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藤田 剛也, 大森 和幸, 北田 貴弘, 下村 哲, 冷水 佐壽 : (775)GaAs基板上にMBE成長した自己形成型GaAs/(GaAs)4(AlAs)2量子細線レーザの利得スペクトル, 第67回応用物理学会学術講演会, 1282, 2006年8月.
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Nu Yan, H Yamakawa, Ri-ichi Murakami and Daisuke Yonekura : Elevation of fatigue behavior of T-type welded joint in the small-sized single pass boiler, Changsha,Hunan,China, Oct. 2007.
原内 裕司, 村上 理一, 米倉 大介 : 熱処理によるTiN薄膜からのTiOxNy薄膜の作製と光分解特性, 2007年5月.
井須 俊郎, 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 赤羽 浩一, 山本 直克 : InP(311)B上のInAs量子ドットの光学異方性, 第3回量子ナノ材料セミナー, 1-4, 2007年6月.
O. Kojima, Toshiro Isu, J. Ishi-Hayase, A. Kanno, R. Katouf, M. Sasaki and M. Tsuchiya : Interference effects on degenerate four-wave-mixing signals by weakly confined exciton states, 26th Electron Material Symposium, No.G5, 159-160, Jul. 2007.
T Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada, K Akahane, N Yamamoto and Toshiro Isu : Optical anisotropy of InAs quantum dots on an InP(113)B substrate, 26th Electron Material Symposium, Vol.G6, 161-162, Jul. 2007.
A Kanno, R Katouf, O Kojima, J Ishi-Hayase, M Tsuchiya and Toshiro Isu : Dynamics of excitons weakly confined in GaAs thin films by time-resolved photoluminescence measurements, 26th Electron Material Symposium, Vol.G7, 162-163, Jul. 2007.
井須 俊郎 : 光電場のナノ空間構造を利用した超高速光スイッチの開発, ナノテクデバイス研究会, 68-69, 2007年7月.
Kojima O., Toshiro Isu, Ishi-Hayase J., Kanno A., Katouf R., Sasaki M. and Tsuchiya M. : Interference effects between weakly confined exciton states on exciton dephasing, ナノテクデバイス研究会, 126-127, Jul. 2007.
菅野 敦史, Redouane Katouf, 小島 磨, 早瀬(伊師) 潤子, 土屋 昌弘, 井須 俊郎 : GaAs薄膜中の弱閉じ込め励起子の発光ダイナミクスおよび，光カー効果を用いた全光スイッチ応用の検討, ナノテクデバイス研究会, 128-129, 2007年7月.
Katouf R., Kanno A., Kojima O., Ishi-Hayase J., Tsuchiya M. and Toshiro Isu : Fabrication of GaAs based photonic devices by wafer fusion, 130-131, Jul. 2007.
仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : PLによる高指数面上InGaAs歪量子井戸の光学異方性評価, 応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-5, 92, 2007年8月.
神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 大きな非線形光学応答を実現するGaAs/AlAs多層膜構造の検討, 応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-6, 93, 2007年8月.
向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 赤羽 浩一, 山本 直克, 井須 俊郎 : (113)B InAs量子ドットのフォトルミネッセンスによる光学異方性, 応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-7, 94, 2007年8月.
石川 智之, 米倉 大介, 村上 理一 : CrN薄膜/アルミニウム基板界面の性状に及ぼすイオンボンバード処理の影響, 2007年9月.
長岡 宏樹, 米倉 大介, 村上 理一 : CrN薄膜被覆鋼の疲労強度に及ぼす膜性状の影響, 2007年9月.
藤川 甲宇, 米倉 大介, 村上 理一 : ガスバリア膜の被覆によるステンレス鋼の高温酸化特性の改善, 2007年9月.
小島 磨, 井須 俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 菅野 敦史, Katouf Redouane, 佐々木 雅英, 土屋 昌弘 : 弱閉じ込め励起子系の非線形光学応答に対する残留キャリア効果, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.4a-ZK-12, 1461, 2007年9月.
向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 赤羽 浩一, 山本 直克 : InP(113)B上の積層InAs量子ドットの光学異方性, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.6a-N12, 1413, 2007年9月.
神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜構造における光電場強度の増大効果, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-2, 1418, 2007年9月.
仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 高指数(11n)面上のInGaAs歪量子井戸の光学異方性, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-3, 1418, 2007年9月.
菅野 敦史, Redouane Katouf, 小島 磨, 早瀬(伊師) 潤子, 土屋 昌弘, 井須 俊郎 : 弱閉じ込め励起子系における光カー効果のピコ秒応答, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-4, 1419, 2007年9月.
北田 貴弘, 楠 慎一郎, 木内 将登, 森田 健, 下村 哲, 井須 俊郎 : (411)A InGaAs/InAlAs 変調ドープ歪量子井戸構造における界面ラフネスの異方性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.8a-H-2, 345, 2007年9月.
大野 泰夫, 山岡 優哉, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平 : ゲートストレスバイアスによるAlGaN/GaN MIS HFETの電流コラプス評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
野久 保宏幸, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaN MISダイオードによる絶縁膜界面評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
澤田 剛一, 新海 聡子, 敖 金平, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : n‐GaNへの高温処理ZrN電極ショットキー特性, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
胡 成余, 岡田 政也, 敖 金平, 大野 泰夫 : Ni処理を用いたドライエッチp‐GaNへの低抵抗オーミック形成, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
敖 金平, 澤田 剛一, 新海 聡子, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
奥山 祐加, 柏原 俊彦, 敖 金平, 粟井 郁雄, 大野 泰夫 : オープンリング共振器を用いたチップ間マイクロ波信号伝送, 2007年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2007年9月.
小島 磨, 井須 俊郎, 早瀬(伊師) 潤子, 菅野 敦史, Katouf Redouane, 佐々木 雅英, 土屋 昌弘 : 弱閉じ込め励起子の配向緩和, 日本物理学会第62回年次大会, Vol.23pPSA-91, 769, 2007年9月.
岩見 勝弘, 熊井 亮太, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 中河 義典, 井須 俊郎 : フェムト秒レーザー照射に伴う4H-SiC上での電気伝導度変化の検討, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集, Vol.16, 129-130, 2007年11月.
菅野 敦史, Katouf Redouane, 小島 磨, 早瀬(伊師) 潤子, 土屋 昌弘, 井須 俊郎 : GaAs薄膜中弱閉じ込め励起子のサブピコ秒光カー効果, 第18回光物性研究会, Vol.IIA-48, 191-194, 2007年12月.
渡辺 真吾, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修, 井須 俊郎 : スペクトル分解反射型ポンプ・プローブ法によるGaAs薄膜中閉じ込め励起子の過渡応答測定, 第18回光物性研究会, Vol.IIA-47, 187-190, 2007年12月.
北田 貴弘, 森田 健, 井須 俊郎 : 面型超高速光スイッチに向けた半導体多層膜のMBE成長, 応用物理学会中国四国支部研究会, 2007年12月.
井須 俊郎 : ナノ半導体による新規光デバイスの創製, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, 2007年12月.
向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 赤羽 浩一, 山本 直克 : InP(113)B基板上InAs量子ドットのフォトルミネッセンス光学異方性, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-11, 2007年12月.
仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 高指数GaAs面上InGaAs歪量子井戸の光学異方性, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-12, 2007年12月.
神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 大きな非線形光学応答のためのGaAs/AlAs 多層膜構造の光電場強度増大効果, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-13, 2007年12月.
北田 貴弘, 楠 真一郎, 木内 将登, 森田 健, 下村 哲, 井須 俊郎 : 電子移動度によるInGaAs/InAlAs へテロ界面の異方性評価, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-14, 2007年12月.
井須 俊郎, 小島 磨, 早瀬(伊師) 潤子, Katouf Redouane, 菅野 敦史, 土屋 昌弘 : GaAs閉じ込め励起子ポラリトンによる超高速光スイッチ, JSTナノテクノロジー分野別バーチャルラボ成果報告会, PB6-1, 2008年1月.
伊藤 秀起, 高橋 健介, 原内 貴司, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫, 井川 裕介 : マイクロ波整流用GaNショットキーダイオードの特性評価, 2008年電子情報通信学会総合大会, 2008年3月.
渡部 真吾, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修, 井須 俊郎 : GaAs薄膜における複数準位励起下での閉じ込め励起子の過渡反射スペクトル, 日本物理学会第63回年次大会, No.26a-PS-27, 2008年3月.
カトフ レドワン, 菅野 敦史, 山本 直克, 井須 俊郎, 外林 秀之, 土屋 昌弘 : GaAs ナノ細線光導波路の作製と評価, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs (001)および(113)B基板上へのInAs量子ドットのMBE成長と光学特性評価, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
森田 健, 神原 敏之, 仲野 翔也, 矢野 慎介, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜における時間分解非線形光学応答, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
小島 磨, 宮川 歩弓, 喜多 隆, 和田 修, 井須 俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子の超高速非線形応答の励起光強度依存性, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 有限障壁ポテンシャルを考慮した高指数GaAs (11n)A基板上のInGaAs歪量子井戸の光学異方性評価, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
神原 敏之, 仲野 翔也, 矢野 慎介, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : AlAs/Al0.3Ga0.7Asダブルエッチストッパー構造を有するGaAs/AlAs多層膜構造の作製, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
北田 貴弘, 神原 敏之, 森田 健, 井須 俊郎 : マトリックス法によるGaAs/AlAs多層膜構造の光カー信号強度のシミュレーション, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
菅野 敦史, カトフ レドワン, 小島 磨, 早瀬(伊師) 潤子, 土屋 昌弘, 井須 俊郎 : 多連パルス入射時の弱閉じ込め励起子光カー効果サブピコ秒応答, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : p-基板層付きAlGaN/GaN HFETのVt-Vsub特性, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
高橋 健介, 伊藤 秀起, 原内 貴司, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫, 井川 裕介 : GaNを用いたマイクロ波整流用ショットキーバリアダイオード, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
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Takahiro Kitada, S Kusunoki, M Kinouchi, Ken Morita, Toshiro Isu and S Shimomura : Isotropic Interface Roughness of Pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As Quantum Wells Grown on (411)A InP Substrates by Molecular Beam Epitaxy, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2753-2755, 2008.
Nobuyoshi Niki, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Strained Quantum Wells on High Index Substrates, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2756-2759, 2008.
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Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs(001) and (113)B substrates, 27th Electronic Materials Symposium(EMS27), No.K9, 235, Jul. 2008.
S. Watanabe, O. Kojima, T. Kita, O. Wada and Toshiro Isu : Propagation effect on transient response of excitons confined in GaAs thin films, 27th Electronic Materials Symposium(EMS27), No.J14, 213, Jul. 2008.
日下 一也, 高木 均, 米倉 大介, 長町 拓夫, 英 崇夫 : 設計-製作分離型ものづくり実習の試み, 平成20年度工学・工業教育研究講演会 講演論文集, 66-67, 2008年8月.
向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットの分子線エピタキシャル成長と光学特性評価, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Ep-05, 2008年8月.
神原 敏之, 矢野 慎介, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器構造の作製と二光子吸収特性評価, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-07, 2008年8月.
仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlGaAs 量子井戸の二光子励起フォトルミネッセンス, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-05, 2008年8月.
高橋 朋也, 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs 基板上InAs 量子ドットの分子線エピタキシャル成長とフォトルミネッセンス測定, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Ep-06, 2008年8月.
矢野 慎介, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜共振器構造におけるQ値と光カー信号強度, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-09, 2008年8月.
敖 金平, 許 恒宇, 于 僡, 胡 成余, 大野 泰夫 : Ni拡散によるAlGaN/GaN HFET素子分離, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月.
胡 成余, 中谷 克俊, 敖 金平, 菊田 大悟, 杉本 雅裕, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET VT-VSUB特性を用いたp-GaN上バッファ層の評価, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月.
井川 裕介, 湯浅 頼英, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ表面負帯電におけるDC特性の解析, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月.
高橋 朋也, 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットのMBE成長, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(2a-CF-16), 2008年9月.
今津 晋二郎, 松木 豊和, 毛利 如良, 藤田 剛也, 北田 貴弘, 下村 哲 : (775)B GaAs基板上にMBE成長したGaAs/(GaAs)4(AlAs)2自己形成型量子細線レーザのゲインスペクトル3, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3p-ZQ-6), 2008年9月.
神原 敏之, 矢野 慎介, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 二光子共鳴量子井戸を有するGaAs/AlAs 多層膜共振器構造の作製, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-2), 2008年9月.
森田 健, 神原 敏之, 矢野 慎介, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器の非対称時間分解光カー信号, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-3), 2008年9月.
矢野 慎介, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器構造における光カー信号強度の層数依存性, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-4), 2008年9月.
北田 貴弘, 神原 敏之, 矢野 慎介, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器構造の光カー信号強度のQ 値依存性のシミュレーション, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-5), 2008年9月.
仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (001)量子井戸における二光子吸収の光学異方性, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-6), 2008年9月.
小島 磨, 喜多 隆, 和田 修, 井須 俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子の密度制御, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-7), 2008年9月.
岩見 勝弘, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 中河 義典, 井須 俊郎, 齋藤 伸吾 : フェムト秒レーザー照射により改質されたSiCの電気伝導特性, 第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol.69, No.3, 999, 2008年9月.
向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットの高速キャリア緩和, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(4p-ZQ-16), Vol.Ep-05, 2008年9月.
森田 健, 仁木 伸義, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 二光子励起フォトルミネッセンス分光におけるGaAs/AlGaAs量子井戸の光学異方性, 第19回光物性研究会, Vol.3B-100, 402-405, 2008年12月.
渡部 真吾, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修, 井須 俊郎 : GaAs薄膜における励起子ポラリトン伝播効果, 第19回光物性研究会, Vol.3B-105, 422-425, 2008年12月.
向所 明里, 向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As 層に埋め込んだInAs量子ドットの作製とその光学特性, 第29回レーザー学会学術講演会, No.F-10pVI-2, 2009年1月.
仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs量子井戸における二光子吸収の偏光方向異方性, 第29回レーザー学会学術講演会, No.F-10pVI-3, 2009年1月.
熊井 亮太, 富田 卓朗, 森田 健, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 井須 俊郎 : 100kHzフェムト秒レーザーを用いた半導体へのナノ周期構造の作製, レーザー学会学術講演会第29回年次大会講演予稿集, Vol.29, 125, 2009年1月.
井須 俊郎 : ナノ半導体による新規光デバイスの創製に向けて, 第2回フロンティア研究センターシンポジウム, 2009年3月.
北田 貴弘 : 超高速光スイッチに向けたInAs量子ドットのMBE成長, 第2回フロンティア研究センターシンポジウム, 2009年3月.
森田 健 : GaAs/AlAs多層膜共振器構造の非線形光学応答, 第2回フロンティア研究センターシンポジウム, 2009年3月.
宮田 侑是, 篠原 真毅, 三谷 友彦, 丹羽 直幹, 高木 賢二, 浜本 研一, 宇治 川智, 高橋 健介, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaNショットキーダイオードを用いた大電力レクテナの研究開発, 2009年電子情報通信学会総合大会, 2009年3月.
阿部 まみ, 奥山 祐加, 倉本 健次, 黒田 健太郎, 佐藤 弘明, 粟井 郁雄, 大野 泰夫 : オープンリング共振器無線接続における損失の検討, 2009年電子情報通信学会総合大会, 2009年3月.
小島 磨, 渡部 真吾, 喜多 隆, 和田 修, 井須 俊郎 : GaAs薄膜における励起子過渡応答に対する空間コヒーレンス効果, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
井須 俊郎, 田中 文也, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘 : 2つの共振器モードを実現するGaAs/AlAs多層膜結合共振器構造, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
田中 文也, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造における第二高調波・和周波発生, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
北田 貴弘, 向井 拓也, 高橋 朋也, 向所 明里, 森田 健, 井須 俊郎 : 歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだInAs量子ドットのキャリア緩和におけるドーピング効果, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
北田 貴弘, 向井 拓也, 高橋 朋也, 向所 明里, 森田 健, 井須 俊郎 : 共振器層に過飽和吸収特性を有するGaAs/AlAs多層膜共振器構造, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
森田 健, 高橋 朋也, 神原 敏之, 向井 拓也, 矢野 慎介, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層中のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器における光カー信号, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
高橋 朋也, 向井 拓也, 向所 明里, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器のMBE成長, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
澤田 剛一, 敖 金平, 許 恒宇, 高橋 健介, 胡 成余, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫 : p型表面層を持つマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
井川 裕介, 湯浅 頼英, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETにおける仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
胡 成余, 中谷 克俊, 敖 金平, 菊田 大悟, 杉本 雅裕, 大野 泰夫 : p層上デュアルゲートAlGaN/GaN HFETにおけるアバランシェホール電流の測定, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
胡 成余, 中谷 克俊, 敖 金平, 大野 泰夫, 菊田 大悟, 杉本 雅裕 : VT-VSUB特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月.
井川 裕介, 湯浅 頼英, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ負帯電による電流コラプスの2次元数値解析, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月.
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Takuro Tomita, Masahiro Iwami, Minoru Yamamoto, Manato Deki, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shingo Saito, Kiyomi Sakai, Shinobu Onoda and Takeshi Ohshima : Electronic properties of femtosecond laser induced modified spots on single crystal silicon carbide, Materials Science Forum, Vol.645-648, 239-242, 2010.
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Cheng-Yu Hu, Daigo Kikuta, Katsutoshi Nakatani, Jin-Ping Ao, Masahiro Sugimoto and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact to Deeply Dry-etched p-GaN, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009.
Cheng-Yu Hu, Daigo Kikuta, Katsutoshi Nakatani, Jin-Ping Ao, Masahiro Sugimoto and Yasuo Ohno : Monitoring and control of substrate voltage for AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN epi-layer, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009.
Pangpang Wang, Lumei Gao, Xiaoping Song, Sen Yang, Wang Liqun and Ri-ichi Murakami : Crystal Growth and Magnetic Reversal Mechanism in FerromagneticNanowire by Chain of Prolate Spheroids Model, General Poster Session, 153-158, Oct. 2009.
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Dong-Hun Kim, Ri-ichi Murakami, Yun-Hae Kim, Kyung-Man Moon, Seung-Jun An and Pangpang Wang : The Characteristics of Multilayer Thin Films Deposited with Metal Thin Films (Ag, Al, Cu), Advanced Materials Research, Vol.97-101, 1768-1771, Mar. 2010.
野村 英矩, 熊井 亮太, 富田 卓朗, 森田 健, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 井須 俊郎 : シリコン表面上で生成されるリップル構造のパルス数及びフルエンス依存性, 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol.56, No.3, 1180, 2009年4月.
中田 智康, 中河 義典, 原口 雅宣, 福井 萬壽夫, 井須 俊郎, 四宮 源一 : プローブ陽極酸化リソグラフィー法による微細グレーティング加工に関する研究, 第56回応用物理学会学関係連合講演会 講演予稿集, Vol.2, No.1a-TE-4, 708, 2009年4月.
桂 修平, 原内 裕司, 米倉 大介, 村上 理一 : TiN膜の熱処理により作製したTi-O-N膜の光分解特性, 日本材料学会第58期学術講演会, 193-194, 2009年5月.
井須 俊郎 : 半導体多層膜共振器を用いた面型全光カーゲートスイッチ, 神戸大学連携推進本部ナノ・フォトニクス技術セミナー, 2009年5月.
北田 貴弘 : 超高速光スイッチに向けたInAs量子ドットの分子線エピタキシャル成長, 神戸大学連携推進本部ナノ・フォトニクス技術セミナー, 2009年5月.
Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Akari Mukaijo, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in straiu-relaxed barriers for ultrafast all-optical switch, 28th Electronic Materials Symposium(EMS28), No.F4, 155-156, Jul. 2009.
Fumiya Tanaka, Toshiyuki Kanbara, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Second harmonic and sum frequency generations of a coupled (113)B GaAs/AlAs multilayer cavity, 28th Electronic Materials Symposium(EMS28), No.J21, 277-278, Jul. 2009.
高橋 朋也, 向井 拓也, 向所 明里, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バイア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器, 応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会, Vol.Dp2-2, 97, 2009年8月.
田中 文也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 2つの共振器モードを有するGaAs/AlAs結合共振器構造による周波数混合信号の発生, 応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会, Vol.Dp2-3, 98, 2009年8月.
黒田 健太郎, 井川 裕介, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスのステップストレス測定, 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月.
下村 輝, 粟井 郁雄, 大野 泰夫 : ミリはインターコネクトにおける設置面の影響, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月.
高橋 健介, 敖 金平, 胡 成余, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫 : マイクロ波電力整流用GaNショットキーダイオードのSパラメータ解析, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月.
倉本 健次, 阿部 まみ, 奥山 祐加, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンリング共振器を用いた非接触広帯域入出力インターフェイス, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月.
阿部 まみ, 倉本 健次, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月.
出来 真斗, 山本 稔, 伊藤 拓人, 岩見 勝弘, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 中河 義典, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 : イオン注入電極を作製したSiC基板へのフェムト秒レーザー照射による電気伝導特性制御, 2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会・講演予稿集, 1057, 2009年9月.
北田 貴弘, 田中 文也, 高橋 朋也, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜結合共振器内部における2つの共振器モードの光干渉効果, 2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-5, 1286, 2009年9月.
高橋 朋也, 田中 文也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/Air 多層膜共振器の光カー信号強度のシミュレーション, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-2, 1285, 2009年9月.
田中 文也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs (113)B 結合共振器における和周波信号強度の励起偏光方向依存性, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-6, 1287, 2009年9月.
森田 健, 高橋 朋也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器におけるps パルスを用いた光カー信号のQ 値依存性, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-1, 1285, 2009年9月.
中田 智康, 中河 義典, 原口 雅宣, 福井 萬壽夫, 井須 俊郎, 四宮 源市 : 走査型プローブ顕微鏡リソグラフィーによる回折格子型表面プラズモン励起素子の作製, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9a-ZM-6, 946, 2009年9月.
北田 貴弘, 向井 拓也, 高橋 朋也, 向所 明里, 森田 健, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだSi ドープInAs 量子ドットにおけるキャリア緩和の励起波長依存性, 2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会, No.10p-C-14, 315, 2009年9月.
森田 健, 高橋 朋也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜共振器における光カー信号の励起光強度依存性, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.10p-C-13, 314, 2009年9月.
谷本 翔太, 米倉 大介, 村上 理一 : CrN 薄膜を被覆したTi-6Al-4V 合金のフレッティング疲労特性, 日本機械学会2009年度年次大会講演論文集, Vol.4, 167-168, 2009年9月.
山下 太香恵, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修, 井須 俊郎 : GaAs薄膜の励起子非線形光学応答制御における第一パルス光強度依存性, 日本物理学会2009年秋季大会, No.27aPS-28, 2009年9月.
山下 太香恵, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修, 井須 俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子の双極子モーメント, 第20回光物性研究会, No.A-83, 341, 2009年12月.
出来 真斗, 伊藤 拓人, 山本 稔, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 : 6H-SiC基板へのフェムト秒レーザー改質による電気伝導のパルスピッチ依存性, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会予稿集, Vol.18, 148-149, 2009年12月.
北田 貴弘, 高橋 朋也, 森田 健, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ, 2010年光エレクトロニクス研究会, Vol.109, No.401, OPE2009-189, 2010年1月.
大野 泰夫 : 無線送電とワイドギャップ半導体, 2010年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月.
阿部 まみ, 倉本 健次, 天羽 孝文, 敖 金平, 大野 泰夫 : 誘電率の異なる基板間でのオープンリング共振器無線接続, 2010年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月.
北田 貴弘, 高橋 朋也, 森田 健, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットにおける高速キャリア緩和, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.17p-TW-14, 2010年3月.
田中 文也, 高橋 朋也, 滝本 隼主, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 2つの共振器モードを有する(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器の時間分解和周波信号測定, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.17a-TM-22, 2010年3月.
中田 智康, 中河 義典, 原口 雅宣, 岡本 敏弘, 井須 俊郎, 四宮 源一 : 回折格子型表面プラズモンポラリトン励起素子の特性, 第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集, Vol.17a-P1-21, 2010年3月.
森田 健, 田中 文也, 高橋 朋也, 滝本 隼主, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 2パルスによる(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の和周波・第二高調波スペクトルの遅延時間依存性, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-M-1, 2010年3月.
森田 健, 高橋 朋也, 田中 文也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : ピコ秒パルスを用いたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器構造の光カー信号, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-N-7, 2010年3月.
高橋 朋也, 田中 文也, 張 ミン, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 選択エッチングによるGaAs/Air多層膜共振器構造の作製, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-TM-24, 2010年3月.
中谷 克俊, 祖川 雄司, 金 栄現, 敖 金平, 大野 泰夫, 宮下 準弘, 本山 慎一 : プラズマCVD酸化膜を用いたGaN MOSFET, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月.
黒田 健太郎, 井川 裕介, 光山 健太, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスにおける光照射の影響, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月.
森田 健 : GaAs/AlAs非結合・結合共振器構造を利用した非線形ダイナミクス, イーグル若手研究会, 2010年3月.
北田 貴弘 : InAs量子ドットとGaAs/AlAs多層膜共振器構造の超高速光スイッチ, 第4回フロンティア研究センターシンポジウム, 2010年3月.
森田 健 : 多層膜結合光共振器構造による周波数混合信号の発生, 第4回フロンティア研究センターシンポジウム, 2010年3月.
大野 泰夫 : 化合物半導体電子デバイス開発の軌跡, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会資料, 2009年6月.
野崎 兼史, 高橋 義也, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御, 電子情報通信学会センサーデバイス・MEMS・一般研究会, 2009年7月.
黒田 健太郎, 井川 裕介, 光山 健太, 敖 金平, 大野 泰夫 : ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析, 電子情報通信学会電子デバイス，電子部品・材料，レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月.
高橋 健介, 敖 金平, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 藤原 暉雄, 大野 泰夫 : マイク ロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発, 電子情報通信学会電子デバイス，電子部品・材料，レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月.
Pankaj Koinkar and Ri-ichi Murakami : Internationalization of Graduate Education, Fourth International Symposium: Development of the Global Double Degree Program, The University of Tokushima, Dec. 2009.
Pankaj Koinkar and Ri-ichi Murakami : Analysis and review of Summer school program and Short-term study abroad program, 22 FD in, Jan. 2010.
Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strong Sum Frequency Generation in a GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity Grown on a (113)B-Oriented GaAs Substrate, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DG01, 2010.
Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Planar-Type Optical Kerr Gate Switches, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DG02, 2010.
Cheng-Yu Hu, Hiroyuki Nokubo, Masanari Okada, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Metal Insulator Semiconductor Diode Characterization on n-GaN by Capacitance Voltage Measurement at 150 °C, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DF11, 2010.
Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Keisuke Ohmuro, Masahiro Sugimoto, Cheng-Yu Hu, Yuji Sogawa and Yasuo Ohno : GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Tetraethylorthosilicate SiO2 Gate Insulator on AlGaN/GaN Heterostructure, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DF09-1-04DF09-4, 2010.
Shamimur Md. Rahman, T. Katsuma, Daisuke Yonekura and Ri-ichi Murakami : Evaluation of crack initiation and fatigue behavior of CrN film deposited on Ti-6Al-4V alloy, International Journal of Modern Physics B, Vol.24, No.15n16, 2502-2505, 2010.
S. Fukui, Daisuke Yonekura and Ri-ichi Murakami : Influence of Deposition Conditions on Fatigue Properties of Martensitic Stainless Steel with TiN Film Coated by Arc Ion Plating Method, International Journal of Modern Physics B, Vol.24, No.15-16, 3095-3100, 2010.
Dongyan Zhang, Pangpang Wang, Ri-ichi Murakami and Song Xiaoping : Effect of an interface charge density wave on surface plasmon resonance in ZnO/Ag/ZnO thin films, Applied Physics Letters, Vol.96, No.23, 233114, 2010.
Pangpang Wang, Lumei Gao, Liqun Wang, Dongyan Zhang, Sen Yang, Xiaoping Song, Zhiyong Qiu and Ri-ichi Murakami : MAGNETIC PROPERTIES OF FENI NANOWIRE ARRAYS ASSEMBLED ON POROUS AAO TEMPLATE BY AC ELECTRODEPOSITION, International Journal of Modern Physics B, Vol.24, No.15n16, 2302-2307, 2010.
Lee J. C., Ri-ichi Murakami and Suh M. C. : FATIGUE PROPERIES OF ALUMINUM ALLOY(A6061-T6) WITH ULTRASONIC NANO-CRYSTAL SURFACE MODIFICATION, International Journal of Modern Physics B, Vol.24, No.15, 2512-2517, 2010.
Cao J. X., Ri-ichi Murakami and Wang Y. Q. : FATIGUE PROPERTIES OF Ti-6Al-4V SUBJECTED TO 0.9% PHYSIOLOGICAL SALINE SOLUTION, International Journal of Modern Physics B, Vol.24, No.15, 2518-2523, 2010.
Jin-Ping Ao, Asato Suzuki, Kouichi Sawada, Satoko Shinkai, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Schottky contacts of refractory metal nitrides on gallium nitride using reactive sputtering, Vacuum, Vol.84, No.12, 1439-1443, 2010.
米倉 大介, 高橋 雅也, 村上 理一, 加藤 雅裕, 大西 賢治 : シリカ粉体の付着・堆積挙動に及ぼす鋼板表面研磨処理の影響, 日本機械学会論文集(C編), Vol.76, No.767, 1838-1843, 2010年.
Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Strongly Enhanced Sum Frequency Generation in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, Applied Physics Express, Vol.3, No.7, 072801, 2010.
Cao X.J., Pyoun Y.S. and Ri-ichi Murakami : Fatigue properties of a S45C steel subjected to ultrasonic nanocrystal surface modification, Applied Surface Science, Vol.256, No.21, 6297-6303, 2010.
Chang Huang, Pangpang Wang, Wen Guan, Sen Yang, Lumei Gao, Liqun Wang, Xiaoping Song and Ri-ichi Murakami : Improved microstructure and magnetic properties of ironcobalt nanowire via an ac electrodeposition with a multistep voltage, Materials Letters, Vol.64, No.22, 2465-2467, 2010.
Krishal Patel, Colin S. Doyle, Daisuke Yonekura and Bryony J. James : Effect of surface roughness parameters on thermally sprayed PEEK coatings, Surface & Coatings Technology, Vol.204, No.21-22, 3567-3572, 2010.
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Toshiro Isu, Toshiyuki Kanbara, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Takahiro Kitada : Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities with two-photon resonant quantum wells in the half-wavelength layer, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.10, 2478-2481, 2010.
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Yusuke Ikawa, Yorihide Yuasa, Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Surface Negative Charge Injection, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E93-C, No.8, 1218-1224, 2010.
Cheng-Yu Hu, Katsutoshi Nakatani, Hiroji Kawai, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Buffer Layer Doping Concentration Measurement Using VT-VSUB Characteristics of GaN HEMT with p-GaN Substrate Layer, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E93-C, No.8, 1234-1237, 2010.
Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu : Doping effect on photocarrier lifetime in InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers grown by molecular beam epitaxy, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.42, No.10, 2540-2543, 2010.
Ken Morita, Tomoya Takahashi, Toshiyuki Kanbara, Shinsuke Yano, Takuya Mukai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Large optical Kerr signal of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.42, No.10, 2505-2508, 2010.
Dongyan Zhang, Pangpang Wang, Ri-ichi Murakami and Song Xiaoping : Response to Comment on Enhancement of light transmission by coupling to surface plasmon polaritons of a layer-plus-islands silver layer [ J. Appl. Phys. 106, 103104 (2009) ], Journal of Applied Physics, Vol.108, No.8, 086103-086104, 2010.
Pangpang Wang, Dongyan Zhang, Huang Chang, Song Xiaoping and Ri-ichi Murakami : Surface Plasmon Resonant Enhanced Optical Transmission through ZnO/Ag/ZnO Multilayered Films, Advances in Materials Science for Environmental and Nuclear Technology, Vol.222, 287-294, 2010.
Pankaj Koinkar, Sandip S. Patil, Tae-Gyu Kim, Daisuke Yonekura, Mahendra A. More, Dilip S. Joag and Ri-ichi Murakami : Enhanced field emission characteristics of boron doped diamond films grown by microwave plasma assisted chemical vapor deposition, Applied Surface Science, Vol.257, No.6, 1854-1858, 2011.
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Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Yuji Sogawa, Shiro Akamatsu, Young Hyun Kim, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with a gate SiO2 insulator deposited by silane-based plasma-enhanced chemical vapor deposition, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 457-460, 2011.
Dongyan Zhang, Pangpang Wang, Ri-ichi Murakami and Song Xiaoping : First-principles simulation and experimental evidence for improvement of transmittance in ZnO films, Progress in Natural Science : Materials International, Vol.21, No.1, 40-45, 2011.
Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu : Excitation wavelength dependence of photocarrier relaxation in Si-doped InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 334-336, 2011.
Osamu Kojima, Shingo Watanabe, Takashi Kita, Osamu Wada and Toshiro Isu : Propagation Velocity of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 378-380, 2011.
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米倉 大介, 高橋 雅也, 村上 理一, 加藤 雅裕, 大西 賢治 : 表面研磨処理を施した鋼板の粉体付着抑制効果に及ぼす粒子径の影響, 日本機械学会論文集(C編), Vol.77, No.775, 1161-1170, 2011年.
Manato Deki, Takuto Ito, Minoru Yamamoto, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Ohshima : Enhancement of local electrical conductivities in SiC by femtosecond laser modification, Applied Physics Letters, Vol.98, No.13, 133104-1-133104-3, 2011.
Tomoyasu Nakada, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Flockert Michael, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton excitation by a Phase Shift Grating, World Academy of Science Engineering and Technology, Vol.74, 24-28, 2011.
米倉 大介, 村上 理一 : PVDコーティング材のフレッチング疲労, トライボロジスト, Vol.55, No.10, 708-713, 2010年10月.
Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strong optical Kerr gate signal in InAs-dot-buried GaAs/AlAs multilayer cavity using a picosecond laser pulse, Quantum Dot 2010, No.p.57, East Midlands Conference Center,Nottingham,UK, Apr. 2010.
Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Yuji Sogawa, Young Hyun Kim, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with Gate SiO2 Deposited by Silane-Based PECVD, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu, May 2010.
Osamu Kojima, Shingo Watanabe, Takashi Kita, Osamu Wada and Toshiro Isu : Propagation Velocity of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrE1-4, 353, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, Jun. 2010.
Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu : Excitation Wavelength Dependence of Photocarrier Relaxation in Si-Doped InAs Quantum Dots with Strain-Relaxed InGaAs Barriers, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrP15, 377, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, Jun. 2010.
Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Enhanced Sum-Frequency Generation Signal in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrP18, 379, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, Jun. 2010.
Daisuke Yonekura, Yuta Fujie, Hayato Nishii, Hiroshi Yamakawa and Ri-ichi Murakami : Influence of Heat Treatment on Fatigue Strength of Drawn Steel Tubes for Small-sized Single Pass Boiler, International Conference on Structural Integrity and Failure 2010, Auckland, Jul. 2010.
Cao Xiaojian, Yan Fan, Ri-ichi Murakami and Onizawa Atsushi : Fatigue Properties of a S45C Steel with Plasma Nitriding, International Conference for SIF2010, Jul. 2010.
Toshiro Isu, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Toshikazu Takimoto, Ken Morita and Takahiro Kitada : Frequency-M-xing-Signal Generation on a GaAs/AlAs Coupled Multilayer-Cavity, 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processws in Condensed and Nano Materials (EXCON'10), Vol.13O02, Novotel Hotel, Brisbane, Australia, Jul. 2010.
Manato Deki, Minoru Yamamoto, Ito Takuto, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Ohshima : Femtosecond laser modification aiming at the enhancement of local electric conductivities in SiC, 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, P1-306, Seoul, Jul. 2010.
Takahiro Kitada, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), No.p1.20, bcc Berlin Congress Center, Berlin, Germany, Aug. 2010.
Tomoyasu Nakada, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Flockert Michael, Toshihiro Okamoto, Masuo Fukui, Toshiro Isu, T Okazaki and Gen-ichi Shinomiya : Modulator for Surface Plasmon Polariton Using LiNbO3:Ti Plasmon Waveguide, 11th International Conference on Near-field Nano Optics, Nanophotonics& Related Techniques (NFO-11), Beijing, Aug. 2010.
Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Remarkable Enhancement of Optical Kerr Signal by increasing Quality Factor in a GaAs/AlAs Multilayer Cavity, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), No.D-1-4, 59-60, Tokyo, Sep. 2010.
Fumiya Tanaka, Toshikazu Takimoto, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Time-Resolved Measurements on Sum Frequency Generation Strongly Enhanced in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), No.D-2-1, 61-62, Tokyo, Sep. 2010.
Mami Abe, Takahumi Amou, Kenji Kuramoto, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Effects of Substrate Conductivity on Open-Ring Resonator Wireless Interconnection, 2010 Asia-Pacific Radio Science Conference, Toyama, Sep. 2010.
Ri-ichi Murakami : Improvement of Optical Transmission and Conductivity in a Symmmetric Zno/Ag Multilayered films, The 11th IUMRS International Conference in Asia, Sep. 2010.
Jin-Ping Ao, Kensuke Takahashi, Naoki Shinohara, Naoki Niwa, Teruo Fujiwara and Yasuo Ohno : S-parameter Analysis of GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, 2010 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, Monterey, Oct. 2010.
Manato Deki, Takuro Ito, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Oshima : Laser Modification Aiming at the Enhancement of Local Electrical Conductivities in SiC, The 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, 218-221, Takasaki, Oct. 2010.
Jin-Ping Ao : Monolithic Integration of GaN-based LEDs, 2nd Photonics and Optoelectronics Meetings (POEM2010), Wuhan, Nov. 2010.
Ri-ichi Murakami : Improvement Mechanism of Extraordinary Optical Transmission in a Dielectric/metal/dielectric Multilayer Thin Films, 2010 Inetrnational Conference on Optics and Photonics in Taiwan, Tainan, Dec. 2010.
Mami Abe, Yuka Okuyama, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Misalignment Effects in Inter-Chip Wireless Connection with Open-Ring Resonators, 2010 Asia-Pacific Microwave Conference (APM C2010), Yokohama, Dec. 2010.
Yasuo Ohno : Application of GaN Devices to Wireless Power Transmission, 2010 Asia-Pacific Microwave Conference (APM C2010), Yokohama, Dec. 2010.
Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates, SPIE Photonics West2011, No.OPTO7937-52, The Moscone Center San Francisco, California, USA, Jan. 2011.
Tomoyasu Nakada, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Flockert Michael, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton excitation by a Phase Shift Grating, International Conference on Nanotechnology, Optoelectronics and Photonics (ICNOP) 2011, 24, PENANG,MALAYSIA, Feb. 2011.
原口 雅宣, 井須 俊郎, 福井 萬壽夫 : ナノLEDの開発, LED総合フォーラム論文集, 67-68, 2010年4月.
Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical anisotropy of sum-frequency generation in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), No.We3-5, 57, Jul. 2010.
Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr gate switching in InAs-dot-buried GaAs/AlAs multilayer cavity using a wavelength restricted picosecond laser pulse, 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), No.We3-7, 61, Jul. 2010.
中田 智康, 中河 義典, 原口 雅宣, 岡本 敏弘, 井須 俊郎, 四宮 源市 : 表面プラズモンポラリトンを利用したレジスト厚計測, 応用物理学会 中国四国支部 2010年度 支部学術講演会, No.Aa2-5, 2010年7月.
田辺 新平, 中田 智康, 中河 義典, 原口 雅宣, 井須 俊郎, 四宮 源市 : 表面プラズモンポラリトンを利用したグルコースセンサー, 応用物理学会 中国四国支部 2010年度 支部学術講演会, No.Aa2-4, 2010年7月.
阿部 まみ, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月.
原内 健次, 細川 大志, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードのSパラメータ解析, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月.
細川 大志, 原内 健次, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードの二次元デバイスシミュレーション, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月.
薄木 航, 米倉 大介, 村上 理一 : ナノインデンテーション法を用いたPVD 薄膜の破壊靭性の評価, 日本機械学会2010年度年次大会講演論文集, Vol.1, 313-314, 2010年9月.
谷本 翔太, 米倉 大介, 村上 理一 : 硬質薄膜を被覆したチタン合金のフレッティング疲労特性, 日本機械学会2010年度年次大会講演論文集, Vol.1, 315-316, 2010年9月.
出来 真斗, 伊藤 拓人, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 : SiCのフェムト秒レーザー改質部における局所電気伝導度の照射フルエンス依存性, 第71 回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 04-269, 2010年9月.
森田 健, 田中 文也, 滝本 隼主, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 分極反転したGaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の作製とその光学特性, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.14a-G-3, 05-041, 2010年9月.
上山 日向, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの電気特性, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.15a-ZV-4, 15-058, 2010年9月.
田中 文也, 滝本 隼主, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 非対称なGaAs/AlAs多層膜結合共振器の作製とその光学特性, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-7, 14-070, 2010年9月.
北田 貴弘, 田中 文也, 滝本 隼主, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜結合共振器における非線形分極構造の制御, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-6, 14-069, 2010年9月.
大田 翔平, 小島 磨, 喜多 隆, 井須 俊郎 : GaAs薄膜におけるレーザースペクトル幅制御による励起子応答制御, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-8, 14-071, 2010年9月.
中田 智康, 中河 義典, 原口 雅宣, 岡本 敏弘, 井須 俊郎, 四宮 源市 : 表面プラズモンポラリトン励起のためのスラブ導波路上の位相シフト回折格子結合器の評価, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.17a-NJ-6, 03-140, 2010年9月.
五井 恵太, 山下 太香恵, 小島 磨, 喜多 隆, 井須 俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子状態の制御性, 2010年秋季大会 日本物理学会, No.25pPSB-31, 731, 2010年9月.
小林 大士, 米倉 大介, 村上 理一 : SiOxNy膜を被覆したガスケット用ゴムシートの熱酸化劣化特性, 日本機械学会中国四国支部・九州支部合同企画 徳島講演会講演論文集, No.105-2, 23-24, 2010年10月.
能田 光, 米倉 大介, 村上 理一 : アルミニウム合金基板に被覆したCrN薄膜の密着性に及ぼす基板前処理の影響, 日本機械学会中国四国支部・九州支部合同企画 徳島講演会講演論文集, No.105-2, 25-26, 2010年10月.
石川 洋三, 米倉 大介, 村上 理一 : MPCVD法により成膜した導電性ダイヤモンド薄膜の表面化学修飾の評価, 日本機械学会中国四国支部・九州支部合同企画 徳島講演会講演論文集, No.105-2, 27-28, 2010年10月.
出来 真斗, 伊藤 拓人, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 : フェムト秒レーザー改質したSiCにおける局所電気伝導度の照射フルエンス依存性, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会 予稿集, 114-115, 2010年10月.
伊藤 拓人, 出来 真斗, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 : SiCのフェムト秒レーザー改質部における局所電気伝導度の照射偏光依存性, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会 予稿集, 110-111, 2010年10月.
大田 翔平, 小島 磨, 喜多 隆, 井須 俊郎 : GaAs薄膜における励起子応答に対する検出パルスのスペクトル幅の効果, WINPTech2010 Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2010, 2010年12月.
五井 恵太, 小島 磨, 山下 太香恵, 喜多 隆, 井須 俊郎 : GaAs薄膜における閉じ込め励起子状態の光制御, 第21回光物性研究会(2010), No.A-57, 2010年12月.
大田 翔平, 小島 磨, 喜多 隆, 井須 俊郎 : 検出パルス制御によるGaAs薄膜中の閉じ込め励起子の超高速応答, 第21回光物性研究会(2010), No.A-84, 2010年12月.
森田 健 : 量子ドットを用いた面型多層膜超高速全光スイッチ, 第5回フロンティア研究センターシンポジウム, 2011年2月.
北田 貴弘 : 半導体結合光共振器によるテラヘルツ光発生素子, 第5回フロンティア研究センターシンポジウム, 2011年2月.
原内 健次, 岩崎 裕一, 阿部 まみ, 敖 金平, 篠原 真毅, 外村 博史, 大野 泰夫 : オープンリング共振器接続によるマイクロ波無線電力伝送, 2011年電子情報通信学会総合大会, 2011年3月.
細川 大志, 黒田 健太郎, 井谷 祥之, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET 電流コラプスの回復過程測定, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2011年3月.
森田 健, 加藤 翔, 滝本 隼主, 田中 文也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 多層膜結合共振器構造へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.24a-KF-4, 04-157, 2011年3月.
上山 日向, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの作製とその光学特性, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.24p-BQ-4, 15-061, 2011年3月.
西中 一平, 美藤 邦彦, 木股 雅章, 内藤 聖貴, 山本 泰志, 片山 晴善, 佐藤 亮太, Patrashin Mikhail, 寳迫 巌, 井須 俊郎, 北田 貴弘 : GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの開発, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KT-7, 03-063, 2011年3月.
大田 翔平, 小島 磨, 喜多 隆, 井須 俊郎 : 重心運動閉じ込め励起子の量子ビートの生成と検出, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-7, 14-040, 2011年3月.
北田 貴弘, 安長 千徳, 上山 日向, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜三結合共振器の面型波長変換素子への応用, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-8, 14-041, 2011年3月.
滝本 隼主, 加藤 翔, 田中 文也, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : ウエハ接合により作製したGaAs/AlAs多層膜結合共振器, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-9, 14-042, 2011年3月.
中田 智康, 中河 義典, 田邉 新平, 原口 雅宣, 岡本 敏弘, 井須 俊郎, 四宮 源市 : 表面プラズモンポラリトン励起のためのブレーズド回折格子結合器の評価, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25p-BH-3, 03-188, 2011年3月.
田邉 新平, 中河 義典, 中田 智康, 原口 雅宣, 岡本 敏弘, 井須 俊郎, 四宮 源市 : 二次元六方クラスター回折格子による表面プラズモン励起, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25p-BH-4, 03-189, 2011年3月.
Michael Flockert, 田邉 新平, 中河 義典, 中田 智康, 原口 雅宣, 井須 俊郎, 小山 浩司, 四宮 源市 : 二次元矩形クラスタープラズモニック格子による表面プラズモン励起, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25p-BH-5, 03-190, 2011年3月.
伊藤 拓人, 出来 真斗, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 : フェムト秒レーザー照射によるSiC改質部の局所電気伝導度の照射偏光依存性, 第58回応用物理学関係連合講演会, 04-287, 2011年3月.
加藤 翔, 滝本 隼主, 田中 文也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の二つの共振器モードを利用したテラヘルツ帯差周波発生, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.26a-KB-2, 05-106, 2011年3月.
出来 真斗, 伊藤 拓人, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 小野田 忍, 大島 武 : フェムト秒レーザー照射によるSiC改質部の局所電気伝導度の照射強度および偏光依存性, 第5回フロンティア研究センターシンポジウム 「日亜寄附講座研究成果報告会」, 10, 2011年2月.
加藤 雅裕, 米倉 大介, 高橋 雅也 : 新しい付着抑制表面処理を施した鋼表面への粉体の付着挙動の解析, 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告, No.55, 19-24, 2010年6月.