光ナノテクノロジー研究部門 (詳細)

期間: 2011.4〜2016.3

2011年度(平成23年度)

article.{@.date="20110400 20120399" @.organization=\E{230434}}

2011年度(平成23年度) / 著書

(なし)

2011年度(平成23年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,011	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr Signals Markedly Enhanced by Increasing Quality Factor in a GaAs/AlAs Multilayer Cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.4, 04DG02, 2011. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	学術論文 (審査論文)	Fumiya Tanaka, Toshikazu Takimoto, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Time-Resolved Measurements on Sum-Frequency Generation Strongly Enhanced in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.4, 04DG03, 2011. [EdbClient \| EDB]
3)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates, Proceedings of SPIE, Vol.7937, 1H-1, 2011. [EdbClient \| EDB]
4)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Tomoya Takahashi, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu : Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, Journal of Crystal Growth, Vol.323, No.1, 241-243, 2011. [EdbClient \| EDB]
5)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takuro Tomita, Ryota Kumai, Hidenori Nomura, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Ken Morita and Toshiro Isu : Surface roughness assisted 100 kHz femtosecond laser induced nanostructure formation on silicon surface, Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.105, No.1, 89-94, 2011. [EdbClient \| EDB]
6)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takae Yamashita, Osamu Kojima, Takashi Kita and Toshiro Isu : Depolarization effect on optical control of excition states confined in GaAs thin films, Journal of Applied Physics, Vol.110, No.4, 043514, 2011. [EdbClient \| EDB]
7)	2,011	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Fumiya Tanaka, Yoshinori Nakagawa, Shingo Saito, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Generation of Terahertz Radiation from Two Cavity Modes of a GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, Applied Physics Express, Vol.4, No.10, 102102, 2011. [EdbClient \| EDB]
8)	2,011	学術論文 (審査論文)	Shohei Ohta, Osamu Kojima, Takashi Kita and Toshiro Isu : Observation of quantum beat oscillations and ultrafast relaxation of excitons confined in GaAs thin films by controlling probe laser pulses, Journal of Applied Physics, Vol.111, 023505, 2012. [EdbClient \| EDB]
9)	2,011	学術論文 (審査論文)	Takuto Ito, Manato Deki, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda and Takeshi Oshima : Electrical conduction properties of SiC modified by femtosecond laser, Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.7, No.1, 16-20, 2012. [EdbClient \| EDB]
10)	2,011	学術論文 (審査論文)	Haruyoshi Katayama, Junpei Murooka, Masataka Naitoh, Tadashi Imai, Ryota Sato, Eichi Tomita, Munetaka Ueno, Hiroshi Murakami, Satoshi Kawasaki, Kunihiko Bito, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin and Iwao Hosako : Development of type II superlattice detector for future space applications at JAXA, Proceedings of SPIE, Vol.8353, 2012. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2011年度(平成23年度) / 学術レター

(なし)

2011年度(平成23年度) / 総説・解説

(なし)

2011年度(平成23年度) / 国際会議

1)	2,011	国際会議	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Tomoyasu Nakada, Masanobu Haraguchi, Michael Flockert, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface plasmon excitation by 2D-hexagonal plasmonic crystal, The 5th International Conference on Surface Plasmon Photonics (SPP5) 2011, Vol.MP-14, Busan, May 2011. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	国際会議	Flockert Michael, Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Tomoyasu Nakada, Masanobu Haraguchi, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : 2D-gap mode plasmonic crystal on photonic fiber end face, The 5th International Conference on Surface Plasmon Photonics (SPP5) 2011, Vol.TuP-126, Busan, May 2011. [EdbClient \| EDB]
3)	2,011	国際会議	Ken Morita, Toshikazu Takimoto, Shou Katoh, Fumiya Tanaka, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with polarization inverted structure fabricated by wafer-bonding method, The 38th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2011), No.P4.102, Berlin, Germany Maritim proArte Hotel, May 2011. [EdbClient \| EDB]
4)	2,011	国際会議	Shimpei Tanabe, Yoshinori Nakagwa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Chirped grating coupler for surface plasmon polariton excitation fabricated by scanning probe microscope lithography, The 8th Asia-Pacific Workshop on Nanophotonics and Near-Field Optics( APNFO), Adelaide, Aug. 2011. [EdbClient \| EDB]
5)	2,011	国際会議	Hiroaki Suzuki, Masanobu Haraguchi, Toshiro Isu and Toshihiro Okamoto : Emission spectra from nano slit arrays on a LED electrode, The 8th Asia-Pacific Workshop on Nanophotonics and Near-Field Optics( APNFO), Adelaide, Aug. 2011. [EdbClient \| EDB]
6)	2,011	国際会議	Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz radiation from a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity by ultrashort laser pulse excitation, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), No.I-4-2, Nagoya, Sep. 2011. [EdbClient \| EDB]
7)	2,011	国際会議	Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), No.I-5-1, Nagoya, Sep. 2011. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 国内講演発表

1)	2,011	国内講演発表	鈴木裕旭, 原口雅宣, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : 金属膜上の多重スリットによるLED光取り出し制御, LED総合フォーラム論文集, 77-78, 2011年6月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	国内講演発表	Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Optical properties of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers for an all-optical switch with a multilayer cavity structure, 第30回電子材料シンホシウム(EMS-30), No.Th1-8, 2011年6月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,011	国内講演発表	Syo Katoh, Toshikazu Takimoto, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Terahertz Difference-frequency Generation of two cavity modes in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, 第30回電子材料シンホシウム(EMS-30), No.Th1-17, 2011年6月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,011	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 遠藤善紀, 井須俊郎, 四宮源市 : 二次元六方プラズモン結合器の励起光波長依存性, 応用物理学会中国四国支部 2011年度支部学術講演会, No.Bp2-3, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,011	国内講演発表	遠藤善紀, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 田邉新平, 井須俊郎, 四宮源市 : ツインリッジプラズモン導波路の作製と評価, 応用物理学会中国四国支部 2011年度支部学術講演会, No.Bp2-4, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,011	国内講演発表	安長千徳, 上山日向, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜三結合共振器構造を用いた四光波混合による波長変換素子, 2011年度応用物理学会中国四国支部学術講演会, No.Bp2-1, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,011	国内講演発表	張ミン, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/Air 微小光共振器構造の選択エッチングによる作製, 2011年度応用物理学会中国四国支部学術講演会, No.Ea2-4, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,011	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源一 : 表面プラズモンポラリトン広角励起用チャープグレーティングの作製, 第72回応用物理学会学術講演会, Vol.30p-P13-24, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,011	国内講演発表	伊藤拓人, 出来真斗, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : フェムト秒レーザー照射によるSiC改質部の局所電気伝導度の照射偏光依存性Ⅱ, 第72回応用物理学会学術講演会, 04-236, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,011	国内講演発表	北田貴弘, 滝本隼主, 加藤翔, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlAs結合共振器に生じる非線形分極とテラヘルツ帯差周波発生, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31a-F-6, 04-135, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,011	国内講演発表	森田健, 加藤翔, 滝本隼主, 田中文也, 中河義典, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs結合共振器における二つの共振器モードを利用したテラヘルツ帯差周波発生, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31a-F-7, 04-136, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,011	国内講演発表	滝本隼主, 加藤翔, 田中文也, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs多層膜結合共振器のテラヘルツ帯差周波発生の分極反転効果, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-6, 14-037, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,011	国内講演発表	張ミン, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 超高速光スイッチに向けたGaAs/Air 共振器構造の作製, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-5, 14-036, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,011	国内講演発表	安長千徳, 上山日向, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 波長変換機能を実現するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器中の非線形分極, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-4, 14-035, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,011	国内講演発表	小島磨, 山下太香恵, 喜多隆, 井須俊郎 : GaAs薄膜中の光電場に対する局所場の効果, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-3, 14-034, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,011	国内講演発表	上山日向, 高橋朋也, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器の作製と光学特性, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1a-ZA-15, 15-108, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,011	国内講演発表	加藤翔, 滝本隼主, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造におけるテラヘルツ帯差周波信号の励起偏光方向依存性, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-ZN-4, 05-073, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,011	国内講演発表	大田翔平, 小島磨, 喜多隆, 井須俊郎 : 非共鳴励起下における励起子ポラリトンと光電場の結合, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-K-9, 14-071, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,011	国内講演発表	五井恵太, 小島磨, 喜多隆, 井須俊郎 : GaAs薄膜における励起子状態の光制御に対する入射光エネルギー依存性, 2011年秋季大会日本物理学会, No.21aRB-9, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,011	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 森田健 : 半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ波発生素子, 学振第182委員会第11回研究会 (テラヘルツ波科学技術と産業開拓委員会), 2011年10月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,011	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 遠藤善紀, 井須俊郎, 四宮源市 : 楕円型回折格子による表面プラズモンポラリトン励起, 日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2011, No.29aE2, 2011年11月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,011	国内講演発表	遠藤善紀, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 田邉新平, 井須俊郎, 四宮源市 : 交差回折格子結合器によるSPP の二色性励起, 日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2011, No.29aE3, 2011年11月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,011	国内講演発表	井須俊郎 : 半導体ナノ構造による新規光デバイスの創製, 精密工学会知能メカトロニクス専門委員会研究会, Vol.16, No.3, 13, 2012年1月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,011	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 森田健, 中河義典 : GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子, (社)レ-ザー学会学術講演会第32回年次大会, No.F-431pIV01, 169, 2012年1月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,011	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 森田健 : 半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ波発生, 第7回宇宙用高感度赤外センサ研究会, 2012年2月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,011	国内講演発表	森田健, 上山日向, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による超高速全光スイッチ, 光エレクトロニクス研究会(OPE), Vol.111, No.448-449, 31-34, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,011	国内講演発表	伊藤拓人, 大西諒, 出来真斗, 富田卓朗, 松尾繁樹, 橋本修一, 北田貴弘, 井須俊郎, 小野田忍, 大島武 : フェムト秒レーザー照射による表面及び内部におけるSiC 改質部の電気伝導特性, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 04-283, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,011	国内講演発表	上山日向, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを1層有するGaAs/AlAs多層膜共振器のMBE成長, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.16p-A8-8, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,011	国内講演発表	北田貴弘, 滝本隼主, 加藤翔, 森田健, 井須俊郎 : 超短パルス光照射によるGaAs/AlAs結合共振器からのテラヘル帯差周波発生とそのシミュレーション, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.16p-GP6-10, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
30)	2,011	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : 表面プラズモンポラリトン広範励起用チャープグレーティングの作製, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.16p-GP1-20, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
31)	2,011	国内講演発表	上山日向, 安長千徳, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜共振器の四光波混合信号測定, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.17a-E1-7, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
32)	2,011	国内講演発表	森田健, 滝本隼主, 加藤翔, 中河義典, 北田貴弘, 井須俊郎 : 分極反転したGaAs/AlAs結合共振器によるテラヘルツ帯差周波発生, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, No.18a-E8-11, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 作品等

(なし)

2011年度(平成23年度) / その他・研究会

1)	2,011	その他・研究会	井須俊郎 : テラヘルツLEDの実現を目指して, 第10回徳島大学研究者との集い(産学連携講演会), 2011年11月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	その他・研究会	井須俊郎 : 半導体ナノ構造を使った新しい光デバイス技術開発∼未開拓の光発生素子を目指して∼, LED・エネルギー市民フォーラム, 2011年12月. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 報告書

(なし)

2012年度(平成24年度)

article.{@.date="20120400 20130399" @.organization=\E{230434}}

2012年度(平成24年度) / 著書

(なし)

2012年度(平成24年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,012	学術論文 (審査論文)	Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/AlAs Multilayer Cavity with Er-Doped InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Barriers for Ultrafast All-Optical Switches, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.4, 04DG06, 2012. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	学術論文 (審査論文)	Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz Radiation from a (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity by Ultrashort Laser Pulse Excitation, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.4, 04DG05, 2012. [EdbClient \| EDB]
3)	2,012	学術論文 (審査論文)	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton grating coupler on the Ti diffused LiNbO3 channel waveguide, World Academy of Science, Engineering and Technology, Vol.71, 798-807, 2012. [EdbClient \| EDB]
4)	2,012	学術論文 (審査論文)	Ken Morita, Hyuga Ueyama, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG04, 2013. [EdbClient \| EDB]
5)	2,012	学術論文 (審査論文)	Hidetada Komatsu, Zhao Zhang, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/Air Multilayer Cavity for a Planar-Type Nonlinear Optical Device, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG06, 2013. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2012年度(平成24年度) / 学術レター

(なし)

2012年度(平成24年度) / 総説・解説

(なし)

2012年度(平成24年度) / 国際会議

1)	2,012	国際会議	Ken Morita, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz radiation using a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter, Nanostructured and Molecular Materials(EXCON2012), Vol.P073, Groningen, the Netherlands, Jul. 2012. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	国際会議	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Toshihiro Okamoto, Masanobu Haraguchi, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton Grating Coupler on Piezoelectric Material Bonded with Conductive Si (100) Substrate, Abstract of the 12-th international Conference on Near-field Optics nanophotonics and Related Techniques (NFO-12), 110, DONOSTIA-SAN SEBASTIAN, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
3)	2,012	国際会議	Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu : Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), No.TuP-53, Nara, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
4)	2,012	国際会議	Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strongly enhanced four-wave mixing signal from GaAs/AlAs cavity with InAs QDs embedded in strain-relaxed barriers, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.A-3-2, Kyoto, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
5)	2,012	国際会議	Hidetada Komatsu, Zhao Zhang, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/Air multilayer cavity for a planar-type non-linear optical device, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.PS-7-19, Kyoto, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
6)	2,012	国際会議	Ken Morita, Hyuga Ueyama, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast alloptical switches, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.A-6-4, Kyoto, Sep. 2012. [EdbClient \| EDB]
7)	2,012	国際会議	S Katoh, Y Yasunaga, Y Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs barriers on (113)B GaAs substrates, International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.P2-084, Brisbane,Austraria, Oct. 2012. [EdbClient \| EDB]
8)	2,012	国際会議	Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Four-wave mixing signal measurements of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs QDs embedded in strain-relaxed barriers, International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.P2-105, Brisbane,Austraria, Oct. 2012. [EdbClient \| EDB]
9)	2,012	国際会議	Takahiro Kitada, Ken Morita and Toshiro Isu : Novel semiconductor quantum dots for ultrafast nonlinear optical devices, International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.4C-IL-6, Brisbane,Austraria, Oct. 2012. [EdbClient \| EDB]
10)	2,012	国際会議	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Surface Plasmon Polariton grating coupler on the Ti diffused LiNbO3 channel waveguide, ICNOP 2012 : International Conference on Nanotechnology, Optoelectronics and Photonics, Venice, Nov. 2012. [EdbClient \| EDB]
11)	2,012	国際会議	Takahiro Kitada, Ken Morita and Toshiro Isu : Molecular Beam Epitaxy of InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Ultrafast Nonlinear Optical Devices, Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG), No.A7, Orland, Florida, USA, Dec. 2012. [EdbClient \| EDB]
12)	2,012	国際会議	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Toshihiro Okamoto, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Fabrication and optical evaluation of 1D and 2D photonic metamaterial crystal, Photonics Global Conference 2012, Vol.c12a512, Singapore, Dec. 2012. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 国内講演発表

1)	2,012	国内講演発表	H Komatsu, Z Zhang, Y Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : A GaAs/Air multilayer cavity for a planar-type non-linear optical devise GaA/Air, 第31回電子材料シンポジウム(EMS-31), No.Fr1-8, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	国内講演発表	Y Yasunaga, H Ueyama, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Strongly enhanced four-wave mixing signal from GaAs/AlAs cavity, 第31回電子材料シンポジウム(EMS-31), No.Fr1-9, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,012	国内講演発表	安長千徳, 上山日向, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドット共振器による四光波混合信号の増強, 応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Cp-4, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,012	国内講演発表	小松秀士, 張ミン, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜光共振器の反射率スペクトル測定, 応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Cp-3, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,012	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 楠瀬健, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : Ti 拡散LiNbO3 リッジ導波路上への表面プラズモンポラリトン励起用回折格子の作製, 応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Aa-8, 2012年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,012	国内講演発表	北田貴弘 : 新規な非線形光学デバイスを目指した半導体ナノ構造のMBE成長, 和歌山大学-徳島大学光・ナノテクノロジー研究会, 2012年8月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,012	国内講演発表	森田健 : 半導体結合共振器による面型テラヘルツ波発生素子, 和歌山大学-徳島大学光・ナノテクノロジー研究会, 2012年8月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,012	国内講演発表	北田貴弘, 上山日向, 森田健, 井須俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs 量子ドットにおける超高速キャリア緩和の励起波長依存性, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.11p-F1-1, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,012	国内講演発表	森田健, 北田貴弘, 赤羽浩一, 井須俊郎 : 通信波長帯多重積層InAs 量子ドット中のスピン緩和, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.11p-F1-2, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,012	国内講演発表	安長千徳, 上山日向, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 波長変換機能を実現するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号の時間分解測定, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12a-F1-2, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,012	国内講演発表	加藤翔, 安長千徳, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B GaAs基板上に作製した歪緩和In0.45Ga0.55Asバリア層に埋め込んだInAs量子ドット, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12a-J-9, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,012	国内講演発表	富田卓朗, 尾崎信彦, 菅野智士, 江山剛史, 高吉翔大, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlGaAs多重量子井戸におけるフェムト秒レーザーアブレーション, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12p-PA4-6, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,012	国内講演発表	田邉新平, 中河義典, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 四宮源市 : 単結晶ダイヤモンド基板上に作製された表面プラズモンポラリトン励起用回折格子型結合器の特性評価, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.13a-PA4-5, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,012	国内講演発表	鈴木裕旭, 原口雅宣, 岡本敏弘, 北田貴弘, 井須俊郎 : LED の金属電極部に形成した回折格子構造による発光制御, 日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2012 講演予稿集, No.24pE3, 2012年10月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,012	国内講演発表	森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, No.ED2012-96, 17-21, 2012年12月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,012	国内講演発表	北田貴弘, 原山千穂, 森田健, 井須俊郎 : InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 結合共振器による二波長面発光レーザの室温光励起発振, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, No.28a-G20-8, 2013年3月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,012	国内講演発表	井須俊郎 : 超高速非線形光学デバイスと応用電子物性分科会, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, No.28p-G14-5, 2013年3月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,012	国内講演発表	小松秀士, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造の反射率面内分布, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, No.30a-G20-12, 2013年3月. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 作品等

(なし)

2012年度(平成24年度) / その他・研究会

(なし)

2012年度(平成24年度) / 報告書

(なし)

2013年度(平成25年度)

article.{@.date="20130400 20140399" @.organization=\E{230434}}

2013年度(平成25年度) / 著書

(なし)

2013年度(平成25年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,013	学術論文 (審査論文)	Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strongly Enhanced Four-Wave Mixing Signal from GaAs/AlAs Cavity with InAs Quanynm Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG09, 2013. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	学術論文 (審査論文)	Shinpei Tanabe, Yoshinori Nakagawa, Toshihiro Okamoto, Masanobu Haraguchi, Toshiro Isu and Genichi Shinomiya : Fabrication and evaluation of photonic metamaterial crystal, Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.112, 613-619, 2013. [EdbClient \| EDB]
3)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Terahertz Waveforms Generated by Second-Order Nonlinear Polarization in GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities Using Ultrashort Laser Pulses, IEEE Photonics Journal, Vol.5, No.3, 6500308, 2013. [EdbClient \| EDB]
4)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Terahertz emission from a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with nonlinear optical susceptibility inversion, Applied Physics Letters, Vol.102, No.25, 251118, 2013. [EdbClient \| EDB]
5)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu : Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, Journal of Crystal Growth, Vol.378, 485-488, 2013. [EdbClient \| EDB]
6)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Wavelength conversion via four-wave mixing in a triple-coupled multilayer cavity, Applied Physics Letters, Vol.103, No.10, 101109, 2013. [EdbClient \| EDB]
7)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Chiho Harayama, Ken Morita and Toshiro Isu : Two-color lasing in a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots by optical pumping, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.10, No.11, 1434-1437, 2013. [EdbClient \| EDB]
8)	2,013	学術論文 (審査論文)	Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.4S, 04EG03, 2014. [EdbClient \| EDB]
9)	2,013	学術論文 (審査論文)	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Wafer-bonded coupled multilayer cavity with InAs quantum dots for two-color emission, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.4S, 04EG11, 2014. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2013年度(平成25年度) / 学術レター

(なし)

2013年度(平成25年度) / 総説・解説

(なし)

2013年度(平成25年度) / 国際会議

1)	2,013	国際会議	Takahiro Kitada, Chiho Harayama, Ken Morita and Toshiro Isu : Two-Color Lasing in a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots by Optical Pumping, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), No.TuC1-5, Kobe Convention Center, Kobe, Japan, May 2013. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	国際会議	Haruyoshi Katayama, Junpei Murooka, Ryota Sato, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin and Iwao Hosako : Development of Type II Superlattice Detector for Future Space Applications in JAXA, CLEO-PR & OECC/PS 2013, No.TuC1-3, Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, Jul. 2013. [EdbClient \| EDB]
3)	2,013	国際会議	Hiroaki Suzuki, Masanobu Haraguchi, Toshihiro Okamoto, Kohji Oshodani, Toshiro Isu and Masuo Fukui : Emission from metal slit array on Laser Diode electrode through evanescent field scattering process, The 9th Asia-Pacific Conference on Near-field Optics (APNFO2013), 132, Singapore, Jul. 2013. [EdbClient \| EDB]
4)	2,013	国際会議	Hiroaki Suzuki, Kohji Oshodani, Masanobu Haraguchi, Masuo Fukui, Toshiro Isu and Toshihiro Okamoto : The light extraction control of the semiconduct or light-emitting devices using plasmonic structure, Asia Student Photonics Conference 2013 (ASPC2013), No.P-40, 70, Osaka, Jul. 2013. [EdbClient \| EDB]
5)	2,013	国際会議	Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), No.K-5-3, Fukuoka, Sep. 2013. [EdbClient \| EDB]
6)	2,013	国際会議	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity by Wafer-Bonding for Two-Color Emission Devices, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), No.K-4-4, Fukuoka, Sep. 2013. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 国内講演発表

1)	2,013	国内講演発表	Hidetada Komatsu, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Clear observation of cavity mode of GaAs/air multilayer structure, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-3, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	国内講演発表	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Two-color lasing from wafer-bonded GaAs/AlAs coupled multilayer cavity by optical pumping, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-4, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,013	国内講演発表	Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Terahertz emission from a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with self-assembled InAs quantum dots, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-8, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,013	国内講演発表	Sho Katoh, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : Optical properties of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs barriers on (113)B GaAs substrate, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.Fr1-3, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,013	国内講演発表	盧翔孟, M Koyama, Y Izumi, S Adachi, S Muto : Scaling behavior of InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.Fr1-5, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,013	国内講演発表	北田貴弘, 盧翔孟, 井須俊郎 : 量子ドット結合共振器による二波長レーザ∼新しいテラヘルツ光源を目指して, 第2回和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会, 2013年8月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,013	国内講演発表	盧翔孟, Satoru Adachi, Shunichi Muto : Scaling Behavior of InAlAs/AlGaAs QDs Grown on GaAs by MBE, 第2回和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会, 2013年8月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,013	国内講演発表	鈴木裕旭, 大正谷皓司, 原口雅宣, 井須俊郎, 福井萬壽夫, 岡本敏弘 : プラズモニック構造による半導体発光デバイスの光取り出し制御, 第74回応用物理学会秋期学術講演会, No.17a-P12-14, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,013	国内講演発表	大柄根斉宣, 加藤翔, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-D6-13, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,013	国内講演発表	原山千穂, 加藤翔, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器のウエハ直接結合による作製と光学特性評価, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-D6-14, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,013	国内講演発表	小松秀士, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 微小開口部アレイからの選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19a-D6-4, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,013	国内講演発表	北田貴弘, 安長千徳, 中河義典, 森田健, 井須俊郎 : GaAs/AlAs三結合共振器への波長帯域制限したパルス光照射による四光波混合信号光のスペクトル形状, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19a-D6-3, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,013	国内講演発表	山内諒, 盧翔孟, 小山正孝, 笹倉弘理, 武藤俊一 : 2種類の拡散原子を有する量子ドット成長モデルでのスケール関数, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19p-D3-11, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,013	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 森田健, 盧翔孟, 中河義典 : 半導体多層膜結合共振器構造の非線形光学応答とそのデバイス応用, 第9回量子ナノ材料セミナー, 2013年11月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,013	国内講演発表	原口雅宣, 鈴木裕旭, 大正谷浩司, 井須俊郎, 岡本敏弘, 福井萬壽夫 : プラズモン利用による発光デバイスの光取り出し制御, レーザー学会学術講演会第34回年次大会, No.22a I-3, 2014年1月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,013	国内講演発表	北田貴弘, 加藤翔, 原山千穂, 大柄根斉宣, 井須俊郎 : GaAs/AlAs 結合共振器によるテラヘルツ波発生への膜厚不均一の影響, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-2, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,013	国内講演発表	大柄根斉宣, 安長千徳, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : 超高速波長変換素子に向けたInAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の作製, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-3, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,013	国内講演発表	原山千穂, 加藤翔, 中河義典, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器による等強度の二波長発振, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-4, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,013	国内講演発表	盧翔孟, 松原修三, 中河義典, 北田貴弘, 井須俊郎 : 分子線エピタキシーによる(001)と(113)B GaAs基板上に成長したInAs量子ドットのフォトルミネッセンスに与えるAlAsキャップの影響, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.18a-E15-1, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,013	国内講演発表	森田健, 小田達也, 石谷善博, 北田貴弘, 井須俊郎 : 通信波長帯InGaAs量子井戸中のスピン緩和, 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, No.18a-E15-3, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 作品等

(なし)

2013年度(平成25年度) / その他・研究会

2,013

その他・研究会

鈴木裕旭, 原口雅宣, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : 半導体レーザの金属電極多重スリットによるレーザ光取出し制御, LED総合フォーラム2013 in 徳島論文集, 57-58, 2013年4月. [EdbClient | EDB]

2013年度(平成25年度) / 報告書

(なし)

2014年度(平成26年度)

article.{@.date="20140400 20150399" @.organization=\E{230434}}

2014年度(平成26年度) / 著書

(なし)

2014年度(平成26年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,014	学術論文 (審査論文)	Haruyoshi Katayama, Michito Sakai, Junpei Murooka, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin, Iwao Hosako and Yasuhiro Iguchi : Development Status of Type II Superlattice Infrared Detector in JAXA, Sensors and Materials, Vol.26, No.4, 225-234, 2014. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	学術論文 (審査論文)	Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Four-wave mixing in GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 04DG05, 2015. [EdbClient \| EDB]
3)	2,014	学術論文 (審査論文)	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effect of cavity-layer thicknesses on two-color emission in coupled multilayer cavities with InAs quantum dots, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 04DG10, 2015. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2014年度(平成26年度) / 学術レター

(なし)

2014年度(平成26年度) / 総説・解説

(なし)

2014年度(平成26年度) / 国際会議

1)	2,014	国際会議	R Yamauchi, Xiangmeng Lu, M Koyama, H Sasakura, Y Nakata and S Muto : Volume distribution by quantum dot growth model with 2 kinds of diffusion atoms, 8th International Conference on Quantum Dots (QD 2014), No.M141, Pisa, Italy, May 2014. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	国際会議	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effect of non-equivalent cavities on two-color lasing in a GaAs/AlAs coulpled multilayer cavity with InAs quantum dots, The 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014), No.P57, Montpellier, France, May 2014. [EdbClient \| EDB]
3)	2,014	国際会議	Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Enhanced photoluminescence form InAs quantum dots with a thin AlAs cap layer grown on (100) and (311)B GaAs substrate, The 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014), No.Tu-B3-4, Montpellier, France, May 2014. [EdbClient \| EDB]
4)	2,014	国際会議	Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap, The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014), No.TuA2-5, Flagstaff, Arizona, Sep. 2014. [EdbClient \| EDB]
5)	2,014	国際会議	Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz Emission from a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots, The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014), No.TuA2-2, Flagstaff, Arizona, Sep. 2014. [EdbClient \| EDB]
6)	2,014	国際会議	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effect of Cavity-Layer Thicknesses on Two-Color Lasing in a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), No.B-3-3, Tsukuba, Sep. 2014. [EdbClient \| EDB]
7)	2,014	国際会議	Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for an ultrafast wavelength conversion device via the four-wave-mixing, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), No.PS-7-7, Tsukuba, Sep. 2014. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 国内講演発表

1)	2,014	国内講演発表	盧翔孟, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, 北田貴弘, 井須俊郎 : Reduced wetting layer and enhanced photoluminescence of InAs quantum dots with AlAs cap grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Th2-14, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	国内講演発表	Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 北田貴弘, 井須俊郎 : Effect of thickness difference between two cavity layers on two-color lasing in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with InAs quantum dots, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-16, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,014	国内講演発表	Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for novel ultrafast wavelength conversion devices, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-15, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,014	国内講演発表	Keisuke Murakumo, Hidetada Komatsu, Yoshinori Nakagawa, 北田貴弘, 井須俊郎 : Fabrication of a cavity structure with an air layer by selective etching and wafer-bonding, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-11, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,014	国内講演発表	盧翔孟, 川口晃弘, 中河義典, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : Effects of AlAs cap and InGaAs Layer on optical property of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy, 2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Da-1, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,014	国内講演発表	原山千穂, 上原敏弘, 中河義典, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製, 2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Da-2, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,014	国内講演発表	村雲圭佑, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 歪柔和InGaAs層に埋め込んだErドープInAsQDsの内面光伝導特性, 2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Da-3, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,014	国内講演発表	大正谷皓司, 村中隆二, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : LED 表面の金属電極に設けたマルチスリットによる光取り出し特性, 2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Ea-4, 2014年7月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,014	国内講演発表	熊谷直人, 村雲圭佑, 北田貴弘, 井須俊郎 : 超高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光伝導, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18a-A27-6, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,014	国内講演発表	村雲圭佑, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs/InGaAs量子ドット積層構造の面内光伝導特性の異方性, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A20-13, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,014	国内講演発表	盧翔孟, 川口晃弘, 中河義典, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : AlAsキャップ付InAs量子ドットのフォトルミネツセンスに対するInGaAs層の影響, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A20-16, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,014	国内講演発表	北田貴弘, 原山千穂, 太田寛人, 前川知久, 高田博文, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : MBE成長とウエハ接合により作製したpn接合を含む量子ドット結合共振器, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-2, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,014	国内講演発表	大柄根斉宣, 安長千徳, 中河義典, 森田健, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号測定, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-3, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,014	国内講演発表	原山千穂, 上原敏弘, 中河義典, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドットを含むGaAs/AlGaAs結合共振器の電流注入による二波長発光, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-4, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,014	国内講演発表	森田健, Ryota Kurosawa, Tatsuya Oda, Yoshihiro Ishitani, 北田貴弘, 井須俊郎 : Room temperature spin relaxation in InGaAs quantum wells, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.19P-S2-11, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,014	国内講演発表	北田貴弘, 井須俊郎, 森田健 : ウエハ接合による結合共振器の作製とテラヘルツ波発生素子への応用, 第5回集積光デバイス技術研究会(IPDA), 2014年12月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,014	国内講演発表	北田貴弘, 原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : 二波長面発光レーザーによるテラヘルツ波発生, レーザー学会第472回研究会, 2014年12月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,014	国内講演発表	原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 結合共振器構造による二波長面発光とテラヘルツ波発光素子, 電子情報通信学会研究会(レーザ・量子エレクトロニクス研究会LQE), Vol.48, 2015年1月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,014	国内講演発表	盧翔孟, 川口晃弘, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B GaAs基板上に成長した量子ドットのPLの温度依存性, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.11a-A10-9, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,014	国内講演発表	熊谷直人, 村雲圭佑, 北田貴弘, 井須俊郎 : InAs量子ドット積層構造の面内光伝導キャリアの移動度, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.11a-A10-10, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,014	国内講演発表	北田貴弘, 原山千穂, 太田寛人, 前川知久, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : ウエハ接合界面での光損失を低減した量子ドット結合共振器の作製, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12a-A10-9, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,014	国内講演発表	大柄根斉宣, 高本俊昭, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : (113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生 (II), 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A14-4, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,014	国内講演発表	村雲圭佑, 山岡裕也, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 量子ドット光伝導スイッチのメサ加工による暗電流の抑制, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A14-12, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,014	国内講演発表	原山千穂, 太田寛人, 前川知久, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A17-8, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,014	国内講演発表	大正谷皓司, 村中隆二, 原口雅宣, 岡本敏弘, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : 金属マルチスリットを組み合わせたLED 構造による表面プラズモンポラリトン発生素子の検討, 第62回応用物理学会春季学術講演会, No.13p-P3-18, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 作品等

(なし)

2014年度(平成26年度) / その他・研究会

1)	2,014	その他・研究会	北田貴弘, 原山千穂, 森田健, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : テラヘルツLED, LED総合フォーラム2014-2015, 2015年1月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	その他・研究会	井須俊郎 : 半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ光発生素子, 神戸大学フォトニック材料学セミナー, 2015年1月. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 報告書

(なし)

2015年度(平成27年度)

article.{@.date="20150400 20160399" @.organization=\E{230434}}

2015年度(平成27年度) / 著書

(なし)

2015年度(平成27年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,015	学術論文 (審査論文)	Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap, Journal of Crystal Growth, Vol.425, 106-109, 2015. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	学術論文 (審査論文)	Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz emission from a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots, Journal of Crystal Growth, Vol.425, 303-306, 2015. [EdbClient \| EDB]
3)	2,015	学術論文 (審査論文)	Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication of two-color surface emitting device of a coupled cavity structure with InAs QDs formed by wafer-bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.4S, 04EH09, 2016. [EdbClient \| EDB]
4)	2,015	学術論文 (審査論文)	Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Photoconductivity of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs layers with 1.5mm cw and pulse excitation, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.4S, 04EH12, 2016. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2015年度(平成27年度) / 学術レター

(なし)

2015年度(平成27年度) / 総説・解説

(なし)

2015年度(平成27年度) / 国際会議

1)	2,015	国際会議	Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Temperature Dependence Photoluminescence From InAs Quantum Dots With AlAs Cap Grown on (311)B and (100) GaAs Substrate, The 42th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2015), No.Mo3GN1.5, Santa Barbara, CA USA, Jun. 2015. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	国際会議	Keisuke Murakumo, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : In-plane photoconductivity of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs layer, The 42th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2015), No.Mo3GN1.2, Santa Barbara, CA USA, Jun. 2015. [EdbClient \| EDB]
3)	2,015	国際会議	Naoto Kumagai, Keisuke Murakumo, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Mobility of in-plane photocurrent of stacked InAs QDs layers in strain-relaxed InGaAs matrix, 17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Mo-PM-14, Sendai, Jul. 2015. [EdbClient \| EDB]
4)	2,015	国際会議	Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Investigation of Carriers Thermal Transfer in Self-asssembled Quantum Dots Grown on (311)B GaAs by Temperature Dependence Photoluminescence, 17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Th-PM-13, Sendai, Jul. 2015. [EdbClient \| EDB]
5)	2,015	国際会議	Shunicni Muto, Ryo Yamauchi, Osamu Muramatsu, Xiangmeng Lu, Masataka Koyama, Yoshiaki Nakata and Hirotaka Sasakura : 2D Islands by growth model with 2 kinds of diffusive atoms, 17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Th-PM-3, Sendai, Jul. 2015. [EdbClient \| EDB]
6)	2,015	国際会議	Takahiro Kitada, Masanori Ogarane, Toshiaki Takamoto, Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Ken Morita and Toshiro Isu : Enhancement of Terahertz Emission from GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities by InAs Quantum Dots on (113)B-Oriented Substrates, The Second International Symposium on Frontiers in THz Technology (FTT2015), No.Pos1.24, Hamamatsu, Aug. 2015. [EdbClient \| EDB]
7)	2,015	国際会議	Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Photoconductivity with 1.55 m excitation of InAs QDs embedded in InGaAs barriers on GaAs substrate, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), No.PS-7-9, Sapporo, Sep. 2015. [EdbClient \| EDB]
8)	2,015	国際会議	Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication of Two-Color Surface Emitting Device of a Coupled Cavity Structure with InAs QDs Formed by Wafer-Bonding, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), No.A-7-6, Sapporo, Sep. 2015. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 国内講演発表

1)	2,015	国内講演発表	盧翔孟, Akihiro Kawaguchi, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : Temperature dependence photoluminescence of quantum dots grown on (311)B GaAs by molecular beam epitaxy, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th2-5, 2015年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	国内講演発表	Keisuke Murakumo, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : In-plane photoconductivity of InAs QDs layers embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-10, 2015年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,015	国内講演発表	Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : Fabrication of Two-Color Surface Emitting Laser of a Coupled Cavity Structure Formed by Wafer-Bonding, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-12, 2015年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,015	国内講演発表	Tomohisa Maekawa, Chiho Harayama, Hiroto Ota, 北田貴弘, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : Two-color emission from coupled cavity structure including InAs QDs formed by wafer bonding, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-13, 2015年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 原山千穂, 前川知久, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光素子の発光特性, 2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Ca-2, 2015年8月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,015	国内講演発表	村中隆二, 大正谷皓司, 岡本敏弘, 原口雅宣, 井須俊郎, 福井萬壽夫 : 金属電極に作製したマルチスリット構造によるLED取り出し光の集光特性に関する研究, 2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, No.Ap-9, 2015年8月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,015	国内講演発表	熊谷直人, 村雲圭佑, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : テラヘルツ波検出に向けた量子ドット層の面内光伝導特性評価, 第3回光・ナノテクノロジー研究会和歌山大・徳島大合同, 2015年8月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : テラヘルツLEDのための二波長面発光レーザの作製, 第3回光・ナノテクノロジー研究会和歌山大・徳島大合同, 2015年8月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,015	国内講演発表	井須俊郎, 太田寛人, 原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘 : 半導体多層薄膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子, 2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会, Vol.CI-1-3, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,015	国内講演発表	盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : (001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果, 2015年度第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-2W-7, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,015	国内講演発表	熊谷直人, 太田寛人, 前川知久, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : 結合共振器を用いた二波長面発光レーザの発振スペクトル注入電流依存性, 2015年度第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.15p-2C-5, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 前川知久, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : InGaAs/GaAs 多重量子井戸構造を導入した結合共振器による二波長面発光レーザの発振特性, 2015年度第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.16a-2E-7, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,015	国内講演発表	村雲圭佑, 熊谷直人, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : 1.5・m パルス励起によるInAs 量子ドット光伝導アンテナ構造の光電流, 2015年度第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.16p-2J-11, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,015	国内講演発表	北田貴弘, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : 半導体多層膜結合共振器を用いた面型発光素子「テラヘルツLED」の開発, 応用物理学会・テラヘルツ電磁技術研究会第1回研究討論会/テラヘルツテクノロジーフォーラム第1回テラテク技術セミナー, 2015年10月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,015	国内講演発表	井須俊郎, 北田貴弘, 熊谷直人, 盧翔孟 : 半導体ナノ構造による新規光デバイスの創製, 徳島大学&宇都宮大学光学連携講演会2015, 2015年10月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 半導体多層膜結合共振器を用いた二波長面発光レーザー, レーザー学会学術講演会第36回年次大会, 2016年1月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,015	国内講演発表	森田健, 奥村朗人, 石谷善博, 北田貴弘, 井須俊郎 : 時間分解ファラデー回転法によるInGaAs/InAlAs多重量子井戸における電子g因子測定, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.19p-W241-8, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,015	国内講演発表	熊谷直人, 村雲圭佑, 盧翔孟, 北田貴弘, 井須俊郎 : Er ドープInAs 量子ドット層のキャリア緩和時間から評価した光電流周波数特性, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.20a-H135-8, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,015	国内講演発表	太田寛人, 西村信耶, 渡邊健吉, 盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : ウエハ接合により形成した結合共振器による二波長面発光レーザの特性, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.20p-S321-3, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,015	国内講演発表	盧翔孟, 熊谷直人, 北田貴弘, 井須俊郎 : 超高速波長変換素子に向けたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.21p-S621-2, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,015	国内講演発表	北田貴弘, 太田寛人, 原山千穂, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : 結合共振器から生じる二波長レーザー光の時間的コヒーレンスの評価, 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, No.21p-S621-6, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 作品等

(なし)

2015年度(平成27年度) / その他・研究会

1)	2,015	その他・研究会	北田貴弘, 太田寛人, 盧翔孟, 熊谷直人, 井須俊郎 : テラヘルツLED, LED総合フォーラム2015, Vol.P-3, 2015年12月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	その他・研究会	村中隆二, 岡本敏弘, 井須俊郎, 原口雅宣 : 金属電極に作製したマルチスリット構造によるLED取り出し光の集光特性に関する研究, LED総合フォーラム2015in徳島論文集, 85-86, 2015年12月. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 報告書

(なし)