Portrait

准教授 : 敖 金平

氏名:敖  金平 (あお  じんぴん)
Name:Jin-Ping  Ao
肩書:准教授
学位:( not registered )
出身大学:武漢大学 (1989年7月)
出身大学院(修士):河北半導体研究所 (1992年2月)
出身大学院(博士):吉林大学 (2000年6月)
性別:男性
E-mail:jpāō (@) ėė ₍.₎ tōkūśhīmā-ū ₍.₎ āċ ₍.₎ jp
WebPage:( not registered )
学歴:
1989. 7.武漢大学物理系卒業，理学学士
1992. 2.河北半導体研究所，半導体物理及び半導体デバイス物理専攻，修士課程修了
2000. 6.吉林大学研究生院電子工程系，マイクロエレクトロニクス及び固体電子学専攻，博士課程修了
職歴:
1992. 3.河北半導体研究所，助理工程師
1995. 4.河北半導体研究所，工程師
1995.12.河北半導体研究所, GaAs超高速集積回路研究室, 副室長
1998. 4.河北半導体研究所，高級工程師
2001. 2.徳島大学サテライト·ベンチャー·ビジネス·ラボラトリー，講師(中核的研究機関研究員)
2003.12.徳島大学工学部電気電子工学科，助手
2006. 4.徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部先進物質材料部門，助手
2007. 1.徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部先進物質材料部門，講師
担当授業(2006年度入学生分):
電気磁気学1·演習 (2006工学部 電気電子工学科/昼間コース)
電気電子工学基礎実験 (2006工学部 電気電子工学科/昼間コース)
電気電子工学実験 (2006工学部 電気電子工学科/夜間主コース)
電気電子工学実験3 (2006工学部 電気電子工学科/昼間コース)
研究:
電子デバイス (半導体デバイス)
所属学会:
応用物理学会
電子情報通信学会
IEEE
社会活動:
( not registered )
研究業績:
Book:
  1. Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : GaN-based Schottky Diodes, Handbook of Light Emitting and Schottky Diode Research, Nova Science Publishers, Hauppauge, May 2009.
Academic Paper (Judged Full Paper):
  1. 敖 金平, Qingming Zeng : Investigation of InAlAs-InAs Modulation Doped Field-Effect Transistor, Semiconductor Information (Chinese), Vol.29, No.2, 22-34頁, 1992年.
  2. Liang Chunguang, Zeng Qingming, Yuan Mingwen, Ma Zhenchang and Jin-Ping Ao : GaAs High Speed Devices and Circuits, Int. Jour. of High Speed Electronics and Systems, Vol.7, No.3, pp.447-461, 1996.
  3. 敖 金平, Qing-Ming Zeng, Yong-Lin Zhao, Xian-Jie Li, Shi-Yong Liu, Chun-Guang Liang : InP-based InAlAs-InAs HEMT, Semiconductor Information (Chinese), Vol.35, No.2, 35-37頁, 1998年.
  4. Xian-Jie Li, Qing-Ming Zeng, Ke-Li Cai, 敖 金平, Yong-Lin Zhao, Zhi-Xian Jiao, Quan-Shu Wang, Jian-kui Guo : Flip-Chip Bond Technique Related to CMOS-SEED Smart Pixels, Semiconductor Information (Chinese), Vol.36, No.1, 37-40頁, 1999年.
  5. 敖 金平, Qing-Ming Zeng, Yong-Lin Zhao, Xian-Jie Li, Ke-Li Cai, Shi-Yong Liu, Chun-Guang Liang : Selective Wet Etching for OEIC Photoreceivers, Semiconductor Information (Chinese), Vol.36, No.1, 47-49頁, 1999年.
  6. Qing-Ming Zeng, Xiao-Chun Xu, Wei-Ji Liu, Xian-Jie Li, 敖 金平, Quan-Shu Wang, Jun-Feng Jie : Design And Performance of GaAs HBTs Monolithic Microwave Amplifier, Journal of Functional Materials and Devices (Chinese), Vol.6, No.3, 201-204頁, 2000年.
  7. Xian-Jie Li, Qing-Ming Zeng, Ke-Li Cai, 敖 金平, Yong-Lin Zhao, Quan-Shu Wang, Wei-Ji Liu, Xiao-Chun Xu, Gang Zhang, Jian-Zhong Zhao : MCM Flip-chip-bonding Technique used in Fabrication of CMOS-SEED Smart Pixel, Journal of Optoelectronics & Laser (Chinese), Vol.11, No.3, 244-247頁, 2000年.
  8. Wei-Ji Liu, Qing-Ming Zeng, Xian-Jie Li, 敖 金平, Yong-Lin Zhao, Jian-Kui Guo, Xiao-Chun Xu : WN/W Anisotype-gate Self-aligned Process for n-channel HFET, Journal of Functional Materials and Devices (Chinese), Vol.6, No.3, 190-192頁, 2000年.
  9. Xian-Jie Li, Qing-Ming Zeng, Xiao-Chun Xu, 敖 金平, Wei-Ji Liu, Chun-Guang Liang : Wet Chemical Selective Etching of InP/InGaAs HBT, Journal of Functional Materials and Devices (Chinese), Vol.6, No.3, 178-181頁, 2000年.
  10. Qing-Ming Zeng, Chang-Zhi Lu, Wei-Ji Liu, Xian-Jie Li, Yong-Lin Zhao, 敖 金平, Xiao-Chun Xu : Study on AlGaN/GaN HEMT Devices, Journal of Functional Materials and Devices (Chinese), Vol.6, No.3, 170-173頁, 2000年.
  11. 敖 金平, Qing-Ming Zeng, Yong-Lin Zhao, Xian-Jie Li, Ke-Li Cai, Shi-Yong Liu, Chun-Guang Liang : Monolithically Integrated MSM/HEMT Long-wavelength Photoreceivers, Journal of Optoelectronics & Laser (Chinese), Vol.11, No.3, 241-243頁, 2000年.
  12. Li Xian-Jie, Zeng Qing-Ming, Xu Xiao-Chun, Liu Wei-Ji, 敖 金平, Wang Quan-Shu, Yang Shu-Ren, Wang Zhi-Gong, Liu Shi-Yong, Liang Chun-Guang : Investigation on 1.55μm Light Transmitter OEIC, Semiconductor Optoelectronics (Chinese), Vol.23, No.1, 23-25頁, 2002年.
  13. Wang Rong, Wang Zhi-Gong, Ke Xi-Ming, 敖 金平, Li Xian-Jie, Liu Wei-Ji : A Low-Power Consumption GaAs PHEMT Transimpedance Preamplifier, Journal of Optoelectronics & Laser (Chinese), Vol.13, No.1, 9-11頁, 2002年.
  14. Wang Rong, Wang Zhi-Gong, Ke Xi-Ming, 敖 金平, Li Xian-Jie, Liu Wei-Ji : Design and Realization of an InAlAs/InGaAs HEMT Transimpedance Amplifier, Journal of Southeast University (Natural Science Edition) (Chinese), Vol.32, No.1, 46-49頁, 2002年.
  15. 敖 金平, Liu Wei-Ji, Zeng Qing-Ming, Li Xian-Jie, Zhao Yong-Lin, Qiao Shu-Yun, Xu Xiao-Chun, Wang Quan-Shu : Long Wavelength Monolithic Integrated Photoreceiver, Semiconductor Optoelectronics (Chinese), Vol.23, No.1, 26-28頁, 2002年.
  16. Xian-Jie Li, 敖 金平, Qing-Ming Zeng, Wei-Ji Liu, Yong-lin Zhao, Xiao-chun Xu, Shi-Yong Liu, Chun-Guang Liang : DC Performance of GaAs-based InAlAs/InGaAs MHEMT, Research & Progress of Solid State Electronics (Chinese), Vol.22, No.2, 235-237頁, 2002年.
  17. Tao Wang, Yu-Huai Liu, Young-Bae Lee, Yuji Izumi, Jin-Ping Ao, Jie Bai, Hong-Dong Li and Shiro Sakai : Fabrication of high performance of AlGaN/GaN-based UV light-emitting diodes, Journal of Crystal Growth, Vol.235, pp.177-182, 2002.
  18. Li Xian-Jie, Zeng Qing-Ming, Jin-Ping Ao, Zhao Fang-Hai, Yang Shu-Ren, Ke Xi-Ming, Wang Zhi-Gong, Liu Shi-Yong and Liang Chun-Guang : A 1.25Gbit/s InP-based Vertical Monolithic Integration of an MQW Laser Diode and an HBT Driver with a Lateral Buffer Mesa Structure, Chinese Journal of Semiconductor, Vol.23, No.5, pp.468-472, 2002.
  19. Young-Bae Lee, Tao Wang, Yu-Huai Liu, Jin-Ping Ao, Yuji Izumi, Yves Lacroix, Hong-Dong Li, Jie Bai, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : High-Performance 348nm AlGaN/GaN-based ultraviolet-light-emitting diode with a SiN buffer layer, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers &Short Notes), Vol.41, No.7A, pp.4450-4453, 2002.
  20. Jin-Ping Ao, Hisao Sato, Takashi Mizobuchi, Kenji Morioka, Shunsuke Kawano, Yoshihiko Muramoto, Young-Bae Lee, Daisuke Sato, Yasuo Ohno and Shiro Sakai : Monolithic Blue LED Series Arrays for High-Voltage AC Operation, Physica Status Solidi a, Vol.194, No.2, pp.376-379, 2002.
  21. Qing-Ming Zeng, Xiao-Chun Xu, Xian-Jie Li, 敖 金平, Quan-Shu Wang, Jian-Kui Guo, Wei-Ji Liu, Jun-Feng Jie : High Speed AlGaAs/GaAs HBT D-Type Flip Flop and Static Frequency Divider, Research & Progress of Solid State Electronics (Chinese), Vol.23, No.2, 183-185頁, 2003年.
  22. Jin-Ping Ao, Naotaka Kubota, Daigo Kikuta, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Thermal Stability Investigation of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors, physica status solidi (c), Vol.0, No.7, pp.2376-2379, 2003.
  23. Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta, Naotaka Kubota, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : High-Temperature Stability of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E86-C, No.10, pp.2051-2057, 2003.
  24. Yoshifumi Kawakami, Naohiro Kuze, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Two-Dimensional Device Simulation of 0.05 um-Gate AlGaN/GaN HEMT, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E86-C, No.10, pp.2039-2042, 2003.
  25. Tao Wang, J P Parbrook, N C Harrison, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Highly improved performance of a 350nm ultraviolet light-emitting diode containing AlxGa1-xN/AlyGa1-yN distributed Bragg reflectors, Journal of Crystal Growth, Vol.267, No.3-4, pp.583-587, 2004.
  26. Yu-Huai Liu, Hong-Dong Li, Jin-Ping Ao, Young-Bae Lee, Tao Wang and Shiro Sakai : Influence of undoped GaN layer thickness to the performance of AlGaN/GaN-based ultraviolet light-emitting diodes, Journal of Crystal Growth, Vol.268, No.1-2, pp.30-34, 2004.
  27. Daigo Kikuta, Ryohei Takaki, Junya Matsuda, Masaya Okada, Xin Wei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Special Issues), Vol.44, No.4B, pp.2479-2482, 2005.
  28. Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Evaluation of Surface State of AlGaN/GaN HFET Using Open-Gated Structure, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E88-C, No.4, pp.683-689, 2005.
  29. Tao Wang, G Raviprakash, F Ranalli, N C Harrison, Jie Bai, R J P David, J P Parbrook, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Effect of Strain Relaxation and Exciton Localization on Performance of 350-nm AlInGaN Quantum Light-Emitting Diodes, Journal of Applied Physics, Vol.97, No.8, pp.083104-1-083104-4, 2005.
  30. Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate leakage and electrical performance of AlGaN/GaN MIS-type HFET with evaporated silicon oxide layer, Solid-State Electronics, Vol.50, No.3, pp.316-321, 2006.
  31. Okada Masaya, Takaki Ryohei, Kikuta Daigo, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Temperature and Illumination Dependence of AlGaN/GaN HFET Threshold Voltage, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E89-C, No.7, pp.1037-1041, 2006.
  32. KIKUTA Daigo, Jin-Ping Ao, MATSUDA Junya and Yasuo Ohno : A Mechanism of Enhancement-mode Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E89-C, No.7, pp.1031-1036, 2006.
  33. Matsuura Kazuaki, Kikuta Daigo, Jin-Ping Ao, Ogiya Hiromichi, hiramoto Michihiro, Kawai Hiroji and Yasuo Ohno : Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching with SiCl4 Gas for Recessed Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Special Issues), Vol.46, No.4B, pp.2320-2324, 2007.
  34. Okada Masaya, Matsuura Kazuaki, Jin-Ping Ao, Yasuo Ohno and Kawai Hiroji : High-sensitivity UV phototransistor with GaN/AlGaN/GaN gate epi-structure, physica status solidi (a), Vol.204, No.6, pp.2117-2120, 2007.
  35. Jin-Ping Ao, Matsuda Yoshikazu, Yamaoka Yuya and Yasuo Ohno : A monolithic Cockcroft-Walton voltage multiplier based on AlGaN/GaN HFET structure, physica status solidi (c), Vol.4, No.7, pp.2654-2657, 2007.
  36. Okada Masaya, Ito Hideki, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Mechanism of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Threshold Voltage Shift by Illumination, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.4, pp.2103-2107, 2008.
  37. Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao, Okada Masaya and Yasuo Ohno : A Study on Ohmic Contact to Dry-Etched p-GaN, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E91-C, No.7, pp.1020-1024, 2008.
  38. Jin-Ping Ao, Yamaoka Yuya, Okada Masaya, Hu Cheng-Yu and Yasuo Ohno : Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E91-C, No.7, pp.1004-1008, 2008.
  39. Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Future Applications of GaN Electron Devices, Semiconductor Technology, Vol.33, No.12, pp.72-74, 2008.
  40. Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN, Semiconductor Technology, Vol.33, No.12, pp.75-79, 2008.
  41. Takahashi Kensuke, Jin-Ping Ao, Ikawa Yusuke, Hu Cheng-Yu, Kawai Hiroji, Shinohara Naoki, Niwa Naoki and Yasuo Ohno : GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.04, p.04C095, 2009.
  42. Okuyama Yuka, Jin-Ping Ao, Awai Ikuo and Yasuo Ohno : Wireless Inter-Chip Signal Transmission by Electromagnetic Coupling of Open-Ring Resonators, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.04, p.04C025, 2009.
  43. Hu Cheng-Yu, Nokubo Hiroyuki, Okada Masanari, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Metal Insulator Semiconductor Diode Characterization on n-GaN by Capacitance Voltage Measurement at 150 degree, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.04, p.04DF11, 2010.
  44. Jin-Ping Ao, Nakatani Katsutoshi, Ohmuro Keisuke, Sugimoto Masahiro, Hu Cheng-Yu, Sogawa Yuji and Yasuo Ohno : GaN Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor with Tetraethylorthosilicate SiO2 Gate Insulator on AlGaN/GaN Heterostructure, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.04, p.04DF09, 2010.
Academic Letter:
  1. Jin-Ping Ao, Zeng Qing-Ming, Zhao Yong-Lin, Li Xian-Jie, Liu Wei-Ji, Liu Shi-Yong and Liang Chun-Guang : InP-based Enhancement-Mode Pseudomorphic HEMT with Strained In0.45Al0.55As Barrier and In0.75Ga0.25As Channel Layers, IEEE Electron Device Letters, Vol.21, No.5, pp.200-202, 2000.
  2. Jin-Ping Ao, Qing-Ming Zeng, Yong-Lin Zhao, Xian-Jie Li, Wei-Ji Liu, Shi-Yong Liu and Chun-Guang Liang : Enhancement-Mode InAlAs/InGaAs/InP High Electron Mobility Transistor with Strained InAlAs Barrier Layer, Chin. Phys. Lett., Vol.17, No.8, pp.619-620, 2000.
  3. Yan Fa-Wang, Li Xian-Jie, Zhang Wen-Jun, Zhang Rong-Gui, Liu Wei-Ji, Jin-Ping Ao, Liang Chun-Guang and Liu Shi-Young : Self-organized (553) B In0.15Ga0.85As/GaAs Quantum-wire Field-effect Transistors, Applied Physics Letters, Vol.78, No.18, pp.2793-2795, 2001.
  4. Xian-Jie Li, Fa-Wang Yan, Wen-Jun Zhang, Rong-Gui Zhang, Wei-Ji Liu, Jin-Ping Ao, Qing-Ming Zeng, Shi-Yong Liu and Chun-Guang Liang : Field Effect Transistor with Self-organized In0.15Ga0.85As/GaAs Quantum Wires as Channel Grown by Molecular Beam Epitaxy on (553)B GaAs Substrates, Chinese Physics Letters, Vol.18, No.8, pp.1147-1149, 2001.
  5. Hong-dong Li, Tao Wang, Yuhuai Liu, Jin-Ping Ao and Shiro Sakai : V-Shaped Defects in AlGaN/GaN Superlattice Grown on Thin Undoped-GaN Layers on Sapphire Substrate, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.41, No.6B, pp.L732-L735, 2002.
  6. Wang Rong, Wang Zhi-Gong, Ke Xi-Ming, 敖 金平, Li Xian-Jie, Liu Wei-Ji : Optoelectronic Integrated Single-supply Source MSM/HEMT Photoreceivers, High Technology Letters (Chinese), Vol.12, No.7, 1-5頁, 2002年.
  7. Tao Wang, Yu-Huai Liu, Young-Bae Lee, Jin-Ping Ao, Jie Bai and Shiro Sakai : 1 mW AlInGaN-based ultraviolet light-emitting diode with an emission wavelength of 348 nm grown on sapphire substrate, Applied Physics Letters, Vol.81, No.14, pp.2508-2510, 2002.
  8. Young-Bae Lee, Tao Wang, Yu-Huai Liu, Jin-Ping Ao, Hong-Dong Li, Hisao Sato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Fabrication of high-output-power AlGaN/GaN-based UV-light-emitting diode using a Ga droplet layer, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.41, No.10A, pp.L1037-L1039, 2002.
  9. Jin-Ping Ao, Tao Wang, Daigo Kikuta, Yu-Huai Liu, Shiro Sakai and Yasuo Ohno : AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with Thin Buffer Layers, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers &Short Notes), Vol.42, No.Part1, 4A, pp.1588-1589, 2003.
  10. Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta, Naotaka Kubota, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Copper Gate AlGaN/GaN HEMT With Low Gate Leakage Current, IEEE Electron Device Letters, Vol.24, No.8, pp.500-502, 2003.
  11. Kazuhiro Nishizono, Masaya Okada, Minoru Kamei, Daigo Kikuta, Kikuo Tominaga, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Metal/Al-doped ZnO ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistor, Applied Physics Letters, Vol.84, No.20, pp.3996-3998, 2004.
  12. Naotaka Kubota, Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta and Yasuo Ohno : Schottky Barrier Height Determination by Capacitance-Voltage Measurement on n-GaN with Exponential Doping Profile, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers &Short Notes), Vol.43, No.7A, pp.4159-4160, 2004.
  13. Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Annealing with Ni for ohmic contact formation on ICP-etched p-GaN, Electronics Letters, Vol.44, No.2, pp.155-157, 2008.
Proceeding of International Conference:
  1. Jin-Ping Ao, Jing Pan, Keli Cai and Qingming Zeng : InAlAs-InGaAs HEMT Dynamic Frequency Divider, the 1st International Conference on ASIC, Beijing, Oct. 1994.
  2. Jianjun Gao, Baoxin Gao, Jin-Ping Ao and Chunguang Liang : An Improved HEMT Noise Model, 1998 China-Japan Joint Meeting on Microwaves, Beijing, Aug. 1998.
  3. Jin-Ping Ao, Zeng Qingming, Zhao Yonglin, Cai Keli, Li Xianjie, Jiao Zhixian, Liu Shiyong and Liang Chunguang : AlGaAs/InGaAs PHEMT Preamplifier for Optical Communication Systems, The Fifth Intl. Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Beijing, Oct. 1998.
  4. Jin-Ping Ao, Zeng Qingming, Zhao Yonglin, Cai Keli, Li Xianjie, Liu Weiji, Liu Shiyong and Liang Chunguang : Heterostructure Monolithically Integrated Circuits For Optical Communication, The Fifth IUMRS International Conference on Advanced Materials, Beijing, July 1999.
  5. Li Xianjie, Zeng Qingming, Zhao Fanghai, Dong Yi, Jin-Ping Ao, Liu Shiyong and Liang Chunguang : An InP-based Monolithic Integration of 1.55 m MQW Laser and HBT Driver Circuit, WDM and photonic switching devices for network applications, Proceedings of SPIE, Vol.3949, pp.136-142, San Jose, Jan. 2000.
  6. Liang Chunguang, Li Xianjie, Jin-Ping Ao, Zeng Qingming, Dong Yi, Zhao Yonglin, Zhao Fanghai, Yang Shuren, Liu Shiyong, Wang Zhigong and Wang Rong : InP-based Monolithic Optoeletronic Integrated Circuits, First China-Germany Joint Symposium on Opto-& Microelectronic Devices and Circuits, Nanjing, April 2000.
  7. Zeng Qing-Ming, Li Xian-Jie, Xu Xiao-Chun, Liu Wei-Ji, Jin-Ping Ao and Wang Quan-Shu : Design and Performance of Transimpedance Amplifier and Cascadable Amplifier with AlGaAs/GaAs HBTs, 2nd International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, Beijing, Oct. 2000.
  8. Jin-Ping Ao, Liu Wei-Ji, Zeng Qing-Ming, Li Xian-Jie, Zhao Yong-Lin, Xu Xiao-Chun and Liang Chun-Guang : 10Gb/s InAlAs/InGaAs HEMT Transimpedance Preamplifiers, 2nd International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, Beijing, Oct. 2000.
  9. Li Xian-jie, Jin-Ping Ao, Wang Rong, Liu Wei-Ji, Wang Zhi-Gong, Zeng Qing-Ming, Liu Shi-Yong and Liang Chun-Guang : An 850nm Wavelength Monolithic Integrated Photoreceiver with a Single-power- Supplied Transimpedance Amplifier based on GaAs PHEMT Technology, Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2001. 23rd Annual Technical Digest, pp.65-69, Baltimore, Oct. 2001.
  10. Rong Wang, Jin-Ping Ao, Zhi-Gong Wang, Xian-Jie Li, Wei-Ji Liu and Xi-Ming Ke : Optoelectronic Integrated Single-Power Source MSM/HEMT Photoreceivers, SPIE Proceeding of Optoelectronics and Microelectronics, Nanjing, Nov. 2001.
  11. Jin-Ping Ao, Hisao Sato, Takashi Mizobuchi, Kenji Morioka, Shunsuke Kawano, Yoshihiko Muramoto, Young-Bae Lee, Yasuo Ohno and Shiro Sakai : Monolithic Blue LED Series Arrays for High-Voltage AC Operation, Abstracts of the International Workshop on Nitride Semiconductors 2002, Aachen, July 2002.
  12. Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Device Scaling and Prospect of GaN FET, Extended Abstract of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp.282-283, Nagoya, Sep. 2002.
  13. Jin-Ping Ao, Kikuta Daigo, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : High Temperature Stability of Cu-Gate AlGaN/GaN HEMT, Proceedings of the Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2003, pp.64-65, Naha, Jan. 2003.
  14. Yoshifumi Kawakami, Naohiro Kuze, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Two-Dimensional Device Simulation of 0.05 um-Gate AlGaN/GaN HEMT, Proceedings of the Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2003, Naha, Jan. 2003.
  15. Jin-Ping Ao, Naotaka Kubota, Hong-Xing Wang, Yu-Huai Liu, Yoshiki Naoi, Daigo Kikuta, Shiro Sakai and Yasuo Ohno : Investigation of Copper Schottky Contact on n-GaN Grown on Sapphire Substrate, Proceeding of First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, pp.258-259, Awajishima, March 2003.
  16. Jin-Ping Ao, Naotaka Kubota, Daogo Kikuta, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Thermal Stability Investigation on Copper Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors, Abstracts of the 5th International Conference on Nitride semiconductors, Nara, May 2003.
  17. Young-Bae Lee, Ryohei Takaki, Hisao Sato, Jin-Ping Ao, Yu-Huai Liu, Hong-dong Li, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : High Efficiency GaN Light-Emitting Diode with High Resistance P-Pad Region Using Plasma Surface Treatment, 5th International Conference on Nitride Semiconductors, Nara, May 2003.
  18. Kazuhiro Nishizono, Masaya Okata, Minoru Kamei, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao, Kikuo Tominaga and Yasuo Ohno : Al-dope ZnO Intermediate Layer for AlGaN/GaN HEMT Ohmic Contact, Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp.552-553, Tokyo, Sep. 2003.
  19. Daigo Kikuta, Ryohei Takaki, Junya Matsuda, Masaya Okada, Xin Wei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs, 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Sep. 2004.
  20. Masaya Okada, Ryohei Takaki, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Temperature and Illumination Dependence of AlGaN/GaN HFET Threshold Voltage, 2005 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hyogo, Aug. 2005.
  21. Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao, Junya Matsuda and Yasuo Ohno : A Mechanism of Enhancement-mode Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET, 2005 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hyogo, Aug. 2005.
  22. Jin-Ping Ao, Ryota Kan, Toshio Hirao, Hideki Okada, Masaya Okada, Daigo Kikuta, Shinobu Onoda, Hisayoshi Itoh and Yasuo Ohno : Gamma Radiation Effects on the Ohmic Contact of AlGaN/GaN HEMTs, 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp.478-479, Kobe, Sep. 2005.
  23. Matsuura K., Kikuta D., Jin-Ping Ao, Ogiya H., Hiramoto M., Kawai H. and Yasuo Ohno : ICP Reactive Ion Etching with SiCl4 Gas for Recessed Gate AlGaN/GaN HFET, The 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Yokohama, Sep. 2006.
  24. Jin-Ping Ao, Matsuda Yoshikazu, Yamaoka Yuya and Yasuo Ohno : A Monolithic Cockcroft-Walton Voltage Multiplier Based on AlGaN/GaN HFET Structure, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006.
  25. Okada Masaya, Matsuura Kazuaki, Jin-Ping Ao, Yasuo Ohno and Kawai Hiroji : High-Sensitivity UV Phototransistor with GaN/AlGaN/GaN Gate Epi-Structure, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006.
  26. Jin-Ping Ao, Yamaoka Yuya, Okada Masaya, Hu Cheng-Yu and Yasuo Ohno : Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress, 2007 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Chiba, Aug. 2007.
  27. Hu Cheng-Yu, Matsuura K., Okada Masaya, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Ohmic Contact for Dry-Etched p-GaN Realized by High Temperature Annealing, 2007 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Chiba, Aug. 2007.
  28. Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao, Okada M., Sugimoto M., Uesugi T., Kachi T. and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact Formation to Dry-Etched p-GaN, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto, Oct. 2007.
  29. Takahashi K., Jin-Ping Ao, Ikawa Y., Hu -Y. C., Kawai H., Shinohara N., Niwa N. and Yasuo Ohno : GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008.
  30. Hu Cheng-Yu, Nakatani Katsutoshi, Kikuta Daigo, Sugimoto Masahiro, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : VT-VSUB Characterization of AlGaN/GaN HFET with Regrown Epi-layer on p-GaN, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008.
  31. Okuyama Yuka, Jin-Ping Ao, Awai Ikuo and Yasuo Ohno : Wireless Inter-Chip Signal Transmission by Electromagnetic Coupling of Open-Ring Resonators, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008.
  32. Xu Heng-Yu, Jin-Ping Ao, Yu Hui, Hu Cheng-Yu and Yasuo Ohno : Device Isolation for AlGaN/GaN HFET Utilizing Heavy Metal Diffusion, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008 (NMDC2008), Kyoto, Oct. 2008.
  33. Shinohara Naoki, Miyata Yushi, Mitani Tomohiko, Niwa Naoki, Takagi Kenji, Hamamoto Kenichi, Ujigawa Satoshi, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : New Application of Microwave Power Transmission for Wireless Power Distribution System in Buildings, Asia Pacific Microwave Conference 2008, Hong Kong, Dec. 2008.
  34. Jin-Ping Ao, Suzuki Asato, Sawada Kouichi, Shinkai Satoko and Yasuo Ohno : Schottky Contacts of Reactive Sputtering Refractory Metal Nitrides on Gallium Nitride, The 10th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, pp.433-436, Kanazawa, July 2009.
  35. Hu Cheng-Yu, Nakatani Katsutoshi, Kawai Hiroji, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Buffer layer doping concentration measurement using VT-VSUB Characterization of GaN HEMT with p-GaN substrate layer, 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Aug. 2009.
  36. Ikawa Yusuke, Yuasa Yorihide, Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Surface Negative Charge Injection, 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Aug. 2009.
  37. Hu Cheng-Yu, Nokubo Hiroyuki, Okada Masaya, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : MIS Diode Characterization on n-GaN by C-V Measurement at 150 C, The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Oct. 2009.
  38. Nakatani Katsutoshi, Jin-Ping Ao, Ohmuro Keisuke, Sugimoto Masahiro, Hu Cheng-Yu, Sogawa Yuji and Yasuo Ohno : Evaluation of GaN MOSFET with TEOS SiO2 Gate Insulator, The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Oct. 2009.
  39. Hu Cheng-Yu, Kikuta Daigo, Nakatani Katsutoshi, Jin-Ping Ao, Sugimoto Masahiro and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact to Deeply Dry-etched p-GaN, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009.
  40. Hu Cheng-Yu, Kikuta Daigo, Nakatani Katsutoshi, Jin-Ping Ao, Sugimoto Masahiro and Yasuo Ohno : Monitoring and control of substrate voltage for AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN epi-layer, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009.
Proceeding of Domestic Conference:
  1. Jin-Ping Ao, Wang Tao, Kikuta Daigo, Liu Yu-Huai, Shiro Sakai and Yasuo Ohno : AlGaN/GaN HEMT with Thin Buffer Layer on Sapphire Substrate, 応用物理学会講演会, March 2002.
  2. 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定, 第63回応用物理学会学術講演会, 2002年9月.
  3. Jin-Ping Ao, Kikuta Daigo and Yasuo Ohno : Copper Gate AlGaN/GaN HEMT with Low Gate Leakage Current, 第63回応用物理学会学術講演会, Sep. 2002.
  4. 亀井 稔, 岡田 政也, 西薗 和博, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN上ZnO:Alスパッタ膜の電気特性評価, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年3月.
  5. 西薗 和博, 岡田 政也, 亀井 稔, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : AlGaN/GaNに対するZnOオーミック電極の検討, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年3月.
  6. 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : 界面準位を考慮したオープンゲートFETの3次元デバイスシミュレーション, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年3月.
  7. 久保田 尚孝, 敖 金平, 王 宏興, 劉 玉懐, 菊田 大悟, 直井 美貴, 酒井 士郎, 大野 泰夫 : n-GaN上のCu及びNi/Auショットキーコンタクトの比較, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年3月.
  8. Jin-Ping Ao, Kubota Naotaka, Wang Hong-Xing, Liu Yu-Huai, Kikuta Daigo, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai and Yasuo Ohno : Thermal Stability of Copper Schottky Contact on AlGaN/GaN and n-GaN, 第50回応用物理学関係連合講演会, March 2003.
  9. 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN SiOx MOS-HFETの相互コンダクタンス周波数分散, 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年9月.
  10. 岡田 政也, 亀井 稔, 西薗 和博, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : ZnO/Metalを用いたAlGaN/GaN用オーミック電極の検討, 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年9月.
  11. 大野 泰夫, 敖 金平 : サファイア基板CuゲートAlGaN/GaN HEMT, 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年9月.
  12. 亀井 稔, 岡田 政也, 西薗 和博, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN上ZnO:Al膜のアニール特性評価, 平成15年度電気関係学会四国支部連合大会, 2003年10月.
  13. 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETパルスI-V特性シミュレーション, 電子情報通信学会2004年綜合大会, 2004年3月.
  14. 菊田 大悟, 敖 金平, 久保田 尚孝, 松田 潤也, 赤松 志郎, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN MIS-HFET ドレイン電流のゲートバイアスステップ応答, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004年3月.
  15. 西薗 和博, 岡田 政也, 亀井 稔, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : ZnO : Al キャップ層を用いたセルフアラインリセス構造AlGaN/GaN HFET, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004年3月.
  16. 赤松 志郎, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET I-V特性のヒステリシス, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004年3月.
  17. 高木 亮平, 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETのサイドゲート効果における光の影響, 日本物理学会中四国支部，応用物理学会中四国支部，物理教育学会四国支部連絡協議会2004年度支部学術講演会, 2004年7月.
  18. 岡田 政也, 高木 亮平, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET 電流電圧特性における光応答, 第65回応用物理学会学術講演会, 2004年9月.
  19. 高木 亮平, 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : 熱酸化によるAlGaN/GaN MIS-HFETゲート電流の低減, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年3月.
  20. 岡田 政也, 高木 亮平, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい値電圧の温度及び光照射依存性, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年3月.
  21. 菊田 大悟, 敖 金平, 松田 潤也, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN MIS-HFET のエンハンスメント動作, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年4月.
  22. 菅 良太, 平尾 敏雄, 小野田 忍, 伊藤 久義, 岡田 英輝, 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電気特性へγ線照射の影響, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月.
  23. 松田 潤也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : 周波数可変カーブトレーサを用いたAlGaN/GaN MIS-HFETヒステリシスの解析, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月.
  24. 松田 義和, 菅 良太, 山岡 優哉, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET構造を用いたショットキーダイオード, 平成17年度電気関係学会四国支部連合大会, 2005年9月.
  25. 松浦 一暁, 菊田 大悟, 敖 金平, 扇谷 浩通, 平本 道広, 河合 弘治, 大野 泰夫 : SiCl4ガスを用いたICP-RIEによるAlGaN/GaN HFETのゲートリセスエッチング, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月.
  26. 敖 金平, 長岡 史郎, 岩崎 聡一郎, 岡田 政也, 大巻 雄治, 大野 泰夫 : EB露光CuゲートAlGaN/GaN HFETの高周波特性, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月.
  27. 岡田 政也, 松浦 一暁, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : GaNキャップ層ピエゾ電荷を用いたエンハンスメントモードAlGaN/GaN HFET, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月.
  28. 石尾 隆幸, 岡田 政也, 敖 金平, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい電圧の温度依存性の測定, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月.
  29. 山岡 優哉, 岡田 政也, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい電圧のゲートストレスバイアス依存性, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月.
  30. 菅 良太, 佐藤 弘明, 敖 金平, 小中 信典, 入谷 忠光, 大野 泰夫 : オープンリング共振器を用いたチップ間ミリ波信号伝送, 2006年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2006年9月.
  31. 岡田 政也, 国貞 雅也, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : GaN/AlGaN/GaNフォトトランジスタを用いたUVセンサ回路, 2007年電子情報通信学会総合大会, 2007年3月.
  32. 大野 泰夫, 山岡 優哉, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平 : ゲートストレスバイアスによるAlGaN/GaN MIS HFETの電流コラプス評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
  33. 野久 保宏幸, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaN MISダイオードによる絶縁膜界面評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
  34. 澤田 剛一, 新海 聡子, 敖 金平, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : n‐GaNへの高温処理ZrN電極ショットキー特性, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
  35. 胡 成余, 岡田 政也, 敖 金平, 大野 泰夫 : Ni処理を用いたドライエッチp‐GaNへの低抵抗オーミック形成, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
  36. 敖 金平, 澤田 剛一, 新海 聡子, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
  37. 奥山 祐加, 柏原 俊彦, 敖 金平, 粟井 郁雄, 大野 泰夫 : オープンリング共振器を用いたチップ間マイクロ波信号伝送, 2007年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2007年9月.
  38. 伊藤 秀起, 高橋 健介, 原内 貴司, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫, 井川 裕介 : マイクロ波整流用GaNショットキーダイオードの特性評価, 2008年電子情報通信学会総合大会, 2008年3月.
  39. 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : p-基板層付きAlGaN/GaN HFETのVt-Vsub特性, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
  40. 高橋 健介, 伊藤 秀起, 原内 貴司, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫, 井川 裕介 : GaNを用いたマイクロ波整流用ショットキーバリアダイオード, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
  41. 敖 金平, 許 恒宇, 于 僡, 胡 成余, 大野 泰夫 : Ni拡散によるAlGaN/GaN HFET素子分離, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月.
  42. 胡 成余, 中谷 克俊, 敖 金平, 菊田 大悟, 杉本 雅裕, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET VT-VSUB特性を用いたp-GaN上バッファ層の評価, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月.
  43. 井川 裕介, 湯浅 頼英, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ表面負帯電におけるDC特性の解析, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月.
  44. 宮田 侑是, 篠原 真毅, 三谷 友彦, 丹羽 直幹, 高木 賢二, 浜本 研一, 宇治 川智, 高橋 健介, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaNショットキーダイオードを用いた大電力レクテナの研究開発, 2009年電子情報通信学会総合大会, 2009年3月.
  45. 澤田 剛一, 敖 金平, 許 恒宇, 高橋 健介, 胡 成余, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫 : p型表面層を持つマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
  46. 井川 裕介, 湯浅 頼英, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETにおける仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
  47. 胡 成余, 中谷 克俊, 敖 金平, 菊田 大悟, 杉本 雅裕, 大野 泰夫 : p層上デュアルゲートAlGaN/GaN HFETにおけるアバランシェホール電流の測定, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
  48. 黒田 健太郎, 井川 裕介, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスのステップストレス測定, 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月.
  49. 高橋 健介, 敖 金平, 胡 成余, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫 : マイクロ波電力整流用GaNショットキーダイオードのSパラメータ解析, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月.
  50. 倉本 健次, 阿部 まみ, 奥山 祐加, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンリング共振器を用いた非接触広帯域入出力インターフェイス, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月.
  51. 阿部 まみ, 倉本 健次, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月.
  52. 阿部 まみ, 倉本 健次, 天羽 孝文, 敖 金平, 大野 泰夫 : 誘電率の異なる基板間でのオープンリング共振器無線接続, 2010年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月.
  53. 中谷 克俊, 祖川 雄司, 金 栄現, 敖 金平, 大野 泰夫, 宮下 準弘, 本山 慎一 : プラズマCVD酸化膜を用いたGaN MOSFET, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月.
  54. 黒田 健太郎, 井川 裕介, 光山 健太, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスにおける光照射の影響, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月.
Et cetra, Workshop:
  1. 大野 泰夫, 敖 金平 : デバイスの微細化限界と窒化ガリウムトランジスタ, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.ED2002-90, 2002年6月.
  2. 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.ED2002-210, 2002年10月.
  3. Jin-Ping Ao, Kikuta Daigo and Yasuo Ohno : Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.ED2002-211, Oct. 2002.
  4. 胡 成余, 中谷 克俊, 敖 金平, 大野 泰夫, 菊田 大悟, 杉本 雅裕 : VT-VSUB特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月.
  5. 井川 裕介, 湯浅 頼英, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ負帯電による電流コラプスの2次元数値解析, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月.
  6. Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Future Applications of GaN Electron Devices, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices (China), Nov. 2008.
  7. Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices (China), Nov. 2008.
  8. 野崎 兼史, 高橋 義也, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御, 電子情報通信学会センサーデバイス・MEMS・一般研究会, 2009年7月.
  9. 黒田 健太郎, 井川 裕介, 光山 健太, 敖 金平, 大野 泰夫 : ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析, 電子情報通信学会電子デバイス，電子部品・材料，レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月.
  10. 高橋 健介, 敖 金平, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 藤原 暉雄, 大野 泰夫 : マイク ロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発, 電子情報通信学会電子デバイス，電子部品・材料，レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月.
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