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酒井 士郎 / 教授 [詳細] |
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| 性別: |
男性 |
生年: |
西暦1953年 |
| 電話: |
088 - 656 - 7446 |
電子メール: |
s a k a i (@) e e ₍.₎ t o k u s h i m a - u ₍.₎ a c ₍.₎ j p |
| 学位: |
工学博士 |
専門分野: |
半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics) |
| 担当授業科目: |
プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光デバイス工学 (学部), 光デバイス特論 (大学院), 光半導体デバイス特論 (大学院) |
| 研究テーマ: |
窒化物半導体の研究 (窒化ガリウム (gallium nitride), 半導体デバイス (semiconductor devices)) |
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直井 美貴 / 教授 [詳細] |
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| 性別: |
男性 |
生年: |
西暦1965年 |
| 電話: |
088 - 656 - 7447 |
電子メール: |
n a o i (@) t o k u s h i m a - u ₍.₎ a c ₍.₎ j p |
| 学位: |
博士(工学) |
専門分野: |
半導体デバイス, 光工学 |
| 担当授業科目: |
デバイスプロセス特論 (大学院), プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光半導体デバイス特論 (大学院), 技術者・科学者の倫理 (学部), 電子物性工学 (学部), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気磁気学2・演習 (学部), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子工学創成実験 (学部) |
| 研究テーマ: |
半導体結晶成長と光デバイス開発 (窒化物, ワイドギャップ半導体, 光デバイス (optical device), 薄膜·結晶成長, 物性評価) |
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永瀬 雅夫 / 教授 [詳細] |
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| 性別: |
男性 |
生年: |
西暦1959年 |
| 電話: |
088 - 656 - 9716 |
電子メール: |
n a g a s e (@) e e ₍.₎ t o k u s h i m a - u ₍.₎ a c ₍.₎ j p |
| 学位: |
博士(工学) |
専門分野: |
半導体デバイス物性 (Semiconductor Device Physics) |
| 担当授業科目: |
STEM概論 (学部), ナノエレクトロニクス特論 (大学院), プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体デバイス物理特論 (大学院), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 電子デバイス (学部), 電気・電子材料工学 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部) |
| 研究テーマ: |
半導体デバイスの開発とナノ物性評価技術の研究 (半導体デバイス (semiconductor device), ナノ構造 (nanostructure), シリコン (silicon), グラフェン (graphene), ナノ計測技術 (nanometrology)) |
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敖 金平 / 准教授 [詳細] |
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| 性別: |
男性 |
生年: |
西暦1967年 |
| 電話: |
088 - 656 - 7442 |
電子メール: |
j p a o (@) e e ₍.₎ t o k u s h i m a - u ₍.₎ a c ₍.₎ j p |
| 学位: |
理学博士 |
専門分野: |
電子デバイス (Electronic Devices) |
| 担当授業科目: |
プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体デバイス物理特論 (大学院), 技術英語入門 (学部), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 量子工学基礎 (学部), 電子デバイス特論 (大学院), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学実験3 (学部) |
| 研究テーマ: |
半導体デバイス (半導体 (semiconductor), 電子デバイス (electron device), モノリシック集積回路 (monolithic integrated circuit)) |
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大野 恭秀 / 准教授 [詳細] |
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| 性別: |
男性 |
生年: |
西暦1975年 |
| 電話: |
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電子メール: |
o h n o (@) e e ₍.₎ t o k u s h i m a - u ₍.₎ a c ₍.₎ j p |
| 学位: |
博士(工学) |
専門分野: |
半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics) |
| 担当授業科目: |
半導体デバイス物理特論 (大学院), 工学総合演習 (学部), 技術英語基礎1 (学部), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気電子工学入門実験 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部) |
| 研究テーマ: |
ナノカーボン材料の応用 |
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富田 卓朗 / 准教授 [詳細] |
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| 性別: |
男性 |
生年: |
西暦1975年 |
| 電話: |
088 - 656 - 7445 |
電子メール: |
t o m i t a (@) t o k u s h i m a - u ₍.₎ a c ₍.₎ j p |
| 学位: |
博士(理学) |
専門分野: |
光物質科学, 光物性物理学 (Optical Condensed Matter Physics), 半導体物理学 (Semiconductor Physics) |
| 担当授業科目: |
プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体工学基礎 (学部), 技術者・科学者の倫理 (共通教育), 無機光機能材料論 (大学院), 電気・電子材料特論 (大学院), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部) |
| 研究テーマ: |
レーザー誘起物性改質, レーザー加工, レーザー誘起ナノ周期構造 (フェムト秒レーザー加工・改質 (femtosecond laser processing/modification)), ラマン散乱分光, 超高速時間分解分光, 磁気光学分光 (光物性 (optical properties of solid)), ワイドバンドギャップ半導体における微視的分極理論, 半導体中の電子-格子相互作用 (半導体物理) |
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西野 克志 / 准教授 [詳細] |
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| 性別: |
男性 |
生年: |
西暦1966年 |
| 電話: |
088 - 656 - 7464 |
電子メール: |
n i s h i n o (@) e e ₍.₎ t o k u s h i m a - u ₍.₎ a c ₍.₎ j p |
| 学位: |
博士(工学) |
専門分野: |
半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics) |
| 担当授業科目: |
プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光デバイス工学 (学部), 光半導体デバイス特論 (大学院), 半導体工学基礎 (学部), 半導体工学特論 (大学院), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部) |
| 研究テーマ: |
AlN等窒化物半導体の結晶成長，物性評価，デバイス応用 (AlN, バルク結晶成長, 物性評価) |
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川上 烈生 / 助教 [詳細] |
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| 性別: |
男性 |
生年: |
西暦1971年 |
| 電話: |
088 - 656 - 7441 |
電子メール: |
r e t s u o (@) e e ₍.₎ t o k u s h i m a - u ₍.₎ a c ₍.₎ j p |
| 学位: |
博士(工学) |
専門分野: |
半導体/プラズマエレクトロニクス |
| 担当授業科目: |
電子物理学 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学実験3 (学部) |
| 研究テーマ: |
半導体プラズマ粒子と発光のシナジー効果によるGaNエッチングダメージの解明, DBDプラズマ/プラズマJETのグリーンテクノロジーへの応用, 薄膜系光触媒の反応活性化のための表面処理テクノロジー, LED光触媒反応を応用した鮮度維持テクノロジー, 半導体プラズマ表面反応のモデリング, ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングダメージ解析 (半導体 (semiconductor), 非平衡プラズマ, 窒化物半導体, 薄膜系光触媒, LED, JETプラズマ, DBDプラズマ, バイオ, シナジー効果, 食品, ワイドギャップ半導体) |
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