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酒井 士郎 / 教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1953年
電話: 088 - 656 - 7446 電子メール:  s a k a i (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 工学博士 専門分野: 半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics)
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光デバイス工学 (学部), 光デバイス特論 (大学院), 光半導体デバイス特論 (大学院)
研究テーマ: 窒化物半導体の研究 (窒化ガリウム (gallium nitride), 半導体デバイス (semiconductor devices))
直井 美貴 / 教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1965年
電話: 088 - 656 - 7447 電子メール:  n a o i (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体デバイス, 光工学
担当授業科目: デバイスプロセス特論 (大学院), プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光半導体デバイス特論 (大学院), 技術者・科学者の倫理 (学部), 電子物性工学 (学部), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気磁気学2・演習 (学部), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子工学創成実験 (学部)
研究テーマ: 半導体結晶成長と光デバイス開発 (窒化物, ワイドギャップ半導体, 光デバイス (optical device), 薄膜·結晶成長, 物性評価)
永瀬 雅夫 / 教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1959年
電話: 088 - 656 - 9716 電子メール:  n a g a s e (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体デバイス物性 (Semiconductor Device Physics)
担当授業科目: STEM概論 (学部), ナノエレクトロニクス特論 (大学院), プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体デバイス物理特論 (大学院), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 電子デバイス (学部), 電気・電子材料工学 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部)
研究テーマ: 半導体デバイスの開発とナノ物性評価技術の研究 (半導体デバイス (semiconductor device), ナノ構造 (nanostructure), シリコン (silicon), グラフェン (graphene), ナノ計測技術 (nanometrology))
敖 金平 / 准教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1967年
電話: 088 - 656 - 7442 電子メール:  j p a o (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 理学博士 専門分野: 電子デバイス (Electronic Devices)
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体デバイス物理特論 (大学院), 技術英語入門 (学部), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 量子工学基礎 (学部), 電子デバイス特論 (大学院), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学実験3 (学部)
研究テーマ: 半導体デバイス (半導体 (semiconductor), 電子デバイス (electron device), モノリシック集積回路 (monolithic integrated circuit))
大野 恭秀 / 准教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1975年
電話: 電子メール:  o h n o (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics)
担当授業科目: 半導体デバイス物理特論 (大学院), 工学総合演習 (学部), 技術英語基礎1 (学部), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気電子工学入門実験 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部)
研究テーマ: ナノカーボン材料の応用
川崎 祐 / 准教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1972年
電話: 088 - 656 - 9878 電子メール:
学位: 博士(理学) 専門分野: 物性物理学
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 卒業研究 (学部), 基礎物理学・力学概論 (共通教育), 工業物理学実験 (学部), 強相関物性科学特論 (大学院), 強相関物質科学 (大学院), 応用理数セミナー (学部), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 熱・統計力学 (学部), 物理学基礎実験 (学部), 物理学実験1 (学部), 物理学実験2 (学部), 統計力学 (学部), 量子力学 (学部), 雑誌講読 (学部)
研究テーマ: 強相関電子系における磁性と超伝導の核磁気共鳴による研究 (重い電子系物質 (heavy-fermion compound), 異方的超伝導 (anisotropic superconductivity), 非フェルミ液体 (non-Fermi liquid), 核磁気共鳴 (nuclear magnetic resonance))
富田 卓朗 / 准教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1975年
電話: 088 - 656 - 7445 電子メール:  t o m i t a (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(理学) 専門分野: 光物質科学, 光物性物理学 (Optical Condensed Matter Physics), 半導体物理学 (Semiconductor Physics)
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体工学基礎 (学部), 技術者・科学者の倫理 (共通教育), 無機光機能材料論 (大学院), 電気・電子材料特論 (大学院), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部)
研究テーマ: レーザー誘起物性改質, レーザー加工, レーザー誘起ナノ周期構造 (フェムト秒レーザー加工・改質 (femtosecond laser processing/modification)), ラマン散乱分光, 超高速時間分解分光, 磁気光学分光 (光物性 (optical properties of solid)), ワイドバンドギャップ半導体における微視的分極理論, 半導体中の電子-格子相互作用 (半導体物理)
西野 克志 / 准教授(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1966年
電話: 088 - 656 - 7464 電子メール:  n i s h i n o (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics)
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光デバイス工学 (学部), 光半導体デバイス特論 (大学院), 半導体工学基礎 (学部), 半導体工学特論 (大学院), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部)
研究テーマ: AlN等窒化物半導体の結晶成長,物性評価,デバイス応用 (AlN, バルク結晶成長, 物性評価)
川上 烈生 / 助教(併任)   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1971年
電話: 088 - 656 - 7441 電子メール:  r e t s u o (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体/プラズマエレクトロニクス
担当授業科目: 電子物理学 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学実験3 (学部)
研究テーマ: 半導体プラズマ粒子と発光のシナジー効果によるGaNエッチングダメージの解明, DBDプラズマ/プラズマJETのグリーンテクノロジーへの応用, 薄膜系光触媒の反応活性化のための表面処理テクノロジー, LED光触媒反応を応用した鮮度維持テクノロジー, 半導体プラズマ表面反応のモデリング, ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングダメージ解析 (半導体 (semiconductor), 非平衡プラズマ, 窒化物半導体, 薄膜系光触媒, LED, JETプラズマ, DBDプラズマ, バイオ, シナジー効果, 食品, ワイドギャップ半導体)