! Aritsuki Takuya, Nakashima Takeshi, Kobayashi Keisuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.55, No.6, 06GF03-(4pp), 2016. Yasuhide Ohno, Yasushi Kanai, Yuki Mori, Masao Nagase and Kazuhiko Matsumoto : Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.6S1, 06GF09, 2016. Hisatomo Matsumura, Shin-ichiro Yanagiya, Masao Nagase, Hiroki Kishikawa and Nobuo Goto : Microscopic Raman Study of Graphene on 4H-SiC Two-Dimensionally Enhanced by Surface Roughness and Gold Nanoparticles, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.6S1, 06GL05, 2016. Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa : Fabrication of hydrophilic graphene film by molecular functionalization, Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, Vol.254, No.2, 1600524-(4pp), 2016. D. Terasawa, A. Fukuda, A. Fujimoto, Yasuhide Ohno, Y. Kanai and K. Matsumoto : Relationship between conductance fluctuation and weak localization in graphene, Physical Review B, Vol.95, No.12, 125427, 2017. Nishiguchi Katsuhiko, Yoshizumi Daisuke, Sekine Yoshiaki, Furukawa Kazuaki, Fujiwara Akira and Masao Nagase : Planar cold cathode based on a multilayer-graphene/SiO2/Si heterodevice, Applied Physics Express, Vol.9, No.10, 105101-(4pp), 2016. Masao Nagase : Observation of graphene on SiC using various types of microscopy, THE HITACHI SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS, Vol.7, 8-16, Sep. 2016. Masao Nagase : Single-crystal graphene growth on SiC by infrared rapid thermal annealing, --- [invited] ---, 2016 Collaborative Conference on 3D and Materials Research(CC3DMR), inchon, Korea, Jun. 2016. Yasushi Kanai, Takashi Ikuta, Takao Ono, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto : Detection Kondo effect in Graphene Quantum Dots, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, 7528502, Jun. 2016. Yoshiaki Taniguchi, Tsubasa Miki, Takanori Mitsuno, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa : Hydrophilic Graphene Film by Molecular Functionalization, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : Intrinsic pH Sensitivity of Graphene Field-Effect Transistors, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. Takao Ono, Yasushi Kanai, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto : An Application of Graphene Field Effect Transistor to Enzymatic Assay, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa : Protein adsorption characteristics on bare and phosphorylcholine-modified graphene films on SiC substrate, 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-16, Kyoto, Japan, Nov. 2016. Kitaoka Makoto, Nagahama Takuya, Nakamura Kohta, Takashima Kazuya, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC, 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-24, Kyoto, Japan, Nov. 2016. Yasuhide Ohno, Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi and Masao Nagase : Intrinsic ion sensitivity of graphene field-effect transistors, 2016 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, Dec. 2016. 森本 征士, 有月 琢哉, 青木 翔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : 顕微ラマン分光法による SiC 上グラフェンの応力とキャリア密度の面内分布評価, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-3, 2016年9月. 山田 祐輔, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : 走査プローブ顕微鏡を用いた SiC 上グラフェンの実効ヤング率計測, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-4, 2016年9月. 北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC 上グラフェンの水脱離による導電率変化, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-2, 2016年9月. 大野 恭秀, 光野 琢仁, 谷口 嘉昭, 永瀬 雅夫 : グラフェン本来のイオンセンシング特性, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-10, 2016年9月. 北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC 上グラフェンのシート抵抗の湿度依存性, 第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-016, 2016年10月. 谷口 嘉昭, 三木 翼, 光野 琢仁, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 南川 慶二, 安澤 幹人 : 新規合成分子を用いた表面修飾による単結晶グラフェンの親水化, 第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-017, 2016年10月. 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC上グラフェンのタンパク質吸着特性, --- ∼分子修飾による高性能バイオセンサの実現に向けて∼ ---, サイエンスプラザ2016, No.52, 2016年11月. 朴 理博, 永瀬 雅夫, 大野 恭秀 : 集束イオンビームを用いたステンシルリソグラフィ技術のための Sub10nm パターンの作製, 第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-304-2, 2017年3月. 北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC 上グラフェンの水吸着によるキャリア密度変化, 第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-6, 15-084-(1pp), 2017年3月. 谷口 嘉昭, 三木 翼, 光野 琢仁, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 南川 慶二, 安澤 幹人 : 分子修飾機能化による SiC 上グラフェンの非特異吸着の抑制, 第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-7, 15-085-(1pp), 2017年3月. 礒合 俊輔, 安澤 幹人, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC 上グラフェンの電気特性評価, 電気化学会第84回大会, 2017年3月. 原口 雅宣, 木内 陽介, 北田 貴弘, 永瀬 雅夫, 安井 武史, 宮脇 克行, 髙橋 章, 岡久 稔也 : LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業におけるテラヘルツLED応用基盤技術に関する取り組み, LED総合フォーラム2016in徳島 論文集, 201-202, 2016年12月.