Excel(xlsx) for Microsoft Excel, CSV(UTF-8) for Apple Numbers, TEXT for Text Editor, DOCX for Microsoft Word
期間: 2016.42017.3

2016年度(平成28年度)

article.{@.date="20160400 20170399" @.organization=\E{230437}}

2016年度(平成28年度) / 著書

(なし)

2016年度(平成28年度) / 学術論文 (審査論文)

1) 2,016 学術論文 (審査論文) Aritsuki Takuya, Nakashima Takeshi, Kobayashi Keisuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.55, No.6, 06GF03-(4pp), 2016. [EdbClient | EDB]
2) 2,016 学術論文 (審査論文) Yasuhide Ohno, Yasushi Kanai, Yuki Mori, Masao Nagase and Kazuhiko Matsumoto : Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.6S1, 06GF09, 2016. [EdbClient | EDB]
3) 2,016 学術論文 (審査論文) Hisatomo Matsumura, Shin-ichiro Yanagiya, Masao Nagase, Hiroki Kishikawa and Nobuo Goto : Microscopic Raman Study of Graphene on 4H-SiC Two-Dimensionally Enhanced by Surface Roughness and Gold Nanoparticles, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.6S1, 06GL05, 2016. [EdbClient | EDB]
4) 2,016 学術論文 (審査論文) Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa : Fabrication of hydrophilic graphene film by molecular functionalization, Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, Vol.254, No.2, 1600524-(4pp), 2016. [EdbClient | EDB]
5) 2,016 学術論文 (審査論文) D. Terasawa, A. Fukuda, A. Fujimoto, Yasuhide Ohno, Y. Kanai and K. Matsumoto : Relationship between conductance fluctuation and weak localization in graphene, Physical Review B, Vol.95, No.12, 125427, 2017. [EdbClient | EDB]

2016年度(平成28年度) / 学術論文 (紀要その他)

(なし)

2016年度(平成28年度) / 学術レター

1) 2,016 学術レター Nishiguchi Katsuhiko, Yoshizumi Daisuke, Sekine Yoshiaki, Furukawa Kazuaki, Fujiwara Akira and Masao Nagase : Planar cold cathode based on a multilayer-graphene/SiO2/Si heterodevice, Applied Physics Express, Vol.9, No.10, 105101-(4pp), 2016. [EdbClient | EDB]

2016年度(平成28年度) / 総説・解説

1) 2,016 総説・解説 Masao Nagase : Observation of graphene on SiC using various types of microscopy, THE HITACHI SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS, Vol.7, 8-16, Sep. 2016. [EdbClient | EDB]

2016年度(平成28年度) / 国際会議

1) 2,016 国際会議 Masao Nagase : Single-crystal graphene growth on SiC by infrared rapid thermal annealing, --- [invited] ---, 2016 Collaborative Conference on 3D and Materials Research(CC3DMR), inchon, Korea, Jun. 2016. [EdbClient | EDB]
2) 2,016 国際会議 Yasushi Kanai, Takashi Ikuta, Takao Ono, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto : Detection Kondo effect in Graphene Quantum Dots, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, 7528502, Jun. 2016. [EdbClient | EDB]
3) 2,016 国際会議 Yoshiaki Taniguchi, Tsubasa Miki, Takanori Mitsuno, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa : Hydrophilic Graphene Film by Molecular Functionalization, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. [EdbClient | EDB]
4) 2,016 国際会議 Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : Intrinsic pH Sensitivity of Graphene Field-Effect Transistors, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. [EdbClient | EDB]
5) 2,016 国際会議 Takao Ono, Yasushi Kanai, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto : An Application of Graphene Field Effect Transistor to Enzymatic Assay, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016. [EdbClient | EDB]
6) 2,016 国際会議 Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa : Protein adsorption characteristics on bare and phosphorylcholine-modified graphene films on SiC substrate, 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-16, Kyoto, Japan, Nov. 2016. [EdbClient | EDB]
7) 2,016 国際会議 Kitaoka Makoto, Nagahama Takuya, Nakamura Kohta, Takashima Kazuya, Yasuhide Ohno and Masao Nagase : Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC, 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-24, Kyoto, Japan, Nov. 2016. [EdbClient | EDB]
8) 2,016 国際会議 Yasuhide Ohno, Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi and Masao Nagase : Intrinsic ion sensitivity of graphene field-effect transistors, 2016 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, Dec. 2016. [EdbClient | EDB]

2016年度(平成28年度) / 国内講演発表

1) 2,016 国内講演発表 森本 征士, 有月 琢哉, 青木 翔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : 顕微ラマン分光法による SiC 上グラフェンの応力とキャリア密度の面内分布評価, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-3, 2016年9月. [EdbClient | EDB]
2) 2,016 国内講演発表 山田 祐輔, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : 走査プローブ顕微鏡を用いた SiC 上グラフェンの実効ヤング率計測, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-4, 2016年9月. [EdbClient | EDB]
3) 2,016 国内講演発表 北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC 上グラフェンの水脱離による導電率変化, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-2, 2016年9月. [EdbClient | EDB]
4) 2,016 国内講演発表 大野 恭秀, 光野 琢仁, 谷口 嘉昭, 永瀬 雅夫 : グラフェン本来のイオンセンシング特性, 第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-10, 2016年9月. [EdbClient | EDB]
5) 2,016 国内講演発表 北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC 上グラフェンのシート抵抗の湿度依存性, 第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-016, 2016年10月. [EdbClient | EDB]
6) 2,016 国内講演発表 谷口 嘉昭, 三木 翼, 光野 琢仁, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 南川 慶二, 安澤 幹人 : 新規合成分子を用いた表面修飾による単結晶グラフェンの親水化, 第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-017, 2016年10月. [EdbClient | EDB]
7) 2,016 国内講演発表 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC上グラフェンのタンパク質吸着特性, --- ∼分子修飾による高性能バイオセンサの実現に向けて∼ ---, サイエンスプラザ2016, No.52, 2016年11月. [EdbClient | EDB]
8) 2,016 国内講演発表 朴 理博, 永瀬 雅夫, 大野 恭秀 : 集束イオンビームを用いたステンシルリソグラフィ技術のための Sub10nm パターンの作製, 第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-304-2, 2017年3月. [EdbClient | EDB]
9) 2,016 国内講演発表 北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC 上グラフェンの水吸着によるキャリア密度変化, 第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-6, 15-084-(1pp), 2017年3月. [EdbClient | EDB]
10) 2,016 国内講演発表 谷口 嘉昭, 三木 翼, 光野 琢仁, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 南川 慶二, 安澤 幹人 : 分子修飾機能化による SiC 上グラフェンの非特異吸着の抑制, 第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-7, 15-085-(1pp), 2017年3月. [EdbClient | EDB]
11) 2,016 国内講演発表 礒合 俊輔, 安澤 幹人, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 : SiC 上グラフェンの電気特性評価, 電気化学会第84回大会, 2017年3月. [EdbClient | EDB]

2016年度(平成28年度) / 作品等

(なし)

2016年度(平成28年度) / その他・研究会

1) 2,016 その他・研究会 原口 雅宣, 木内 陽介, 北田 貴弘, 永瀬 雅夫, 安井 武史, 宮脇 克行, 髙橋 章, 岡久 稔也 : LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業におけるテラヘルツLED応用基盤技術に関する取り組み, LED総合フォーラム2016in徳島 論文集, 201-202, 2016年12月. [EdbClient | EDB]

2016年度(平成28年度) / 報告書

(なし)