物性デバイス講座 (詳細)

期間: 2004.4〜2011.3

2004年度(平成16年度)

patent.{@.apply.date="20040400 20050399" @.organization=\E{148362}}

2004年度(平成16年度) / 特許

2,004

特許

酒井士郎, 直井美貴, チョイラクジュン : 無極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2005-25184 (2005年3月), . [EdbClient | EDB]

2004年度(平成16年度) / 実用新案

(なし)

2004年度(平成16年度) / 意匠

(なし)

2005年度(平成17年度)

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2005年度(平成17年度) / 特許

1)	2,005	特許	酒井士郎 : 交流電源用発光装置, 特願2005-190406 (2005年6月), . [EdbClient \| EDB]
2)	2,005	特許	酒井士郎, チョイラクジュン : III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法並びにIII族窒化物半導体発光素子, 特願2005-250185 (2005年8月), . [EdbClient \| EDB]
3)	2,005	特許	酒井士郎, 住吉和英, 月原政志, 片岡研 : 半導体装置用基材および製造方法, 特願2005-359876 (2005年12月), . [EdbClient \| EDB]
4)	2,005	特許	酒井士郎, 住吉和英, 月原政志, 片岡研 : 半導体装置用基材およびその製造方法, 特願2005-359877 (2005年12月), . [EdbClient \| EDB]
5)	2,005	特許	酒井士郎, 直井美貴, チョイラクジュン, リースンミン, 小池正好 : 非極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2006-47294 (2006年2月), . [EdbClient \| EDB]
6)	2,005	特許	Shiro Sakai, Yoshiki Naoi and チョイラクジュン : method of growing non-polar a-plane gallium nitride, 2006-077492 (Mar. 2006), . [EdbClient \| EDB]

2005年度(平成17年度) / 実用新案

(なし)

2005年度(平成17年度) / 意匠

(なし)

2006年度(平成18年度)

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2006年度(平成18年度) / 特許

(なし)

2006年度(平成18年度) / 実用新案

(なし)

2006年度(平成18年度) / 意匠

(なし)

2007年度(平成19年度)

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2007年度(平成19年度) / 特許

(なし)

2007年度(平成19年度) / 実用新案

(なし)

2007年度(平成19年度) / 意匠

(なし)

2008年度(平成20年度)

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2008年度(平成20年度) / 特許

1)	2,008	特許	酒井士郎, 直井美貴 : 発光ダイオードおよびその製造方法, 特願2010-509270 (2008年5月), 特許第5384481号 (2013年10月). [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	特許	酒井士郎 : ナノパターンを有するレーザーダイオード及びその製造方法, 特願2008-188715 (2008年7月), 特許第5383109号 (2013年10月). [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 実用新案

(なし)

2008年度(平成20年度) / 意匠

(なし)

2009年度(平成21年度)

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2009年度(平成21年度) / 特許

(なし)

2009年度(平成21年度) / 実用新案

(なし)

2009年度(平成21年度) / 意匠

(なし)

2010年度(平成22年度)

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2010年度(平成22年度) / 特許

(なし)

2010年度(平成22年度) / 実用新案

(なし)

2010年度(平成22年度) / 意匠

(なし)