ナノカーボン物性工学分野 (詳細)

期間: 2011.4〜2016.3

2011年度(平成23年度)

article.{@.date="20110400 20120399" @.organization=\E{230437}}

2011年度(平成23年度) / 著書

2,011

著書

永瀬雅夫, 他 : ナノカーボンの応用と実用化, --- ―フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に― ---, 株式会社シーエムシー出版, 東京, 2011年7月. [EdbClient | EDB]

2011年度(平成23年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,011	学術論文 (審査論文)	Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC, Materials Research Society Symposia Proceedings, Vol.1283, opl.2011.675-(6pp), 2011. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	学術論文 (審査論文)	Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Observation of band gap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.4, 04DN04-(4pp), 2011. [EdbClient \| EDB]
3)	2,011	学術論文 (審査論文)	Teruaki Takeuchi, Kosuke Tatsumura, Iwao Ohdomari, Takayoshi Shimura and Masao Nagase : X-ray diffraction profiles of Si nanowires with trapezoidal cross-sections, Physica B : Condensed Matter, Vol.406, No.13, 2559-2564, 2011. [EdbClient \| EDB]
4)	2,011	学術論文 (審査論文)	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi : Theoretical Study on Magnetoelectric and Thermoelectric Properties for Graphene Devices, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.7, 070115-(5pp), 2011. [EdbClient \| EDB]
5)	2,011	学術論文 (審査論文)	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Theoretical Study on Epitaxial Graphene Growth by Si Sublimation from SiC(0001) Surface, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.9, 095601-(6pp), 2011. [EdbClient \| EDB]
6)	2,011	学術論文 (審査論文)	Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Carrier transport mechanism in graphene on SiC(0001), Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.84, No.11, 115458-(5pp), 2011. [EdbClient \| EDB]
7)	2,011	学術論文 (審査論文)	Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase, A. Fujiwara and E. Ohta : Significance of the interface regarding magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon, Thin Solid Films, Vol.519, No.24, 8505-8508, 2011. [EdbClient \| EDB]
8)	2,011	学術論文 (審査論文)	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi : Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects, AIP Conference Proceedings, Vol.1399, 755-756, 2011. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2011年度(平成23年度) / 学術レター

(なし)

2011年度(平成23年度) / 総説・解説

2,011

総説・解説

永瀬雅夫 : グラフェン研究の現状と新規材料としての可能性, 炭素材料の研究開発動向 2011, 61-70, 2011年5月. [EdbClient | EDB]

2011年度(平成23年度) / 国際会議

1)	2,011	国際会議	Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Katsuya Oguri, Tatsushi Akasaki, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroshi Yamaguchi : Surface-enhanced Raman scattering of graphene on SiC, The 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Infromation Technology (SPINTECH6), No.WP-86, Matsue, Japan, Aug. 2011. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	国際会議	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Theory on Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001), 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), Nagoya, Japan, Sep. 2011. [EdbClient \| EDB]
3)	2,011	国際会議	O Ryongsok, Atsushi Iwamoto, Yuki Nishi, Yuya Funase, Takahiro Yuasa, Takuro Tomita, Masao Nagase, Hiroki Hibino and Hiroshi Yamaguchi : Microscopic Raman mapping for epitaxial graphene on 4H-SiC (0001), 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011), Vol.51, No.6, Kyoto, Japan, Oct. 2011. [EdbClient \| EDB]
4)	2,011	国際会議	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Role of steps and edges in epitaxial graphene growth on SiC(0001), International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Inovation-(ISSS-6), No.14amB-1-2, Tokyo, Japan, Dec. 2011. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 国内講演発表

1)	2,011	国内講演発表	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 : SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (招待講演), --- [招待講演] ---, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第137回研究集会「ゲートスタック技術の進展-半導体機能界面の特性評価を中心に」, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	国内講演発表	永瀬雅夫 : グラフェンの基礎と材料としての魅力, --- [招待講演] ---, 日本化学会講演会「グラフェンの魅力∼基礎と応用の観点から」, 2011年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,011	国内講演発表	西勇輝, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司 : グラフェンメンブレンの形状変化, 第72回応用物理学会学術講演会, No.30p-E-6, 2011年8月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,011	国内講演発表	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 : S i C ( 0 0 0 1 )上エピタキシャルグラフェン成長におけるS i 脱離とC 吸着の効果の比較, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-ZF-4, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,011	国内講演発表	岩本篤, 呉龍錫, 船瀬雄也, 西勇輝, 湯浅貴浩, 富田卓朗, 永瀬雅夫, 関根佳明, 日比野浩樹, 山口浩司 : ラマン分光法によるSiC上グラフェンの内部応力解析, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1a-E-1, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,011	国内講演発表	船瀬雄也, 岩本篤, 西勇輝, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 山口浩司 : エピタキシャルグラフェンの摩擦力の層数依存評価, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1a-E-14, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,011	国内講演発表	田邉真一, 関根佳明, 影島博之, 永瀬雅夫, 日比野浩樹 : 単層エピタキシャルグラフェンの特異な抵抗の温度依存性, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-E-5, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,011	国内講演発表	永瀬雅夫 : 電子顕微鏡によるグラフェン観察, --- [招待講演] ---, SCANTECH2011 第20回記念講演会「SEM過去から未来へ」, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,011	国内講演発表	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 : トレンチモデルを用いた SiC(0001)上グラフェン成長の検討, 日本物理学会2011年秋季大会, 2011年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,011	国内講演発表	永瀬雅夫 : 新規カーボン材料グラフェンの基礎物性と応用可能性について, --- [招待講演] ---, 第14回若手フォーラム『材料の微細化・微構造制御と新機能の発現』 ∼次世代につながるセラミックステクノロジー∼, 2011年10月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,011	国内講演発表	永瀬雅夫 : SiC上グラフェンの物性評価技術, --- [招待講演] ---, 炭素材料学会10月セミナー「1日でわかるグラフェン入門 -グラフェンの基礎から合成，評価まで-」, 2011年10月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,011	国内講演発表	永瀬雅夫 : 集積化ナノプローブによる表面物性評価, --- [招待講演] ---, 第40回薄膜・表面物理基礎講座『ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向』, 2011年11月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,011	国内講演発表	永瀬雅夫 : グラフェンの物性とデバイス応用, --- [招待講演] ---, 応物九州支部オータムスクール『機能性薄膜とデバイス応用』, 2011年11月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,011	国内講演発表	呉龍錫, 岩本篤, 田尾拓人, 井口宗明, 奥村俊夫, 杉村晶史, 富田卓朗, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 山口浩司 : ひずみによるラマンシフトを用いた SiC 上グラフェンの層数評価, 第59回応用物理学関係連合講演会, No.16a-B2-4, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,011	国内講演発表	富田卓朗, 長谷川登, 錦野将元, 南康夫, 武井亮太, 石野雅彦, 山本稔, 寺川康太, 海堀岳史, 河内哲哉, 山極満, 末元徹 : 白金におけるフェムト秒レーザーアブレーション過程Ⅱ, 第59 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 04-304, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,011	国内講演発表	錦野将元, 長谷川登, 富田卓朗, 南康夫, 武井亮太, 石野雅彦, 山本稔, 寺川康太, 海堀岳史, 河内哲哉, 山極満, 末元徹 : 白金におけるフェムト秒レーザーアブレーション過程Ⅰ, 第59 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 04-303, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,011	国内講演発表	田尾拓人, 呉龍錫, 岩本篤, 井口宗明, 奥村俊夫, 杉村晶史, 永瀬雅夫, 日比野浩樹 : 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンの表面ラフネスと層数均一性との相関, 第59回応用物理学関係連合講演会, No.17a-A3-4, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,011	国内講演発表	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 : SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程, 日本物理学会2012年春季第67回年次大会, 2012年3月. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 作品等

(なし)

2011年度(平成23年度) / その他・研究会

1)	2,011	その他・研究会	永瀬雅夫 : グラフェンとその応用, 学振・第133委員会第211回研究会, 2011年10月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,011	その他・研究会	永瀬雅夫 : SiC上グラフェンの物性評価と応用技術について, 第105回黒鉛化合物研究会, 2012年1月. [EdbClient \| EDB]

2011年度(平成23年度) / 報告書

(なし)

2012年度(平成24年度)

article.{@.date="20120400 20130399" @.organization=\E{230437}}

2012年度(平成24年度) / 著書

1)	2,012	著書	日比野浩樹, 永瀬雅夫, 他 : グラフェンが拓く材料の新領域, --- ∼物性・作製法から実用化まで∼ ---, エヌティーエス, 東京, 2012年6月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	著書	永瀬雅夫, 他 : 異種機能デバイス集積化技術の基礎と応用, --- ―MEMS, NEMS, センサ, CMOSLSIの融合― ---, 株式会社シーエムシー出版, 東京, 2012年11月. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 学術論文 (審査論文)

2,012

学術論文 (審査論文)

O Ryongsok, Atsushi Iwamoto, Yuki Nishi, Yuya Funase, Takahiro Yuasa, Takuro Tomita, Masao Nagase, Hiroki Hibino and Hiroshi Yamaguchi : Microscopic Raman mapping of epitaxial graphene on 4H-SiC (0001), Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.51, No.6, 06FD06-(5pp), 2012. [EdbClient | EDB]

2012年度(平成24年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2012年度(平成24年度) / 学術レター

(なし)

2012年度(平成24年度) / 総説・解説

2,012

総説・解説

永瀬雅夫 : 高速高温アニール装置によるグラフェン形成, ''熱技術''30年の歩み, 9-13, 2012年4月. [EdbClient | EDB]

2012年度(平成24年度) / 国際会議

1)	2,012	国際会議	Masao Nagase, Yuki Nishi, Teruki Isawa and Takuto Tao : Conductive carbon nanoprobe fabricated by focused ion beam assisted chemical vapor deposition, International Conference on Nanoscience + Technology 2012 (ICN+T2012/STM'12), Paris, France, Jul. 2012. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	国際会議	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Role of Step in Initial Stage of Graphene Growth on SiC(0001), International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS2012), No.61.45, Zurich, Swiss, Aug. 2012. [EdbClient \| EDB]
3)	2,012	国際会議	永瀬雅夫 : グラフェンの基礎物性と応用技術, --- [招待講演] ---, Advance Metallization Conf. 2012, 22nd Asian Session (ADMETA Plus 2012): Tutorial, 東京, 2012年10月. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 国内講演発表

1)	2,012	国内講演発表	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 : SiC(0001)面上第0層グラフェン成長初期過程とステップの役割, 第73回応用物理学会学術講演会(応物2012秋), No.13p-C1-8, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	国内講演発表	奥村俊夫, 田尾拓人, 呉龍錫, 中島健志, 永瀬雅夫 : SiC上グラフェンの不均一成長メカニズム, 第73回応用物理学会学術講演会(応物2012秋), No.13p-C1-3, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,012	国内講演発表	伊澤輝記, 船瀬雄也, 西勇輝, 永瀬雅夫 : 走査型摩擦力顕微鏡を用いたナノ摩擦係数測定, 第73回応用物理学会学術講演会(応物2012秋), No.13p-F7-4, 2012年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,012	国内講演発表	呉龍錫, 高村真琴, 古川一暁, 永瀬雅夫, 日比野浩樹 : SiC上グラフェン架橋構造作製のための電解エッチング条件の検討, 第60回応用物理学会春季学術講演会(応物2013春), No.27p-G12-6, 2013年3月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,012	国内講演発表	岩田義之, 岩本篤, 井口宗明, 永瀬雅夫 : SiC上グラフェンのラマンスペクトル測定における基板効果の評価, 第60回応用物理学会春季学術講演会(応物2013春), No.28p-A6-8, 2013年3月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,012	国内講演発表	西勇輝, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司, 永瀬雅夫 : SiC上グラフェンによる原子層スイッチ, 第60回応用物理学会春季学術講演会(応物2013春), No.29a-G7-10, 2013年3月. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 作品等

(なし)

2012年度(平成24年度) / その他・研究会

1)	2,012	その他・研究会	永瀬雅夫 : 高品質エピタキシャルグラフェン作製, 第12回徳島大学研究者との集い, 2012年6月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,012	その他・研究会	永瀬雅夫 : 高品質単結晶単層グラフェンの作製技術, 徳島大学新技術説明会, 2013年2月. [EdbClient \| EDB]

2012年度(平成24年度) / 報告書

(なし)

2013年度(平成25年度)

article.{@.date="20130400 20140399" @.organization=\E{230437}}

2013年度(平成25年度) / 著書

(なし)

2013年度(平成25年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,013	学術論文 (審査論文)	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Stability and reactivity of steps in the initial stage of graphene growth on the SiC(0001) surface, Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.88, No.23, 235405-(7pp), 2013. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	学術論文 (審査論文)	Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Stability and Reactivity of [11-20] Step in Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001), Materials Science Forum, Vol.778-780, 1150-1153, 2014. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 学術論文 (紀要その他)

2,013

学術論文 (紀要その他)

永瀬雅夫 : グラフェン複合物性の機能デバイス化技術の研究, 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告, Vol.58, 13-21, 2013年. [EdbClient | EDB]

2013年度(平成25年度) / 学術レター

2,013

学術レター

Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi : Graphene-Based Nano-Electro-Mechanical Switch with High On/Off Ratio, Applied Physics Express, Vol.6, No.4, 055101-(3pp), 2013. [EdbClient | EDB]

2013年度(平成25年度) / 総説・解説

2,013

総説・解説

関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克也, 赤崎達志, 影島博之, 永瀬雅夫, 佐々木健一, 山口浩司 : SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱, NTT技術ジャーナル, Vol.25, No.6, 22-26, 2013年6月. [EdbClient | EDB]

2013年度(平成25年度) / 国際会議

1)	2,013	国際会議	Takuto Tao, Toshio Okumura, Nakashima Takeshi, O Ryongsok and Masao Nagase : Highly uniform mono-layer graphene on SiC, 5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research 2013 (RPGR 2013), No.12a-P3-29, Tokyo, Japan, Sep. 2013. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	国際会議	O Ryongsok, Takamura Makoto, Furukawa Kazuaki, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Effects of UV light on electrochemical wet etching of silicon carbide for suspended graphene fabrication, 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2013), No.8P-11-20, Sapporo, Japan, Nov. 2013. [EdbClient \| EDB]
3)	2,013	国際会議	Masao Nagase : Nano-electrical and mechanical properties of graphene on SiC substrate, --- [Invited] ---, Quantum Science Symposium ASIA-2013 Meeting, Tokyo, Nov. 2013. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 国内講演発表

1)	2,013	国内講演発表	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 : SiC(0001)面上第1層グラフェン成長初期過程とステップの役割, 第74回応用物理学会秋季学術講演会(応物2013秋), No.17p-B1-8, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	国内講演発表	中島健志, 奥村俊夫, 田尾拓人, 呉龍錫, 井口宗明, 永瀬雅夫 : 表面構造制御による均一単層グラフェン成長, 第74回応用物理学会秋季学術講演会(応物2013秋), No.17a-B1-10, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,013	国内講演発表	小林慶祐, 田邉真一, 田尾拓人, 呉龍錫, 奥村俊夫, 中島健志, 日比野浩樹, 永瀬雅夫 : SiC上グラフェンにおける移動度の異方性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会(応物2013秋), No.18a-B1-4, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,013	国内講演発表	井口宗明, 中島健志, 奥村俊夫, 呉龍錫, 永瀬雅夫 : 顕微ラマン分光法による SiC 上グラフェンの欠陥評価, 平成 25 年度電気関係学会四国支部連合大会, No.11-9, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,013	国内講演発表	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 : SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源, 日本物理学会 2013年秋季大会, No.28aDK-7, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,013	国内講演発表	茶谷洋光, 田尾拓人, 奥村俊夫, 中島健志, 小林慶祐, 永瀬雅夫 : 表面構造制御による均一単層グラフェン成長, 平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, No.30Ea-11, 2013年11月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,013	国内講演発表	影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 : SiC(0001) Si面上エピタキシャルグラフェン成長における[1-100]ステップの役割, 第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.18p-E2-2, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,013	国内講演発表	永瀬雅夫 : SiC上単結晶グラフェンの成長とその物性評価, --- [招待講演] ---, 第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.18p-F7-5, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,013	国内講演発表	呉龍錫, 奥村俊夫, 中島健志, 有月琢哉, 井口宗明, 青木翔, 小林慶祐, 松本卓也, 永瀬雅夫 : SiC上グラフェンのオゾン処理によるキャリア密度制御, 第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.19p-E2-7, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,013	国内講演発表	茶谷洋光, 奥村俊夫, 伊澤輝記, 井口宗明, 中島健志, 小林慶祐, 呉龍錫, 有月琢哉, 松本卓也, 前田文彦, 日比野浩樹, 永瀬雅夫 : グラフェン積層接合の電気特性, 第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.20a-E2-3, 2014年3月. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 作品等

(なし)

2013年度(平成25年度) / その他・研究会

1)	2,013	その他・研究会	永瀬雅夫 : 新炭素ナノ材料・グラフェンについて, 徳島大学工業会東海支部第33回支部総会, 2013年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,013	その他・研究会	永瀬雅夫 : SiC昇華法による単結晶グラフェン作製技術, 第2回和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会, 2013年8月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,013	その他・研究会	永瀬雅夫 : グラフェンの極限デバイス応用への提案, 徳島県「ものづくり新技術展示商談会in HONDA」, 2013年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,013	その他・研究会	永瀬雅夫 : エピタキシャルグラフェン作製技術の研究, 香川大学工学部第9回先端工学研究発表会, 2014年2月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,013	その他・研究会	永瀬雅夫 : 高品質単層エピタキシャルグラフェン作製技術, 産総研セミナー, 2014年2月. [EdbClient \| EDB]

2013年度(平成25年度) / 報告書

(なし)

2014年度(平成26年度)

article.{@.date="20140400 20150399" @.organization=\E{230437}}

2014年度(平成26年度) / 著書

(なし)

2014年度(平成26年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,014	学術論文 (審査論文)	関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 岩本篤, 永瀬雅夫, 影島博之, 佐々木健一, 赤崎達志 : 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱, レーザー研究, Vol.42, No.8, 652-657, 2014年. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	学術論文 (審査論文)	O Ryong-Sok, Takamura Makoto, Furukawa Kazuaki, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.54, No.3, 036502-(5pp), 2015. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2014年度(平成26年度) / 学術レター

2,014

学術レター

Keisuke Kobayashi, Shinichi Tanabe, Takuto Tao, Toshio Okumura, Takeshi Nakashima, Takuya Aritsuki, Ryong-Sok O and Masao Nagase : Resistivity anisotropy measured using four probes in epitaxial graphene on silicon carbide, Applied Physics Express, Vol.8, No.2, 036602-(3pp), 2015. [EdbClient | EDB]

2014年度(平成26年度) / 総説・解説

2,014

総説・解説

永瀬雅夫 : 高品質単結晶グラフェンの作製技術, --- 大学発!次世代を担うR&D特集 ---, 月刊機能材料, Vol.34, No.5, 28-35, 2014年5月. [EdbClient | EDB]

2014年度(平成26年度) / 国際会議

1)	2,014	国際会議	Masao Nagase : Epitaxial graphene grown by infrared rapid thermal annealing, --- [invited] ---, The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014), Sapporo, Jul. 2014. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	国際会議	Kageshima Hiroyuki, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Theoretical studies of graphene on SiC, --- [invited] ---, The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014), Sapporo, Jul. 2014. [EdbClient \| EDB]
3)	2,014	国際会議	Masao Nagase : Graphene on SiC substrates fabricated by an infrared rapid thermal annealer, --- [invited] ---, 3rd International Conference on Nanotechnology (NANOCON 014), Pune, India, Oct. 2014. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 国内講演発表

1)	2,014	国内講演発表	有月琢哉, 奥村俊夫, 呉龍錫, 中島健志, 小林慶祐, 永瀬雅夫 : デバイス化プロセスにおける SiC 上グラフェン電子物性変調, 第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.17p-B1-4, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	国内講演発表	泰地耕作, 奥村俊夫, 中島健志, 永瀬雅夫 : SiC 上グラフェン表面電位の環境雰囲気効果に関する研究, 第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.17p-B1-5, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,014	国内講演発表	青木翔, 呉龍錫, 井口宗明, 中島健志, 永瀬雅夫 : SiC 上グラフェンのラマンスペクトルにおける表面成分抽出, 第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.18p-B1-9, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,014	国内講演発表	関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 岩本篤, 永瀬雅夫, 影島博之, 赤崎達志 : 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱, 第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.18p-B1-12, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,014	国内講演発表	影島博之(島根大学), 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫 : SiC(0001) Si 面上第一層目グラフェン成長における [1-100]ステップの役割, 第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.19p-B3-3, 2014年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,014	国内講演発表	小田達也, 小林慶祐, 有月琢哉, 青木翔, 永濵拓也, 永瀬雅夫 : HSQ 塗布による SiC 上グラフェンのキャリア濃度変化, 第62回応用物理学会春季学術講演会(応物2015春), No.12a-D7-8, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 作品等

(なし)

2014年度(平成26年度) / その他・研究会

1)	2,014	その他・研究会	Masao Nagase : Graphene on SiC substrate fabricated by infrared rapid thermal annealer, --- [Invited] ---, India-Japan workshop on "Nanotechnology: Synthesis & Sensing Applications", Oct. 2014. [EdbClient \| EDB]
2)	2,014	その他・研究会	永瀬雅夫 : SiC上グラフェンのナノ物性評価, JSM SPM分科会・RIIFセミナー-グリーンエレクトロニクス材料・デバイスのSPM解析技術-, 2015年3月. [EdbClient \| EDB]

2014年度(平成26年度) / 報告書

(なし)

2015年度(平成27年度)

article.{@.date="20150400 20160399" @.organization=\E{230437}}

2015年度(平成27年度) / 著書

2,015

著書

永瀬雅夫, 他 : グラフェンの機能と応用展望, --- 普及版 ---, 株式会社シーエムシー出版, 東京, 2015年9月. [EdbClient | EDB]

2015年度(平成27年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,015	学術論文 (審査論文)	Fan Yang, A.A. Taskin, Satoshi Sasaki, Kouji Segawa, Yasuhide Ohno, Kazuhiko Matsumoto and Yoichi Ando : Dual-Gated Topological Insulator Thin-Film Device for Efficient Fermi-Level Tuning, ACS Nano, Vol.9, No.4, 4050-4055, 2015. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	学術論文 (審査論文)	Masatoshi Nakamura, Yasushi Kanai, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto : Graphene-FET-based gas sensor properties depending on substrate surface conditions, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, No.6S1, 06FF11, 2015. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 学術論文 (紀要その他)

2,015

学術論文 (紀要その他)

永瀬雅夫 : 高品質グラフェン作製技術の研究, 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告, Vol.60, 1-10, 2015年. [EdbClient | EDB]

2015年度(平成27年度) / 学術レター

(なし)

2015年度(平成27年度) / 総説・解説

2,015

総説・解説

永瀬雅夫 : 各種顕微鏡法によるSiC上グラフェンの観察, THE HITACHI SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS, Vol.58, No.2, 5027-5034, 2015年9月. [EdbClient | EDB]

2015年度(平成27年度) / 国際会議

1)	2,015	国際会議	Aritsuki Takuya, Nakashima Takeshi, Kobayashi Keisuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : High quality graphene on SiC formed by the surface structure control technique, 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), No.12P-7-16, Toyama, Japan, Nov. 2015. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	国際会議	Yasuhide Ohno, Masao Nagase and Matsumoto Kazuhiko : Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates, 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), No.12P-7-28, Toyama, Japan, Nov. 2015. [EdbClient \| EDB]
3)	2,015	国際会議	Yoshizumi D., Nishiguchi K., Yoshiaki Sekine, Furukawa K., Fujiwara A. and Masao Nagase : Electron emission using multilayered-graphene/SiO2/Si heterodevice driven with low-voltage supply in low vacuum, 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), No.13P-11-104L, Toyama, Japan, Nov. 2015. [EdbClient \| EDB]
4)	2,015	国際会議	Hisatomo Matsumura, Shin-ichiro Yanagiya, Nobuo Goto, Hiroki Kishikawa, Masao Nagase, Akihiro Furube and Hsu Shih-Hsiang : SERS study of gold nanoparticles deposited on graphene epitaxially grown on SiC, International Forum on Advanced Technologies (IFAT2016), Tokushima, Vol.P2-20, Tokushima, Mar. 2016. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 国内講演発表

1)	2,015	国内講演発表	永濱拓也, 小林慶祐, 有月琢哉, 高嶋和也, 青木翔, 大野恭秀, 永瀬雅夫 : 雰囲気制御による SiC 上グラフェンの抵抗値変化, 第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋), No.15a-2T-9, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,015	国内講演発表	大野恭秀, 永瀬雅夫, 松本和彦 : Cat-CVD 法による SiNx 絶縁膜を用いた SiC グラフェン FET の作製, 第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋), No.15a-2T-1, 2015年9月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,015	国内講演発表	松村尚知, 柳谷伸一郎, 古部昭広, 岸川博紀, 後藤信夫, 永瀬雅夫 : SiC 上グラフェンに堆積した金ナノ粒子の SERS 効果, 第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春), No.21p-P1-12, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,015	国内講演発表	楊順涵, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 : ロジウム - 二硫化モリブデン - グラフェンヘテロ接合の電気特性に関する研究, 第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春), No.22a-S011-10, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,015	国内講演発表	中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 永濱拓也, 北岡誠, 永瀬雅夫, 大野恭秀 : エピタキシャルグラフェン上の吸着水層, 第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春), No.22a-S011-13, 2016年3月. [EdbClient \| EDB]

2015年度(平成27年度) / 作品等

(なし)

2015年度(平成27年度) / その他・研究会

(なし)

2015年度(平成27年度) / 報告書

(なし)