物性デバイス講座 (詳細)

期間: 2016.4〜2025.3

2004年度(平成16年度)

2004年度(平成16年度) / 特許

2,004

特許

酒井士郎, 直井美貴, チョイラクジュン : 無極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2005-25184 (2005年3月), . [EdbClient | EDB]

2004年度(平成16年度) / 実用新案

(なし)

2004年度(平成16年度) / 意匠

(なし)

2005年度(平成17年度)

2005年度(平成17年度) / 特許

1)	2,005	特許	酒井士郎 : 交流電源用発光装置, 特願2005-190406 (2005年6月), . [EdbClient \| EDB]
2)	2,005	特許	酒井士郎, チョイラクジュン : III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法並びにIII族窒化物半導体発光素子, 特願2005-250185 (2005年8月), . [EdbClient \| EDB]
3)	2,005	特許	酒井士郎, 住吉和英, 月原政志, 片岡研 : 半導体装置用基材および製造方法, 特願2005-359876 (2005年12月), . [EdbClient \| EDB]
4)	2,005	特許	酒井士郎, 住吉和英, 月原政志, 片岡研 : 半導体装置用基材およびその製造方法, 特願2005-359877 (2005年12月), . [EdbClient \| EDB]
5)	2,005	特許	酒井士郎, 直井美貴, チョイラクジュン, リースンミン, 小池正好 : 非極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2006-47294 (2006年2月), . [EdbClient \| EDB]
6)	2,005	特許	Shiro Sakai, Yoshiki Naoi and チョイラクジュン : method of growing non-polar a-plane gallium nitride, 2006-077492 (Mar. 2006), . [EdbClient \| EDB]

2005年度(平成17年度) / 実用新案

(なし)

2005年度(平成17年度) / 意匠

(なし)

2006年度(平成18年度)

2006年度(平成18年度) / 特許

(なし)

2006年度(平成18年度) / 実用新案

(なし)

2006年度(平成18年度) / 意匠

(なし)

2007年度(平成19年度)

2007年度(平成19年度) / 特許

(なし)

2007年度(平成19年度) / 実用新案

(なし)

2007年度(平成19年度) / 意匠

(なし)

2008年度(平成20年度)

2008年度(平成20年度) / 特許

1)	2,008	特許	酒井士郎, 直井美貴 : 発光ダイオードおよびその製造方法, 特願2010-509270 (2008年5月), 特許第5384481号 (2013年10月). [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	特許	酒井士郎 : ナノパターンを有するレーザーダイオード及びその製造方法, 特願2008-188715 (2008年7月), 特許第5383109号 (2013年10月). [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 実用新案

(なし)

2008年度(平成20年度) / 意匠

(なし)

2009年度(平成21年度)

2009年度(平成21年度) / 特許

(なし)

2009年度(平成21年度) / 実用新案

(なし)

2009年度(平成21年度) / 意匠

(なし)

2010年度(平成22年度)

2010年度(平成22年度) / 特許

1)	2,010	特許	山口浩司, 永瀬雅夫, 岡本創, 米谷玲皇, 石原直, 割澤伸一, 遊佐幸樹 : 微小構造体の作製方法, 特願2010-122423 (2010年5月), 特開2011-246780 (2011年12月), . [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	特許	山口浩司, 永瀬雅夫, 岡本創, 米谷玲皇, 石原直, 割澤伸一, 黒田耕平 : 微小構造体の製造方法, 特願2010-141690 (2010年6月), 特開2012-009497 (2012年1月), . [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	特許	永瀬雅夫 : プローブの作製方法およびプローブ，ならびに走査プローブ顕微鏡, 特願2010-193527 (2010年8月), 特開2010-276617 (2010年12月), 特許第5044003号 (2012年7月). [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 実用新案

(なし)

2010年度(平成22年度) / 意匠

(なし)

2011年度(平成23年度)

2011年度(平成23年度) / 特許

2,011

特許

影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 関根佳明, 山口浩司, 藤原聡 : 磁気電気効果素子, 特願2010-162612 (2011年7月), 特開2012-028369 (2012年2月), . [EdbClient | EDB]

2011年度(平成23年度) / 実用新案

(なし)

2011年度(平成23年度) / 意匠

(なし)

2012年度(平成24年度)

2012年度(平成24年度) / 特許

(なし)

2012年度(平成24年度) / 実用新案

(なし)

2012年度(平成24年度) / 意匠

(なし)

2013年度(平成25年度)

2013年度(平成25年度) / 特許

(なし)

2013年度(平成25年度) / 実用新案

(なし)

2013年度(平成25年度) / 意匠

(なし)

2014年度(平成26年度)

2014年度(平成26年度) / 特許

2,014

特許

酒井士郎 : InGaN系化合物半導体発光装置の製造方法及び波長調整方法, 特願2014-166047 (2014年8月), . [EdbClient | EDB]

2014年度(平成26年度) / 実用新案

(なし)

2014年度(平成26年度) / 意匠

(なし)

2015年度(平成27年度)

2015年度(平成27年度) / 特許

(なし)

2015年度(平成27年度) / 実用新案

(なし)

2015年度(平成27年度) / 意匠

(なし)

2016年度(平成28年度)

patent.{@.apply.date="20160400 20170399" @.organization=\E{309340}}

2016年度(平成28年度) / 特許

(なし)

2016年度(平成28年度) / 実用新案

(なし)

2016年度(平成28年度) / 意匠

(なし)

2017年度(平成29年度)

patent.{@.apply.date="20170400 20180399" @.organization=\E{309340}}

2017年度(平成29年度) / 特許

(なし)

2017年度(平成29年度) / 実用新案

(なし)

2017年度(平成29年度) / 意匠

(なし)

2018年度(平成30年度)

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2018年度(平成30年度) / 特許

(なし)

2018年度(平成30年度) / 実用新案

(なし)

2018年度(平成30年度) / 意匠

(なし)

2019年度(平成31(令和元)年度)

patent.{@.apply.date="20190400 20200399" @.organization=\E{309340}}

2019年度(平成31(令和元)年度) / 特許

1)	2,019	特許	藤原茂樹, 敖金平, 北畑洋 : 医療用マイクロ波給電システム，医療用受電回路，ショットキーバリアダイオード及び医療用マイクロ波給電方法, (2019年5月), (2020年11月), 特許第6656698号. [EdbClient \| EDB]
2)	2,019	特許	藤原茂樹, 敖金平, 北畑洋 : 医療用マイクロ波給電システム，医療用受電回路，ショットキーバリアダイオード及び医療用マイクロ波給電方法, (2019年11月), (2020年11月), 特許第201911178977.1号. [EdbClient \| EDB]

2019年度(平成31(令和元)年度) / 実用新案

(なし)

2019年度(平成31(令和元)年度) / 意匠

(なし)

2020年度(令和2年度)

patent.{@.apply.date="20200400 20210399" @.organization=\E{309340}}

2020年度(令和2年度) / 特許

(なし)

2020年度(令和2年度) / 実用新案

(なし)

2020年度(令和2年度) / 意匠

(なし)

2021年度(令和3年度)

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2021年度(令和3年度) / 特許

(なし)

2021年度(令和3年度) / 実用新案

(なし)

2021年度(令和3年度) / 意匠

(なし)

2022年度(令和4年度)

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2022年度(令和4年度) / 特許

(なし)

2022年度(令和4年度) / 実用新案

(なし)

2022年度(令和4年度) / 意匠

(なし)

2023年度(令和5年度)

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2023年度(令和5年度) / 特許

(なし)

2023年度(令和5年度) / 実用新案

(なし)

2023年度(令和5年度) / 意匠

(なし)

2024年度(令和6年度)

patent.{@.apply.date="20240400 20250399" @.organization=\E{309340}}

2024年度(令和6年度) / 特許

(なし)

2024年度(令和6年度) / 実用新案

(なし)

2024年度(令和6年度) / 意匠

(なし)