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研究活動

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著書・論文

学術論文(審査論文):

1. Tatsuya Okada, Hiromu Hisazawa, Akihiro Iwasaki, Katsuya Kawaguchi, Hiroki Morimoto, Kazuki Nakao, Tomoyuki Ueki and Takuro Tomita :
Creep fracture of aluminum and copper tricrystals having <110>-tilt Σ3, 3, 9 grain boundaries,
Materials Transactions, Vol.62, No.2, 239-245, 2021.
(DOI: 10.2320/matertrans.MT-M2020325)
2. Tatsuya Okada, Yuki Fuchikami, Kazuki Mimura, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa and Takuro Tomita :
Formation of ohmic Ni electrodes on femtosecond laser-modified 4H-SiC surface,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.126, No.7, 535-1-535-7, 2020.
(DOI: 10.1007/s00339-020-03733-w,   Elsevier: Scopus)
3. Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Hiroyuki Katayama, Yuki Fuchikami, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka :
Local melting of Au/Ni thin films irradiated by femtosecond laser through GaN,
Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.125, No.10, 690-1-690-6, 2019.
(DOI: 10.1007/s00339-019-2982-1)
4. Tatsuya Okada, Hiromu Hisazawa, Akihiro Iwasaki, Shota Amimoto, Jun Miyaji, Masaki Shisawa and Tomoyuki Ueki :
Grain-Boundary Sliding and its Accommodation at Triple Junctions in Aluminum and Copper Tricrystals,
Materials Transactions, Vol.60, No.1, 86-92, 2019.
(DOI: 10.2320/matertrans.M2018296)
5. Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Takuya Hashimoto, Yuki Fuchikami, Hiroyuki Katayama, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka :
Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.11, 116501-1-116501-7, 2018.
(DOI: 10.7567/JJAP.57.116501)
6. Daisuke Yonekura, Tomoyuki Ueki and Yuki Taguchi :
Application of ultrasonic assisted soldering method to hard-to-solder material,
International Journal of Modern Physics B, Vol.32, No.19, 1840054-1-1840054-5, 2018.
(DOI: 10.1142/S0217979218400544,   Elsevier: Scopus)
7. Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Yuki Masai, Yota Bando and Yasuhiro Tanaka :
Femtosecond-laser-induced modifications on the surface of a single-crystalline diamond,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.11, 112701-1-112701-5, 2017.
(DOI: 10.7567/JJAP.56.112701,   Elsevier: Scopus)
8. Masatsugu Oishi, Shohei Shiomi, Takashi Yamamoto, Tomoyuki Ueki, Yoichiro Kai, Shigefusa F. Chichibu, Aiko Takatori and Kazunobu Kojima :
High temperature degradation mechanism of a red phosphor, CaAlSiN3:Eu for solid-state lighting,
Journal of Applied Physics, Vol.122, No.11, 113104-113111, 2017.
(DOI: 10.1063/1.5003087,   Elsevier: Scopus)
9. Hirokazu Miyoshi, Akira Yumoto, Masayuki Shono, Tomoyuki Ueki and Yoshinori Itsuki :
Visualization of PVDF nanofibers coated on filter paper using fluorescein silica nanoparticles,
Journal of Applied Polymer Science, Vol.134, No.30, 45125, 2017.
(DOI: 10.1002/app.45125)
10. Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Yuki Masai, Yota Bando and Yasuhiro Tanaka :
Femtosecond laser-induced modification at aluminum/diamond interface,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.2, 026601-1-026601-5, 2017.
(徳島大学機関リポジトリ: 111014,   DOI: 10.7567/JJAP.56.026601)
11. Yusuke Takidani, Kazuki Morimoto, Kenta Kondo, Tomoyuki Ueki, Takuro Tomita, Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada :
Low-Temperature Diffusion at Ni/SiC Interface with the Aid of Femtosecond Laser-Induced Strain,
Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.10, No.3, 314-319, 2015.
(DOI: 10.2961/jlmn.2015.03.0014)
12. Mikito Yasuzawa, Toba Taketo, Hiura Kentaro, Li Jiang, Pankaj Koinkar, Tomoyuki Ueki and Fuchiwaki Yusuke :
Preparation of micro-biosensor for continuous glucose monitoring,
Modern Physics Letters. B, Vol.29, No.6-7, 1540040, 2015.
(DOI: 10.1142/S0217984915400400,   Elsevier: Scopus)
13. Ming Cai, Hitoshi Takagi, Antonio Norio Nakagaito, Masahiro Katoh, Tomoyuki Ueki, Geoffrey I.N. Waterhouse and Yan Li :
Influence of alkali treatment on internal microstructure and tensile properties of abaca fibers,
Industrial Crops and Products, Vol.65, 27-35, 2015.
(DOI: 10.1016/j.indcrop.2014.11.048,   Elsevier: Scopus)
14. Daisuke Yonekura, Tomoyuki Ueki, Kazushige Tokiyasu, Shuji Kira and Toshio Wakabayashi :
Bonding mechanism of lead-free solder and glass plate by ultrasonic assisted soldering method,
Materials & Design (1980-2015), Vol.65, 907-913, 2015.
(DOI: 10.1016/j.matdes.2014.10.024,   Elsevier: Scopus)
15. Masaki Fujikawa, Yuta Higashi, Yutaro Nomura, Tomoyuki Ueki, Satoshi Sugano, Kei-ichiro Murai, Toshihiro Moriga and Masashi Mori :
Identification of Second Phases for Sr1-xLaxTiO3 Perovskites Synthesized by Citric-Gel Method,
ECS Transactions, Vol.57, No.1, 2331-2337, 2013.
(DOI: 10.1149/05701.2331ecst)
16. 加藤 慎也, 大坪 啓視, 植木 智之, 岡田 達也 :
不均一変形した銅単結晶における初期段階の再結晶粒方位,
日本金属学会誌, Vol.77, No.3, 101-106, 2013年.
(DOI: 10.2320/jinstmet.77.101,   CiNii: 40019612566,   Elsevier: Scopus)

学術レター:

1. Masatsugu Oishi, Ryoshi Imura, Tomoyuki Ueki, Shimoda Keiji, Yamagishi Hirona and Watanabe Iwao :
Electronic state analysis of Li2RuO3 positive electrode for lithium ion secondary battery,
Modern Physics Letters. B, Vol.34, No.7-9, 2040024, 2020.
(DOI: 10.1142/S0217984920400242)
2. Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Takuya Hashimoto, Hiroki Kawakami, Yuki Fuchikami, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka :
Low-temperature diffusion assisted by femtosecond laser-induced modifications at Ni/SiC interface,
Applied Physics Express, Vol.11, No.1, 016502-1-016502-4, 2018.
(DOI: 10.7567/APEX.11.016502,   CiNii: 210000136095,   Elsevier: Scopus)
3. Tomoyuki Ueki, Kazuki Morimoto, Hiroki Yokota, Takuro Tomita and Tatsuya Okada :
Application of femtosecond laser irradiation to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface,
Applied Physics Express, Vol.8, No.2, 026503-1-026503-4, 2015.
(DOI: 10.7567/APEX.8.026503,   Elsevier: Scopus)

国際会議:

1. Masaki Fujikawa, Y. Higashi, Y. Nomura, Tomoyuki Ueki, Satoshi Sugano, Kei-ichiro Murai, Toshihiro Moriga and Masashi Mori :
Identification of Second Phases for Sr1-xLaxTiO3 Perovskites Synthesized by Citric-Gel Method,
13th International Symposium on Solid Oxide Fuel Cells (SOFC-XIII), Okinawa, Oct. 2013.

国内講演発表:

1. 森本 博己, 川口 克哉, 中尾 和輝, 大西 厚徳, 植木 智之, 久澤 大夢, 岡田 達也 :
純Cuおよび純Al中のΣ3,3,9対応粒界三重線におけるクリープ損傷,
日本金属学会2020年秋期講演(第167回)講演概要集, 303, 2020年9月.
2. 坂東 賢哉, 植木 智之, 富田 卓朗, 久澤 大夢, 岡田 達也, 小林 幸雄, 伊藤 元雄 :
ダイヤモンド単結晶表面へのフェムト秒レーザ照射誘起改質導入とホウ素イオン注入,
日本金属学会中国四国支部第60回講演大会講演概要集, B05, 2020年8月.
3. 中尾 和輝, 森本 博己, 川口 克哉, 植木 智之, 久澤 大夢, 岡田 達也 :
<110>傾角Σ3,3,9三重線を有する純銅および純アルミニウム三重結晶のクリープ破壊,
日本金属学会中国四国支部第60回講演大会講演概要集, B04, 2020年8月.
4. 坂東 賢哉, 植木 智之, 富田 卓朗, 久澤 大夢, 岡田 達也, 小林 幸雄, 伊藤 元雄 :
フェムト秒レーザ照射したダイヤモンド表面へのホウ素イオン注入,
2020年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会 講演概要集, Cp-2, 2020年8月.
5. 森本 博己, 植木 智之, 久澤 大夢, 岡田 達也 :
純銅Σ3,3,9対応粒界三重線近傍のクリープ変形初期段階,
日本金属学会中国四国支部第59回講演大会講演概要集, B04, 2019年8月.
6. 川口 克哉, 岩﨑 旭紘, 植木 智之, 久澤 大夢, 岡田 達也 :
<110>傾角Σ3,3,9対応粒界を有するアルミニウム三重結晶のクリープ変形初期段階,
日本金属学会中国四国支部第59回講演大会講演概要集, A02, 2019年8月.
7. 内田 健介, 今垣 諒彌, 植木 智之, 久澤 大夢, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘 :
ダイヤモンド単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質とTiの反応,
日本金属学会中国四国支部第59回講演大会講演概要集, B25, 2019年8月.
8. 内田 健介, 今垣 諒彌, 植木 智之, 久澤 大夢, 岡田 達也 :
ダイヤモンド単結晶表面に導入したフェムト秒レーザ照射誘起改質とTi薄膜の反応,
2019年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集, Fa-7, 2019年7月.
9. 岩﨑 旭紘, 網本 翔太, 植木 智之, 久澤 大夢, 岡田 達也 :
<110>傾角Σ3,3,9粒界を有する純Alおよび純Cu三重結晶における粒界すべり,
日本金属学会2018年秋期講演大会講演概要集, 91, 2018年9月.
10. 岩﨑 旭紘, 網本 翔太, 植木 智之, 久澤 大夢, 岡田 達也 :
<110>傾角Σ3,3,9粒界を有する純Alおよび純Cu三重結晶のクリープ変形,
日本金属学会中国四国支部第58講演大会講演概要集, 52, 2018年8月.
11. 渕上 裕暉, 植木 智之, 富田 卓朗, 久澤 大夢, 岡田 達也, 田中 康弘 :
フェムト秒レーザ照射改質の導入によるNi/SiC界面のNiシリサイド形成,
日本金属学会中国四国支部第58回講演大会講演概要集, 26, 2018年8月.
12. 今垣 諒彌, 植木 智之, 富田 卓朗, 久澤 大夢, 岡田 達也, 田中 康弘 :
ダイヤモンド表面へのフェムト秒レーザ照射改質の導入によるTi/ダイヤモンド界面反応,
日本金属学会中国四国支部第58回講演大会講演概要集, 25, 2018年8月.
13. 今垣 諒彌, 植木 智之, 富田 卓朗, 久澤 大夢, 岡田 達也, 田中 康弘 :
フェムト秒レーザ照射改質を導入したダイヤモンド表面へのTi蒸着,
2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 5, 2018年8月.
14. 渕上 裕暉, 植木 智之, 富田 卓朗, 久澤 大夢, 岡田 達也, 田中 康弘 :
4H-SiC表面へのフェムト秒レーザ照射改質導入によるNi/SiC界面反応の促進,
2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集, 4, 2018年8月.
15. 渕上 裕暉, 橋本 拓哉, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘 :
フェムト秒レーザ誘起改質を応用したNi/SiC界面における低温拡散,
第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集, 19p-A404-9, 2018年3月.
16. 大石 昌嗣, 塩見 昌平, 山本 孝, 植木 智之, 改井 陽一郎, 秩父 重英, 高取 愛子, 小島 一信 :
赤色蛍光体(CaAlSiN3:Eu)の高温劣化機構の評価,
第65回応用物理学会 春季学術講演会,東京 (2018.3.17-20)., 2018年3月.
17. 二村 大, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘 :
フェムト秒レーザ照射によるダイヤモンド単結晶表面への改質導入とアニールに伴う変化,
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 7p-S45-12, 2017年9月.
18. 二村 大, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘 :
ダイヤモンド単結晶表面へのフェムト秒レーザ照射による改質導入,
日本金属学会第57回中国四国支部講演大会講演概要集, A21, 2017年8月.
19. 網本 翔太, 髙田 大輔, 植木 智之, 岡田 達也 :
<110>傾角Σ3,3,9対応粒界を有する銅およびアルミニウム三重結晶の焼鈍に伴う粒界挙動,
日本金属学会第57回中国四国支部講演大会講演概要集, B11, 2017年8月.
20. 二村 大, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘 :
ダイヤモンド単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質,
2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 55, 2017年7月.
21. 政井 勇輝, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
Al/ダイヤモンド単結晶界面へのフェムト秒レーザ照射に伴う微細周期構造形成,
2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 27, 2016年7月.
22. 橋本 拓哉, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
SiC単結晶上に電子ビーム蒸着したニッケル薄膜の双晶化,
2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, 26, 2016年7月.
23. 滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成,
日本金属学会2015年秋期講演大会(第157回)概要集, 80, 2015年9月.
24. 滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール,
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 13p-2F-10, 2015年9月.
25. 滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散,
日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, 52, 2015年8月.
26. 南 俊介, 植木 智之, 岡田 達也 :
{112}板面アルミニウム単結晶の<110>方向せん断変形による変形帯形成,
日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, 36, 2015年8月.
27. 髙田 大輔, 植木 智之, 岡田 達也 :
<110>傾角Σ3,3,9アルミニウム三重結晶の引張変形および焼鈍による粒界挙動,
日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, 35, 2015年8月.
28. 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
Ni/SiC界面へのfsレーザ照射によるひずみ導入と低温アニール,
日本金属学会2014年秋期講演大会, 213, 2014年9月.
29. 佐藤 崇史, 加藤 慎也, 植木 智之, 岡田 達也 :
<110>方位溝付き銅単結晶試験片の変形と再結晶,
日本金属学会2014年秋期講演大会, 235, 2014年9月.
30. 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
Ni/SiC 界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールによるNi 拡散の促進,
第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, Vol.75, 03-224, 2014年9月.
31. 佐藤 崇史, 植木 智之, 岡田 達也 :
銅単結晶のせん断変形とキンク帯形成,
日本金属学会中国四国支部第54回講演大会 講演概要集, 8, 2014年8月.
32. 佐藤 崇史, 植木 智之, 岡田 達也 :
<110>方位溝付き銅単結晶試験片の引張変形と再結晶,
日本金属学会中国四国支部第54回講演大会 講演概要集, 7, 2014年8月.
33. 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
fsレーザ照射によるSiC中へのひずみ導入と低温アニールに伴うNi拡散,
日本金属学会中国四国支部第54回講演大会 講演概要集, 6, 2014年8月.
34. 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールに伴う変化,
2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 講演予稿集, 62, 2014年7月.
35. 森本 和樹, 植木 智之, 岡田 達也 :
4H-SiC単結晶に蒸着したNi薄膜のアニールに伴う変化,
日本金属学会中国四国支部第53回講演大会 講演概要集, 35, 2013年8月.
36. 長谷 香奈美, 植木 智之, 岡田 達也 :
<111>引張アルミニウム単結晶における変形および内部転位組織と再結晶,
日本金属学会第53回中国四国支部講演大会 講演概要集, 42, 2013年8月.
37. 森本 和樹, 植木 智之, 岡田 達也 :
アニール前後におけるNi/SiC界面の変化,
2013年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 講演予稿集, 102, 2013年7月.
38. 加藤 慎也, 大坪 啓視, 植木 智之, 岡田 達也 :
銅単結晶の不均一変形領域近傍に形成する初期段階の再結晶粒方位,
2012年秋期講演大会講演概要, 670, 2012年9月.
39. 横田 洋輝, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
4H-SiC単結晶内部における円偏光フェムト秒レーザ照射誘起欠陥,
日本金属学会中国四国支部第52回講演大会講演概要集, 71, 2012年8月.
40. 河野 智哉, 植木 智之, 岡田 達也 :
均一変形方位アルミニウム単結晶の再結晶挙動,
日本金属学会中国四国支部第52回講演大会講演概要集, 65, 2012年8月.
41. 加藤 慎也, 植木 智之, 岡田 達也 :
銅単結晶における不均一変形領域に形成した再結晶粒方位,
日本金属学会中国四国支部第52回講演大会講演概要集, 64, 2012年8月.
42. 上島 隆伸, 植木 智之, 岡田 達也 :
均一変形方位銅単結晶における内部転位組織,
日本金属学会中国四国支部第52回講演大会講演概要集, 63, 2012年8月.
43. 横田 洋輝, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 :
円偏光フェムト秒レーザー照射による4H-SiC単結晶内部の欠陥形成,
2012年度支部学術講演会講演予稿集, 16, 2012年7月.
44. 植木 智之, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 岡田 達也 :
4H-SiC単結晶内部におけるフェムト秒レーザ誘起欠陥の照射条件依存性,
日本金属学会2012年春期(第150回)大会講演概要集, 283, 2012年3月.
45. 植木 智之, 富田 卓朗, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 岡田 達也 :
4H-SiC 単結晶内部において形成するフェムト秒レーザ照射誘起欠陥,
第59 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 04-271, 2012年3月.
46. 文屋 宏友, 北口 貴之, 植木 智之, 岡田 達也 :
<111>引張アルミニウム単結晶の薄片焼鈍による再結晶,
日本金属学会中国四国支部第51回講演大会講演概要集, 24, 2011年8月.
47. 中村 公俊, 植木 智之, 岡田 達也 :
ねじり粒界を有する銅双結晶における再結晶,
日本金属学会中国四国支部第51回講演大会講演概要集, 23, 2011年8月.
48. 柏野 亮太, 篠岡 幸臣, 植木 智之, 岡田 達也 :
SiC単結晶内部に形成したレーザ誘起欠陥のアニールによる改質,
日本金属学会中国四国支部第51回講演大会講演概要集, 22, 2011年8月.
49. 伊藤 研一, 大坪 啓視, 植木 智之, 岡田 達也 :
銅単結晶の変形帯における再結晶粒形成初期段階,
日本金属学会中国四国支部第51回講演大会講演概要集, 21, 2011年8月.

科学研究費補助金 (KAKEN Grants Database @ NII.ac.jp)