishi, Takahiro Ueno and Takao Hanabusa : Deposition of photocatalytic TiO2 films by planar magnetron sputtering system with opposed Ti targets, e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol.7, 290-293, 2009. [EdbClient \| EDB]
6)	2,009	学術論文 (審査論文)	Ryo Matsuoka, Takashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.10, 2847-2849, 2009. [EdbClient \| EDB]
7)	2,009	学術論文 (審査論文)	Y. Ueda, M. Fukumoto, A. Yamawaki, Y. Soga, Y. Ohtsuka, S. Brezinsek, T. Hirai, A. Kirschner, A. Kreter, A. Litnovsky, V. Philipps, A. Pospieszczyk, B. Schweer, G. Sergienko, T. Tanabe, K. Sugiyama, Kaoru Ohya, N. Ohno and TEXTOR team : Effects of tungsten surface conditions on carbon deposition, Journal of Nuclear Materials, Vol.390-391, 44-48, 2009. [EdbClient \| EDB]
8)	2,009	学術論文 (審査論文)	Daiji Kato, Takahiro Kenmotsu, Kaoru Ohya and Tetsuo Tanabe : Excited state distribution of reflected hydrogen atoms at metal surfaces - Development of theoretical models, Journal of Nuclear Materials, Vol.390-391, 498-501, 2009. [EdbClient \| EDB]
9)	2,009	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Y. Kikuhara, Kensuke Inai, A. Kirschner, D. Borodin, A. Ito, H. Nakamura and T. Tanabe : Simulation of hydrocarbon reflection from carbon and tungsten surfaces and its impact on codeposition patterns on plasma facing components, Journal of Nuclear Materials, Vol.390-391, 72-75, 2009. [EdbClient \| EDB]
10)	2,009	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai, Kaoru Ohya, Y. Tomita, A. Kirschner, A. Litnovsky and T. Tanabe : Simulation of redeposition of carbon/hydrocarbon on a material surface with castellated structures, Journal of Nuclear Materials, Vol.390-391, 119-122, 2009. [EdbClient \| EDB]
11)	2,009	学術論文 (審査論文)	K. Hoshino, M. Toma, M. Furubayashi, A. Hatayama, Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Numerical analysis of incident angle of heavy metal impurity to plasma facing components by IMPGYRO, Journal of Nuclear Materials, Vol.390-391, 168-171, 2009. [EdbClient \| EDB]
12)	2,009	学術論文 (審査論文)	M. Toma, K. Hoshino, Kensuke Inai, M. Furubayashi, A. Hatayama and Kaoru Ohya : Coupled IMPGYRO-EDDY simulation of tungsten impurity transport in tokamak geometry, Journal of Nuclear Materials, Vol.390-391, 207-210, 2009. [EdbClient \| EDB]
13)	2,009	学術論文 (審査論文)	A. Yamawaki, M. Fukumoto, Y. Soga, Y. Ueda and Kaoru Ohya : Temperature dependence of carbon deposition on tungsten, Fusion Science and Technology, Vol.56, No.2, 1038-1042, 2009. [EdbClient \| EDB]
14)	2,009	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Takeshi Inaoka, Kikuo Tominaga and Mukai Takashi : Effects of Capacitively Coupled Radio Frequency Krypton and Argon Plasmas on Gallium Nitride Etching Damage, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.48, No.8, 08HF01-1-08HF01-4, 2009. [EdbClient \| EDB]
15)	2,009	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai, Kaoru Ohya, G. Kawamura and Y. Tomita : An EDDY-PIC Simulation of Co-deposition of Hydrogen Isotopes on a Castellated Structure of Plasma Facing Tiles, Journal of Plasma and Fusion Research Series, Vol.8, 433-437, 2009. [EdbClient \| EDB]
16)	2,009	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Y. Kikuhara, T. Nakano, J. Kawata, H. Kawazome, Y. Ueda and T. Tanabe : Transport of Heavy Hydrocarbon and its Redeposition on Plasma Facing Walls, Journal of Plasma and Fusion Research Series, Vol.8, 419-424, 2009. [EdbClient \| EDB]
17)	2,009	学術論文 (審査論文)	M. Toma, K. Hoshino, Kensuke Inai, M. Ishida, A. Hatayama and Kaoru Ohya : Analysis of the high-Z impurity transport in a Tokamak by the IMPGYRO code, Journal of Plasma and Fusion Research Series, Vol.8, 1116-1119, 2009. [EdbClient \| EDB]
18)	2,009	学術論文 (審査論文)	Jing Zhang, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : Fabrication and Photovoltaic Measurements of Surface Nanostructure of AlGaInN-Based Photodetector, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.48, No.11, 111001-1-111001-5, 2009. [EdbClient \| EDB]
19)	2,009	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya and Andreas Kirschner : Modeling of erosion and deposition by the Monte Carlo codes EDDY and ERO, Physica Scripta, Vol.T138, 014010-(7pp), 2009. [EdbClient \| EDB]
20)	2,009	学術論文 (審査論文)	Andreas Kirschner, Kaoru Ohya, D. Borodin, R. Ding, D. Matveev, V. Philipps and U. Samm : Prediction of long-term tritium retention in the divertor of ITER: influence of modelling assumptions on retention rates, Physica Scripta, Vol.T138, 014011-(6pp), 2009. [EdbClient \| EDB]
21)	2,009	学術論文 (審査論文)	M. Sakamoto, T. Miyazaki, Y. Higashizono, K. Ogawa, K. Ozaki, N. Ashikawa, M. Tokitani, T. Shoji, S. Masuzaki, K. Tokunaga, Kaoru Ohya, A. Sagara, N. Yoshida and K.N. Sato : Surface modification of tungsten mirrors due to low-energy helium plasma irradiation in the compact PWI simulator APSEDAS, Physica Scripta, Vol.T138, 014043-(5pp), 2009. [EdbClient \| EDB]
22)	2,009	学術論文 (審査論文)	Tohru Ishitani, Takuya Yamanaka, Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Secondary electron emission in scanning Ga ion, He ion and electron microscope, Vacuum, Vol.84, No.8, 1018-1024, 2010. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 学術論文 (紀要その他)

2,009

学術論文 (紀要その他)

Daiji Kato, Takahiro Kenmotsu, Kaoru Ohya and Tetsuo Tanabe : Linear polarization of photon emission from reflected neutrals of atomic hydrogen at metal PFCs, Research Report of National Institute for Fusion Science, No.NIFS-PROC-81, 150-161, 2010. [EdbClient | EDB]

2009年度(平成21年度) / 学術レター

2,009

学術レター

Yuta Higashizono, Mizuki Sakamoto, Toshimasa Miyazaki, Kazuma Ogawa, Kazuki Ozaki, Yousuke Nakashima, Tatsuo Shoji, Naoko Ashikawa, Masayuki Tokitani, Kazutoshi Tokunaga, Suguru Masuzaki, Kaoru Ohya, Akio Sagara and Kohnosyke Sato : Axial Profile of Balmer-Alpha Emission near a Tungsten Target in the Compact PWI Simulator APSEDAS, Plasma and Fusion Research, Vol.4, No.0, 043-1-043-3, 2009. [EdbClient | EDB]

2009年度(平成21年度) / 総説・解説

2,009

総説・解説

大宅薫, 井内健介, 清水勝宏, 滝塚知典, 川島寿人, 星野一生, 畑山明聖, 藤間光徳, 冨田幸博, 河村学思, 芦川直子, 田中康規, 小野忠良, 村本哲也, 剣持貴弘, 中村浩章, 伊藤篤史, 加藤太治 : 核融合炉のトリチウム蓄積・排出評価のための理論およびシミュレーションコードの開発, プラズマ・核融合学会誌, Vol.85, No.10, 695-703, 2009年10月. [EdbClient | EDB]

2009年度(平成21年度) / 国際会議

1)	2,009	国際会議	Kikuo Tominaga, Akihiko Sakamoto, Takayuki Watanabe and Toshihiro Moriga : Effects of low-temperature and short-time annealing on amorphous transparent conductive oxide IZO (In2O3-ZnO) films, 6th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-6), 75, Tokyo, Apr. 2009. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	国際会議	M Sakamoto, T Miyazaki, Y Higashizono, K Ogawa, K Ozaki, N Ashikawa, M Tokitani, T Shoji, S Masuzaki, K Tokunaga, Kaoru Ohya, A Sagara, N Yoshida and KN Sato : Surface modification of tungsten due to plasma irradiation in the compact PWI simulator APSEDAS, 12th International Workshop on Plasma Facing Materials and Components for Fusion Applications, Juelich, Germany, May 2009. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	国際会議	Kaoru Ohya and Andreas Kirschner : Modeling of erosion and deposition by the Monte Carlo codes EDDY and ERO, 12th International Workshop on Plasma Facing Materials and Components for Fusion Apprications, Juelich, Germany, May 2009. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	国際会議	Andreas Kirschner, Kaoru Ohya, D Borodin, R Ding, D Matveev, V Philipps and U Samm : Prediction of long-term tritium retention in the divertor of ITER: influence of modelling assumptions on retention rates, 12th International Workshop on Plasma Facing Materials and Components for Fusion Applications, Juelich, Germany, May 2009. [EdbClient \| EDB]
5)	2,009	国際会議	Atsushi Ito, Takahiro Kenmotsu, Yasuyuki Kikuhara, Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Y. Wang, S. Irle, K. Morokuma and Hiroaki Nakamura : Hydrogen atom injection into carbon surfaces by comparison between Monte-Carlo, molecular dynamics and ab-initio calculations, 4th IAEA Technical Meeting (IAEA-TM) on the Theory of Plasma Instabilities, Kyoto, May 2009. [EdbClient \| EDB]
6)	2,009	国際会議	Jing Zang, S. Okuno, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : The surface nanostructure photo-voltaic property of GaN-based photodetector, Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009), MO3-7, Zhangjiajie, May 2009. [EdbClient \| EDB]
7)	2,009	国際会議	Kaoru Ohya : Integrated numerical simulations and modelling of erosion and deposition on plasma facing wall, THIRD ITER SUMMER SCHOOL: Plasma Surface Interaction in Controlled Fusion Devices, Aix en Provence, France, Jun. 2009. [EdbClient \| EDB]
8)	2,009	国際会議	Retsuo Kawakami, Kikuo Tominaga, Okada Kenji, Nouda Takahiro, Takeshi Inaoka, Takeichi Atsushi, Fukudome Toshiaki and Murao Kenichi : Etch Damage Characteristics of TiO2 Thin Films by Capacitively Coupled RF Ar Plasmas, Proceedings of 10th International Symposium of Sputtering & Plasma Processes, 500-503, Kanazawa, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
9)	2,009	国際会議	Jin-Ping Ao, Asato Suzuki, Kouichi Sawada, Satoko Shinkai and Yasuo Ohno : Schottky Contacts of Reactive Sputtering Refractory Metal Nitrides on Gallium Nitride, The 10th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, 433-436, Kanazawa, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
10)	2,009	国際会議	Nouda Takahiro, Tominaga Kikuo, Okada Kenji, Murao Ken-ichi, Retsuo Kawakami, Kusaka Kazuya and Hanabusa Takao : Deposition and characterization of TiO2 thin films by rf-dc coupled reactive magnetron sputtering, Proceedings of 10th International Symposium of Sputtering & Plasma Processes, 479-482, Kanazawa, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
11)	2,009	国際会議	Atsushi Ito, Takahiro Kanmotsu, Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Y. Wang, S. Irle, K. Morokuma and Hiroaki Nakamura : Hydrogen atom and graphite surfaces interaction by molecular dynamics, Monte-Carlo and ab-initio calculations, CREST International Symposium on Theory and Simulations of Complex Molecular System & International Symposium on Theory of Molecular Structure, Kyoto, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
12)	2,009	国際会議	Kaoru Ohya : Coupled EDDY/MD/PIC modeling of erosion and deposition on plasma facing walls, 2009 Japan-U.S. Workshop on Heat Removal and Plasma Material Interactions for Fusion, Fusion High Power Density Components and Systems, and IEA Workshop on Solid Surface Plasma Facing Components, Berkeley, California, USA, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
13)	2,009	国際会議	Cheng-Yu Hu, Katsutoshi Nakatani, Hiroji Kawai, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Buffer layer doping concentration measurement using VT-VSUB Characterization of GaN HEMT with p-GaN substrate layer, 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Aug. 2009. [EdbClient \| EDB]
14)	2,009	国際会議	Yusuke Ikawa, Yorihide Yuasa, Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Surface Negative Charge Injection, 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Aug. 2009. [EdbClient \| EDB]
15)	2,009	国際会議	Kensuke Inai, Kaoru Ohya, Gakushi Kawamura and Yukihiro Tomita : Electron velocity distribution at a sheath edge in the presence of secondary electron emission from a metal surface, 12th International Workshop on Plasma Edge Theoty in Fusion Devices, Rostov Veliky, Russia, Sep. 2009. [EdbClient \| EDB]
16)	2,009	国際会議	Daiji Kato, Takahiro Kenmotsu, Kaoru Ohya and Tetsuo Tanabe : Linear polarization of photons emitted from excited hydrogen atoms formed above metal surfaces, 12th International Workshop on Plasma Edge Theory in Fusion Devices, Rostov Veliky, Russia, Sep. 2009. [EdbClient \| EDB]
17)	2,009	国際会議	Atsushi Ito, Kaoru Ohya, Kensuke Inai and Hiroaki Nakamura : Dependency of tritium retention in graphite on temperature control of molecular dynamics, 12th International Workshop on Plasma Edge Theory in Fusion Devices, Rostov Veliky, Russia, Sep. 2009. [EdbClient \| EDB]
18)	2,009	国際会議	Kensuke Inai, Kaoru Ohya, Mitsuo Inoue, Yukihiro Tomita, Gakushi Kawamura and Tetsuo Tanabe : Asymmetric Carbon Deposition in Toroidal and Poloidal Gaps of Plasma Facing Tiles, 14th International Conference on Fusion Reactor Materials, Sapporo, Sep. 2009. [EdbClient \| EDB]
19)	2,009	国際会議	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Yasuyuki Kikuhara, Naohide Mohara, Atsushi Ito, Hiroaki Nakamura and Tetsuo Tanabe : Molecular Dynamics Study on Hydrocarbon Interactions with Plasma Facing Walls, 14th International Conference on Fusion Reactor Materials, Sapporo, Sep. 2009. [EdbClient \| EDB]
20)	2,009	国際会議	Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Tominaga Kikuo, Niibe Masahito, Mukai Takashi, Takeichi Atsushi and Fukudome Toshiaki : Synergy Effect of Xenon Plasma Ions and Ultraviolet Lights on GaN Etch Surface Damage and Modification, 16th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams, 190, Tokyo, Sep. 2009. [EdbClient \| EDB]
21)	2,009	国際会議	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Ryosuke Kawasaki, Daiki Takami, Misako Saito, Teruyuki Hayashi, J. Jau and K. Kanai : Modeling and Observations of Electron Beam Charging of an Insulator/Metal Bilayer and Its Impact on Secondary Electron Images in Defect Inspection Equipment, Thw Twelfth Frontiers of Electron Microscopy in Materials Science, Huis Ten Bosch, Sasebo, Japan, Sep. 2009. [EdbClient \| EDB]
22)	2,009	国際会議	Cheng-Yu Hu, Hiroyuki Nokubo, Masaya Okada, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : MIS Diode Characterization on n-GaN by C-V Measurement at 150 C, The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
23)	2,009	国際会議	Katsutoshi Nakatani, Jin-Ping Ao, Keisuke Ohmuro, Masahiro Sugimoto, Cheng-Yu Hu, Yuji Sogawa and Yasuo Ohno : Evaluation of GaN MOSFET with TEOS SiO2 Gate Insulator, The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
24)	2,009	国際会議	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Naohide Mohara, Yohei Miyake, Atsushi Ito, Hiroaki Nakamura, D. Borodin and Andreas Kirschner : Molecular Dynamics and Dynamic Monte Carlo Study of Mixed Material and Its Impact on Plasma Wall Interactions, 9th International Symposium on Fusion Nuclear Technology, Dalian, China, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
25)	2,009	国際会議	Kensuke Inai, Yukihiro Tomita, Mitsuo Inoue, Gakushi Kawamura and Kaoru Ohya : A Coupled PIC/ELECTRAN Simulation of Sheath Formation with Secondary Electron Emission from Plasma Facing Walls, 9th International Symposium on Fusion Nuclear Technology, Dalian, China, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
26)	2,009	国際会議	Cheng-Yu Hu, Daigo Kikuta, Katsutoshi Nakatani, Jin-Ping Ao, Masahiro Sugimoto and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact to Deeply Dry-etched p-GaN, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
27)	2,009	国際会議	Cheng-Yu Hu, Daigo Kikuta, Katsutoshi Nakatani, Jin-Ping Ao, Masahiro Sugimoto and Yasuo Ohno : Monitoring and control of substrate voltage for AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN epi-layer, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
28)	2,009	国際会議	Kohei Hara, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : GaN Re-growth Using Ta Mask by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, MP9, Cheju, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
29)	2,009	国際会議	Takesi Noda, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Crack Reduction of AlGaN on GaN/sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, MP14, Cheju, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
30)	2,009	国際会議	Yuji Nariyuki, Masakazu Matsmoto, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : Evaluation and Re-growth of GaN on Nano-patterned GaN on a Sapphire Substrate, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, TP113, Cheju, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
31)	2,009	国際会議	Jing Zhang, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : GaN Surface Nanostructure Photodetector Based on Back Side Incidence, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, TP145, Cheju, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
32)	2,009	国際会議	Yoshiki Naoi, Mitsuaki Tohno, Tianya Tan, Masakazu Matsmoto, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : GaN-bsed Light Emitting Diodes with Periodic Nano-structues on the Surface Fabricated by Nanoimprint Lithography Technique, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, ThP106, Cheju, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
33)	2,009	国際会議	M. Sakamoto, Y. Higashizono, T. Miyazaki, K. Ozaki, K. Ogawa, N. Ashikawa, M. Tokitani, T. Shoji, S. Masuzaki, K. Tokunaga, Kaoru Ohya, A. Sagara, N. Yoshida and K.N. Sato : Surface modification of tungsten irradiated by low energy plasma in the compact PWI simulator APSEDAS, 7th General Scientific Assembly of the Asia Plasma and Fusion Association in 2009 and Asia-Pacific Plasma Theory Conference in 2009, Aomori, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
34)	2,009	国際会議	Kaoru Ohya, Naohide Mohara, Yohei Miyake, Kensuke Inai, Atsushi Ito, Hiroaki Nakamura, Yoshio Ueda and Tetsuo Tanabe : Molecular dynamics study of plasma surface interactions for mixed materials, 7th General Scientific Assembly of the Asia Plasma and Fusion Association in 2009 and Asia-Pacific Plasma Theory Conference in 2009, Aomori, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
35)	2,009	国際会議	Hayato Kawazome, Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Jun Kawata, Kenji Nishimura and Tetsuo Tanabe : Calculation of D/XB values of hydrocarbon molecules in tokamak edge plasmas, 19 th International Toki Conference (ITC-19) on Advanced Physics in Plasma and Fusion Research, Toki, Japan, Dec. 2009. [EdbClient \| EDB]
36)	2,009	国際会議	M. Sakamoto, Y. Higashizono, H. Zushi, K. Nakamura, K. Hanada, H. Idei, K. Tokunaga, M. Hasegawa, S. Kawasaki, H. Nakashima, T. Fujiwara, A. Higashijima, T. Miyazaki, K. Ozaki, K. Ogawa, M. Tokitani, M. Miyamoto, N. Ashikawa, T. Shoji, S. Masuzaki, Kaoru Ohya, A. Sagara, N. Yoshida and K.N. Sato : Plasma-Wall Interaction Study towards the Steady State Operation, 19th International Toki Conference (ITC-19) on Advanced Physics in Plasma and Fusion Research, Toki, Japan, Dec. 2009. [EdbClient \| EDB]
37)	2,009	国際会議	Koji Kawasaki, Seiji Kitamura, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Growth of SiGeC Thin Film on Si Substrate by Metal Organic Chemical Vaoir Deposition, Fifth International Workshop on NEW GROUP IV SEMICONDUCTOR NANOELECTRONICS, P-09, Sendai, Jan. 2010. [EdbClient \| EDB]
38)	2,009	国際会議	Kohei Hara, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Ta-etching of GaN by the Metalorganic Chemical Vapor Deposition-re-growth of GaN, 2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, PB055B, Nagoya, Mar. 2010. [EdbClient \| EDB]
39)	2,009	国際会議	Jing Zhang, Takumi Taoka, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : Front and Back Side Illumination of a Nano-Structured AlGaInN Photodetector, 2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, PB064C, Nagoya, Mar. 2010. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 国内講演発表

1)	2,009	国内講演発表	野田丈嗣, 松岡遼, 直井美貴, 酒井士郎 : MOCVD-GaN on Sapphire上AlGaNのクラックの低減に関する研究, 第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-ZJ-14, 2009年4月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	国内講演発表	張晶, 遠野充明, 奥野誠亮, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : GaNナノ加工pnダイオード光検出器, 第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-ZJ-30, 2009年4月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	国内講演発表	直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚, 納田卓, 木村真大, 川野俊輔, 村本宜彦 : サファイア上周期的ナノ構造を形成するためのナノインプリント技術開発とGaN系LED, 第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZJ-10, 2009年4月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	国内講演発表	遠野充明, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : ナノインプリント技術により周期的ナノ構造を形成したGaN系光デバイスからのEL特性, 第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZJ-11, 2009年4月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,009	国内講演発表	黒田健太郎, 井川裕介, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスのステップストレス測定, 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,009	国内講演発表	下村輝, 粟井郁雄, 大野泰夫 : ミリはインターコネクトにおける設置面の影響, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,009	国内講演発表	高橋健介, 敖金平, 胡成余, 篠原真毅, 丹羽直幹, 大野泰夫 : マイクロ波電力整流用GaNショットキーダイオードのSパラメータ解析, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,009	国内講演発表	倉本健次, 阿部まみ, 奥山祐加, 敖金平, 大野泰夫 : オープンリング共振器を用いた非接触広帯域入出力インターフェイス, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,009	国内講演発表	阿部まみ, 倉本健次, 敖金平, 大野泰夫 : オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,009	国内講演発表	成行祐児, 松本将和, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : ナノ加工を施したGaN上への再成長及びその評価, 第70回応用物理学会学術講演会, 8p-F-2, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,009	国内講演発表	新部正人, 前田佳恵, 川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 向井孝志 : ArおよびKrでRFプラズマエッチングしたGaN結晶の表面組成分析, 第70回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.1, 189, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,009	国内講演発表	川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 新部正人, 向井孝志 : 容量結合型KrプラズマによるGaNエッチングダメージ解析, 第70回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.1, 188, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,009	国内講演発表	張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : 裏面入射GaN系表面ナノ構造光検出器, 第70回応用物理学会学術講演会, 10a-E-9, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,009	国内講演発表	原航平, 直井美貴, 酒井士郎 : Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長, 第70回応用物理学会学術講演会, 11a-E-9, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,009	国内講演発表	野田丈嗣, 直井美貴, 酒井士郎 : MOCVD-GaN on Sapphire上AlGaNのクラックの低減に関する研究(2), 第70回応用物理学会学術講演会, 11a-E-10, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,009	国内講演発表	直井美貴, 松本将和, 譚天亜, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : 表面ナノ周期構造を有するInGaN-LEDからの輻射光空間分布特性, 第70回応用物理学会学術講演会, 11a-X-8, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,009	国内講演発表	丸尾洋一, 大森悠丘, 渡邊隆之, 富永喜久雄, 村井啓一郎, 森賀俊広 : 有機高分子基板上に製膜したZnO-In₂O₃系, 日本材料学会四国支部第6回夏季材料セミナー, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,009	国内講演発表	稲岡武, 川上烈生, 富永喜久雄, 新部正人, 向井孝志 : 非対称放電系容量結合型RFクリプトンプラズマの放電及び発光特性, 平成21年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 30, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,009	国内講演発表	川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 新部正人, 向井孝志 : クリプトンとアルゴンプラズマによる窒化ガリウムエッチングダメージ, 平成21年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 29, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,009	国内講演発表	大宅薫, 茂原直秀, 井内健介, 伊藤篤史, 中村浩章, 上田良夫, 田辺哲朗 : プラズマ対向壁に形成される混合層スパッタリングのシミュレーション, プラズマ・核融合学会第26回年会, 2009年12月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,009	国内講演発表	新部正人, 前田佳恵, 川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 向井孝志 : プラズマエッチングしたGaN結晶のN-K吸収測定によるダメージ解析, 第23回日本放射光学会年会, 2010年1月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,009	国内講演発表	大野泰夫 : 無線送電とワイドギャップ半導体, 2010年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,009	国内講演発表	阿部まみ, 倉本健次, 天羽孝文, 敖金平, 大野泰夫 : 誘電率の異なる基板間でのオープンリング共振器無線接続, 2010年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,009	国内講演発表	大宅薫 : 炭素再堆積層におけるプラズマ・壁相互作用のシミュレーション, 「マルチスケールでのプラズマ・壁相互作用の理解」研究会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,009	国内講演発表	西野克志, 澤井佑介, 成行祐児, 野田丈嗣, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察, 第57回応用物理学関係連合講演会, 19a-TB2, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,009	国内講演発表	中谷克俊, 祖川雄司, 金栄現, 敖金平, 大野泰夫, 宮下準弘, 本山慎一 : プラズマCVD酸化膜を用いたGaN MOSFET, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,009	国内講演発表	黒田健太郎, 井川裕介, 光山健太, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスにおける光照射の影響, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 作品等

(なし)

2009年度(平成21年度) / その他・研究会

1)	2,009	その他・研究会	直井美貴 : LEDの光出力改善技術, 技術情報協会:LED照明の高輝度・長寿命化技術セミナー, 2009年5月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	その他・研究会	大野泰夫 : 化合物半導体電子デバイス開発の軌跡, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会資料, 2009年6月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	その他・研究会	野崎兼史, 高橋義也, 敖金平, 大野泰夫 : オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御, 電子情報通信学会センサーデバイス・MEMS・一般研究会, 2009年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	その他・研究会	下村直行, 川上烈生, 寺西研二, 富永喜久雄 : 導入教育・初年度教育に関する考察, --- 徳島大学電気電子工学科のアンケート結果から ---, 電気学会研究会資料, Vol.FIE-09, No.3, 41-46, 2009年8月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,009	その他・研究会	直井美貴 : 紫外線LEDの開発動向と今後の応用について, 徳島ビジネスチャレンジメッセ2009 LEDコンソーシアム基調講演, 2009年10月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,009	その他・研究会	新部正人, 前田佳恵, 川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 向井孝志 : プラズマエッチングしたGaN結晶のN-K吸収計測によるダメージ解析, 第45回X線分析討論会, 2009年11月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,009	その他・研究会	川上烈生 : UV-LEDによる光触媒酸化作用を用いた果実の汎用型鮮度維持装置の開発研究, 第三回技術シーズ発表会 in 四国 ∼四国発!地域元気の取組みについて∼, 2009年11月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,009	その他・研究会	黒田健太郎, 井川裕介, 光山健太, 敖金平, 大野泰夫 : ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析, 電子情報通信学会電子デバイス，電子部品・材料，レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,009	その他・研究会	高橋健介, 敖金平, 篠原真毅, 丹羽直幹, 藤原暉雄, 大野泰夫 : マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発, 電子情報通信学会電子デバイス，電子部品・材料，レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,009	その他・研究会	原航平, 直井美貴, 酒井士郎 : Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.109, No.288, 1-4, 2009年11月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,009	その他・研究会	張晶, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : GaN系表面ナノ構造光検出器, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.109, No.288, 83-87, 2009年11月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,009	その他・研究会	Y.J. Choi, Yoshiki Naoi, Kohei Hara, Masakzu Matsumoto, Shiro Sakai and S.N. Yi : GaN nanorod fabrication by reactive ion etching and nanoimprint lithography technique, Proceedings of the fourth symposium on "The Fourth International Symposium:Development of the Global Doble Degree Program(GDPP)", 54, Dec. 2009. [EdbClient \| EDB]
13)	2,009	その他・研究会	川上烈生 : 果実の汎用型鮮度維持装置, STイノベーションサテライト徳島育成研究報告会平成18年度採択育成研究課題報告, 2009年12月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,009	その他・研究会	新部正人, 前田佳恵, 川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 向井孝志 : プラズマエッチングしたGaN結晶のNEXAFS測定によるダメージ解析, 2010先端技術セミナー，高度産業科学技術研究所主催, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,009	その他・研究会	西野克志, 直井美貴 : 電気電子工学科基礎科目における再履修生を対象とした授業の試み, 工学教育シンポジウム2010(SEE2010), 2010年3月. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 報告書

1)	2,009	報告書	川上烈生 : 高周波クリプトンプラズマによる自己無撞着な衝撃粒子エネルギー分布及び粒子束の解析, 平成21年度核融合科学研究所LHD数値解析システム利用共同研究報告書, 日本, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	報告書	川上烈生 : UV-LEDによる薄膜系TiO2の光触媒反応活性化のための大気圧空気プラズマナノ表面処理技術の開発研究, 徳島大学研究連携推進機構(知的財産本部),産学連携研究者育成支援事業, 日本, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	報告書	川上烈生 : 分光計測(反射・透過・膜厚)システム一式, 徳島大学外部資金に係わる間接経費(学長裁量経費), 日本, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度)

article.{@.date="20100400 20110399" @.organization=\E{148362}}

2010年度(平成22年度) / 著書

2,010

著書

Kaoru Ohya : Plasma Interaction in Controlled Fusion Devices: 3rd ITER International Summer School, American Institute of Physics, Jun. 2010. [EdbClient | EDB]

2010年度(平成22年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,010	学術論文 (審査論文)	Cheng-Yu Hu, Hiroyuki Nokubo, Masanari Okada, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Metal Insulator Semiconductor Diode Characterization on n-GaN by Capacitance Voltage Measurement at 150 °C, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DF11, 2010. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Keisuke Ohmuro, Masahiro Sugimoto, Cheng-Yu Hu, Yuji Sogawa and Yasuo Ohno : GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Tetraethylorthosilicate SiO2 Gate Insulator on AlGaN/GaN Heterostructure, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DF09-1-04DF09-4, 2010. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	学術論文 (審査論文)	Jing Zhang, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : GaN surface nanostructure photodetector based on back side incidence, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.7-8, 1804-1806, 2010. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	学術論文 (審査論文)	Daiji Kato, Takahiro Kenmotsu, Kaoru Ohya and Tetsuo Tanabe : Linear Polarization of Photons Emitted from Excited Hydrogen Atoms Formed above Metal Surfaces, Contributions to Plasma Physics, Vol.50, No.3-5, 445-450, 2010. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai, Kaoru Ohya, Gakushi Kawamura and Yukihiro Tomita : Electron Velocity Distributions at a Sheath Edge in the Presence og Secondary Electron Emission from a Metal Surface, Contributions to Plasma Physics, Vol.50, No.3-5, 458-463, 2010. [EdbClient \| EDB]
6)	2,010	学術論文 (審査論文)	Atsushi Ito, Kaoru Ohya, Kensuke Inai and Hiroaki Nakamura : Dependency of Tritium Retention in Graphite on Temperature Control of Molecular Dynamics, Contributions to Plasma Physics, Vol.50, No.3-5, 464-469, 2010. [EdbClient \| EDB]
7)	2,010	学術論文 (審査論文)	Yuji Nariyuki, Masakazu Matsumot, Takeshi Noda, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : Evaluation and re-growth of p-GaN on nano-patterned GaN on sapphire substrate, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.7-8, 2121-2123, 2010. [EdbClient \| EDB]
8)	2,010	学術論文 (審査論文)	Yoshiki Naoi, Masakazu Matsumot, Tianya Tan, Mitsuaki Tohno, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : GaN-based light emitting diodes with periodic nano-structures on the surface fabricated by nanoimprint lithography technique, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.7-8, 2154-2156, 2010. [EdbClient \| EDB]
9)	2,010	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Tominaga Kikuo, Okada Kenji, Nouda Takahiro, Inaoka Takeshi, Takeichi Atsushi, Fukudome Toshiaki and Murao Kenichi : Etch Damage Characteristics of TiO2 Thin Films by Capacitively Coupled RF Ar Plasmas, Vacuum, Vol.84, No.12, 1393-1397, 2010. [EdbClient \| EDB]
10)	2,010	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Asato Suzuki, Kouichi Sawada, Satoko Shinkai, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Schottky contacts of refractory metal nitrides on gallium nitride using reactive sputtering, Vacuum, Vol.84, No.12, 1439-1443, 2010. [EdbClient \| EDB]
11)	2,010	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Ryosuke Kawasaki, Misako Saito, Teruyuki Hayashi, Jack Jau and Kenichi Kanai : Modelling and observations of electron beam charging of an insulator/metal bilayer and its impact on secondary electron images in defect inspection equipment, Journal of Electron Microscopy, Vol.59, S189-S193, 2010. [EdbClient \| EDB]
12)	2,010	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Naohide Mohara, Kensuke Inai, Atsushi Ito, Hiroaki Nakamura, Yoshio Ueda and Tetsuo Tanabe : Molecular Dynamics Study of Plasma Surface Interactions for Mixed Materials, Journal of Plasma and Fusion Research SERIES, Vol.9, 497-502, 2010. [EdbClient \| EDB]
13)	2,010	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, MOHARA Naohide, Kensuke Inai, ITO Atsushi, NAKAMURA Hiroaki, UEDA Yoshio and TANABE Tetsuo : Molecular Dynamics Study of Plasma Surface Interactions for Mixed Materials, J. Plasma Fusion Res. SERIES, Vol.9, 497-502, 2010. [EdbClient \| EDB]
14)	2,010	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya and Kensuke Inai : Hydrocarbon Redeposition on Plasma Facing Walls Intersecting Magnetic Field at Shallow Angles, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.9, 096201-1-096201-7, 2010. [EdbClient \| EDB]
15)	2,010	学術論文 (審査論文)	Yusuke Ikawa, Yorihide Yuasa, Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Surface Negative Charge Injection, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E93-C, No.8, 1218-1224, 2010. [EdbClient \| EDB]
16)	2,010	学術論文 (審査論文)	Cheng-Yu Hu, Katsutoshi Nakatani, Hiroji Kawai, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Buffer Layer Doping Concentration Measurement Using V_T-V_SUB Characteristics of GaN HEMT with p-GaN Substrate Layer, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E93-C, No.8, 1234-1237, 2010. [EdbClient \| EDB]
17)	2,010	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai, Yukihiro Tomita, Gakushi Kawamura and Kaoru Ohya : A coupled EDDY/PIC/ELECTRAN simulation of erosion and deposition in gaps, Fusion Engineering and Design, Vol.85, No.7-9, 1416-1420, 2010. [EdbClient \| EDB]
18)	2,010	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya, Naohide Mohara, Kensuke Inai, Atsushi Ito, Hiroaki Nakamura, Andreas Kirschner and Dimitry Borodin : Molecular dynamics and dynamic Monte Carlo studies of mixed materials and their impact on plasma wall interactions, Fusion Engineering and Design, Vol.85, No.7-9, 1167-1172, 2010. [EdbClient \| EDB]
19)	2,010	学術論文 (審査論文)	Hayato Kawazome, Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Jun Kawata, Kenji Nishimura and Tetsuo Tanabe : Calculation of D/XB Values of Hydrocarbon Molecules in Tokamak Edge Plasmas, Plasma and Fusion Research, Vol.5, S2073-1-S2073-5, 2010. [EdbClient \| EDB]
20)	2,010	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao : Monolithic Integration of GaN-based LEDs, Journal of Physics: Conference Series, Vol.276, No.1, 012001-1-012001-4, 2011. [EdbClient \| EDB]
21)	2,010	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Niibe Masahito, Fukudome Toshiaki, Takeichi Atsushi, Inaoka Takeshi and Tominaga Kikuo : Effect of DBD Air Plasma Treatment on TiO₂ Thin Film Surfaces, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.1, 01BE02-1-01BE02-5, 2011. [EdbClient \| EDB]
22)	2,010	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Yuji Sogawa, Shiro Akamatsu, Young Hyun Kim, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with a gate SiO2 insulator deposited by silane-based plasma-enhanced chemical vapor deposition, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 457-460, 2011. [EdbClient \| EDB]
23)	2,010	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Tominaga Kikuo, Niibe Masahito, Mukai Takashi, Takeichi Atsushi and Fukudome Toshiaki : Etch-induced damage characteristics of n-GaN surfaces by capacitively coupled radio frequency He and Ar plasmas, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 441-443, 2011. [EdbClient \| EDB]
24)	2,010	学術論文 (審査論文)	Niibe Masahito, Maeda Yoshie, Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Tominaga Kikuo and Mukai Takashi : Surface analysis of n-GaN crystal damaged by RF-plasma-etching with Ar, Kr, and Xe gases, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 435-437, 2011. [EdbClient \| EDB]
25)	2,010	学術論文 (審査論文)	Kensuke Inai and Kaoru Ohya : An EDDY/Particle-in-Cell Simulation of Erosion of Plasma Facing Walls Bombarded by a Collisional Plasma, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.2, 026001-1-026001-7, 2011. [EdbClient \| EDB]
26)	2,010	学術論文 (審査論文)	Kaoru Ohya and Hideaki Kuwada : Modeling of Electron Beam Charging of an Insulating Layer on a Silicon Substrate, e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol.9, 112-116, 2011. [EdbClient \| EDB]
27)	2,010	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Tominaga Kikuo, Niibe Masahito, Mukai Takashi, Takeichi Atsushi and Fukudome Toshiaki : Synergy Effect of Xenon Plasma Ions and Ultraviolet Lights on GaN Etch Surface Damage and Modification, Transactions of the Materials Research Society of Japan, Vol.36, No.1, 75-78, 2011. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 学術論文 (紀要その他)

2,010

学術論文 (紀要その他)

大宅薫, Andreas Kirschner : 国際連携による核融合炉実現を目指したプラズマ対向炉材料寿命評価コードの開発, 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告, No.55, 31-36, 2010年. [EdbClient | EDB]

2010年度(平成22年度) / 学術レター

(なし)

2010年度(平成22年度) / 総説・解説

(なし)

2010年度(平成22年度) / 国際会議

1)	2,010	国際会議	Kaoru Ohya, Takuya Yamanaka, Daiki Takami and Kensuke Inai : Modeling of charging effects in scanning ion microscopes, Proceedings of SPIE, Vol.7729, 7729-24-(9pp), Monterey, May 2010. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	国際会議	Kaoru Ohya : Progress in Modeling Plasma-Material Interactions, 19th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, San Diego, California, USA, May 2010. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	国際会議	Y. Higashizono, M. Sakamoto, K. Ogawa, K. Ozaki, S. Tsuru, R. Ohyama, I. Gouda, T. Shoji, N. Ashikawa, M. Tokitani, K. Tokunaga, S. Masuzaki, Kaoru Ohya, A. Sagara and K.N. Sato : Plasma and Neutral Hydrogen Behavior near Plasma Facing Materials Based on Spectroscopic Measurement and Monte Carlo Simulation in the Compact PWI Simulator APSEDAS, 19th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, San Diego, May 2010. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	国際会議	Daiji Kato, Takahiro Kenmotsu, Kaoru Ohya and Tetsuo Tanabe : Linear Polarization of Photon Emissions from Reflected Neutrals of Atomic Hydrogen at High-Z First-Wall Surfaces, 19th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, San Diego, May 2010. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	国際会議	H.G. Esser, Andreas Kirschner, D. Borodin, D. Matveev, Kaoru Ohya, O. Schmitz and V. Philipps : Analysis of the Local Redeposition Behaviour of Carbon at the Main Walls in TEXTOR by CD4 Gas Injection and Quartz Microbalance Techniques, 19th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, San Diego, May 2010. [EdbClient \| EDB]
6)	2,010	国際会議	M. Sakamoto, Y. Higashizono, K. Ozaki, K. Ogawa, A. Rusinov, N. Ashikawa, M. Tokitani, T. Shoji, S. Masuzaki, K. Tokunaga, Kaoru Ohya, A. Sagara, N. Yoshida and K.N. Sato : Surface Modification of Tungsten and Its Impact of Deuterium Retention, 19th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, San Diego, May 2010. [EdbClient \| EDB]
7)	2,010	国際会議	Qian Xu, Kaoru Ohya, Z.S. Yang, Kensuke Inai, R.J. Hong and G.-N. Luo : Monte Carlo Simulation of Erosion and Deposition Behavior of SiC-coated Graphite Tiles in EAST, 19th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, San Diego, May 2010. [EdbClient \| EDB]
8)	2,010	国際会議	Andreas Kirschner, A. Kreter, P. Wienhold, S. Brezinsek, A. Pospieszczyk, Ch. Schulz, U. Breuer, D. Borodin, M. Clever, A. Huber, D. Matveev, Kaoru Ohya, V. Philipps, U. Samm, O. Schmitz, B. Schweer, H. Stoschus and the TEXTOR Team : Erosion and Deposition Studies on Plasma-Wetted and -Shadowed Areas by Means of Local Impurity Injection in TEXTOR, 19 th International Conference on Plasma Surface Interactions in controlled fusion devices, San Diego, May 2010. [EdbClient \| EDB]
9)	2,010	国際会議	Niibe Masahito, Maeda Yoshie, Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Tominaga Kikuo and Mukai Takashi : Surface Analysis of n-GaN Crystal Damaged by RF-plasma-etching with Ar, Kr and Xe Gases, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, 42, Kagawa, May 2010. [EdbClient \| EDB]
10)	2,010	国際会議	Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Tominaga Kikuo, Niibe Masahito, Mukai Takashi, Takeichi Atsushi and Fukudome Toshiaki : Etch-induced Damage Characteristics of n-GaN Surfaces by Capacitively Coupled Radio Frequency He and Ar Plasmas, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, 41, Kagawa, May 2010. [EdbClient \| EDB]
11)	2,010	国際会議	Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Yuji Sogawa, Young Hyun Kim, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with Gate SiO2 Deposited by Silane-Based PECVD, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu, May 2010. [EdbClient \| EDB]
12)	2,010	国際会議	Katsushi Nishino, Yuusuke Sawai, Yuji Nariyuki, Takeshi Noda, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : TEM Observation of Re-Grown GaN on Nano-Patterned GaN Template, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, FrP77, Takamatsu, Jun. 2010. [EdbClient \| EDB]
13)	2,010	国際会議	Retsuo Kawakami, Niibe Masahito, Fukudome Toshiaki, Takeichi Atsushi, Inaoka Takeshi and Tominaga Kikuo : Effect of DBD Air Plasma Treatment on TiO2 Thin Film Surfaces, The Third International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2010), Toyama, Jun. 2010. [EdbClient \| EDB]
14)	2,010	国際会議	Yoshiki Naoi and Yoshifumi Nishio : Current Challenges of the Double Degree Master Program in Electrical and Electronic Engineering, Proceedings of the Fifth International Symposium on the Development of the Global Double Degree Program (GDDP), 15, Tokushima, Aug. 2010. [EdbClient \| EDB]
15)	2,010	国際会議	Fumiya Horie, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : High Temperature Growth of AlxCy by Chemical Vapor Deposition, The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16), Beijing, Aug. 2010. [EdbClient \| EDB]
16)	2,010	国際会議	Mami Abe, Takahumi Amou, Kenji Kuramoto, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Effects of Substrate Conductivity on Open-Ring Resonator Wireless Interconnection, 2010 Asia-Pacific Radio Science Conference, Toyama, Sep. 2010. [EdbClient \| EDB]
17)	2,010	国際会議	Jin-Ping Ao, Kensuke Takahashi, Naoki Shinohara, Naoki Niwa, Teruo Fujiwara and Yasuo Ohno : S-parameter Analysis of GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, 2010 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, Monterey, Oct. 2010. [EdbClient \| EDB]
18)	2,010	国際会議	Kaoru Ohya, Kensuke Inai, Naohide Mohara, Yohei Miyake, Andreas Kirschner, Dimitry Borodin, Doerner Russell, Yoshio Ueda and Tetsuo Tanabe : Molecular Dynamics Study of Plasma Surface Interaction of Codeposited Materials, 23th IAEA Fusion Energy Conference, THD/P3-04, Daejeon, Oct. 2010. [EdbClient \| EDB]
19)	2,010	国際会議	Masataka Bando, Kensuke Inai and Kaoru Ohya : Modeling of Impurity Transport in Edge Plasmas and Tritium Codeposition on Plasma Facing Walls in ITER, 9th International Conference on Tritium Science and Technology, 3P07-48, Nara, Oct. 2010. [EdbClient \| EDB]
20)	2,010	国際会議	Kaoru Ohya and Hideaki Kuwada : Modeling of Electron Beam Charging of an Insulating Layer on Materials, 6th International Workshop on Nano-Scale Spectroscopy & Nanotechnology, P-23, October 25-29, 2010, Kobe Univ., Japan, Kobe, Oct. 2010. [EdbClient \| EDB]
21)	2,010	国際会議	Jin-Ping Ao : Monolithic Integration of GaN-based LEDs, 2nd Photonics and Optoelectronics Meetings (POEM2010), Wuhan, Nov. 2010. [EdbClient \| EDB]
22)	2,010	国際会議	Retsuo Kawakami, Takeichi Atsushi, Niibe Masahito, Inaoka Takeshi and Tominaga Kikuo : Capacitively Coupled Radio Frequency Helium Plasma Etch Damage to TiO2 Thin Film Surfaces, Proceedings of International Symposium of Dry Process 2010, 171-172, Tokyo, Nov. 2010. [EdbClient \| EDB]
23)	2,010	国際会議	Masataka Bando and Kaoru Ohya : Modeling of impurity release, transport and deposition on plasma facing components in ITER, 20th International Toki Conference, The Next Twenty Years in Plasma and Fusion Science, December 7-10, Toki, Gifu, Japan, P1-57, Gifu, Dec. 2010. [EdbClient \| EDB]
24)	2,010	国際会議	Mami Abe, Yuka Okuyama, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Misalignment Effects in Inter-Chip Wireless Connection with Open-Ring Resonators, 2010 Asia-Pacific Microwave Conference (APM C2010), Yokohama, Dec. 2010. [EdbClient \| EDB]
25)	2,010	国際会議	Yasuo Ohno : Application of GaN Devices to Wireless Power Transmission, 2010 Asia-Pacific Microwave Conference (APM C2010), Yokohama, Dec. 2010. [EdbClient \| EDB]
26)	2,010	国際会議	Yohei Miyake and Kaoru Ohya : Molecular dynamics study of plasma wall interactions of W and C containing Be impurity, 20th International Toki Conference, The Next Twenty Years in Plasma and Fusion Science, December 7-10, Toki, Gifu, Japan, P2-77, Gifu, Dec. 2010. [EdbClient \| EDB]
27)	2,010	国際会議	Hayato Kawazome, Kaoru Ohya and Jun Kawata : Redeposition characteristics of heavy hydrocarbon molecules on a divertor plate, 20th International Toki Conference, The Next Twenty Years in Plasma and Fusion Science, December 7-10, Toki, Gifu, Japan, P2-78, Vol.6, No.1, Dec. 2010. [EdbClient \| EDB]
28)	2,010	国際会議	Niibe Masahito, Kotaka Takuya, Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Tominaga Kikuo and Mukai Takashi : Damage Analysis of Plasma-etched n-GaN Crystal Surface by N-K Absorption Spectroscopy, 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011), Nagoya, Mar. 2011. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 国内講演発表

1)	2,010	国内講演発表	西野克志 : 直接合成法によるa面GaNの結晶成長, LED総合フォーラム, P20, 2010年4月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	国内講演発表	高見大気, 山中卓也, 井内健介, 大宅薫 : イオン衝撃による絶縁物の二次電子放出と帯電のシミュレーション, 日本顕微鏡学会第66回学術講演会, 2010年5月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	国内講演発表	日下一也, 富永喜久雄 : 電源の異なる二種類のスパッタリング法で堆積させた2層の窒化アルミニウム薄膜の残留応力測定, 第44回X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, 105-109, 2010年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	国内講演発表	大森悠丘, 丸尾洋一, 村井啓一郎, 富永喜久雄, 森賀俊広 : 対向ターゲット式DCスパッタリング装置を用い電流比を変化させて作製したIZO薄膜の特性, 応用物理学会中国四国支部日本物理学会中国支部・四国支部日本物理教育学会中国四国支部 2010年度支部学術講演会, 2010年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	国内講演発表	阿部まみ, 敖金平, 大野泰夫 : オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,010	国内講演発表	原内健次, 細川大志, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードのSパラメータ解析, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,010	国内講演発表	細川大志, 原内健次, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードの二次元デバイスシミュレーション, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,010	国内講演発表	川上烈生, 新部正人, 武市敦, 稲岡武, 富永喜久雄, 向井孝志 : GaNの容量結合型RFヘリウムプラズマエッチダメージ, 第71回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.1, 08-132, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,010	国内講演発表	新部正人, 前田佳恵, 川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 向井孝志 : Ar, KrおよびXeガスを用いてRFプラズマエッチングしたn-GaN 結晶の表面分析, 第71回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.1, 08-133, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,010	国内講演発表	原航平, 直井美貴, 酒井士郎 : Taマスクを用いたMOCVD再成長GaNの表面モフォロジー改善, 第71回応用物理学会学術講演会, 15p-C-8, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,010	国内講演発表	堀江郁哉, 直井美貴, 酒井士郎 : MOCVD法によるAlC薄膜の成長, 第71回応用物理学会学術講演会, 16a-ZT-11, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,010	国内講演発表	川上烈生, 新部正人, 武市敦, 稲岡武, 小西将士, 森祐太, 兒玉宗久, 富永喜久雄 : TiO2光触媒へのDBDエアプラズマトリートメント効果, 平成22年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 20, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,010	国内講演発表	武市敦, 川上烈生, 新部正人, 稲岡武, 向井考志, 小西将士, 森祐太, 兒玉宗久, 富永喜久雄 : ヘリウムとアルゴンプラズマによる窒化ガリウムエッチングダメージ, 平成22年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 21, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,010	国内講演発表	川崎晃一, 直井美貴, 酒井士郎 : MOCVD法によるSiおよびサファイア上へのGeC薄膜の成長, 平成22年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-2, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,010	国内講演発表	松本将和, 福田弘之, 直井美貴, 酒井士郎 : GaN系UV-LEDの偏光特性, 平成22年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-14, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,010	国内講演発表	楠貴大, 沼島明菜, 直井美貴, 酒井士郎 : ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製, 平成22年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-17, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,010	国内講演発表	和田祥吾, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : 金属マスクを施したサファイア表面周期構造へのGaN成長と評価, 平成22年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-18, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,010	国内講演発表	加藤保洋, 中内潤, 西野克志, 月原政志, 酒井士郎 : 昇華法によるバルクAlNの成長, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-3, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,010	国内講演発表	高見大気, 山中卓也, 大宅薫 : イオンビーム照射による絶縁物薄膜の帯電と二次電子放出のシミュレーション, 第30回LSIテスティングシンポジウム会議録, 41-46, 2010年11月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,010	国内講演発表	大宅薫 : ベリリウム堆積によるITERダイバータにおける損耗・再堆積のシミュレーション, 平成22年 PWI合同研究会(核融合科学研究所), 2010年11月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,010	国内講演発表	大宅薫, 三宅洋平 : ベリリウム混合層におけるプラズマ・壁相互作用の分子動力学シミュレーション, 第27回プラズマ・核融合学会年会，札幌，2010年11月30日∼12月3日，30P56, 2010年11月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,010	国内講演発表	Kirschner Andreas, 大宅薫, Borodin D., Matveev D., Galonska A., Brezinsek Sebastian, Esser H.G., Kreter A., Litnovsky A., Philipps V., Samm U., Wienhold P., Kawamura G., Tanabe T., Ueda Y. : Simulation of material migration in tokamaks, 第27回プラズマ・核融合学会年会，札幌，2010年11月30日∼12月3日，02pB02, 2010年12月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,010	国内講演発表	新部正人, 小高拓也, 川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 向井孝志 : プラズマエッチングしたGaN結晶のN-K吸収測定によるダメージ解析II, 第24回日本放射光学会年会, 2011年1月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,010	国内講演発表	原内健次, 岩崎裕一, 阿部まみ, 敖金平, 篠原真毅, 外村博史, 大野泰夫 : オープンリング共振器接続によるマイクロ波無線電力伝送, 2011年電子情報通信学会総合大会, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,010	国内講演発表	細川大志, 黒田健太郎, 井谷祥之, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET 電流コラプスの回復過程測定, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,010	国内講演発表	中野由崇, 川上烈生, 新部正人, 武市敦, 稲岡武, 富永喜久雄 : GaN のプラズマエッチング損傷のフォトルミネッセンス評価, 第58回春季応用物理学会学術講演会, No.1, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 作品等

(なし)

2010年度(平成22年度) / その他・研究会

1)	2,010	その他・研究会	松本将和, 福田弘之, 直井美貴, 酒井士郎, 深野敦之, 田中覚 : 表面・界面に周期構造を有するGaN系LEDの配向特性評価, LED総合フォーラム, 69, 2010年4月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	その他・研究会	川上烈生, 福留利章, 武市敦, 稲岡武, 富永喜久雄 : UV-LED光触媒反応によるクライマクテリック型果実の汎用型鮮度維持技術の開発研究, LED総合フォーラム2010 in 徳島, 89-92, 2010年4月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	その他・研究会	川上烈生 : LED光触媒酸化作用を用いた果実の汎用型鮮度保持技術の開発研究, 四国まるごと「食と健康」イノベーション2010∼四国の研究機関が集い「食と健康」リソースを発信∼, 2010年8月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	その他・研究会	川上烈生 : 果実の汎用型鮮度維持装置(JST成果の一部としてLED光触媒装置の出展参加), 徳島ビジネスチャレンジメッセ2010, 2010年10月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	その他・研究会	新部正人, 小高拓也, 川上烈生, 稲岡武, 富永喜久雄, 向井孝志 : 希ガスプラズマでエッチングしたn-GaN結晶のNEXAFS測定によるダメージ解析, 2011先端技術セミナー，高度産業科学技術研究所主催, 65, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 報告書

1)	2,010	報告書	川上烈生 : 高周波キセノンプラズマによる自己無撞着な衝撃粒子エネルギー分布及び粒子束の解析, 平成22年度核融合科学研究所LHD数値解析システム利用共同研究報告書, 日本, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	報告書	川上烈生 : プラズマイオンと紫外光線のシナジー効果によるワイドギャップ半導体エッチングダメージの振舞い, 平成22年度先端工学教育研究プロジェクト, 日本, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	報告書	一樂浩之, 笠谷武司, 田中義浩, 衣斐八束, 福井明, 川上烈生, 稲岡武 : 果実殺菌のための紫外線/ラジカルジェットデバイスの開発研究, 財団法人阿波銀行学術・文化振興財団,平成22年度(第15回)学術部門助成(地域共同研究助成, 日本, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]