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徳島大学大学院社会産業理工学研究部理工学域電気電子系物性デバイス分野
徳島大学理工学部理工学科電気電子システムコース物性デバイス講座
徳島大学研究クラスター群研究クラスター群 (登録)1803010 p型窒化物半導体へのオーミック電極作製技術の開発
徳島大学先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース物性デバイス講座
徳島大学工学部電気電子工学科物性デバイス講座
徳島大学創成科学研究科理工学専攻電気電子システムコース(創成科学研究科)物性デバイス講座(創成科学研究科)
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関連情報

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関連のある学内の研究者

岡田 達也 (20.8%) / 教授   [詳細]
Portrait
性別: 男性 生年: 西暦1963年
電話: 電子メール:  t a t s u y a - o k a d a (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: Ph.D. 専門分野: 組織制御, 結晶欠陥 (Crystallographic Defect)
担当授業科目: STEM演習 (学部), もの作り創造材料学 (学部), オリエンテーション3年 (学部), プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 創造基礎実習 (学部), 卒業研究 (学部), 工業科教育法Ⅰ (学部), 工業英語1 (学部), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 材料物性特論 (大学院), 材料科学 (学部), 機械創造システム工学演習 (大学院), 機械創造システム工学特別実験 (大学院), 機械創造システム工学論文輪講 (大学院), 機械材料学1 (学部), 機械材料物性特論 (大学院), 理工学概論 (共通教育), 結晶物性制御特論 (大学院), 雑誌講読 (学部)
研究テーマ: 純金属の変形·再結晶組織のSEM/EBSD法による解析 (組織制御, 再結晶, 結晶塑性, 単結晶, 双結晶, SEM/EBSD), SiC薄膜中の結晶欠陥の透過電子顕微鏡観察 (炭化ケイ素 (SiC), 結晶欠陥 (crystallographic defect), エピタキシャル膜 (epitaxial film), 透過電子顕微鏡法 (transmission electron microscopy))
植木 智之 (7.5%) / 技術員   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1984年
電話: 088 - 656 - 7397 電子メール:  u e k i . t o m o y u k i (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 専門分野:
研究テーマ:
直井 美貴 (6.6%) / 教授   [詳細]
Portrait
性別: 男性 生年: 西暦1965年
電話: 088 - 656 - 7447 電子メール:  n a o i (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体光デバイス, 光工学
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光デバイス特論 (大学院), 光半導体デバイス特論 (大学院), 科学技術論D (大学院), 電子物性工学 (学部), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気磁気学2・演習 (学部), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子システム特別研究 (大学院), 電気電子創生工学特別実験1 (大学院), 電気電子創生工学輪講及び演習1 (大学院), 電気電子工学創成実験 (学部)
研究テーマ: 半導体結晶成長と光デバイス開発 (窒化物, ワイドギャップ半導体, 光デバイス (optical device), 薄膜·結晶成長, 物性評価)
北田 貴弘 (3.8%) / 特任教授   [詳細]
Portrait
性別: 男性 生年: 西暦1970年
電話: 088 - 656 - 7670 電子メール:  t . k i t a d a (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体量子工学 (Semiconductor Quantum Engineering)
担当授業科目: プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体ナノテクノロジー基礎論 (学部), 半導体ナノテクノロジー特論 (大学院), 量子ナノ半導体工学特論 (大学院)
研究テーマ: 分子線エピタキシー法による半導体ナノ構造の作製に関する研究 (半導体ナノ構造 (semiconductor nanostructures), 分子線エピタキシー (molecular beam epitaxy))
久澤 大夢 (3.5%) / 助教   [詳細]
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性別: 男性 生年: 西暦1989年
電話: 0886567361 電子メール:  h i s a z a w a . h i r o m u (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 金属材料学 (Metallic Materials)
担当授業科目: オリエンテーション3年 (学部), 力学基礎2 (学部), 基礎機械CAD製図 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 機械工学実験 (学部), 機械工学輪講 (学部), 機械科学実験3 (学部), 理工学概論 (共通教育), 解析力学2 (学部)
研究テーマ: Ni基耐熱合金における組織制御 (ニッケル基耐熱合金, 組織制御, 画像処理 (image processing), 透過電子顕微鏡法 (transmission electron microscopy), 熱処理)
永瀬 雅夫 (1.2%) / 教授   [詳細]
Portrait
性別: 男性 生年: 西暦1959年
電話: 088 - 656 - 9716 電子メール:  n a g a s e (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体デバイス物性 (Semiconductor Device Physics)
担当授業科目: STEM概論 (学部), ナノエレクトロニクス特論 (大学院), プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 半導体デバイス物理特論 (大学院), 技術英語基礎1 (学部), 技術英語基礎2 (学部), 理工学特別実習 (大学院), 電子デバイス (学部), 電気・電子材料工学 (学部), 電気電子システム特別研究 (大学院), 電気電子創生工学輪講及び演習2 (大学院), 電気電子工学基礎実験 (学部), 電気電子工学輪講 (学部)
研究テーマ: 半導体デバイスの開発とナノ物性評価技術の研究 (半導体デバイス (semiconductor device), ナノ構造 (nanostructure), シリコン (silicon), グラフェン (graphene), ナノ計測技術 (nanometrology))
髙島 祐介 (0.5%) / 助教   [詳細]
Portrait
性別: 男性 生年: 西暦1990年
電話: 電子メール:  t a k a s h i m a (@) t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 光デバイス (Optical Device), ナノフォトニクス (Nanophotonics), 半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics)
担当授業科目: STEM演習 (学部), 理工学特別実習 (大学院), 電気磁気学1・演習 (学部), 電気磁気学1及び演習 (学部), 電気磁気学2・演習 (学部), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子システム特別研究 (大学院), 電気電子システム特別輪講 (大学院), 電気電子工学創成実験 (学部), 電気電子工学基礎演習 (学部)
研究テーマ: ナノ構造の光デバイス応用 (ナノ構造 (nanostructure), 光デバイス (photonic device))
菅野 智士 (0.2%) / 技術員   [詳細]
Portrait
性別: 男性 生年: 西暦1982年
電話: 088 - 656 - 9440 電子メール:  s u g a n o (@) t e c h . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 専門分野:
研究テーマ:
西野 克志 (0.2%) / 准教授   [詳細]
Portrait
性別: 男性 生年: 西暦1966年
電話: 088 - 656 - 7464 電子メール:  n i s h i n o (@) e e . t o k u s h i m a - u . a c . j p 
学位: 博士(工学) 専門分野: 半導体工学 (Semiconductor Physical Electronics)
担当授業科目: プレゼンテーション技法(D) (大学院), プレゼンテーション技法(M) (大学院), 光デバイス工学 (学部), 光半導体デバイス特論 (大学院), 半導体工学基礎 (学部), 半導体工学特論 (大学院), 理工学特別実習 (大学院), 電気磁気学2・演習 (学部), 電気磁気学2及び演習 (学部), 電気電子システム特別研究 (大学院), 電気電子工学基礎実験 (学部)
研究テーマ: AlN等窒化物半導体の結晶成長,物性評価,デバイス応用 (AlN, バルク結晶成長, 物性評価)