| 岡田 達也 (25.1%) / 教授 [詳細] |
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| 学位: |
Ph.D. |
| 専門分野: |
組織制御, 結晶欠陥 (Crystallographic Defect) |
| 担当授業科目: |
STEM演習 (学部), オリエンテーション3年 (学部), プレゼンテーション技法(D) (大学院), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 機械材料学1 (学部), 機械材料物性特論 (大学院), 結晶物性制御特論 (大学院) |
| 研究テーマ: |
純金属の変形·再結晶微細組織のSEM/EBSD法による解析 (組織制御, 再結晶, 結晶塑性, 単結晶, 双結晶, 三重結晶, SEM/EBSD), 半導体中の結晶欠陥の透過電子顕微鏡観察 (炭化ケイ素 (SiC), 結晶欠陥 (crystallographic defect), エピタキシャル膜 (epitaxial film), 透過電子顕微鏡法 (transmission electron microscopy), ダイヤモンド (diamond)) |
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| 植木 智之 (9.2%) / 技術専門職員 [詳細] |
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| 直井 美貴 (6.9%) / 教授 [詳細] |
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| 学位: |
博士(工学) |
| 専門分野: |
半導体光デバイス, 光工学 |
| 担当授業科目: |
オリエンテーション1年 (学部), フォトニックデバイス作製演習 (大学院), プレゼンテーション技法(D) (大学院), 光デバイス特論 (大学院), 光半導体デバイス特論 (大学院), 理工学特別実習 (大学院), 科学技術論D (大学院), 電子物性工学 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子システム特別研究 (大学院), 電気電子工学創成実験 (学部) |
| 研究テーマ: |
半導体結晶成長と光デバイス開発 (窒化物, ワイドギャップ半導体, 光デバイス (optical device), 薄膜·結晶成長, 物性評価) |
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| 久澤 大夢 (5.1%) / 助教 [詳細] |
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| 学位: |
博士(工学) |
| 専門分野: |
金属材料学 (Metallic Materials) |
| 担当授業科目: |
オリエンテーション1年 (学部), オリエンテーション3年 (学部), 力学基礎2 (学部), 基礎機械CAD製図 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 機械科学実験3 (学部), 機械科学特別輪講 (大学院) |
| 研究テーマ: |
Ni基耐熱合金における組織制御 (ニッケル基耐熱合金, 組織制御, 画像処理 (image processing), 透過電子顕微鏡法 (transmission electron microscopy), 熱処理) |
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| 髙島 祐介 (1.6%) / 助教 [詳細] |
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| 学位: |
博士(工学) |
| 専門分野: |
光デバイス (Optical Device), ナノフォトニクス (Nanophotonics), 半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics) |
| 担当授業科目: |
理工学特別実習 (大学院), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子システム特別研究 (大学院), 電気電子システム特別輪講 (大学院), 電気電子工学創成実験 (学部), 電気電子工学特別講義 (学部) |
| 研究テーマ: |
ナノ構造の光デバイス応用 (ナノ構造 (nanostructure), 光デバイス (photonic device)) |
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| 永松 謙太郎 (1.2%) / 准教授 [詳細] |
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| 学位: |
博士(工学) |
| 専門分野: |
電気電子工学 (Electrical and Electronic Engineering) |
| 担当授業科目: |
理工学特別実習 (大学院), 電気電子システム特別研究 (大学院), 電気電子工学創成実験 (学部), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学実験3 (学部) |
| 研究テーマ: |
電子・電気材料工学 (窒化物半導体 (nitride semiconductor), 発光ダイオード (light emitting diode), レーザダイオード (laser diode), トランジスタ (transistor), プロセス (process)) |
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| 永瀬 雅夫 (1.0%) / 教授 [詳細] |
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| 学位: |
博士(工学) |
| 専門分野: |
半導体デバイス物性 (Semiconductor Device Physics) |
| 担当授業科目: |
ナノエレクトロニクス特論 (大学院), プレゼンテーション技法(D) (大学院), 半導体デバイス物理特論 (大学院), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 理工学特別実習 (大学院), 電子デバイス (学部), 電気・電子材料工学 (学部), 電気電子システム特別研究 (大学院), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学特別講義 (学部) |
| 研究テーマ: |
半導体デバイスの開発とナノ物性評価技術の研究 (半導体デバイス (semiconductor device), ナノ構造 (nanostructure), シリコン (silicon), グラフェン (graphene), ナノ計測技術 (nanometrology)) |
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| 西野 克志 (0.4%) / 准教授 [詳細] |
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| 学位: |
博士(工学) |
| 専門分野: |
半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics) |
| 担当授業科目: |
プレゼンテーション技法(D) (大学院), 光デバイス工学 (学部), 光半導体デバイス特論 (大学院), 半導体工学基礎 (学部), 半導体工学特論 (大学院), 卒業研究 (学部), 理工学特別実習 (大学院), 量子工学基礎 (学部), 雑誌講読 (学部), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子システム特別研究 (大学院), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学特別講義 (学部) |
| 研究テーマ: |
AlN等窒化物半導体の結晶成長，物性評価，デバイス応用 (AlN, バルク結晶成長, 物性評価) |
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| 菅野 智士 (0.2%) / 技術専門職員 [詳細] |
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