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直井 美貴 / 教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1965年
電話: 088 - 656 - 7447 電子メール:  n a o i (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体デバイス, 光工学
担当授業科目: デバイスプロセス特論 (大学院), プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光半導体デバイス特論 (大学院), 技術者・科学者の倫理 (学部), 電子物性工学 (学部), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気磁気学2・演習 (学部), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子工学創成実験 (学部)
研究テーマ: 半導体結晶成長と光デバイス開発 (窒化物, ワイドギャップ半導体, 光デバイス (optical device), 薄膜·結晶成長, 物性評価)
永瀬 雅夫 / 教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1959年
電話: 088 - 656 - 9716 電子メール:  n a g a s e (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体デバイス物性 (Semiconductor Device Physics)
担当授業科目: STEM概論 (学部), ナノエレクトロニクス特論 (大学院), プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体デバイス物理特論 (大学院), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 電子デバイス (学部), 電気・電子材料工学 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部)
研究テーマ: 半導体デバイスの開発とナノ物性評価技術の研究 (半導体デバイス (semiconductor device), ナノ構造 (nanostructure), シリコン (silicon), グラフェン (graphene), ナノ計測技術 (nanometrology))
敖 金平 / 准教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1967年
電話: 088 - 656 - 7442 電子メール:  j p a o (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 理学博士 専門分野: 電子デバイス (Electronic Devices)
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体デバイス物理特論 (大学院), 技術英語入門 (学部), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 量子工学基礎 (学部), 電子デバイス特論 (大学院), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学実験3 (学部)
研究テーマ: 半導体デバイス (半導体 (semiconductor), 電子デバイス (electron device), モノリシック集積回路 (monolithic integrated circuit))
大野 恭秀 / 准教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1975年
電話: 電子メール:  o h n o (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics)
担当授業科目: 半導体デバイス物理特論 (大学院), 工学総合演習 (学部), 技術英語基礎1 (学部), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気電子工学入門実験 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部)
研究テーマ: ナノカーボン材料の応用
富田 卓朗 / 准教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1975年
電話: 088 - 656 - 7445 電子メール:  t o m i t a (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(理学) 専門分野: 光物質科学, 光物性物理学 (Optical Condensed Matter Physics), 半導体物理学 (Semiconductor Physics)
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体工学基礎 (学部), 技術者・科学者の倫理 (共通教育), 無機光機能材料論 (大学院), 電気・電子材料特論 (大学院), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部)
研究テーマ: レーザー誘起物性改質, レーザー加工, レーザー誘起ナノ周期構造 (フェムト秒レーザー加工・改質 (femtosecond laser processing/modification)), ラマン散乱分光, 超高速時間分解分光, 磁気光学分光 (光物性 (optical properties of solid)), ワイドバンドギャップ半導体における微視的分極理論, 半導体中の電子-格子相互作用 (半導体物理)
西野 克志 / 准教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1966年
電話: 088 - 656 - 7464 電子メール:  n i s h i n o (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics)
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光デバイス工学 (学部), 光半導体デバイス特論 (大学院), 半導体工学基礎 (学部), 半導体工学特論 (大学院), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部)
研究テーマ: AlN等窒化物半導体の結晶成長,物性評価,デバイス応用 (AlN, バルク結晶成長, 物性評価)
川上 烈生 / 助教(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1971年
電話: 088 - 656 - 7441 電子メール:  r e t s u o (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体/プラズマエレクトロニクス
担当授業科目: 電子物理学 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学実験3 (学部)
研究テーマ: 半導体プラズマ粒子と発光のシナジー効果によるGaNエッチングダメージの解明, DBDプラズマ/プラズマJETのグリーンテクノロジーへの応用, 薄膜系光触媒の反応活性化のための表面処理テクノロジー, LED光触媒反応を応用した鮮度維持テクノロジー, 半導体プラズマ表面反応のモデリング, ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングダメージ解析 (半導体 (semiconductor), 非平衡プラズマ, 窒化物半導体, 薄膜系光触媒, LED, JETプラズマ, DBDプラズマ, バイオ, シナジー効果, 食品, ワイドギャップ半導体)