物性デバイス分野 (詳細)

期間: 2016.4〜2017.3

2016年度(平成28年度)

article.{@.date="20160400 20170399" @.organization=\E{309732}}

2016年度(平成28年度) / 著書

(なし)

2016年度(平成28年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,016	学術論文 (審査論文)	Aritsuki Takuya, Nakashima Takeshi, Kobayashi Keisuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.55, No.6, 06GF03-(4pp), 2016. [EdbClient \| EDB]
2)	2,016	学術論文 (審査論文)	Susumu Iida, Kaoru Ohya, Ryoichi Hirano and Hidehiro Watanabe : An analysis of the impact of native oxide, surface contamination and material density on total electron yield in the absence of surface charging effects, Applied Surface Science, Vol.384, 244-250, 2016. [EdbClient \| EDB]
3)	2,016	学術論文 (審査論文)	Yasuhide Ohno, Yasushi Kanai, Yuki Mori, Masao Nagase and Kazuhiko Matsumoto : Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiN_x insulator on SiC substrates, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.6S1, 06GF09, 2016. [EdbClient \| EDB]
4)	2,016	学術論文 (審査論文)	Z. Shen, L. He, Jin-Ping Ao, B.J. Zhang and Y. Liu : Investigation of O₃-Al₂O₃/H₂O-Al₂O₃ dielectric bilayer deposited by atomic-layer deposition for GaN MOS capacitors, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.213, No.10, 2693-2698, 2016. [EdbClient \| EDB]
5)	2,016	学術論文 (審査論文)	Hisatomo Matsumura, Shin-ichiro Yanagiya, Masao Nagase, Hiroki Kishikawa and Nobuo Goto : Microscopic Raman Study of Graphene on 4H-SiC Two-Dimensionally Enhanced by Surface Roughness and Gold Nanoparticles, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.6S1, 06GL05, 2016. [EdbClient \| EDB]
6)	2,016	学術論文 (審査論文)	Yuyu Bu, Zhiwei Chen, Tian Xie, Weibing Li and Jin-Ping Ao : Fabrication of C₃N₄ ultrathin flakes by mechanical grind method with enhanced photocatalysis and photoelectrochemical performance, RSC Advances, Vol.6, 47813-47819, 2016. [EdbClient \| EDB]
7)	2,016	学術論文 (審査論文)	Yuusuke Takashima, Masato Tanabe, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi : Highly polarized emission from a GaN-based ultraviolet light-emitting diode using a Si-subwavelength grating on a SiO₂ underlayer, Optics Communications, Vol.369, 38-43, 2016. [EdbClient \| EDB]
8)	2,016	学術論文 (審査論文)	Jiaqi Zhang, Lei Wang, Qingpeng Wang, Ying Jiang, Liuan Li, Huichao Zhu and Jin-Ping Ao : Self-Aligned-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Titanium Nitride Gate, Chinese Physics B, Vol.25, No.8, 087308, 2016. [EdbClient \| EDB]
9)	2,016	学術論文 (審査論文)	Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa : Fabrication of hydrophilic graphene film by molecular functionalization, Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, Vol.254, No.2, 1600524-(4pp), 2016. [EdbClient \| EDB]
10)	2,016	学術論文 (審査論文)	Tong Zhang, Liuan Li and Jin-Ping Ao : Temperature-dependent electrical transport characteristics of a NiO/GaN heterojunction diode, Surfaces and Interfaces, Vol.5, 15-18, 2016. [EdbClient \| EDB]
11)	2,016	学術論文 (審査論文)	Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Yuki Masai, Yota Bando and Yasuhiro Tanaka : Femtosecond laser-induced modification at aluminum/diamond interface, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.2, 026601-1-026601-5, 2017. [EdbClient \| EDB]
12)	2,016	学術論文 (審査論文)	Masaharu Nishikino, Noboru Hasegawa, Takuro Tomita, Yasuo Minami, Takashi Eyama, Naoya Kakimoto, Rui Izutsu, Motoyoshi Baba, Tetsuya Kawachi and Tohru Suemoto : Formation of x-ray Newton's rings from nano-scale spallation shells of metals in laser ablation, AIP Advances, Vol.7, No.1, 015311-1-015311-5, 2017. [EdbClient \| EDB]
13)	2,016	学術論文 (審査論文)	Yuusuke Takashima, Masato Tanabe, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi : Theoretical investigation of polarization control in ultraviolet wavelength region using eigenmode within subwavelength grating, Optical Review, Vol.24, No.1, 80-86, 2017. [EdbClient \| EDB]
14)	2,016	学術論文 (審査論文)	Retsuo Kawakami, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai : AlGaN Surfaces Etched by CF4 Plasma with and without the Assistance of Near-Ultraviolet Irradiation, Vacuum, Vol.136, 28-35, 2017. [EdbClient \| EDB]
15)	2,016	学術論文 (審査論文)	Yuyu Bu and Jin-Ping Ao : A Review on Photoelectrochemical Cathodic Protection Semiconductor Thin Films for Metals, Green Energy & Environment, Vol.2, No.4, 331-362, 2017. [EdbClient \| EDB]
16)	2,016	学術論文 (審査論文)	Lei Wang, Jiaqi Zhang, Liuan Li, Yutaro Maeda and Jin-Ping Ao : Plasma-assisted surface treatment for low-temperature annealed ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, Chinese Physics B, Vol.26, No.3, 037201, 2017. [EdbClient \| EDB]
17)	2,016	学術論文 (審査論文)	Lei Wang, Yuyu Bu and Jin-Ping Ao : Effect of oxygen plasma treatment on the performance of AlGaN/GaN ion-sensitive eld-effect transistors, Diamond and Related Materials, Vol.73, No.3, 1-6, 2017. [EdbClient \| EDB]
18)	2,016	学術論文 (審査論文)	D. Terasawa, A. Fukuda, A. Fujimoto, Yasuhide Ohno, Y. Kanai and K. Matsumoto : Relationship between conductance fluctuation and weak localization in graphene, Physical Review B, Vol.95, No.12, 125427, 2017. [EdbClient \| EDB]
19)	2,016	学術論文 (審査論文)	Wang Lei, Bu Yuyu, Li Liuan and Jin-Ping Ao : pH sensitivity of AlGaN/GaN heterostructure ion-sensitive field-effect transistors with thermal oxidation treatment, Applied Surface Science, Vol.411, 144-148, 2017. [EdbClient \| EDB]

2016年度(平成28年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2016年度(平成28年度) / 学術レター

1)	2,016	学術レター	Nishiguchi Katsuhiko, Yoshizumi Daisuke, Sekine Yoshiaki, Furukawa Kazuaki, Fujiwara Akira and Masao Nagase : Planar cold cathode based on a multilayer-graphene/SiO2/Si heterodevice, Applied Physics Express, Vol.9, No.10, 105101-(4pp), 2016. [EdbClient \| EDB]
2)	2,016	学術レター	Zhangcheng Liu, Jin-Ping Ao, Fengnan Li, Wei Wang, Jingjing Wang, Jinwen Zhang and Hong-Xing Wang : Fabrication of three dimensional diamond ultraviolet photodetector through down-top method, Applied Physics Letters, Vol.109, 153507, 2016. [EdbClient \| EDB]
3)	2,016	学術レター	Zhangcheng Liu, Jin-Ping Ao, Fengnan Li, Wei Wang, Jingjing Wang, Jingwen Zhang and Hong-Xing Wang : Photoelectrical characteristics of ultrathin TiO2/diamond photodetector, Materials Letters, Vol.188, No.2, 52-54, 2017. [EdbClient \| EDB]

2016年度(平成28年度) / 総説・解説

2,016

総説・解説

Masao Nagase : Observation of graphene on SiC using various types of microscopy, THE HITACHI SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS, Vol.7, 8-16, Sep. 2016. [EdbClient | EDB]

2016年度(平成28年度) / 国際会議

1)	2,016	国際会議	Shiro Sakai : InGaAlN Multi-wavelength LEDs, 2016 10th Int. Conf. on New Diamond and Nano Carbons, 180, Xi'an, May 2016. [EdbClient \| EDB]
2)	2,016	国際会議	Taofei Pu, Fuzhe Zhang and Jin-Ping Ao : Effect of Oxidation Treatment on Threshold Voltage of GaN MOSFETs Fabricated on AlGaN/GaN Heterostructure, 10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Xi'an, May 2016. [EdbClient \| EDB]
3)	2,016	国際会議	Xinke Liu, Jin-Ping Ao, Jiazhu He, Jianfeng Wang, Wenjie Yu and Ke Xu : 1200 V GaN Schottky Barrier Diode on 2'' Free-Standing Wafer using a CMOS-Compatible Gold-Free Process, 10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Xi'an, May 2016. [EdbClient \| EDB]
4)	2,016	国際会議	Lei Wang, Yutaro Maeda, Yuyu Bu and Jin-Ping Ao : Effect of UV/Ozone and Oxygen Plasma Treatment on AlGaN surface of AlGaN/GaN Ion-Sensitive Field-Effect Transistor, 10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Xi'an, May 2016. [EdbClient \| EDB]
5)	2,016	国際会議	Shiro Sakai : AlGaInN LEDs with a Temperature Gradient Method, BIT's 5th annual world congress of advanced materials-2016, 164, Chongqing, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
6)	2,016	国際会議	Kaoru Ohya : Modelling secondary electron emission from nanostructured materials in scanning ion microscopes: some interesting similarities and differences from scanning electron microscopes, 1st International Conference on Helium Ion Microscopy and Emerging Focused Ion Beam Technologies, Keynote A1, 8-10 June 2016, Luxemburg City, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
7)	2,016	国際会議	Kaoru Ohya : Simulation of Ion Backscattering and Secondary Electron Emission from Crystal Surfaces Irradiated with Focused Ion Beams, 1st International Conference on Helium Ion Microscopy and Emerging Focused Ion Beam Technologies, P20, 8-10 June 2016, Luxemburg City, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
8)	2,016	国際会議	Masao Nagase : Single-crystal graphene growth on SiC by infrared rapid thermal annealing, --- [invited] ---, 2016 Collaborative Conference on 3D and Materials Research(CC3DMR), inchon, Korea, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
9)	2,016	国際会議	Yoshitaka Nakano, Masahito Niibe and Retsuo Kawakami : Electrical Damage Investigation of n-GaN Films Treated by CF4 Plasma, Proceedings of the 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2016), MoP-ISCS-LN-4_1-MoP-ISCS-LN-4_2, Toyama, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
10)	2,016	国際会議	Retsuo Kawakami, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai : Effect of Ultraviolet Light-Assisted CF4 Plasma Irradiation on AlGaN Thin Film Surface, Proceedings of the 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2016), MoP-ISCS-096_1-MoP-ISCS-096_2, Toyama, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
11)	2,016	国際会議	Yasushi Kanai, Takashi Ikuta, Takao Ono, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto : Detection Kondo effect in Graphene Quantum Dots, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, 7528502, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
12)	2,016	国際会議	Yoshiaki Taniguchi, Tsubasa Miki, Takanori Mitsuno, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa : Hydrophilic Graphene Film by Molecular Functionalization, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
13)	2,016	国際会議	Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : Intrinsic pH Sensitivity of Graphene Field-Effect Transistors, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
14)	2,016	国際会議	Takao Ono, Yasushi Kanai, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto : An Application of Graphene Field Effect Transistor to Enzymatic Assay, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. [EdbClient \| EDB]
15)	2,016	国際会議	Yuusuke Takashima, Masato Tanabe and Yoshiki Naoi : Highly polarized ultraviolet light control using Ge subwavelength grating, The 2016 Asian Conference on Nanoscience and Nanotechnology, 1P-011, Sapporo, Oct. 2016. [EdbClient \| EDB]
16)	2,016	国際会議	Jin-Ping Ao, Tian Xie, Tong Zhang, Junshuai Xue and Yuyu Bu : Synthesis and Applications of P-type Metal Oxides by Reactive Magnetron Sputtering, 12th IUPAC International Conference on Novel Materials and their Synthesis (NMS-XII), Changsha, Oct. 2016. [EdbClient \| EDB]
17)	2,016	国際会議	Lei Wang, Jiaqi Zhang, Liuan Li, Junshuai Xue and Jin-Ping Ao : Plasma-assisted low-temperature annealed ohmic process on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China (IFWS 2016), Beijing, Oct. 2016. [EdbClient \| EDB]
18)	2,016	国際会議	Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa : Protein adsorption characteristics on bare and phosphorylcholine-modified graphene films on SiC substrate, 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-16, Kyoto, Japan, Nov. 2016. [EdbClient \| EDB]
19)	2,016	国際会議	Kitaoka Makoto, Nagahama Takuya, Nakamura Kohta, Takashima Kazuya, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC, 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-24, Kyoto, Japan, Nov. 2016. [EdbClient \| EDB]
20)	2,016	国際会議	Yoshitaka Nakano, Masahito Niibe and Retsuo Kawakami : Electrical damage in n-GaN films treated by CF4 plasma, Proceedings of International Symposium of Dry Process 2016, 73-74, Sapporo, Nov. 2016. [EdbClient \| EDB]
21)	2,016	国際会議	Yasuhide Ohno, Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi and Masao Nagase : Intrinsic ion sensitivity of graphene field-effect transistors, 2016 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, Dec. 2016. [EdbClient \| EDB]
22)	2,016	国際会議	Jin-Ping Ao, Naoto Okada, Taofei Pu, Hiroko Itoh and Yasuo Ohno : GaN SBDs on Silicon Substrate for Microwave Power Rectification, 2016 Asia Wireless Power Transfer Workshop, Chengdu, Dec. 2016. [EdbClient \| EDB]
23)	2,016	国際会議	Yasuo OHNO, Hiroko ITOH and Jin-Ping Ao : Reflection Control in Microwave Rectenna Using Integrated GaN SBD Configuration, 2016 Asia Wireless Power Transfer Workshop, Chengdu, Dec. 2016. [EdbClient \| EDB]
24)	2,016	国際会議	Taofei Pu, Tong Zhang, Lei Wang, Qian Huang and Jin-Ping Ao : Enhancement-Mode GaN-Based High Electron Mobility Transistors With a Blocking Layer, 9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science, Mar. 2017. [EdbClient \| EDB]
25)	2,016	国際会議	Yoshitaka Nakano, Masahito Niibe and Retsuo Kawakami : Damage Introduced into n-GaN Films by CF4 Plasma Treatments, 9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2017) and 10th Interational Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2017), Aichi, Mar. 2017. [EdbClient \| EDB]
26)	2,016	国際会議	Masaharu Nishikino, Noboru Hasegawa, Takuro Tomita, Yasuo Minami, Takashi Eyama, Naoya Kakimoto, Rui Izutsu, Motoyoshi Baba, Tetsuya Kawachi and Tohru Suemoto : Observation of fs-laser spallative ablation using soft X-ray laser probe, Proceedings of SPIE, Vol.10091, 100910O-1-100910O-5, San Francisco, Mar. 2017. [EdbClient \| EDB]

2016年度(平成28年度) / 国内講演発表

1)	2,016	国内講演発表	草葉啓太, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 : サブ波長格子/導波構造による二波長帯紫外光検出器の開発, 2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Bp-10, 2016年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,016	国内講演発表	岡本裕, 髙島祐介, 佐竹正行, 田邉聖人, 原口雅宣, 直井美貴 : 高透過ストライプ状p型電極を用いたUV-LEDの光取り出し制御, 2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Bp-11, 2016年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,016	国内講演発表	橋本拓哉, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也 : SiC単結晶上に電子ビーム蒸着したニッケル薄膜の双晶化, 2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 26, 2016年7月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,016	国内講演発表	政井勇輝, 植木智之, 田中康弘, 富田卓朗, 岡田達也 : Al/ダイヤモンド単結晶界面へのフェムト秒レーザ照射に伴う微細周期構造形成, 2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 27, 2016年7月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,016	国内講演発表	板東洋太, 竹中一将, 滝谷悠介, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗 : 極薄SiCにおけるラマンスペクトルの極性面依存性, 2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 44, 2016年7月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,016	国内講演発表	橋本竜治, 鈴木雄大, 西野克志 : 昇華法AlN基板上へのMOCVD法によるAlGaN結晶の成長, 2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 86, 2016年7月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,016	国内講演発表	梨子木清人, 西野克志 : 6H-SiC基板上へのAlNバルク結晶成長, 2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 87, 2016年7月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,016	国内講演発表	多喜川直也, 西野克志 : 剥離AlNを種結晶として用いた昇華法AlN成長, 2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 88, 2016年7月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,016	国内講演発表	森本征士, 有月琢哉, 青木翔, 大野恭秀, 永瀬雅夫 : 顕微ラマン分光法による SiC 上グラフェンの応力とキャリア密度の面内分布評価, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-3, 2016年9月. [EdbClient \| EDB]
10)	2,016	国内講演発表	山田祐輔, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 : 走査プローブ顕微鏡を用いた SiC 上グラフェンの実効ヤング率計測, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-4, 2016年9月. [EdbClient \| EDB]
11)	2,016	国内講演発表	平田朋也, 酒井士郎, 納田卓, 木村真大, 村本宜彦 : 中間板を用いたMOCVD-InGaN/GaN 四波長LED, 第77回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, 14a-A21-2, 2016年9月. [EdbClient \| EDB]
12)	2,016	国内講演発表	髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 : サブ波長構造中の固有モード波数分散関係を用いた屈折率検出の高感度化, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 15a-P5-14, 2016年9月. [EdbClient \| EDB]
13)	2,016	国内講演発表	新部正人, 川上烈生, 中野由崇, 田中良, 荒木佑馬, 東知里, 向井孝志 : AlGaN 表面特性への酸素プラズマ照射効果, 第77回秋季応用物理学会学術講演会, 2016年9月. [EdbClient \| EDB]
14)	2,016	国内講演発表	北岡誠, 永濱拓也, 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 : SiC 上グラフェンの水脱離による導電率変化, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-2, 2016年9月. [EdbClient \| EDB]
15)	2,016	国内講演発表	大野恭秀, 光野琢仁, 谷口嘉昭, 永瀬雅夫 : グラフェン本来のイオンセンシング特性, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-10, 2016年9月. [EdbClient \| EDB]
16)	2,016	国内講演発表	川西洋平, 酒井士郎 : MOCVDを用いた，GeドープAlGaNの成長, 第77回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, 16a-P5-26, 2016年9月. [EdbClient \| EDB]
17)	2,016	国内講演発表	川上烈生, 新部正人, 中野由崇, 東知里, 向井孝志 : 紫外線照射下でのCF4 プラズマエッチングによるAlGaN表面ダメージ, 平成28年度電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 44, 2016年9月. [EdbClient \| EDB]
18)	2,016	国内講演発表	北岡誠, 永濱拓也, 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 : SiC 上グラフェンのシート抵抗の湿度依存性, 第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-016, 2016年10月. [EdbClient \| EDB]
19)	2,016	国内講演発表	谷口嘉昭, 三木翼, 光野琢仁, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 南川慶二, 安澤幹人 : 新規合成分子を用いた表面修飾による単結晶グラフェンの親水化, 第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-017, 2016年10月. [EdbClient \| EDB]
20)	2,016	国内講演発表	田邉聖人, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 : 紫外域偏光制御におけるナノ周期構造の形状依存, 日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2016, 1pP4, 2016年11月. [EdbClient \| EDB]
21)	2,016	国内講演発表	髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 : 高屈折率差サブ波長周期構造を用いた広範囲な屈折率に対する高感度屈折率検出, 日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2016, 1pP15, 2016年11月. [EdbClient \| EDB]
22)	2,016	国内講演発表	佐竹正行, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 : 表面実装サブ波長周期構造中の固有モードを用いた窒化物系 LED の放射パターン制御, 日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2016, 1pP16, 2016年11月. [EdbClient \| EDB]
23)	2,016	国内講演発表	谷口嘉昭, 大野恭秀, 永瀬雅夫 : SiC上グラフェンのタンパク質吸着特性, --- ∼分子修飾による高性能バイオセンサの実現に向けて∼ ---, サイエンスプラザ2016, No.52, 2016年11月. [EdbClient \| EDB]
24)	2,016	国内講演発表	中野由崇, 新部正人, 川上烈生 : CF4プラズマ処理したn-GaN膜の電気的ダメージ, 2016 真空・表面科学合同講演会，第36回表面科学学術講演会・第57回真空に関する連合講演会, No.1, 2016年11月. [EdbClient \| EDB]
25)	2,016	国内講演発表	板東洋太, 滝谷悠介, 田中康弘, 中島信一, 岡田達也, 富田卓朗 : 極薄SiCにおけるラマンスペクトルの極性面及び膜厚依存性, 第27回光物性研究会論文集, Vol.27, 19-22, 2016年12月. [EdbClient \| EDB]
26)	2,016	国内講演発表	大宅薫 : He, Ne, Gaイオンチャネリングへの照射ダメージ効果, ナノテスティング学会第9回先端計測技術研究会, 金沢工業大学大学院虎ノ門キャンパス, 2016年12月. [EdbClient \| EDB]
27)	2,016	国内講演発表	田中良, 新部正人, 川上烈生, 中野由崇, 向井孝志 : 酸素および窒素プラズマ処理したAlGaN膜の表面分析, 第30回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム, 2017年1月. [EdbClient \| EDB]
28)	2,016	国内講演発表	荒木佑馬, 新部正人, 川上烈生, 竹平徳崇, 中野由崇 : TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS法による組成と触媒活性の相関III, 第30回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム, 2017年1月. [EdbClient \| EDB]
29)	2,016	国内講演発表	井筒類, 近藤恭介, 富田卓朗 : Linnik干渉計を用いたホウケイ酸ガラスにおけるフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測, レーザー学会学術講演会第37回年次大会, Vol.37, 20, 2017年1月. [EdbClient \| EDB]
30)	2,016	国内講演発表	髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 : サブ波長周期構造を用いた垂直入射型屈折率高感度検出, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 14a-F202-8, 2017年3月. [EdbClient \| EDB]
31)	2,016	国内講演発表	井筒類, 近藤恭介, 富田卓朗 : 透明固体材料における干渉計測によるフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 14p-512-2, 2017年3月. [EdbClient \| EDB]
32)	2,016	国内講演発表	山崎勇輝, 川上博貴, 直井美貴, 富田卓朗 : フェムト秒レーザーアニールによるp-GaN上へのNi/Auオーミック電極作製, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15a-512-7, 2017年3月. [EdbClient \| EDB]
33)	2,016	国内講演発表	川上博貴, 直井美貴, 富田卓朗 : フェムト秒レーザー支援アニールによるSiC上へのNi電極作製, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15a-512-8, 2017年3月. [EdbClient \| EDB]
34)	2,016	国内講演発表	朴理博, 永瀬雅夫, 大野恭秀 : 集束イオンビームを用いたステンシルリソグラフィ技術のための Sub10nm パターンの作製, 第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-304-2, 2017年3月. [EdbClient \| EDB]
35)	2,016	国内講演発表	北岡誠, 永濱拓也, 中村晃大, 有月琢哉, 高嶋和也, 大野恭秀, 永瀬雅夫 : SiC 上グラフェンの水吸着によるキャリア密度変化, 第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-6, 15-084-(1pp), 2017年3月. [EdbClient \| EDB]
36)	2,016	国内講演発表	谷口嘉昭, 三木翼, 光野琢仁, 大野恭秀, 永瀬雅夫, 南川慶二, 安澤幹人 : 分子修飾機能化による SiC 上グラフェンの非特異吸着の抑制, 第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-7, 15-085-(1pp), 2017年3月. [EdbClient \| EDB]
37)	2,016	国内講演発表	草葉啓太, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 : サブ波長格子/導波構造を有する二波長帯紫外光検出, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-P13-9, 2017年3月. [EdbClient \| EDB]
38)	2,016	国内講演発表	礒合俊輔, 安澤幹人, 大野恭秀, 永瀬雅夫 : SiC 上グラフェンの電気特性評価, 電気化学会第84回大会, 2017年3月. [EdbClient \| EDB]

2016年度(平成28年度) / 作品等

(なし)

2016年度(平成28年度) / その他・研究会

1)	2,016	その他・研究会	川上博貴, 近藤健太, 直井美貴, 富田卓朗 : 連続波レーザーアニールによるSiC上へのNi電極作製と評価, 第35回電子材料シンポジウム, Vol.114, No.338, Fr1-5, 2016年7月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,016	その他・研究会	荒木佑馬, 新部正人, 川上烈生, 竹平徳崇, 中野由崇 : 酸素プラズマ処理したTiO2薄膜のXPSおよびNEXAFS法による組成・ダメージと触媒活性の相関, 第52回X線分析討論会, 2016年10月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,016	その他・研究会	岡本裕, 髙島祐介, 直井美貴 : サブ波長周期構造電極を有する低光損失偏光UV-LEDの理論的検討, LED総合フォーラム2016in徳島, P-3, 2016年12月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,016	その他・研究会	佐竹正行, 髙島祐介, 原口雅宣, 直井美貴 : FDTD法を用いたサブ波長周期構造によるLED放射パターンの理論的検討, LED総合フォーラム2016in徳島, P-4, 2016年12月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,016	その他・研究会	原口雅宣, 木内陽介, 北田貴弘, 永瀬雅夫, 安井武史, 宮脇克行, 髙橋章, 岡久稔也 : LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業におけるテラヘルツLED応用基盤技術に関する取り組み, LED総合フォーラム2016in徳島論文集, 201-202, 2016年12月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,016	その他・研究会	川上烈生, 宮脇克行, 白井昭博, 東知里, 冨士本賢吾, 大塩誠二, 山路諭, 吉田雅彦, 大西和男, 大野民之助, 松下俊雄 : LED光触媒ナノ粒子を使った鮮度保持技術の開発, LED総合フォーラム2016 in 徳島, 157-160, 2016年12月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,016	その他・研究会	富田卓朗 : (invited) フェムト秒レーザー照射を用いた原子拡散の新展開, 第12回励起ナノプロセス研究会, 2017年3月. [EdbClient \| EDB]

2016年度(平成28年度) / 報告書

(なし)