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Professor Emeritus : Nagase, Masao |
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| 1982. | 3. | Graduated from Waseda University. | |
| 1984. | 3. | 早稲田大学大学院 理工学研究科 物理学及応用物理学専攻 修了 | |
| 1997. | 3. | Dr. Eng. (Waseda University) |
| 1984. | 4. | 日本電信電話公社 厚木電気通信研究所 入所 | |
| 1987. | 7. | 日本電信電話(株)LSI研究所 | |
| 1996. | 7. | 日本電信電話(株)基礎研究所 | |
| 1999. | 1. | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 | |
| 2010. | 4. | Professor at the University of Tokushima. |
| 2025. 3.31 |
(Display only working histories at our university after 2004.)
| ○ | Semiconductor Device Physics |
| ○ | http://graphene.ee.tokushima-u.ac.jp/ |
| ○ | https://researchmap.jp/nagase_masao (researchmap) |
| ○ | https://orcid.org/0000-0002-2550-0146 (ORCID) |