検索:
徳島大学ポストLEDフォトニクス研究所
徳島大学理工学部理工学科電気電子システムコース物性デバイス講座
徳島大学研究クラスター群研究クラスター群 (登録)2004007 単結晶グラフェンの先端デバイス応用
徳島大学先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース物性デバイス講座
徳島大学工学部電気電子工学科物性デバイス講座
徳島大学創成科学研究科理工学専攻電気電子システムコース(創成科学研究科)物性デバイス講座(創成科学研究科)
(researchmapへのインポート用ファイル) [PDF解説] [researchmapへの自動反映について]

研究活動

個人のホームページ

専門分野

半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics)

研究テーマ

ナノカーボン材料の応用

著書・論文

学術論文(審査論文):

1. Hiroki Nakai, Daiu Akiyama, Yoshiaki Taniguchi, Iori Kishinobu, Hiromichi Wariishi, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Takuya Ikeda, Atsushi Tabata and Hideaki Nagamune :
Charge-independent protein adsorption characteristics of epitaxial graphene field-effect transistor on SiC substrate,
Journal of Applied Physics, Vol.130, No.7, 074502-1-074502-8, 2021.
(徳島大学機関リポジトリ: 116163,   DOI: 10.1063/5.0054688)
2. Murakami Naruse, Sugiyama Yoshiki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Blackbody-like infrared radiation in stacked graphene P-N junction diode,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.60, No.SC, SCCD01-(4pp), 2021.
(徳島大学機関リポジトリ: 115744,   DOI: 10.35848/1347-4065/abe208)
3. Kujime Takaya, Taniguchi Yoshiaki, Akiyama Daiu, Kawamura Yusuke, Kanai Yasushi, Matsumoto Kazuhiko, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
High Stability of Epitaxial Graphene on a SiC Substrate,
Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, Vol.256, 1900357, 2019.
(DOI: 10.1002/pssb.201900357)
4. Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Yukihiro Arakawa and Mikito Yasuzawa :
Observation of the interaction between avidin and iminobiotin using a graphene FET on a SiC substrate,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.58, No.SD, SDDD02, 2019.
(DOI: 10.7567/1347-4065/ab0544,   Elsevier: Scopus)
5. Du Jiyao, Kimura Yukinobu, Tahara Masaaki, Matsui Kazushi, Teratani Hitoshi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Vertically stacked graphene tunnel junction with structured water barrier,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.58, No.SD, SDDE01-(4pp), 2019.
(徳島大学機関リポジトリ: 113469,   DOI: 10.7567/1347-4065/ab0891)
6. Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Yukihiro Arakawa, Yasushi Imada, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Suppression of protein adsorption on a graphene surface by phosphorylcholine functionalization,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.58, No.5, 055001, 2019.
(DOI: 10.7567/1347-4065/ab0b37,   Elsevier: Scopus)
7. Terasawa Daiju, Fukuda Akira, Fujimoto Akira, Yasuhide Ohno, Kanai Yasushi and Matsumoto Kazuhiko :
Universal Conductance Fluctuation Due to Development of Weak Localization in Monolayer Graphene,
Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, Vol.256, No.6, 1800515, 2019.
(DOI: 10.1002/pssb.201800515,   Elsevier: Scopus)
8. Singh Rupesh, Kawahara Toshio, Ohmi Yuhsuke, Yasuhide Ohno, Maehashi Kenzo, Matsumoto Kazuhiko, Okamoto Kazumasa, Utsunomiya Risa and Yoshimura Masamichi :
Effects of low temperature buffer on carbon nano walls growth,
Materials Today. Communications, Vol.17, 94-99, 2018.
(DOI: 10.1016/j.mtcomm.2018.08.012)
9. Kawata Takuya, Ono Takao, Kanai Yasushi, Yasuhide Ohno, Maehashi Kenzo, Inoue Koichi and Matsumoto Kazuhiko :
Improved sensitivity of a graphene FET biosensor using porphyrin linkers,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.6, 065103, 2018.
(DOI: 10.7567/JJAP.57.065103,   Elsevier: Scopus)
10. Tung Thanh Nguyen, Tue Trong Phan, Lien Thi Ngoc Truong, Yasuhide Ohno, Maehashi Kenzo, Matsumoto Kazuhiko, Nishigaki Koichi, Biyani Manish and Takamura Yuzuru :
Peptide aptamer-modified single-walled carbon nanotube-based transistors for high-performance biosensors,
Scientific Reports, Vol.7, No.1, 17881, 2017.
(徳島大学機関リポジトリ: 114962,   DOI: 10.1038/s41598-017-18169-1,   PubMed: 29263412,   Elsevier: Scopus)
11. Kitaoka Makoto, Nagahama Takuya, Nakamura Kohta, Aritsuki Takuya, Takashima Kazuya, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.56, No.8, 085102-(4pp), 2017.
(徳島大学機関リポジトリ: 111938,   DOI: 10.7567/JJAP.56.085102)
12. D. Terasawa, A. Fukuda, A. Fujimoto, Yasuhide Ohno, Y. Kanai and K. Matsumoto :
Relationship between conductance fluctuation and weak localization in graphene,
Physical Review B, Vol.95, No.12, 125427, 2017.
(DOI: 10.1103/PhysRevB.95.125427)
13. Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Fabrication of hydrophilic graphene film by molecular functionalization,
Physica Status Solidi (B) Basic Solid State Physics : PSS, Vol.254, No.2, 1600524-(4pp), 2016.
(DOI: 10.1002/pssb.201600524)
14. Yasuhide Ohno, Kanai Yasushi, Mori Yuki, Masao Nagase and Matsumoto Kazuhiko :
Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.6S1, 06GF09, 2016.
(DOI: 10.7567/JJAP.55.06GF09,   Elsevier: Scopus)
15. Aritsuki Takuya, Nakashima Takeshi, Kobayashi Keisuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique,
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.55, No.6, 06GF03-(4pp), 2016.
(徳島大学機関リポジトリ: 110895,   DOI: 10.7567/JJAP.55.06GF03,   Elsevier: Scopus)
16. Masatoshi Nakamura, Yasushi Kanai, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto :
Graphene-FET-based gas sensor properties depending on substrate surface conditions,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, No.6S1, 06FF11, 2015.
(DOI: 10.7567/JJAP.54.06FF11,   Elsevier: Scopus)
17. Fan Yang, A.A. Taskin, Satoshi Sasaki, Kouji Segawa, Yasuhide Ohno, Kazuhiko Matsumoto and Yoichi Ando :
Dual-Gated Topological Insulator Thin-Film Device for Efficient Fermi-Level Tuning,
ACS Nano, Vol.9, No.4, 4050-4055, 2015.
(DOI: 10.1021/acsnano.5b00102,   PubMed: 25853220,   Elsevier: Scopus)
18. Akira Fukuda, Daiju Terasawa, Yasuhide Ohno and Kazuhiko Matsumoto :
Effect of the Inert Gas Adsorption on the Bilayer Graphene to the Localized Electron Magnetotransport,
Journal of Physics: Conference Series, Vol.568, No.5, 052009, 2014.
(DOI: 10.1088/1742-6596/568/5/052009,   Elsevier: Scopus)
19. Takashi Ikuta, Kenta Gumi, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto :
Direct graphene synthesis on a Si/SiO2 substrate by a simple annealing process,
Materials Research Express, Vol.1, No.2, 025028, 2014.
(DOI: 10.1088/2053-1591/1/2/025028)
20. Toshio Kawahara, Satarou Yamaguchi, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Kazuhiko Matsumoto and Kazumasa Okamoto :
Carbon Nanowall Field Effect Transistors Using a Self-Aligned Growth Process,
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol.12, 225-229, 2014.
(DOI: 10.1380/ejssnt.2014.225)
21. Toshio Kawahara, Satarou Yamaguchi, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Kazuhiko Matsumoto, Kazumasa Okamoto, Risa Utsunomiya, Teruaki Matsuba, Yuki Matsuoka and Masamichi Yoshimura :
Raman spectral mapping of self-aligned carbon nanowalls,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.5S1, 05FD10, 2014.
(DOI: 10.7567/JJAP.53.05FD10,   CiNii: 210000143823)
22. Masaki Hasegawa, Yuki Hirayama, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi and Kazuhiko Matsumoto :
Characterization of reduced graphene oxide field-effect transistor and its application to biosensor,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.5S1, 05FD05, 2014.
(DOI: 10.7567/JJAP.53.05FD05,   CiNii: 210000143818)
23. Kohei Seike, Yusuke Fujii, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue and Kazuhiko Matsumoto :
Floating-gated memory based on carbon nanotube field-effect transistors with Si floating dots,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.4S, 04EN07, 2014.
(DOI: 10.7567/JJAP.53.04EN07,   CiNii: 210000143692,   Elsevier: Scopus)
24. Kazuhiko Matsumoto, Kenzo Maehashi, Yasuhide Ohno and Koichi Inoue :
Recent advances in functional graphene biosensors,
Journal of Physics D: Applied Physics, Vol.47, No.9, 094005, 2014.
(DOI: 10.1088/0022-3727/47/9/094005,   Elsevier: Scopus)
25. Yusuke Yamashiro, Koichi Inoue, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi and Kazuhiko Matsumoto :
Enhancement of ElectronPhonon Interaction by Band-Gap Opening in Bilayer Graphene,
Journal of the Physical Society of Japan, Vol.83, No.3, 034703, 2014.
(DOI: 10.7566/JPSJ.83.034703)

学術レター:

1. Mitsuno Takanori, Taniguchi Yoshiaki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Ion sensitivity of large-area epitaxial graphene film on SiC substrate,
Applied Physics Letters, Vol.111, 213103-(4pp), 2017.
(DOI: 10.1063/1.4994253)
2. Fan Yang, A.A. Taskin, Satoshi Sasaki, Kouji Segawa, Yasuhide Ohno, Kazuhiko Mastumoto and Yoichi Ando :
Top gating of epitaxial (Bi1-xSbx)2Te3 topological insulator thin films,
Applied Physics Letters, Vol.104, No.16, 161614, 2014.
(DOI: 10.1063/1.4873397)

国際会議:

1. Nakagawa Yoshinori, Okauchi Shigeki, Sano Masahiko, Takashi Mukai, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Deep ultraviolet light detection by AlGaN/Gr hetero junction photodiode array,
34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021), No.P21-10, Online, Oct. 2021.
2. Kataoka Taichi, Fukunaga Fumiya, Murakami Naruse, Sugiyama Yoshiki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Far-infrared emission from graphene on SiC by current injection,
34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021), No.P21-1, Online, Oct. 2021.
3. Nakai Hiroki, Akiyama Daiu, Taniguchi Yoshiaki, Kishinobu Iori, Ikeda Takuya, Atsushi Tabata, Hideaki Nagamune, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Protein detection by electron donor using epitaxial graphene film on SiC substrate,
33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2020), No.2020-21-12, Online, Nov. 2020.
4. Murakami Naruse, Sugiyama Yoshiki, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
BLACKBODY-LIKE INFRARED RADIATION IN STACKED GRAPHENE PN JUNCTION DIODE,
33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2020), No.2020-21-14, Online, Nov. 2020.
5. Yasuhide Ohno, Mitsuno Takanori, Taniguchi Yoshiaki and Masao Nagase :
1-aminopyrene-modified epitaxial graphene device for pH sensors,
Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019, TuC1-3, May 2019.
(DOI: 10.1109/ICIPRM.2019.8819347)
6. Kujime Takaya, Taniguchi Yoshiaki, Akiyama Daiu, Kawamura Yusuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
High Stability of the epitaxial graphene film on SiC substrate,
Proceedings of Compound Semiconductor Week 2019, MoP-1-10, May 2019.
(DOI: 10.1109/ICIPRM.2019.8819200)
7. Ono Ryosuke, Masashi Kurashina, Mikito Yasuzawa, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Fabrication of Nanopillars Using Focus Ion Beam-Chemical Vapor Deposition Method,
5th International Forum on Advanced Technologies, Taipei, Mar. 2019.
8. Du Jiyao, Kimura Yukinobu, Tahara Masaaki, Matsui Kazushi, Teratani Hitoshi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Vertically stacked graphene tunnel junction with ultrathin water layer barrier,
31th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018), No.16P-11-27, Sapporo, Japan, Nov. 2018.
9. Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Yukihiro Arakawa and Mikito Yasuzawa :
Observation of the interaction between avidin and iminobiotin using graphene FET on SiC substrate,
31th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2018), No.16P-11-3, Sapporo, Japan, Nov. 2018.
10. Masaki Kuzuo, Kazushi Matsui, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Mechanical Properties of Structured Water Layer on Epitaxial Graphene,
ACSIN-14 & ICSPM26, No.22P032, 42-(0.5pp), Sendai International Center, Sendai, Japan, Oct. 2018.
11. Yasuhide Ohno, Yoshiaki Taniguchi and Masao Nagase :
Electrical characteristics of positively and negatively charged protein adsorption to epitaxial graphene film on SiC substrate,
Proceedings of 2017 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, Nov. 2017.
12. Kitaoka Makoto, Nakamura Kota, Teratani Hitoshi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Water adsorption and desorption for graphene on SiC,
International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017), No.P6, 44, Nagoya, Japan, Nov. 2017.
13. Taniguchi Yoshiaki, Milki Tsubasa, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Yukihiro Arakawa, Yasushi Imada, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Intrinsic response of protein adsorption to graphene film on SiC substrate,
Proceedings of 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep. 2017.
14. Tsuyoshi Tsuda, Mikito Yasuzawa, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Electrical characteristic evaluation of Graphene on SiC,
International Conference on Advanced Materials Development and Performance 2017, Pune, Jul. 2017.
15. Yasuhide Ohno, Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi and Masao Nagase :
Intrinsic ion sensitivity of graphene field-effect transistors,
2016 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, Dec. 2016.
16. Kitaoka Makoto, Nagahama Takuya, Nakamura Kohta, Takashima Kazuya, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Carrier doping effect of humidity for single-crystal graphene on SiC,
29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-24, Kyoto, Japan, Nov. 2016.
17. Taniguchi Yoshiaki, Miki Tsubasa, Mitsuno Takanori, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Protein adsorption characteristics on bare and phosphorylcholine-modified graphene films on SiC substrate,
29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016), No.11P-11-16, Kyoto, Japan, Nov. 2016.
18. Ono Takao, Kanai Yasushi, Yasuhide Ohno, Maehashi Kenzo, Inoue Koichi and Matsumoto Kazuhiko :
An Application of Graphene Field Effect Transistor to Enzymatic Assay,
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016.
19. Takanori Mitsuno, Yoshiaki Taniguchi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Intrinsic pH Sensitivity of Graphene Field-Effect Transistors,
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016.
20. Yoshiaki Taniguchi, Tsubasa Miki, Takanori Mitsuno, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Keiji Minagawa and Mikito Yasuzawa :
Hydrophilic Graphene Film by Molecular Functionalization,
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016.
21. Kanai Yasushi, Ikuta Takashi, Ono Takao, Yasuhide Ohno, Maehashi Kenzo, Inoue Koichi and Matsumoto Kazuhiko :
Detection Kondo effect in Graphene Quantum Dots,
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor, Jun. 2016.
22. Yasuhide Ohno, Masao Nagase and Matsumoto Kazuhiko :
Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates,
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), No.12P-7-28, Toyama, Japan, Nov. 2015.
23. Aritsuki Takuya, Nakashima Takeshi, Kobayashi Keisuke, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
High quality graphene on SiC formed by the surface structure control technique,
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), No.12P-7-16, Toyama, Japan, Nov. 2015.

国内講演発表:

1. 片岡 大治, 杉山 良輝, 村上 成汐, 福永 郁也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC 上グラフェンへの電流注入による赤外線放射の観測,
第82回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.11a-N306-6, 2021年9月.
2. 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
液浸ラマン分光法を用いた SiC 上グラフェンのタンパク質吸着特性評価,
第68回応用物理学会春季学術講演会, Vol.19p-P01-6, 2021年3月.
3. 左海 夏輝, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
エピタキシャルグラフェン上の固液界面の液中観察,
第68回応用物理学会春季学術講演会, Vol.17a-Z31-7, 2021年3月.
4. 木下 智裕, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
液滴による電位差発生現象におけるバッファ層の影響,
第68回応用物理学会春季学術講演会, Vol.16p-Z31-12, 2021年3月.
5. 南 朋貴, 越智 柊太, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC上グラフェンの 水脱離によるシート抵抗変化,
第81回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.9p-Z29-8, 2020年9月.
6. 岸信 伊織, 秋山 大宇, 中井 寛喜, 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 長宗 秀明, 永瀬 雅夫 :
高い等電点を持つタンパク質のSiC上グラフェンへの吸着特性,
2020年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, Vol.Ga-2, 2020年8月.
7. 村上 成汐, 杉山 良輝, 田原 雅章, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
積層グラフェン p-n 接合の赤外線放射特性,
第67回応用物理学会春季学術講演会, Vol.14a-A404-1, 2020年3月.
8. 中村 俊輔, 都 継瑶, 葛尾 理樹, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
エピタキシャルグラフェン上構造水層の電子輸送特性,
第67回応用物理学会春季学術講演会, Vol.13p-A401-6, 2020年3月.
9. 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC 上グラフェン FET のタンパク質吸着特性とキャリア伝導,
第67回応用物理学会春季学術講演会, Vol.13a-A401-6, 2020年3月.
10. 大野 恭秀, 川越 悠斗, 谷口 嘉昭, 永瀬 雅夫 :
溶液ゲートグラフェン FET における電気二重層の役割,
第67回応用物理学会春季学術講演会, Vol.13a-A401-5, 2020年3月.
11. 杉山 良輝, 都 継瑶, 久次米 孝哉, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC上グラフェンの赤外線放射特性の観測,
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.18a-E308-3, 2019年9月.
12. 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
ホール効果測定によるSiC上グラフェンのタンパク質吸着特性評価,
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.18p-E308-14, 2019年9月.
13. 山添 直里, 大坂 勇貴, 谷口 嘉昭, 永瀬 雅夫, 大野 恭秀, 岡本 敏弘, 原口 雅宣 :
金ナノ粒子のプラズモン加熱を用いた穴あきグラフェンの作製,
レーザー学会学術講演会第39回年次大会, No.14-6, 2019年1月.
14. 割石 大道, 葛尾 理樹, 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
溶液中におけるSiC上グラフェンFETのドリフト評価,
第10回「集積化MEMSシンボジウム」, 01am2-C-5-(3pp), 2018年11月.
15. 谷口 嘉昭, 三木 翼, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 荒川 幸弘, 安澤 幹人 :
SiC 上グラフェンFETを用いたアビジン-イミノビオチン相互作用の観測,
第10回「集積化MEMSシンボジウム」, 01am2-C-1-(3pp), 2018年11月.
16. 越智 柊太, 寺谷 仁志, 北岡 誠, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC上グラフェンの高感度ガス応答,
第10回「集積化MEMSシンボジウム」, 31pm2-C-2-(3pp), 2018年10月.
17. 川越 悠斗, 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
グラフェン FET 特性の緩衝液濃度依存性,
第10回「集積化MEMSシンボジウム」, 30pm2-A-3-(3pp), 2018年10月.
18. 葛尾 理樹, 山田 祐輔, 松井 一史, 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
エピタキシャルグラフェン上構造水層の機械特性,
第79回応用物理学会秋季学術講演会(応物2018秋), No.21a-311-14, 15-216-(1pp), 2018年9月.
19. 小野 尭生, 谷口 嘉昭, 牛場 翔太, 金井 康, 前橋 兼三, 井上 恒一, 渡邊 洋平, 中北 愼一, 鈴木 康夫, 河原 敏男, 木村 雅彦, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 松本 和彦 :
SiC 上グラフェンの糖鎖機能化によるインフルエンザウイルス検出,
第79回応用物理学会秋季学術講演会(応物2018秋), No.20p-311-4, 15-186-(1pp), 2018年9月.
20. 谷口 嘉昭, 高村 真琴, 谷保 芳孝, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
p 型 SiC 上グラフェンのタンパク質吸着特性,
第79回応用物理学会秋季学術講演会(応物2018秋), No.20p-311-3, 15-185-(1pp), 2018年9月.
21. 秋山 大宇, 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC 上グラフェンのタンパク質吸着特性における pH 依存性,
第79回応用物理学会秋季学術講演会(応物2018秋), No.20p-311-2, 15-184-(1pp), 2018年9月.
22. 谷口 嘉昭, 三木 翼, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 荒川 幸弘, 今田 泰嗣, 南川 慶二, 安澤 幹人 :
イミノビオチン修飾グラフェンによるアビジン吸着特性の pH 制御,
第65回応用物理学会春季学術講演会(応物2018春), No.18a-C202-10, 15-057-(1pp), 2018年3月.
23. Du Jiyao, Kimura Yukinobu, Tahara Masaaki, Matsui Kazushi, Teratani Hitoshi, Yasuhide Ohno and Masao Nagase :
Vertically stacked graphene tunneling junction with insulative water layer,
第65回応用物理学会春季学術講演会(応物2018春), No.18a-C202-11, 15-058-(1pp), Mar. 2018.
24. 寺谷 仁志, 北岡 誠, 松井 一史, 田原 雅章, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC 上グラフェンへの水ドーピング効果の評価,
第65回応用物理学会春季学術講演会(応物2018春), No.17a-C202-7, 15-007-(1pp), 2018年3月.
25. 田原 雅章, 河村 祐輔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC 上グラフェン高品質化に向けたグラフェン成長過程の解明,
平成 29 年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会・講演会, P8-(4pp), 2018年1月.
26. 河村 祐輔, 森本 征士, 北岡 誠, 田原 雅章, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
顕微ラマン分光法による機能化 iC 上グラフェンの応力とキャリア密度の定量評価,
平成 29 年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会・講演会, P9-(4pp), 2018年1月.
27. 谷口 嘉昭, 三木 翼, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 荒川 幸弘, 今田 泰嗣, 南川 慶二, 安澤 幹人 :
分子修飾技術を用いたグラフェン表面のタンパク質吸着抑制,
平成 29 年度第 4 回半導体エレクトロニクス部門委員会・講演会, P10-(4pp), 2018年1月.
28. 谷口 嘉昭, 三木 翼, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 荒川 幸弘, 今田 泰嗣, 南川 慶二, 安澤 幹人 :
ホスホリルコリン修飾グラフェンのタンパク質吸着特性,
第9回「集積化MEMSシンボジウム」, 02am2-B-2-(3pp), 2017年11月.
29. 杉岡 賢人, 谷口 嘉昭, 三木 翼, 田原 雅章, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 荒川 幸弘, 南川 慶二, 今田 泰嗣, 安澤 幹人 :
SiC グラフェンを用いた親水化処理における修飾分子依存性,
第78回応用物理学会秋季学術講演会(応物2017秋), No.8a-C16-16, 15-186-(1pp), 2017年9月.
30. 松井 一史, 中村 晃大, 北岡 誠, 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
ケルビンフォース顕微鏡を用いた SiC 上グラフェン構造水層の観察,
第78回応用物理学会秋季学術講演会(応物2017秋), No.7p-C16-14, 15-165-(1pp), 2017年9月.
31. 谷口 嘉昭, 三木 翼, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 荒川 幸弘, 今田 泰嗣, 南川 慶二, 安澤 幹人 :
ホスホリルコリン修飾によるグラフェン表面のタンパク質吸着抑制,
電子デバイス研究会(ED), 13, 2017年8月.
32. 森高 恭平, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
イオン性ゲルを用いたSiC上グラフェンデバイスの特性評価,
第8回集積化 MEMS 技術研究ワークショップ, No.P8, 2017年7月.
33. 木村 幸将, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiCグラフェン積層構造における電気特性の角度依存性,
第8回集積化 MEMS 技術研究ワークショップ, No.P1, 2017年7月.
34. 礒合 俊輔, 安澤 幹人, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC 上グラフェンの電気特性評価,
電気化学会第84回大会, 2017年3月.
35. 谷口 嘉昭, 三木 翼, 光野 琢仁, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 南川 慶二, 安澤 幹人 :
分子修飾機能化による SiC 上グラフェンの非特異吸着の抑制,
第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-7, 15-085-(1pp), 2017年3月.
36. 北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC 上グラフェンの水吸着によるキャリア密度変化,
第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-B6-6, 15-084-(1pp), 2017年3月.
37. 朴 理博, 永瀬 雅夫, 大野 恭秀 :
集束イオンビームを用いたステンシルリソグラフィ技術のための Sub10nm パターンの作製,
第64回応用物理学会春季学術講演会(応物2017春), No.15a-304-2, 2017年3月.
38. 谷口 嘉昭, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC上グラフェンのタンパク質吸着特性, --- ∼分子修飾による高性能バイオセンサの実現に向けて∼ ---,
サイエンスプラザ2016, No.52, 2016年11月.
39. 谷口 嘉昭, 三木 翼, 光野 琢仁, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 南川 慶二, 安澤 幹人 :
新規合成分子を用いた表面修飾による単結晶グラフェンの親水化,
第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-017, 2016年10月.
40. 北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC 上グラフェンのシート抵抗の湿度依存性,
第8回集積化MEMSシンボジウム, No.25pm4-PM-016, 2016年10月.
41. 大野 恭秀, 光野 琢仁, 谷口 嘉昭, 永瀬 雅夫 :
グラフェン本来のイオンセンシング特性,
第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-10, 2016年9月.
42. 北岡 誠, 永濱 拓也, 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
SiC 上グラフェンの水脱離による導電率変化,
第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.15p-A33-2, 2016年9月.
43. 山田 祐輔, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
走査プローブ顕微鏡を用いた SiC 上グラフェンの実効ヤング率計測,
第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-4, 2016年9月.
44. 森本 征士, 有月 琢哉, 青木 翔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
顕微ラマン分光法による SiC 上グラフェンの応力とキャリア密度の面内分布評価,
第77回応用物理学会秋季学術講演会(応物2016秋), No.13a-A32-3, 2016年9月.
45. 中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 永濱 拓也, 北岡 誠, 永瀬 雅夫, 大野 恭秀 :
エピタキシャルグラフェン上の吸着水層,
第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春), No.22a-S011-13, 2016年3月.
46. 楊 順涵, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
ロジウム - 二硫化モリブデン - グラフェンヘテロ接合の電気特性に関する研究,
第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春), No.22a-S011-10, 2016年3月.
47. 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 松本 和彦 :
Cat-CVD 法による SiNx 絶縁膜を用いた SiC グラフェン FET の作製,
第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋), No.15a-2T-1, 2015年9月.
48. 永濱 拓也, 小林 慶祐, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 青木 翔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫 :
雰囲気制御による SiC 上グラフェンの抵抗値変化,
第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋), No.15a-2T-9, 2015年9月.

その他・研究会:

1. 永瀬 雅夫, 大野 恭秀 :
SiC上グラフェンを用いた黒体輻射エミッタ,
LED総合フォーラム2020in徳島, No.P-15, 101-102, 2020年2月.
2. 永瀬 雅夫, 大野 恭秀 :
単結晶グラフェン積層接合デバイス,
LED総合フォーラム2019in徳島, No.P-14, 85-86, 2019年2月.
3. 永瀬 雅夫, 大野 恭秀, 安澤 幹人 :
集束イオンビーム技術によるナノ電極プローブの開発,
社会産業理工学研究交流会2018, No.No.27, 2018年9月.
4. 永瀬 雅夫, 大野 恭秀 :
大面積単結晶グラフェン膜の合成とデバイス応用,
計量計測展2018, Vol.M-34-18, 2018年9月.

科学研究費補助金 (KAKEN Grants Database @ NII.ac.jp)

  • エピタキシャルグラフェンを用いた高出力テラヘルツLEDの実現 (研究課題/領域番号: 21H01394 )
  • エピタキシャルグラフェンによる電荷移動型FETバイオセンサの開発 (研究課題/領域番号: 19H02582 )
  • 核形成位置制御法によるグラフェン素子の作製とインフルエンザウイルスの高感度検出 (研究課題/領域番号: 15H03986 )
  • 機能化グラフェンアレイ構造を用いた高機能イメージバイオセンサの開発 (研究課題/領域番号: 15H03551 )
  • 異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究 (研究課題/領域番号: 26289107 )
  • 新規ナノカーボン材料の表面/界面修飾による特性制御とデバイス応用 (研究課題/領域番号: 25110007 )
  • イオン液体ゲート電界印加グラフェンのバンドギャップ生成制御とナノデバイスの開発 (研究課題/領域番号: 24310105 )
  • グラフェントランジスタを用いたバイオセンシング技術の開発 (研究課題/領域番号: 22760541 )
  • カーボンナノチューブ多項目高感度バイオセンサーアレイの開発 (研究課題/領域番号: 19510129 )
  • カーボンナノチューブバイオセンサー (研究課題/領域番号: 19054011 )
  • 研究者番号(90362623)による検索