光電子デバイス分野 (詳細)

期間: 2006.4〜2011.3

2006年度(平成18年度)

article.{@.date="20060400 20070399" @.organization=\E{158731}}

2006年度(平成18年度) / 著書

(なし)

2006年度(平成18年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,006	学術論文 (審査論文)	Masaya Okada, Ryohei Takaki, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Temperature and Illumination Dependence of AlGaN/GaN HFET Threshold Voltage, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E89-C, No.7, 1042-1046, 2006. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	学術論文 (審査論文)	Daigo KIKUTA, Jin-Ping Ao, Junya MATSUDA and Yasuo Ohno : A Mechanism of Enhancement-mode Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E89-C, No.7, 1031-1036, 2006. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2006年度(平成18年度) / 学術レター

(なし)

2006年度(平成18年度) / 総説・解説

(なし)

2006年度(平成18年度) / 国際会議

1)	2,006	国際会議	K. Matsuura, D. Kikuta, Jin-Ping Ao, H. Ogiya, M. Hiramoto, H. Kawai and Yasuo Ohno : ICP Reactive Ion Etching with SiCl4 Gas for Recessed Gate AlGaN/GaN HFET, The 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Yokohama, Sep. 2006. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	国際会議	Jin-Ping Ao, Yoshikazu Matsuda, Yuya Yamaoka and Yasuo Ohno : A Monolithic Cockcroft-Walton Voltage Multiplier Based on AlGaN/GaN HFET Structure, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]
3)	2,006	国際会議	Masaya Okada, Kazuaki Matsuura, Jin-Ping Ao, Yasuo Ohno and Hiroji Kawai : High-Sensitivity UV Phototransistor with GaN/AlGaN/GaN Gate Epi-Structure, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 国内講演発表

1)	2,006	国内講演発表	岡田政也, 松浦一暁, 敖金平, 河合弘治, 大野泰夫 : GaNキャップ層ピエゾ電荷を用いたエンハンスメントモードAlGaN/GaN HFET, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,006	国内講演発表	石尾隆幸, 岡田政也, 敖金平, 廣瀬和之, 河合弘治, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい電圧の温度依存性の測定, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,006	国内講演発表	山岡優哉, 岡田政也, 敖金平, 河合弘治, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい電圧のゲートストレスバイアス依存性, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,006	国内講演発表	菅良太, 佐藤弘明, 敖金平, 小中信典, 入谷忠光, 大野泰夫 : オープンリング共振器を用いたチップ間ミリ波信号伝送, 2006年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2006年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,006	国内講演発表	岡田政也, 国貞雅也, 敖金平, 河合弘治, 大野泰夫 : GaN/AlGaN/GaNフォトトランジスタを用いたUVセンサ回路, 2007年電子情報通信学会総合大会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,006	国内講演発表	奥山祐加, 菅良太, 佐藤弘明, 小中信典, 粟井郁雄, 大野泰夫 : オープンリング共振器無線接続における位置ずれの影響, 2007年電子情報通信学会総合大会, 2007年3月. [EdbClient \| EDB]

2006年度(平成18年度) / 作品等

(なし)

2006年度(平成18年度) / その他・研究会

(なし)

2006年度(平成18年度) / 報告書

(なし)

2007年度(平成19年度)

article.{@.date="20070400 20080399" @.organization=\E{158731}}

2007年度(平成19年度) / 著書

(なし)

2007年度(平成19年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,007	学術論文 (審査論文)	Kazuaki Matsuura, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao, Hiromichi Ogiya, Michihiro hiramoto, Hiroji Kawai and Yasuo Ohno : Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching with SiCl4 Gas for Recessed Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.46, No.4B, 2320-2324, 2007. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	学術論文 (審査論文)	Masaya Okada, Kazuaki Matsuura, Jin-Ping Ao, Yasuo Ohno and Hiroji Kawai : High-sensitivity UV phototransistor with GaN/AlGaN/GaN gate epi-structure, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.204, No.6, 2117-2120, 2007. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Yoshikazu Matsuda, Yuya Yamaoka and Yasuo Ohno : A monolithic Cockcroft-Walton voltage multiplier based on AlGaN/GaN HFET structure, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2654-2657, 2007. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2007年度(平成19年度) / 学術レター

2,007

学術レター

Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Annealing with Ni for ohmic contact formation on ICP-etched p-GaN, Electronics Letters, Vol.44, No.2, 155-157, 2008. [EdbClient | EDB]

2007年度(平成19年度) / 総説・解説

(なし)

2007年度(平成19年度) / 国際会議

1)	2,007	国際会議	Jin-Ping Ao, Yuya Yamaoka, Masaya Okada, Cheng-Yu Hu and Yasuo Ohno : Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress, 2007 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Chiba, Aug. 2007. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	国際会議	Cheng-Yu Hu, K. Matsuura, Masaya Okada, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Ohmic Contact for Dry-Etched p-GaN Realized by High Temperature Annealing, 2007 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Chiba, Aug. 2007. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	国際会議	Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao, M. Okada, M. Sugimoto, T. Uesugi, T. Kachi and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact Formation to Dry-Etched p-GaN, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto, Oct. 2007. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 国内講演発表

1)	2,007	国内講演発表	大野泰夫, 山岡優哉, 岡田政也, 胡成余, 敖金平 : ゲートストレスバイアスによるAlGaN/GaN MIS HFETの電流コラプス評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,007	国内講演発表	野久保宏幸, 岡田政也, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : GaN MISダイオードによる絶縁膜界面評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,007	国内講演発表	澤田剛一, 新海聡子, 敖金平, 岡田政也, 胡成余, 廣瀬和之, 河合弘治, 大野泰夫 : n‐GaNへの高温処理ZrN電極ショットキー特性, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,007	国内講演発表	胡成余, 岡田政也, 敖金平, 大野泰夫 : Ni処理を用いたドライエッチp‐GaNへの低抵抗オーミック形成, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,007	国内講演発表	敖金平, 澤田剛一, 新海聡子, 岡田政也, 胡成余, 廣瀬和之, 河合弘治, 大野泰夫 : TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,007	国内講演発表	奥山祐加, 柏原俊彦, 敖金平, 粟井郁雄, 大野泰夫 : オープンリング共振器を用いたチップ間マイクロ波信号伝送, 2007年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2007年9月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,007	国内講演発表	伊藤秀起, 高橋健介, 原内貴司, 岡田政也, 胡成余, 敖金平, 河合弘治, 篠原真毅, 丹羽直幹, 大野泰夫, 井川裕介 : マイクロ波整流用GaNショットキーダイオードの特性評価, 2008年電子情報通信学会総合大会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,007	国内講演発表	胡成余, 敖金平, 河合弘治, 大野泰夫 : p-基板層付きAlGaN/GaN HFETのVt-Vsub特性, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,007	国内講演発表	高橋健介, 伊藤秀起, 原内貴司, 岡田政也, 胡成余, 敖金平, 河合弘治, 篠原真毅, 丹羽直幹, 大野泰夫, 井川裕介 : GaNを用いたマイクロ波整流用ショットキーバリアダイオード, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月. [EdbClient \| EDB]

2007年度(平成19年度) / 作品等

(なし)

2007年度(平成19年度) / その他・研究会

(なし)

2007年度(平成19年度) / 報告書

(なし)

2008年度(平成20年度)

article.{@.date="20080400 20090399" @.organization=\E{158731}}

2008年度(平成20年度) / 著書

(なし)

2008年度(平成20年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,008	学術論文 (審査論文)	Masaya Okada, Hideki Ito, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Mechanism of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Threshold Voltage Shift by Illumination, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.4, 2103-2107, 2008. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	学術論文 (審査論文)	Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao, Masaya Okada and Yasuo Ohno : A Study on Ohmic Contact to Dry-Etched p-GaN, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E91-C, No.7, 1020-1024, 2008. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Yuya Yamaoka, Masaya Okada, Cheng-Yu Hu and Yasuo Ohno : Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E91-C, No.7, 1004-1008, 2008. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	学術論文 (審査論文)	Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Future Applications of GaN Electron Devices, Semiconductor Technology, Vol.33, No.12, 72-74, 2008. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN, Semiconductor Technology, Vol.33, No.12, 75-79, 2008. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2008年度(平成20年度) / 学術レター

(なし)

2008年度(平成20年度) / 総説・解説

(なし)

2008年度(平成20年度) / 国際会議

1)	2,008	国際会議	K. Takahashi, Jin-Ping Ao, Y. Ikawa, C. -Y. Hu, H. Kawai, N. Shinohara, N. Niwa and Yasuo Ohno : GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	国際会議	Cheng-Yu Hu, Katsutoshi Nakatani, Daigo Kikuta, Masahiro Sugimoto, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : VT-VSUB Characterization of AlGaN/GaN HFET with Regrown Epi-layer on p-GaN, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	国際会議	Yuka Okuyama, Jin-Ping Ao, Ikuo Awai and Yasuo Ohno : Wireless Inter-Chip Signal Transmission by Electromagnetic Coupling of Open-Ring Resonators, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	国際会議	Heng-Yu Xu, Jin-Ping Ao, Hui Yu, Cheng-Yu Hu and Yasuo Ohno : Device Isolation for AlGaN/GaN HFET Utilizing Heavy Metal Diffusion, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008 (NMDC2008), Kyoto, Oct. 2008. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	国際会議	Ikuo Awai, Kunihito Hori, Yuka Okuyama and Yasuo Ohno : Non-contact Signal Transmission Based on Open Ring Resonator BPF, Proceedings of the 38th European Microwave Conference, Amsterdam, Oct. 2008. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	国際会議	Naoki Shinohara, Yushi Miyata, Tomohiko Mitani, Naoki Niwa, Kenji Takagi, Kenichi Hamamoto, Satoshi Ujigawa, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : New Application of Microwave Power Transmission for Wireless Power Distribution System in Buildings, Asia Pacific Microwave Conference 2008, Hong Kong, Dec. 2008. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 国内講演発表

1)	2,008	国内講演発表	敖金平, 許恒宇, 于僡, 胡成余, 大野泰夫 : Ni拡散によるAlGaN/GaN HFET素子分離, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	国内講演発表	胡成余, 中谷克俊, 敖金平, 菊田大悟, 杉本雅裕, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET VT-VSUB特性を用いたp-GaN上バッファ層の評価, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	国内講演発表	井川裕介, 湯浅頼英, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ表面負帯電におけるDC特性の解析, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	国内講演発表	宮田侑是, 篠原真毅, 三谷友彦, 丹羽直幹, 高木賢二, 浜本研一, 宇治川智, 高橋健介, 敖金平, 大野泰夫 : GaNショットキーダイオードを用いた大電力レクテナの研究開発, 2009年電子情報通信学会総合大会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	国内講演発表	阿部まみ, 奥山祐加, 倉本健次, 黒田健太郎, 佐藤弘明, 粟井郁雄, 大野泰夫 : オープンリング共振器無線接続における損失の検討, 2009年電子情報通信学会総合大会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,008	国内講演発表	澤田剛一, 敖金平, 許恒宇, 高橋健介, 胡成余, 河合弘治, 篠原真毅, 丹羽直幹, 大野泰夫 : p型表面層を持つマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,008	国内講演発表	井川裕介, 湯浅頼英, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETにおける仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,008	国内講演発表	胡成余, 中谷克俊, 敖金平, 菊田大悟, 杉本雅裕, 大野泰夫 : p層上デュアルゲートAlGaN/GaN HFETにおけるアバランシェホール電流の測定, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 作品等

(なし)

2008年度(平成20年度) / その他・研究会

1)	2,008	その他・研究会	胡成余, 中谷克俊, 敖金平, 大野泰夫, 菊田大悟, 杉本雅裕 : VT-VSUB特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,008	その他・研究会	井川裕介, 湯浅頼英, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ負帯電による電流コラプスの2次元数値解析, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,008	その他・研究会	Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Future Applications of GaN Electron Devices, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices (China), Nov. 2008. [EdbClient \| EDB]
4)	2,008	その他・研究会	Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices (China), Nov. 2008. [EdbClient \| EDB]
5)	2,008	その他・研究会	大野泰夫 : 共振器結合を用いたワイアレス電力伝送, 日本機械学会マイクロナノ工学専門会議マイクロエネルギー研究会第三回会合, 2009年3月. [EdbClient \| EDB]

2008年度(平成20年度) / 報告書

(なし)

2009年度(平成21年度)

article.{@.date="20090400 20100399" @.organization=\E{158731}}

2009年度(平成21年度) / 著書

2,009

著書

Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : GaN-based Schottky Diodes, Handbook of Light Emitting and Schottky Diode Research, Nova Science Publishers, Hauppauge, May 2009. [EdbClient | EDB]

2009年度(平成21年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,009	学術論文 (審査論文)	Kensuke Takahashi, Jin-Ping Ao, Yusuke Ikawa, Cheng-Yu Hu, Hiroji Kawai, Naoki Shinohara, Naoki Niwa and Yasuo Ohno : GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C095, 2009. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	学術論文 (審査論文)	Yuka Okuyama, Jin-Ping Ao, Ikuo Awai and Yasuo Ohno : Wireless Inter-Chip Signal Transmission by Electromagnetic Coupling of Open-Ring Resonators, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C025, 2009. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2009年度(平成21年度) / 学術レター

(なし)

2009年度(平成21年度) / 総説・解説

(なし)

2009年度(平成21年度) / 国際会議

1)	2,009	国際会議	Jin-Ping Ao, Asato Suzuki, Kouichi Sawada, Satoko Shinkai and Yasuo Ohno : Schottky Contacts of Reactive Sputtering Refractory Metal Nitrides on Gallium Nitride, The 10th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, 433-436, Kanazawa, Jul. 2009. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	国際会議	Cheng-Yu Hu, Katsutoshi Nakatani, Hiroji Kawai, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Buffer layer doping concentration measurement using VT-VSUB Characterization of GaN HEMT with p-GaN substrate layer, 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Aug. 2009. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	国際会議	Yusuke Ikawa, Yorihide Yuasa, Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Surface Negative Charge Injection, 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Aug. 2009. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	国際会議	Cheng-Yu Hu, Hiroyuki Nokubo, Masaya Okada, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : MIS Diode Characterization on n-GaN by C-V Measurement at 150 C, The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
5)	2,009	国際会議	Katsutoshi Nakatani, Jin-Ping Ao, Keisuke Ohmuro, Masahiro Sugimoto, Cheng-Yu Hu, Yuji Sogawa and Yasuo Ohno : Evaluation of GaN MOSFET with TEOS SiO2 Gate Insulator, The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
6)	2,009	国際会議	Cheng-Yu Hu, Daigo Kikuta, Katsutoshi Nakatani, Jin-Ping Ao, Masahiro Sugimoto and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact to Deeply Dry-etched p-GaN, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]
7)	2,009	国際会議	Cheng-Yu Hu, Daigo Kikuta, Katsutoshi Nakatani, Jin-Ping Ao, Masahiro Sugimoto and Yasuo Ohno : Monitoring and control of substrate voltage for AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN epi-layer, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 国内講演発表

1)	2,009	国内講演発表	黒田健太郎, 井川裕介, 胡成余, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスのステップストレス測定, 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	国内講演発表	下村輝, 粟井郁雄, 大野泰夫 : ミリはインターコネクトにおける設置面の影響, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	国内講演発表	高橋健介, 敖金平, 胡成余, 篠原真毅, 丹羽直幹, 大野泰夫 : マイクロ波電力整流用GaNショットキーダイオードのSパラメータ解析, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	国内講演発表	倉本健次, 阿部まみ, 奥山祐加, 敖金平, 大野泰夫 : オープンリング共振器を用いた非接触広帯域入出力インターフェイス, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,009	国内講演発表	阿部まみ, 倉本健次, 敖金平, 大野泰夫 : オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月. [EdbClient \| EDB]
6)	2,009	国内講演発表	大野泰夫 : 無線送電とワイドギャップ半導体, 2010年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
7)	2,009	国内講演発表	阿部まみ, 倉本健次, 天羽孝文, 敖金平, 大野泰夫 : 誘電率の異なる基板間でのオープンリング共振器無線接続, 2010年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
8)	2,009	国内講演発表	中谷克俊, 祖川雄司, 金栄現, 敖金平, 大野泰夫, 宮下準弘, 本山慎一 : プラズマCVD酸化膜を用いたGaN MOSFET, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]
9)	2,009	国内講演発表	黒田健太郎, 井川裕介, 光山健太, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスにおける光照射の影響, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 作品等

(なし)

2009年度(平成21年度) / その他・研究会

1)	2,009	その他・研究会	大野泰夫 : 化合物半導体電子デバイス開発の軌跡, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会資料, 2009年6月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,009	その他・研究会	野崎兼史, 高橋義也, 敖金平, 大野泰夫 : オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御, 電子情報通信学会センサーデバイス・MEMS・一般研究会, 2009年7月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,009	その他・研究会	黒田健太郎, 井川裕介, 光山健太, 敖金平, 大野泰夫 : ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析, 電子情報通信学会電子デバイス，電子部品・材料，レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,009	その他・研究会	高橋健介, 敖金平, 篠原真毅, 丹羽直幹, 藤原暉雄, 大野泰夫 : マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発, 電子情報通信学会電子デバイス，電子部品・材料，レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月. [EdbClient \| EDB]

2009年度(平成21年度) / 報告書

(なし)

2010年度(平成22年度)

article.{@.date="20100400 20110399" @.organization=\E{158731}}

2010年度(平成22年度) / 著書

(なし)

2010年度(平成22年度) / 学術論文 (審査論文)

1)	2,010	学術論文 (審査論文)	Cheng-Yu Hu, Hiroyuki Nokubo, Masanari Okada, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Metal Insulator Semiconductor Diode Characterization on n-GaN by Capacitance Voltage Measurement at 150 °C, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DF11, 2010. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Keisuke Ohmuro, Masahiro Sugimoto, Cheng-Yu Hu, Yuji Sogawa and Yasuo Ohno : GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Tetraethylorthosilicate SiO2 Gate Insulator on AlGaN/GaN Heterostructure, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DF09-1-04DF09-4, 2010. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Asato Suzuki, Kouichi Sawada, Satoko Shinkai, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Schottky contacts of refractory metal nitrides on gallium nitride using reactive sputtering, Vacuum, Vol.84, No.12, 1439-1443, 2010. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	学術論文 (審査論文)	Yusuke Ikawa, Yorihide Yuasa, Cheng-Yu Hu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Surface Negative Charge Injection, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E93-C, No.8, 1218-1224, 2010. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	学術論文 (審査論文)	Cheng-Yu Hu, Katsutoshi Nakatani, Hiroji Kawai, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Buffer Layer Doping Concentration Measurement Using V_T-V_SUB Characteristics of GaN HEMT with p-GaN Substrate Layer, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E93-C, No.8, 1234-1237, 2010. [EdbClient \| EDB]
6)	2,010	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao : Monolithic Integration of GaN-based LEDs, Journal of Physics: Conference Series, Vol.276, No.1, 012001-1-012001-4, 2011. [EdbClient \| EDB]
7)	2,010	学術論文 (審査論文)	Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Yuji Sogawa, Shiro Akamatsu, Young Hyun Kim, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with a gate SiO2 insulator deposited by silane-based plasma-enhanced chemical vapor deposition, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 457-460, 2011. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 学術論文 (紀要その他)

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2010年度(平成22年度) / 学術レター

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2010年度(平成22年度) / 総説・解説

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2010年度(平成22年度) / 国際会議

1)	2,010	国際会議	Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Yuji Sogawa, Young Hyun Kim, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with Gate SiO2 Deposited by Silane-Based PECVD, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu, May 2010. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	国際会議	Mami Abe, Takahumi Amou, Kenji Kuramoto, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Effects of Substrate Conductivity on Open-Ring Resonator Wireless Interconnection, 2010 Asia-Pacific Radio Science Conference, Toyama, Sep. 2010. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	国際会議	Jin-Ping Ao, Kensuke Takahashi, Naoki Shinohara, Naoki Niwa, Teruo Fujiwara and Yasuo Ohno : S-parameter Analysis of GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, 2010 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, Monterey, Oct. 2010. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	国際会議	Jin-Ping Ao : Monolithic Integration of GaN-based LEDs, 2nd Photonics and Optoelectronics Meetings (POEM2010), Wuhan, Nov. 2010. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	国際会議	Mami Abe, Yuka Okuyama, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Misalignment Effects in Inter-Chip Wireless Connection with Open-Ring Resonators, 2010 Asia-Pacific Microwave Conference (APM C2010), Yokohama, Dec. 2010. [EdbClient \| EDB]
6)	2,010	国際会議	Yasuo Ohno : Application of GaN Devices to Wireless Power Transmission, 2010 Asia-Pacific Microwave Conference (APM C2010), Yokohama, Dec. 2010. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 国内講演発表

1)	2,010	国内講演発表	阿部まみ, 敖金平, 大野泰夫 : オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
2)	2,010	国内講演発表	原内健次, 細川大志, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードのSパラメータ解析, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
3)	2,010	国内講演発表	細川大志, 原内健次, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードの二次元デバイスシミュレーション, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月. [EdbClient \| EDB]
4)	2,010	国内講演発表	原内健次, 岩崎裕一, 阿部まみ, 敖金平, 篠原真毅, 外村博史, 大野泰夫 : オープンリング共振器接続によるマイクロ波無線電力伝送, 2011年電子情報通信学会総合大会, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]
5)	2,010	国内講演発表	細川大志, 黒田健太郎, 井谷祥之, 敖金平, 大野泰夫 : AlGaN/GaN HFET 電流コラプスの回復過程測定, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2011年3月. [EdbClient \| EDB]

2010年度(平成22年度) / 作品等

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2010年度(平成22年度) / その他・研究会

(なし)

2010年度(平成22年度) / 報告書

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